CN221103943U - 显示装置的制造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 77
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 59
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 168
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- -1 region Substances 0.000 description 4
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- DLINORNFHVEIFE-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;zinc Chemical compound [Zn].OO DLINORNFHVEIFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940105296 zinc peroxide Drugs 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 210000003195 fascia Anatomy 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
本实用新型公开了显示装置的制造装置,显示装置的制造装置包括:修复模块,修复包括有机封装层和从所述有机封装层突出的异物的目标物;以及检查模块,检查所述异物的存在与否,其中,所述修复模块包括修复部,所述修复部包括:研磨部,研磨所述异物;以及喷射部,向所述异物上喷射墨,以及所述有机封装层和所述墨包括相同的成分。
Description
技术领域
本实用新型的实施例涉及装置,更详细地,涉及显示装置的制造装置。
背景技术
基于移动性的电子设备正在被广泛地使用。近来,除了诸如移动电话的小型电子设备之外,平板PC也被广泛地用作移动电子设备。
为了支持各种功能,这种移动电子设备包括显示装置以向用户提供诸如图像或影像的视觉信息。近来,随着用于驱动显示装置的其他部件的小型化,显示装置在电子设备中所占的比重逐渐增加,并且也正在开发能够从平坦的状态弯曲成具有预定角度的结构。
实用新型内容
要解决的技术问题
本实用新型的实施例的目的在于,研磨从有机封装层突出的异物,并且在被研磨的异物上涂覆墨并进行固化,然后在有机封装层和固化的墨上布置无机封装层。
然而,这些技术问题是示例性的,且本实用新型要解决的技术问题不限于此。
解决方法
本实用新型一实施例公开了显示装置的制造装置,其包括:修复模块,修复包括有机封装层和从所述有机封装层突出的异物的目标物;以及检查模块,检查所述异物的存在与否,其中,所述修复模块包括修复部,所述修复部包括:研磨部,研磨所述异物;以及喷射部,向所述异物上喷射墨,以及所述有机封装层和所述墨包括相同的成分。
在本实施例中,所述修复部还可以包括:紫外线照射部,向喷射到所述异物上的墨照射紫外线。
在本实施例中,所述修复模块还可以包括:移动部,使所述修复部相对于所述目标物移动。
在本实施例中,所述检查模块可以检查所述异物的成分。
在本实施例中,所述研磨部的研磨强度可以基于由所述检查模块检查到的所述异物的成分来确定。
在本实施例中,所述检查模块可以包括荧光显微镜。
在本实施例中,所述检查模块可以包括拉曼光谱仪。
在本实施例中,所述显示装置的制造装置还可以包括:测量模块,测量所述异物从所述有机封装层突出的程度。
在本实施例中,所述研磨部的研磨强度可以基于由所述测量模块判断的所述异物的突出程度来确定。
在本实施例中,所述研磨部的旋转速度可以基于由所述测量模块判断的所述异物的突出程度来确定。
在本实施例中,所述研磨部可以在所述异物从所述有机封装层突出7μm以上的情况下运行。
在本实施例中,所述测量模块可以包括白色光扫描干涉仪。
本实用新型的另一实施例公开了显示装置的制造方法,其包括:在第一层上布置有机封装层的步骤;研磨从所述有机封装层突出的异物的步骤;以及向所述异物上喷射包括与所述有机封装层相同的成分的墨的步骤。
在本实施例中,所述显示装置的制造方法还可以包括:向所喷射的所述墨照射紫外线从而使所喷射的所述墨固化的步骤。
在本实施例中,所述显示装置的制造方法还可以包括:在所述有机封装层和固化的所述墨上布置无机封装层的步骤。
在本实施例中,所述显示装置的制造方法还可以包括:检查所述异物的存在与否和所述异物的成分中的至少一个的步骤。
在本实施例中,所述显示装置的制造方法还可以包括:基于所述异物的成分来确定研磨所述异物的强度的步骤。
在本实施例中,所述显示装置的制造方法还可以包括:测量所述异物从所述有机封装层突出的程度的步骤。
在本实施例中,所述显示装置的制造方法还可以包括:基于所述异物的突出程度来确定研磨所述异物的强度的步骤。
在本实施例中,确定研磨所述异物的强度的步骤可以包括:确定研磨所述异物的研磨部的旋转速度的步骤。
除了前述内容以外的其他方面、特征和优点将从附图、权利要求书和实用新型的详细说明中变得明确。
