CN221201132U - 晶圆承载装置 - Google Patents
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- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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Abstract
本申请实施例提供了一种晶圆承载装置,其包括:承载主体、第一承载环和第二承载环;承载主体设有凸起部,第一承载环的顶部设有第一环形凹陷,第二承载环的顶部设有第二环形凹陷,第一承载环和第二承载环中的任意一者能够套设于凸起部外;凸起部设有多个第一气孔,承载主体设有多个出气口,各出气口绕设于凸起部的外侧,第二承载环设有多个第三气孔;在第一承载环套设于凸起部外的情况下,第一承载环封堵各出气口,第一环形凹陷与凸起部的顶面形成第一承载槽;在第二承载环套设于凸起部外的情况下,第三气孔一一对应地与出气口连通,第二环形凹陷与凸起部的顶面形成第二承载槽。该晶圆承载装置适用于承载不同尺寸规格的晶圆。
Description
技术领域
本申请涉及半导体工艺设备技术领域,尤其涉及一种晶圆承载装置。
背景技术
在实施半导体工艺的过程中,经常需要利用晶圆承载装置承载晶圆,从而对承载于晶圆承载装置的晶圆实施半导体工艺处理。由于在实施半导体工艺的过程中,晶圆的规格可能不一致。例如,有时需要分别对6寸晶圆和8寸晶圆进行半导体工艺处理,在相关技术中,一般分别设置专用于承载6寸晶圆的晶圆承载装置和专用于承载8寸晶圆的晶圆承载装置,以分别承载6寸晶圆和8寸晶圆。这样,相关技术中的晶圆承载装置存在通用性不高的问题。
实用新型内容
本申请实施例提供了一种晶圆承载装置,以解决背景技术中的问题。
本申请实施例提供的晶圆承载装置包括:承载主体、第一承载环和第二承载环;所述承载主体设有凸起部,所述第一承载环的顶部设有第一环形凹陷,所述第二承载环的顶部设有第二环形凹陷,所述第一承载环和所述第二承载环中的任意一者能够套设于所述凸起部外;所述凸起部设有多个第一气孔,所述第一气孔的出口位于所述凸起部的顶面,所述承载主体设有多个出气口,各所述出气口绕设于所述凸起部的外侧,所述第二承载环设有多个第三气孔,所述第三气孔的出口位于所述第二环形凹陷的底面;在所述第一承载环套设于所述凸起部外的情况下,所述第一承载环封堵各所述出气口,所述第一环形凹陷与所述凸起部的顶面形成第一承载槽;在所述第二承载环套设于所述凸起部外的情况下,所述第三气孔一一对应地与所述出气口连通,所述第二环形凹陷与所述凸起部的顶面形成第二承载槽。
可选地,所述第一环形凹陷的外轮廓的尺寸小于所述第二环形凹陷的外轮廓的尺寸;在所述第一承载环套设于所述凸起部外的情况下,所述第一环形凹陷的底面与所述凸起部的顶面平齐;在所述第二承载环套设于所述凸起部外的情况下,所述第二环形凹陷的底面与所述凸起部的顶面平齐。
可选地,所述承载主体包括承载板和第一基体;所述承载板承载于所述第一基体,所述承载板构成所述凸起部;各所述第一气孔均沿所述承载板的厚度方向贯穿所述承载板;所述第一基体的顶部设有第一流道,所述承载板盖设于所述第一基体的顶部,各所述第一气孔均与所述第一流道连通。
可选地,所述承载主体还包括配接环,所述配接环承载于所述第一基体,且套设于所述承载板外,所述配接环设有沿其自身的厚度方向贯穿所述配接环的多个配接气孔,各所述配接气孔均与所述第一流道连通,所述配接气孔的背离所述第一流道的开口形成所述出气口;在所述第一承载环套设于所述承载板外的情况下,所述第一承载环堆叠于所述配接环上,以封堵所述出气口;各所述第三气孔均沿所述第二承载环的厚度方向穿设于所述第二承载环,在所述第二承载环套设于所述承载板外的情况下,所述第二承载环堆叠于所述配接环上,以使各所述第三气孔与所述配接气孔连通。
可选地,所述第一流道包括第一环形凹槽,多个所述第一气孔沿所述第一环形凹槽的环绕方向排布,所述承载板封盖于所述第一环形凹槽上方,各所述第一气孔的均朝向所述第一环形凹槽,且与所述第一环形凹槽连通。
可选地,所述第一流道还包括第二环形凹槽和连接凹槽;所述第二环形凹槽套设于所述第一环形凹槽内,所述第一环形凹槽与所述第二环形凹槽通过所述连接凹槽连通;所述承载板还设有多个第二气孔,各所述第二气孔均沿所述承载板的厚度方向贯穿所述承载板,各所述第二气孔沿所述第二环形凹槽的环绕方向排布;所述承载板还封盖于所述第二环形凹槽和所述连接凹槽上方,各所述第二气孔均朝向所述第二环形凹槽,且与所述第二环形凹槽连通。