有益效果
根据本实用新型的实施例,可以减少由于异物而在无机封装层中产生裂纹的现象,并且可以改善异物上的无机封装层的平坦度。
本实用新型的效果不限于以上提及的效果,本领域技术人员可以从权利要求书的记载中明确地理解未提及的其他效果。
附图说明
图1是根据本实用新型一实施例的显示装置的制造装置的框图。
图2是根据本实用新型一实施例的检查模块的示意性模式图。
图3是根据本实用新型一实施例的测量模块的示意性模式图。
图4是根据本实用新型一实施例的修复模块的示意性立体图。
图5是根据本实用新型一实施例的修复部的侧视图。
图6a至图6e是用于说明根据本实用新型一实施例的显示装置的制造方法的剖视图。
图7是示意性地示出通过根据本实用新型一实施例的显示装置的制造方法制造的显示装置的平面图。
图8是示意性地示出根据本实用新型一实施例的显示装置的剖视图。
图9是根据本实用新型一实施例的显示装置中的任一像素的等效电路图。
图10是根据本实用新型另一实施例的检查模块的示意性模式图。
附图标记的说明
1:显示装置的制造装置
CVDM1:第一沉积模块
TM1:第一传送模块
11:检查模块
12:测量模块
TM2:第二传送模块
13:修复模块
CVDM2:第二沉积模块
14:检查模块
具体实施方式
本实用新型可以进行各种转换并且可以具有各种实施例,将在附图中例示特定的实施例并且进行详细说明。本实用新型的效果和特征以及实现效果和特征的方法将通过参照后面与附图一起详细描述的实施例而变得清楚。然而,本实用新型并不限于以下所公开的实施例,而是可以以各种形态实现。
以下,将参照附图详细说明本实用新型的实施例,且在参照附图说明时,对相同或相应的构成要素赋予相同的附图标记,并且将省略对其的重复说明。
在以下实施例中,“第一”、“第二”等术语以将一个构成要素与另一个构成要素区分开的目的所使用,而不是以限定性的意义所使用。
在以下实施例中,除非在上下文中另外明确地指出,否则单数的表达包括复数的表达。
在以下实施例中,术语“包括”或“具有”等意味着存在说明书中所记载的特征或构成要素,并且不预先排除一个以上的其他特征或构成要素所附加的可能性。
在以下的实施例中,当膜、区域、构成要素等部分被称为在另一部分之上或上时,不仅包括直接在另一部分之上的情况,而且还包括其它膜、区域、构成要素等介于中间的情况。
在附图中,为了便于说明,可能夸大或缩小了构成要素的大小。例如,在附图中示出的各个构成的大小和厚度是为了说明的方便而任意示出的,因此本实用新型不必限于附图所示。
在以下实施例中,x轴、y轴和z轴不限于正交坐标系中的三个轴,并且可以解释为包括其的广泛的意义。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此正交,但是也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
在可以不同地实现某个实施例的情况下,可以按照与说明的顺序不同的顺序来执行特定的工艺顺序。例如,连续说明的两个工艺可以实质上同时执行,也可以以与所说明的顺序相反的顺序执行。
图1是根据本实用新型一实施例的显示装置的制造装置的框图。
参照图1,显示装置的制造装置1可以检查、测量和修复目标物T(参照图6a)。显示装置的制造装置1可以包括第一沉积模块CVDM1、第一传送模块TM1、检查模块11、测量模块12、第二传送模块TM2、修复模块13和第二沉积模块CVDM2。
第一沉积模块CVDM1可以在第一层TLAY1(参照图6a)上布置有机封装层TMN(参照图6a)。例如,第一沉积模块CVDM1可以在第一层TLAY1上沉积有机封装层TMN。此时,在有机封装层TMN中可能布置有异物TFM(参照图6a)。异物TFM可能从有机封装层TMN突出。为了便于描述,将第一层TLAY1、有机封装层TMN和异物TFM合起来称为目标物T(参照图6a)。即,目标物T可以包括第一层TLAY1、有机封装层TMN和异物TFM。
第一传送模块TM1可以将目标物T传送到检查模块11。第一传送模块TM1可以将目标物T从第一沉积模块CVDM1搬出并搬入检查模块11。
检查模块11可以检查异物TFM的存在与否和异物TFM的成分中的至少一个。检查模块11可以检查目标物T中是否包括异物TFM。此外,在目标物T中包括异物TFM的情况下,检查模块11可以检查异物TFM的成分。
第一传送模块TM1可以将目标物T传送到测量模块12。在由检查模块11检查到目标物T中包括异物TFM的情况下,第一传送模块TM1可以将目标物T从检查模块11搬出并搬入测量模块12。
测量模块12可以测量异物TFM从有机封装层TMN突出的程度。例如,测量模块12可以判断异物TFM的突出高度。
第一传送模块TM1可以将目标物T传送到第二传送模块TM2。第一传送模块TM1可以将目标物T从检查模块11搬出并传递到第二传送模块TM2。
第二传送模块TM2可以将目标物T传送到修复模块13。第二传送模块TM2可以从第一传送模块TM1接收目标物T,并将目标物T搬入修复模块13。
修复模块13可以修复目标物T。修复模块13可以研磨包括在目标物T中的异物TFM,向异物TFM上喷射墨,并向所喷射的墨照射紫外线。