可选地,所述第一流道还包括多个第一侧伸凹槽,各所述第一侧伸凹槽设于所述第一环形凹槽的外侧,各所述第一侧伸凹槽沿所述第一环形凹槽的环绕方向排布,各所述第一侧伸凹槽均与所述第一环形凹槽连通;所述配接环封盖于所述第一侧伸凹槽上方,所述配接气孔一一对应地朝向所述第一侧伸凹槽,且与所述第一侧伸凹槽连通。
可选地,所述第二承载环包括本体部和封盖环,所述本体部的朝向所述配接环的一侧设有第二流道,所述第三气孔沿所述本体部的厚度方向贯穿所述本体部,并与所述第二流道连通;所述封盖环盖设于所述第二流道外,在所述第二承载环套设于所述承载板外的情况下,所述封盖环套设于所述配接环外,所述第一侧伸凹槽经所述配接气孔与所述第二流道连通。
可选地,所述配接环的背离所述第一基体的一侧设有多个密封件容置槽,所述密封件容置槽绕设于所述出气口外;所述晶圆承载装置还包括多个密封圈,所述密封圈一一对应地设于所述密封件容置槽内。
可选地,所述第一基体还设有贯穿所述第一基体的第三流道,所述第三流道与所述第一流道连通。
本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果:
在本申请的实施例中,可以通过按照需要将第一承载环和第二承载环中的一者安装于凸起部外的方式,使得晶圆承载装置可以分别承载第一尺寸的晶圆或第二尺寸的晶圆,以提升晶圆承载装置的通用性。
示例性地,第一气孔和第三气孔可与工艺气体供应装置连接,从而,可以利用工艺气体供应装置向第一气孔和第三气孔供应工艺气体。进而,在将第一承载环安装于凸起部外的情况下,第一承载环封堵各出气口,第一承载环的第一环形凹陷与凸起部的顶面形成第一承载槽。这样,可以利用第一承载槽承载第一尺寸的晶圆,工艺气体可以经凸起部的第一气孔向第一尺寸的晶圆吹出。在第二承载环安装于凸起部外的情况下,第三气孔一一对应地与出气口连通,第二环形凹陷与凸起部的顶面形成第二承载槽。这样,可以利用第二承载槽承载第二尺寸的晶圆,工艺气体可以经凸起部的第一气孔及承载主体的出气口向第二尺寸的晶圆吹出。从而,可以通过按照需要更换第一承载环和第二承载环的方式,提升晶圆承载装置的通用性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案,下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种承载主体的示意图;
图2为图1中示出的承载主体的沿A-A截面的剖视图;
图3为图1中示出的承载主体的分解示意图;
图4为本申请实施例提供的一种第一基体的示意图;
图5为在图1中示出的承载主体的基础上,隐藏了承载板的示意图;
图6为本申请实施例提供的一种第一承载环的示意图;
图7为图6中示出的第一承载环的沿B-B截面的剖视图;
图8为本申请实施例提供的一种晶圆承载装置,其示出了第一承载环设于承载主体的情形;
图9为图8中示出的晶圆承载装置的沿C-C截面的剖视图;
图10为本申请实施例提供的一种第二承载环的示意图;
图11为本申请实施例提供的一种第二承载环的本体部的仰视图;
图12为图10中示出的第二承载环的沿D-D截面的剖视图;
图13为本申请实施例提供的一种晶圆承载装置,其示出了第二承载环设于承载主体的情形;
图14为图13中示出的晶圆承载装置的沿E-E截面的剖视图;
图15为本申请实施例提供的一种第二基体的示意图。
附图标记说明:
100-晶圆承载装置;110-承载主体;111a-凸起部;111-承载板;1111-第一气孔;1112-第二气孔;112-第一基体;1120-第一流道;1121-第一环形凹槽;1122-第二环形凹槽;1123-连接凹槽;1124-第一侧伸凹槽;1125-第三流道;1126-第一冷却流道;113-配接环;1131-出气口;1132-密封件容置槽;114-密封圈;115-第二基体;1151-第四流道;1152-第一支撑针穿孔;1153-测温部;120-第一承载环;121-第一环形凹陷;122-第一承载槽;130-第二承载环;131-第二环形凹陷;132-第二承载槽;133-第三气孔;134-本体部;1340-第二流道;1341-第三环形凹槽;1342-第二侧伸凹槽;135-封盖环。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外,尽管本申请中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的,但是本申请说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的,其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。
此外,要求不仅仅通过所使用的实际术语,而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本申请。
以下结合附图,详细说明本申请各实施例提供的技术方案。
本申请实施例提供了一种晶圆承载装置。参考图1至图15,本申请实施例提供的晶圆承载装置100包括:承载主体110、第一承载环120和第二承载环130。
参考图2,承载主体110设有凸起部111a。参考图6和图7,第一承载环120的顶部设有第一环形凹陷121。参考图10和图12,第二承载环130的顶部设有第二环形凹陷131。第一承载环120和第二承载环130中的任意一者能够套设于凸起部111a外。换言之,可以将第一承载环120和第二承载环130中的任意一者安装于凸起部111a外。
参考图2,凸起部111a设有多个第一气孔1111,第一气孔1111的出口位于凸起部111a的顶面。承载主体110设有多个出气口1131,各出气口1131绕设于凸起部111a的外侧。参考图10和图12,第二承载环130设有多个第三气孔133,第三气孔133的出口位于第二环形凹陷131的底面。
参考图2和图9,在第一承载环120套设于凸起部111a外的情况下,第一承载环120封堵各出气口1131,第一环形凹陷121与凸起部111a的顶面形成第一承载槽122。这样,在第一承载环120套设于凸起部111a外的情况下,可以利用第一承载环120与凸起部111a的顶面形成的第一承载槽122承载第一尺寸的晶圆。
参考图2和图14,在第二承载环130套设于凸起部111a外的情况下,第三气孔133一一对应地与出气口1131连通,第二环形凹陷131与凸起部111a的顶面形成第二承载槽132。这样,在第二承载环130套设于凸起部111a外的情况下,可以利用第二承载环130和凸起部111a的顶面形成的第二承载槽132承载第二尺寸的晶圆。
以此方式,采用本申请实施例提供的晶圆承载装置100,可以通过按照需要将第一承载环120和第二承载环130中的一者安装于凸起部111a外的方式,使得晶圆承载装置100可以分别承载第一尺寸的晶圆或第二尺寸的晶圆,以提升晶圆承载装置100的通用性。
示例性地,第一气孔1111和第三气孔133可与工艺气体供应装置连接,从而,可以利用工艺气体供应装置向第一气孔1111和第三气孔133供应工艺气体。进而,在将第一承载环120安装于凸起部111a外的情况下,第一承载环120封堵各出气口1131,第一承载环120的第一环形凹陷121与凸起部111a的顶面形成第一承载槽122。这样,可以利用第一承载槽122承载第一尺寸的晶圆,工艺气体可以经凸起部111a的第一气孔1111向第一尺寸的晶圆吹出。在第二承载环130安装于凸起部111a外的情况下,第三气孔133一一对应地与出气口1131连通,第二环形凹陷131与凸起部111a的顶面形成第二承载槽132。这样,可以利用第二承载槽132承载第二尺寸的晶圆,工艺气体可以经凸起部111a的第一气孔1111及承载主体110的出气口1131向第二尺寸的晶圆吹出。从而,可以通过按照需要更换第一承载环120和第二承载环130的方式,提升晶圆承载装置100的通用性。
参考图9和图14,在一些实施例中,第一环形凹陷121的外轮廓的尺寸小于第二环形凹陷131的外轮廓的尺寸。示例性地,第一环形凹陷121的外轮廓尺寸可以为6寸。这样,在将第一承载环120安装于凸起部111a外的情况下,晶圆承载装置100可用于承载6寸晶圆。第二环形凹陷131的外轮廓尺寸可以为8寸。这样,在将第二承载环130安装于凸起部111a外的情况下,晶圆承载装置100可用于承载8寸晶圆。从而,可以通过按照需要更换第一承载环120和第二承载环130的方式,使得晶圆承载装置100能够分别承载6寸晶圆和8寸晶圆。