第二传送模块TM2可以将目标物T传送到第二沉积模块CVDM2。第二传送模块TM2可以将目标物T从修复模块13搬出并搬入第二沉积模块CVDM2。
第二沉积模块CVDM2可以在目标物T上布置无机封装层LAY2(参照图6e)。例如,第二沉积模块CVDM2可以在目标物T上沉积无机封装层LAY2。
第一沉积模块CVDM1、检查模块11、测量模块12、修复模块13和第二沉积模块CVDM2可以分别布置在分离的空间中。例如,第一沉积模块CVDM1、检查模块11、测量模块12、修复模块13和第二沉积模块CVDM2可以分别布置在彼此间隔开的腔室中。在这种结构中,第一沉积模块CVDM1、检查模块11、测量模块12、修复模块13和第二沉积模块CVDM2可以在运行过程中不彼此影响。
图2是根据本实用新型一实施例的检查模块的示意性模式图。
参照图2,检查模块11可以包括第一光源111、第一过滤器112、第一分离器113、第二分离器114、第一检测器115、第二过滤器116和第二检测器117。
第一光源111可以发射第一光L1。从第一光源111发射的第一光L1可以包括紫外线和可见光线。从第一光源111发射的第一光L1可以入射到第一过滤器112。
第一过滤器112可以过滤从第一光源111发射的第一光L1。例如,第一过滤器112可以是具有特定透射带的带通过滤器(band pass filter)。第一过滤器112可以具有不连续的多个透过带。例如,第一过滤器112可以具有与紫外线区域、蓝色区域、绿色区域和红色区域对应的透射带。因此,穿过第一过滤器112的第一光L1可以包括与第一过滤器112的透射带对应的紫外线区域、蓝色区域、绿色区域和红色区域的波长范围。穿过第一过滤器112的第一光L1可以入射到第一分离器113。
第一分离器113可以起到半反射镜(half mirror)的作用。第一分离器113可以朝向目标物T反射穿过第一过滤器112的第一光L1。
被第一分离器113反射并朝向目标物T的第一光L1可以被目标物T反射。被目标物T反射的第一光L1可以具有从朝向目标物T的第一光L1偏移的波长范围。例如,朝向目标物T的第一光L1的紫外线区域、蓝色区域、绿色区域和红色区域的波长范围可以在被目标物T反射的同时分别偏移到蓝色区域、绿色区域、红色区域和红外线区域。被目标物T反射的第一光L1可以穿过第一分离器113并入射到第二分离器114。
第二分离器114可以起到半反射镜的作用。第二分离器114可以朝向第一检测器115反射穿过第一分离器113的第一光L1中的一部分,并且可以使穿过第一分离器113的第一光L1中的其余部分穿过。
第一检测器115可以从被第二分离器114反射的第一光L1中检测出图像信息。例如,入射到第一检测器115的第一光L1可以包括具有蓝色区域、绿色区域和红色区域的波长范围的第一光L1。第一检测器115可以包括CCD(charge-coupled device camera,电荷耦合装置相机)。例如,第一检测器115可以包括行扫描相机和延时积分(time delayedintegration)相机等。例如,延时积分相机可以包括多个线形态的像素。延时积分相机可以以预定的时间间隔拍摄检查对象几次,并重叠通过每次拍摄获得的图像,从而获得清晰的一个图像。根据从第一检测器115检测到的图像信息,检查模块11可以判断目标物T中是否包括异物TFM(参考图6a)。即,检查模块11可以检查异物TFM的存在与否。
第二过滤器116可以过滤穿过第二分离器114的第一光L1。例如,第二过滤器116可以是具有特定透射带的带通过滤器(band pass filter)。第二过滤器116可以具有不连续的多个透过带。第二过滤器116可以是荧光过滤器。穿过第二过滤器116的第一光L1可以包括与第二过滤器116的荧光透射带对应的蓝色区域、绿色区域和红色区域的波长范围。穿过第二过滤器116的第一光L1可以被消除噪声。穿过第二过滤器116的第一光L1可以入射到第二检测器117。
第二检测器117可以包括荧光显微镜。第二检测器117可以从穿过第二过滤器116的第一光L1中检测出荧光图像信息。例如,可以从入射到第二检测器117的第一光L1的蓝色荧光区域中获得蓝色荧光图像,可以从入射到第二检测器117的第一光L1的绿色荧光区域中获得绿色荧光图像,以及可以从入射到第二检测器117的第一光L1的红色荧光区域中获得红色荧光图像。检查模块11可以根据从第二检测器117检测到的荧光图像信息中检查异物TFM的成分。
虽然在图2中未示出,但是在第一光源111、第一过滤器112、第一分离器113、第二分离器114、第一检测器115、第二过滤器116和第二检测器117中的每个之间可以布置有至少一个反射镜和透镜。例如,上述至少一个反射镜和透镜可以包括平面反射镜、凸面反射镜和凹面反射镜中的至少一个。上述至少一个反射镜和透镜可以使第一光L1集中或分散,或者可以改变第一光L1的路径。
图3是根据本实用新型一实施例的测量模块的示意性模式图。
参照图3,测量模块12可以包括白色光扫描干涉仪。测量模块12可以包括第二光源121、第三分离器122、聚光部123、第四分离器124、基准反射镜125和第三检测器126。
第二光源121可以发射第二光L2。从第二光源121发射的第二光L2可以包括白色光。从第二光源121发射的第二光L2可以入射到第三分离器122。
第三分离器122可以起到半反射镜的作用。第三分离器122可以朝向聚光部123反射由第二光源121发射的第二光L2。
聚光部123可以使入射到聚光部123的第二光L2集中。聚光部123可以包括凸透镜。穿过聚光部123的第二光L2可以入射到第四分离器124。
第四分离器124可以起到半反射镜的作用。第四分离器124可以使被第三分离器122反射的第二光L2中的一部分穿过,并且可以反射被第三分离器122反射的第二光L2中的其余部分。
穿过第四分离器124的第二光L2可以入射到目标物T。入射到目标物T的第二光L2被目标物T反射,并再次依次穿过第四分离器124、聚光部123和第三分离器122从而入射到第三检测器126。
被第四分离器124反射的第二光L2可以入射到基准反射镜125。入射到基准反射镜125的第二光L2被基准反射镜125反射,然后再次被第四分离器124反射,并依次穿过聚光部123、第三分离器122从而入射到第三检测器126。
第三检测器126可以检测由于被目标物T反射的第二光L2和被第四分离器124反射的第二光L2之间的干涉现象而产生的干涉条纹。因此,第三检测器126可以通过分析这种干涉条纹来测量异物TFM(参照图6a)从有机封装层TMN(参照图6a)突出的程度。
虽然在图3中未示出,但是在第二光源121、第三分离器122、聚光部123、第四分离器124、基准反射镜125和第三检测器126中的每个之间可以布置有至少一个反射镜和透镜。例如,上述至少一个反射镜和透镜可以包括平面反射镜、凸面反射镜和凹面反射镜中的至少一个。上述至少一个反射镜和透镜可以使第二光L2集中或分散,或者可以改变第二光L2的路径。
图4是根据本实用新型一实施例的修复模块的示意性立体图。
参照图4,修复模块13可以包括载物台131、固定部132、修复部133、移动部134和清洗部135。
载物台131可以提供布置目标物T的空间。载物台131可以支承目标物T的下表面(例如,朝向-Z轴的表面)。载物台131可以具有与目标物T的形状对应的形状。例如,如图4中所示,在目标物T的平面形状是四边形的情况下,载物台131的平面形状也可以是四边形。然而,这仅仅是一个示例,且目标物T的形状可以是多样的,并且因此,载物台131的形状也可以是多样的。
固定部132可以固定目标物T。固定部132可以与载物台131连接,并且可以相对于载物台131移动。固定部132可以设置为多个,并且每个固定部132可以固定目标物T的侧表面。固定部132可以包括第一固定部1321和第二固定部1322。
第一固定部1321可以固定目标物T的第一表面(例如,朝向+Y轴的表面)和作为第一表面的相对表面的第二表面(例如,朝向-Y轴的表面)。第一固定部1321可以沿第一固定方向DR1321相对于载物台131移动。当目标物T布置在载物台131上时,第一固定部1321可以沿第一固定方向DR1321移动以靠近目标物T。例如,第一固定方向DR1321可以是Y轴方向。第一固定部1321可以与目标物T的第一表面和第二表面接触并固定目标物T。第一固定部1321可以设置为多个。例如,第一固定部1321可以设置为四个,并且第一固定部1321中的两个可以以与目标物T的第一表面接触的方式彼此间隔开布置,且第一固定部1321的其余两个可以以与目标物T的第二表面接触的方式彼此间隔开布置。然而,这是示例性的,且第一固定部1321的数量和布置不限于此。
第二固定部1322可以固定目标物T的第三表面(例如,朝向+X轴的表面)和作为第三表面的相对表面的第四表面(例如,朝向-X轴的表面)。第二固定部1322可以沿第二固定方向DR1322相对于载物台131移动。当目标物T布置在载物台131上时,第二固定部1322可以沿第二固定方向DR1322移动以靠近目标物T。第二固定方向DR1322可以是与第一固定方向DR1321交叉的方向。例如,第二固定方向DR1322可以是X轴方向。第二固定部1322可以与目标物T的第三表面和第四表面接触并固定目标物T。第二固定部1322可以设置为多个。例如,第二固定部1322可以设置为四个,并且第二固定部1322中的两个可以以与目标物T的第三表面接触的方式彼此间隔开布置,且第二固定部1322中的其余两个可以以与目标物T的第四表面接触的方式彼此间隔开布置。然而,这是示例性的,且第二固定部1322的数量和布置不限于此。
修复部133可以布置在目标物T上。修复部133可以修复目标物T的面向修复部133的一表面(例如,朝向+Z轴的表面)。
移动部134可以使修复部133相对于目标物T移动。移动部134可以使修复部133相对于目标物T在第一移动方向DR1341、第二移动方向DR1342和第三移动方向DR133上移动。第一移动方向DR1341、第二移动方向DR1342和第三移动方向DR133可以是彼此交叉的方向。例如,第一移动方向DR1341可以是X轴方向,第二移动方向DR1342可以是Z轴方向,以及第三移动方向DR133可以是Y轴方向。在这种结构中,修复部133可以在目标物T上自由地移动并修复目标物T。移动部134可以包括第一移动部1341和第二移动部1342。