参考图9,在第一承载环120套设于凸起部111a外的情况下,第一环形凹陷121的底面与凸起部111a的顶面平齐。这样,可以使得第一尺寸的晶圆能够更好地承载于第一承载槽122。参考图14,在第二承载环130套设于凸起部111a外的情况下,第二环形凹陷131的底面与凸起部111a的顶面平齐。这样,可以使得第二尺寸的晶圆能够更好地承载于第二承载槽132。
参考图2和图3,在一些实施例中,承载主体110包括承载板111和第一基体112。承载板111承载于第一基体112,承载板111构成凸起部111a。各第一气孔1111均沿承载板111的厚度方向贯穿承载板111。结合图4和图5,第一基体112的顶部设有第一流道1120。承载板111盖设于第一基体112的顶部,各第一气孔1111均与第一流道1120连通。这样,可以通过工艺气体供应装置向第一流道1120供应工艺气体的方式,利用第一流道1120将工艺气体输送至各第一气孔1111。
这里需说明的是,在上述示例中,凸起部111a由堆叠于第一基体112的承载板111形成。示例性地,在其它的实施例中,承载主体110可以为一体式构造,一体式构造的承载主体110具有凸起部111a。
参考图2和图3,在一些实施例中,承载主体110还包括配接环113。配接环113承载于第一基体112,且套设于承载板111外。配接环113设有沿其自身的厚度方向贯穿配接环113的多个配接气孔,各配接气孔均与第一流道1120连通。其中,配接气孔的背离第一流道1120的开口形成出气口1131。
参考图2和图9,在第一承载环120套设于承载板111外的情况下,第一承载环120堆叠于配接环113上,以封堵出气口1131。这样,在第一承载环120套设于承载板111外的情况下,可以通过第一承载环120封堵出气口1131的方式,防止工艺气体供应装置输送至第一流道1120的工艺气体经出气口1131溢出。
参考图12,各第三气孔133均沿第二承载环130的厚度方向穿设于第二承载环130。结合图14,在第二承载环130套设于承载板111外的情况下,第二承载环130堆叠于配接环113上,以使各第三气孔133与配接气孔连通。这样,在第二承载环130套设于承载板111外的情况下,可以通过第二承载环130堆叠于配接环113上,且第三气孔133与配接气孔连通的方式,使得工艺气体供应装置输送至第一流道1120的工艺气体经配接气孔,从第三气孔133向晶圆吹出。
参考图4,在一些实施例中,第一流道1120包括第一环形凹槽1121。多个第一气孔1111沿第一环形凹槽1121的环绕方向排布。结合图2和图3,承载板111封盖于第一环形凹槽1121上方,各第一气孔1111的均朝向第一环形凹槽1121,且与第一环形凹槽1121连通。这样,可以通过承载板111封盖于第一环形凹槽1121上方的方式,对第一基体112的位于第一流道1120周缘的区域进行密封;从而可以经第一环形凹槽1121向各第一气孔1111供应工艺气体。需说明的是,示例性地,第一环形凹槽1121为圆环形,各第一气孔1111沿环形方向均匀分布。
参考图4,在一些实施例中,第一流道1120还包括第二环形凹槽1122和连接凹槽1123。第二环形凹槽1122套设于第一环形凹槽1121内,第一环形凹槽1121与第二环形凹槽1122通过连接凹槽1123连通。结合图2和图3,承载板111还设有多个第二气孔1112。各第二气孔1112均沿承载板111的厚度方向贯穿承载板111,各第二气孔1112沿第二环形凹槽1122的环绕方向排布。承载板111还封盖于第二环形凹槽1122和连接凹槽1123上方,各第二气孔1112均朝向第二环形凹槽1122,且与第二环形凹槽1122连通。这样,可以通过向连接凹槽1123供应工艺气体的方式,使得工艺气体经第一环形凹槽1121输送至第一气孔1111,并经第二环形凹槽1122输送至第二气孔1112。
需说明的是,示例性地,第一环形凹槽1121为圆环形,各第一气孔1111沿环形方向均匀分布。第二环形凹槽1122为圆环形,各第二气孔1112沿环形方向均匀分布。此外,为进一步提升工艺气体的均匀性,在其它的实施例中,可参考第二环形凹槽1122和第二气孔1112的设置方式,进一步设置其它的环形凹槽和气孔,这里不再展开说明。
参考图4,在一些实施例中,第一流道1120还包括多个第一侧伸凹槽1124。各第一侧伸凹槽1124设于第一环形凹槽1121的外侧,各第一侧伸凹槽1124沿第一环形凹槽1121的环绕方向排布。各第一侧伸凹槽1124均与第一环形凹槽1121连通。