第一移动部1341可以使修复部133相对于目标物T在第一移动方向DR1341和第二移动方向DR1342上移动。第一移动部1341可以与载物台131连接,并且可以相对于载物台131在第一移动方向DR1341上移动。例如,第一移动部1341可以包括两个柱形状的结构,并且两个柱形状的结构中的任一个可以连接到载物台131的第一表面(例如,朝向+Y轴的表面),且两个柱形状的结构中的另一个可以连接到载物台131的第二表面(例如,朝向-Y轴的表面)。每个柱形状的结构的移动方向和移动速度可以相同。
第一移动部1341可以使第二移动部1342在第二移动方向DR1342上移动。在第一移动部1341的两个柱形状的结构之间可以布置有第二移动部1342。第二移动部1342的每个端部可以连接到第一移动部1341。例如,第二移动部1342的一端可以连接到第一移动部1341的两个柱形状的结构中的任一个,并且第二移动部1342的另一端可以连接到第一移动部1341的两个柱形状的结构中的另一个。第二移动部1342可以与修复部133连接。在这种结构中,通过由第一移动部1341使第二移动部1342在第二移动方向DR1342上移动,修复部133可以在第二移动方向DR1342上移动。
第二移动部1342可以使修复部133在第三移动方向DR133上移动。第二移动部1342和修复部133可以彼此连接。修复部133的至少一部分可以布置在第二移动部1342和目标物T之间。在这种结构中,第二移动部1342可以在不妨碍修复部133修复目标物T的情况下使修复部133在第三移动方向DR133上移动。
清洗部135可以清洗修复部133。例如,清洗部135可以以朝向修复部133喷射清洗液的方式清洗修复部133。当修复部133被污染时,移动部134可以使修复部133移动到清洗部135上。清洗部135可以朝向修复部133的被污染的部分喷射清洗液。然而,上述清洗部135的清洗方式仅仅是一个示例,且不限于此。例如,清洗部135也可以以与修复部133的被污染的部分直接接触的方式清洗修复部133。此外,虽然在图4中示出了清洗部135布置在载物台131上,但这仅仅是一个示例,且只要清洗部135能够清洗修复部133,清洗部135的位置就可以是多样的。
图5是根据本实用新型一实施例的修复部的侧视图。
参照图5,修复部133可以包括修复框架1331、研磨部1332、喷射部1333和紫外线照射部1334。
修复框架1331可以与移动部134(参照图4)连接。例如,修复框架1331可以连接到第二移动部1342(参照图4)。修复框架1331可以与研磨部1332、喷射部1333和紫外线照射部1334连接。在这种结构中,随着移动部134使修复框架1331移动,研磨部1332、喷射部1333和紫外线照射部1334也可以与修复框架1331一起移动。
研磨部1332可以布置在修复框架1331的下部。即,研磨部1332可以布置在修复框架1331和目标物T(参照图4)之间。在这种结构中,研磨部1332可以与目标物T接触。研磨部1332可以相对于修复框架1331在第一方向DR1和第二方向DR2上移动。例如,第一方向DR1可以是-Z轴方向,且第二方向DR2可以是+Z轴方向。研磨部1332可以相对于修复框架1331在旋转方向DRR上旋转。例如,旋转方向DRR可以是以Z轴为中心旋转的方向。
研磨部1332可以相对于修复框架1331在第一方向DR1上移动从而接触目标物T。研磨部1332可以以通过在旋转方向DRR上旋转的同时在第一方向DR1移动来在第一方向DR1上对目标物T施加压力的方式研磨目标物T。当完成对目标物T的研磨时,研磨部1332可以在第二方向DR2上移动从而与目标物T间隔开。
研磨部1332可以包括圆柱形状。即,研磨部1332的平面形状可以是圆形。研磨部1332的与目标物T接触的接触表面1332S可以包括曲面。研磨部1332的接触表面1332S可以包括朝向目标物T凸出的表面。因此,在研磨部1332的接触表面1332S与目标物T接触并研磨目标物T的过程中,可以柔和地研磨目标物T。
喷射部1333可以布置在修复框架1331的下部。即,喷射部1333可以布置在修复框架1331和目标物T之间。在这种结构中,喷射部1333可以朝向目标物T喷射墨。
紫外线照射部1334可以布置在修复框架1331的下部。即,紫外线照射部1334可以布置在修复框架1331和目标物T之间。在这种结构中,紫外线照射部1334可以朝向目标物T照射紫外线。
图6a至图6e是用于说明根据本实用新型一实施例的显示装置的制造方法的剖视图。
参照图6a,目标物T可以包括第一层TLAY1、有机封装层TMN和异物TFM。首先,可以在第一层TLAY1上布置有机封装层TMN。布置在第一层TLAY1上的有机封装层TMN可以处于固化的状态。例如,有机封装层TMN可以处于通过紫外线固化的状态。从有机封装层TMN突出的异物TFM可能布置在第一层TLAY1上。异物TFM的至少一部分可以被有机封装层TMN围绕。例如,异物TFM可能在第一层TLAY1上布置有机封装层TMN的过程中布置在第一层TLAY1上。或者,异物TFM可能在第一层TLAY1上布置有机封装层TMN之前布置在第一层TLAY1上。检查模块11可以检查异物TFM的存在与否。测量模块12可以测量异物TFM从有机封装层TMN突出的程度。
参照图6b,移动部134(参照图4)可以使修复部133移动,以使研磨部1332位于异物TFM上。当研磨部1332位于异物TFM上时,研磨部1332可以研磨从有机封装层TMN突出的异物TFM。因此,异物TFM中的从有机封装层TMN突出的一部分可以被研磨部1332研磨去除。
研磨部1332是否运行可以基于由测量模块12测量的异物TFM的突出程度来确定。例如,在异物TFM从有机封装层TMN突出的程度小于7μm的情况下,研磨部1332可以不研磨异物TFM。
研磨部1332的研磨强度可以基于由检查模块11检查的异物TFM的成分来确定。例如,当异物TFM的刚性大时,研磨强度可以提高,且当异物TFM的刚性小时,研磨强度可以降低。研磨强度可以通过研磨部1332对异物TFM施加的压力和研磨部1332的旋转速度来调节。
研磨部1332的研磨强度可以基于由测量模块12测量的异物TFM的突出程度来确定。例如,研磨部1332的旋转速度可以调节为第一级和比第一级快的第二级。在异物TFM从有机封装层TMN突出的程度为7μm以上并且小于16μm的情况下,研磨部1332可以以第一级的旋转速度研磨异物TFM。当异物TFM从有机封装层TMN突出的程度为16μm以上时,研磨部1332可以以第二级的旋转速度研磨异物TFM。
参照图6c,移动部134可以使修复部133移动,以使喷射部1333位于异物TFM上。当喷射部1333位于异物TFM上时,喷射部1333可以向异物TFM上喷射墨I。在异物TFM从有机封装层TMN突出的程度小于7μm时,喷射部1333可以在未研磨异物TFM的情况下喷射墨I。墨I可以包括与有机封装层TMN相同的成分。墨I可以包括与固化之前的有机封装层TMN相同的成分。
参照图6d,移动部134可以使修复部133移动,以使紫外线照射部1334位于墨I上。当紫外线照射部1334位于墨I上时,紫外线照射部1334可以朝向墨I照射紫外线UV。墨I可以通过从紫外线照射部1334照射的紫外线UV而固化。即,固化的墨I可以是处于与有机封装层TMN相同的状态的相同的物质。
参照图6e,可以在有机封装层TMN和固化的墨I上布置无机封装层LAY2。在无机封装层LAY2和异物TFM之间可以布置有固化的墨I。在这种结构中,异物TFM和无机封装层LAY2可以不彼此接触。因此,可以减少由于异物TFM而在无机封装层LAY2中产生裂纹的现象。此外,可以改善异物TFM上的无机封装层LAY2的平坦度。
图7是示意性地示出通过根据本实用新型一实施例的显示装置的制造方法制造的显示装置的平面图。
参照图7,根据本实用新型一实施例制造的显示装置2可以包括显示区域DA和位于显示区域DA的外侧的周边区域PA。显示装置2可以通过二维地排列在显示区域DA中的多个像素PX的阵列提供图像。
周边区域PA作为不提供图像的区域,可以完全地或部分地围绕显示区域DA。在周边区域PA中可以布置有用于向与像素PX中的每个对应的像素电路提供电信号或电源的驱动器等。在周边区域PA中可以布置有作为能够与电子元件或印刷电路板等电连接的区域的焊盘。
以下,将说明显示装置2包括有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)作为发光元件(Light emitting element),但是本实用新型的显示装置2不限于此。作为另一实施例,显示装置2可以是包括无机发光二极管的发光显示装置,即,无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display)。无机发光二极管可以包括PN结二极管,PN结二极管包括基于无机物半导体的材料。当对PN结二极管正向施加电压时,空穴和电子被注入,并且由空穴和电子的复合产生的能量被转换为光能,从而发射预定颜色的光。前述无机发光二极管可以具有几微米至几百微米的宽度,且在一些实施例中,无机发光二极管可以被称为微型LED。作为又一实施例,显示装置2可以是量子点发光显示装置(Quantum dot LightEmitting Display)。
另一方面,显示装置2不仅可以用作诸如移动电话(mobile phone)、智能电话(smart phone)、平板PC(tablet personal computer)、移动通信终端、电子记事本、电子书、PMP(portable multimedia player,便携式多媒体播放器)、导航仪、UMPC(UltraMobile PC,超移动PC)等的便携式电子设备的显示屏幕、而且可以用作电视机、笔记本计算机、监视器、广告板、物联网(internet of things,IOT)装置等的各种产品的显示屏幕。此外,根据一实施例的显示装置2可以用于诸如智能手表(smart watch)、手表电话(watchphone)、眼镜式显示器和头戴式显示器(head mounted display,HMD)的可穿戴装置(wearabledevice)。此外,根据一实施例的显示装置2可以用作车辆的仪表板、布置在车辆的中央仪表板(center fascia)或仪表板上的CID(Center Information Display,中央信息显示器)、替代车辆的侧视镜的室内镜显示器(roommirror display)以及作为车辆的后座用娱乐而布置在前座的背表面上的显示屏幕。