结合图2和图3,配接环113封盖于第一侧伸凹槽1124上方,配接气孔一一对应地朝向第一侧伸凹槽1124,且与第一侧伸凹槽1124连通。这样,输送至连接凹槽1123的工艺气体,还能够经第一侧伸凹槽1124输送至配接气孔。从而,在第二承载环130套设于承载板111外的情况下,堆叠于配接环113上的第二承载环130的第三气孔133与配接气孔连通,可以使得工艺气体最终经第三气孔133向晶圆吹出。
参考图12,在一些实施例中,第二承载环130包括本体部134和封盖环135。结合图11,本体部134的朝向配接环113的一侧设有第二流道1340,第三气孔133沿本体部134的厚度方向贯穿本体部134,并与第二流道1340连通。封盖环135盖设于第二流道1340外。示例性地,本体部134和封盖环135可以通过焊接的方式进行连接。
结合图14,在第二承载环130套设于承载板111外的情况下,封盖环135套设于配接环113外。第一侧伸凹槽1124经配接气孔与第二流道1340连通。示例性地,第二承载环130可以基于间隙密封的原理,与配接环113密封对接。从而,输送至第一侧伸凹槽1124的工艺气体,可以经第二流道1340输送至配接气孔。进而,在第二承载环130套设于承载板111外的情况下,堆叠于配接环113上的第二承载环130的第三气孔133与配接气孔连通,可以使得工艺气体最终经第三气孔133向晶圆吹出。
参考图11,在一些实施例中,第二流道1340包括第三环形凹槽1341和第二侧伸凹槽1342。各第二侧伸凹槽1342设于第三环形凹槽1341的内侧,各第二侧伸凹槽1342沿第三环形凹槽1341的环绕方向排布。各第二侧伸凹槽1342均与第三环形凹槽1341连通。结合图14,在第二承载环130套设于承载板111外的情况下,配接气孔一一对应地朝向第二侧伸凹槽1342。
参考图1至图3,在一些实施例中,配接环113的背离第一基体112的一侧设有多个密封件容置槽1132,密封件容置槽1132绕设于出气口1131外。晶圆承载装置100还包括多个密封圈114,密封圈114一一对应地设于密封件容置槽1132内。这样,在第一承载环120或第二承载环130堆叠于配接环113上的情况下,第一承载环120或第二承载环130可与密封圈114抵接,从而可以提升第一承载环120或第二承载环130与配接气孔的出气口1131的对接效果。
参考图14,在一些实施例中,第一基体112还设有贯穿第一基体112的第三流道1125,第三流道1125与第一流道1120连通。从而,可以经第三流道1125向第一流道1120输送工艺气体。在一些实施例中,第一基体112还设有第一冷却流道1126。从而,可以通过向第一冷却流道1126输送冷却介质的方式,对晶圆承载装置100进行冷却。
参考图14和图15,在一些实施例中,承载主体110还包括第二基体115。第二基体115设有沿其自身的厚度方向贯穿第二基体115的第四流道1151。第四流道1151与第三流道1125连通。从而,可以经第四流道1151向第三流道1125输送工艺气体。
在一些实施例中,第二基体115设有沿其自身的厚度方向贯穿第二基体115的至少三个第一支撑针穿孔1152。第一基体112和承载板111的与第一支撑针穿孔1152相对的部位分别有第二支撑针穿孔和第三支撑针穿孔。支撑针可依次穿设于第一支撑针穿孔1152、第二支撑针穿孔和第三支撑针穿孔。在需要将晶圆顶起的情况下,可以使得支撑针的端部从第三支撑针穿孔中伸出。在需要使得晶圆承载于晶圆承载装置100的情况下,可以使得支撑针的端部缩入第三支撑针穿孔。
在一些实施例中,如图14所示,第二基体115还设有测温部1153,从而,可以经测温部1153检查晶圆承载装置100的温度。此外,第二基体115还设有第二冷却流道,第二冷却流道与第一冷却流道1126连通。从而,可以经第二冷却流道向第一冷却流道1126输送冷却介质。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本申请的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本申请实施例的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本申请实施例的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种晶圆承载装置,其特征在于,包括:承载主体(110)、第一承载环(120)和第二承载环(130);
所述承载主体(110)设有凸起部(111a),所述第一承载环(120)的顶部设有第一环形凹陷(121),所述第二承载环(130)的顶部设有第二环形凹陷(131),所述第一承载环(120)和所述第二承载环(130)中的任意一者能够套设于所述凸起部(111a)外;
所述凸起部(111a)设有多个第一气孔(1111),所述第一气孔(1111)的出口位于所述凸起部(111a)的顶面,所述承载主体(110)设有多个出气口(1131),各所述出气口(1131)绕设于所述凸起部(111a)的外侧,所述第二承载环(130)设有多个第三气孔(133),所述第三气孔(133)的出口位于所述第二环形凹陷(131)的底面;
在所述第一承载环(120)套设于所述凸起部(111a)外的情况下,所述第一承载环(120)封堵各所述出气口(1131),所述第一环形凹陷(121)与所述凸起部(111a)的顶面形成第一承载槽(122);
在所述第二承载环(130)套设于所述凸起部(111a)外的情况下,所述第三气孔(133)一一对应地与所述出气口(1131)连通,所述第二环形凹陷(131)与所述凸起部(111a)的顶面形成第二承载槽(132)。
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一环形凹陷(121)的外轮廓的尺寸小于所述第二环形凹陷(131)的外轮廓的尺寸;
在所述第一承载环(120)套设于所述凸起部(111a)外的情况下,所述第一环形凹陷(121)的底面与所述凸起部(111a)的顶面平齐;在所述第二承载环(130)套设于所述凸起部(111a)外的情况下,所述第二环形凹陷(131)的底面与所述凸起部(111a)的顶面平齐。
3.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述承载主体(110)包括承载板(111)和第一基体(112);所述承载板(111)承载于所述第一基体(112),所述承载板(111)构成所述凸起部(111a);
各所述第一气孔(1111)均沿所述承载板(111)的厚度方向贯穿所述承载板(111);所述第一基体(112)的顶部设有第一流道(1120),所述承载板(111)盖设于所述第一基体(112)的顶部,各所述第一气孔(1111)均与所述第一流道(1120)连通。
4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述承载主体(110)还包括配接环(113),所述配接环(113)承载于所述第一基体(112),且套设于所述承载板(111)外,所述配接环(113)设有沿其自身的厚度方向贯穿所述配接环(113)的多个配接气孔,各所述配接气孔均与所述第一流道(1120)连通,所述配接气孔的背离所述第一流道(1120)的开口形成所述出气口(1131);
在所述第一承载环(120)套设于所述承载板(111)外的情况下,所述第一承载环(120)堆叠于所述配接环(113)上,以封堵所述出气口(1131);
各所述第三气孔(133)均沿所述第二承载环(130)的厚度方向穿设于所述第二承载环(130),在所述第二承载环(130)套设于所述承载板(111)外的情况下,所述第二承载环(130)堆叠于所述配接环(113)上,以使各所述第三气孔(133)与所述配接气孔连通。
5.根据权利要求4所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一流道(1120)包括第一环形凹槽(1121),多个所述第一气孔(1111)沿所述第一环形凹槽(1121)的环绕方向排布,所述承载板(111)封盖于所述第一环形凹槽(1121)上方,各所述第一气孔(1111)的均朝向所述第一环形凹槽(1121),且与所述第一环形凹槽(1121)连通。
6.根据权利要求5所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一流道(1120)还包括第二环形凹槽(1122)和连接凹槽(1123);
所述第二环形凹槽(1122)套设于所述第一环形凹槽(1121)内,所述第一环形凹槽(1121)与所述第二环形凹槽(1122)通过所述连接凹槽(1123)连通;