图8是示意性地示出根据本实用新型一实施例的显示装置的剖视图,并且可以对应于沿图7的线VIII-VIII’截取的显示装置的截面。
参照图8,显示装置2可以包括基板100、像素电路层PCL、显示要素层DEL和封装层300的堆叠结构。
基板100可以是多层结构,该多层结构包括包含高分子树脂的基础层以及无机层。例如,基板100可以包括包含高分子树脂的基础层以及无机绝缘层的阻障层。例如,基板100可以包括依次堆叠的第一基础层101、第一阻障层102、第二基础层103和第二阻障层104。第一基础层101和第二基础层103可以包括聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚芳酯(polyarylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide,PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethyelenene napthalate,PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyeleneterepthalate,PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)、聚碳酸酯、三醋酸纤维素(TAC)和/或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate,CAP)等。第一阻障层102和第二阻障层104可以包括诸如硅氧化物、硅氮氧化物和/或硅氮化物的无机绝缘物。基板100可以具有柔性特性。
在基板100上布置有像素电路层PCL。在图8中示出了像素电路层PCL包括薄膜晶体管TFT和布置在薄膜晶体管TFT的构成要素下方和/或上方的缓冲层1111、第一栅极绝缘层1112、第二栅极绝缘层1113、层间绝缘层1114、第一平坦化绝缘层1115和第二平坦化绝缘层1116。
缓冲层1111可以减少或阻断异物、湿气或外部空气从基板100的下部渗透,并且可以在基板100上提供平坦表面。缓冲层1111可以包括诸如硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物的无机绝缘物,并且可以形成为包括前述物质的单层结构或多层结构。
缓冲层1111上的薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act,且半导体层Act可以包括多晶硅(poly-Si)。或者,半导体层Act可以包括非晶硅(a-Si)、氧化物半导体或有机半导体等。半导体层Act可以包括沟道区域C和分别布置在沟道区域C的两侧的漏极区域D和源极区域S。栅电极GE可以与沟道区域C重叠。
栅电极GE可以包括低电阻金属物质。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质,并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。
半导体层Act和栅电极GE之间的第一栅极绝缘层1112可以包括诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)等的无机绝缘物。锌氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
第二栅极绝缘层1113可以设置成覆盖上述栅电极GE。类似于上述第一栅极绝缘层1112,第二栅极绝缘层1113可以包括诸如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)等的无机绝缘物。锌氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
在第二栅极绝缘层1113的上部可以布置有存储电容器Cst的上部电极Cst2。上部电极Cst2可以与其下的栅电极GE重叠。此时,在第二栅极绝缘层1113介于其间的情况下重叠的栅电极GE和上部电极Cst2可以形成存储电容器Cst。即,栅电极GE可以起到存储电容器Cst的下部电极Cst1的作用。
如此,存储电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以重叠形成。在一些实施例中,存储电容器Cst可以形成为不与薄膜晶体管TFT重叠。
上部电极Cst2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu),并且可以是前述物质的单层或多层。
层间绝缘层1114可以覆盖上部电极Cst2。层间绝缘层1114可以包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)等。锌氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。层间绝缘层1114可以是包括前述无机绝缘物的单层或多层。