所述承载板(111)还设有多个第二气孔(1112),各所述第二气孔(1112)均沿所述承载板(111)的厚度方向贯穿所述承载板(111),各所述第二气孔(1112)沿所述第二环形凹槽(1122)的环绕方向排布;
所述承载板(111)还封盖于所述第二环形凹槽(1122)和所述连接凹槽(1123)上方,各所述第二气孔(1112)均朝向所述第二环形凹槽(1122),且与所述第二环形凹槽(1122)连通。
7.根据权利要求5所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一流道(1120)还包括多个第一侧伸凹槽(1124),各所述第一侧伸凹槽(1124)设于所述第一环形凹槽(1121)的外侧,各所述第一侧伸凹槽(1124)沿所述第一环形凹槽(1121)的环绕方向排布,各所述第一侧伸凹槽(1124)均与所述第一环形凹槽(1121)连通;
所述配接环(113)封盖于所述第一侧伸凹槽(1124)上方,所述配接气孔一一对应地朝向所述第一侧伸凹槽(1124),且与所述第一侧伸凹槽(1124)连通。
8.根据权利要求7所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第二承载环(130)包括本体部(134)和封盖环(135),所述本体部(134)的朝向所述配接环(113)的一侧设有第二流道(1340),所述第三气孔(133)沿所述本体部(134)的厚度方向贯穿所述本体部(134),并与所述第二流道(1340)连通;
所述封盖环(135)盖设于所述第二流道(1340)外,在所述第二承载环(130)套设于所述承载板(111)外的情况下,所述封盖环(135)套设于所述配接环(113)外,所述第一侧伸凹槽(1124)经所述配接气孔与所述第二流道(1340)连通。
9.根据权利要求4所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述配接环(113)的背离所述第一基体(112)的一侧设有多个密封件容置槽(1132),所述密封件容置槽(1132)绕设于所述出气口(1131)外;
所述晶圆承载装置还包括多个密封圈(114),所述密封圈(114)一一对应地设于所述密封件容置槽(1132)内。
10.根据权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一基体(112)还设有贯穿所述第一基体(112)的第三流道(1125),所述第三流道(1125)与所述第一流道(1120)连通。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322889404.8U CN221201132U (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 晶圆承载装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322889404.8U CN221201132U (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 晶圆承载装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN221201132U true CN221201132U (zh) | 2024-06-21 |
Family
ID=91529024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202322889404.8U Active CN221201132U (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | 晶圆承载装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN221201132U (zh) |
-
2023
- 2023-10-26 CN CN202322889404.8U patent/CN221201132U/zh active Active
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