漏电极DE和源电极SE可以分别位于层间绝缘层1114上。漏电极DE和源电极SE可以分别通过形成在其下部的绝缘层中的接触孔与漏极区域D和源极区域S连接。漏电极DE和源电极SE可以包括导电性良好的材料。漏电极DE和源电极SE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质,并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。作为一实施例,漏电极DE和源电极SE可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化绝缘层1115可以覆盖漏电极DE和源电极SE。第一平坦化绝缘层1115可以包括有机绝缘物,例如,诸如聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene,PS)的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子以及它们的混合物。
第二平坦化绝缘层1116可以布置在第一平坦化绝缘层1115上。第二平坦化绝缘层1116可以包括与第一平坦化绝缘层1115相同的物质,并且可以包括有机绝缘物,例如,诸如聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene,PS)的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子以及它们的混合物。
在前述结构的像素电路层PCL上可以布置有显示要素层DEL。显示要素层DEL可以包括有机发光二极管OLED作为显示要素(即,发光元件),且有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、中间层220和公共电极230的堆叠结构。有机发光二极管OLED例如可以发射红色光、绿色光或蓝色光,或者可以发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。有机发光二极管OLED可以通过发光区域发射光,且发光区域可以被定义为像素PX。
有机发光二极管OLED的像素电极210可以通过形成在第二平坦化绝缘层1116和第一平坦化绝缘层1115中的接触孔以及布置在第一平坦化绝缘层1115上的接触金属CM与薄膜晶体管TFT电连接。
像素电极210可以包括诸如铟锡氧化物(ITO;indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO;indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO;zinc oxide)、铟氧化物(In2O3;indium oxide)、铟镓氧化物(IGO;indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO;aluminum zinc oxide)的导电氧化物。作为另一实施例,像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为另一实施例,像素电极210还可以在前述反射膜的上方/下方包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
在像素电极210上布置有像素限定膜1117,像素限定膜1117具有暴露像素电极210的中央部的开口117OP。像素限定膜1117可以包括有机绝缘物和/或无机绝缘物。开口117OP可以限定从有机发光二极管OLED发射的光的发光区域。例如,开口117OP的大小/宽度可以相当于发光区域的大小/宽度。因此,像素PX的大小和/或宽度可以取决于相应的像素限定膜1117的开口117OP的大小和/或宽度。
中间层220可以包括与像素电极210对应地形成的发光层222。发光层222可以包括发射预定颜色的光的高分子有机物或低分子有机物。或者,发光层222可以包括无机发光物质或量子点。
作为一实施例,中间层220可以包括分别布置在发光层222下方和上方的第一功能层221和第二功能层223。第一功能层221例如可以包括空穴传输层(HTL:Hole TransportLayer),或者可以包括空穴传输层和空穴注入层(HIL:Hole Injection Layer)。第二功能层223是布置在发光层222上方的构成要素,并且可以包括电子传输层(ETL:ElectronTransport Layer)和/或电子注入层(EIL:Electron Injection Layer)。与将后述的公共电极230一样,第一功能层221和/或第二功能层223可以是形成为整体上覆盖基板100的公共层。
公共电极230可以布置在像素电极210上,并且可以与像素电极210重叠。公共电极230可以由功函低的导电物质形成。例如,公共电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者,公共电极230还可以在包括前述物质的(半)透明层上包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。公共电极230可以一体地形成为整体上覆盖基板100。
封装层300可以布置在显示要素层DEL上并且可以覆盖显示要素层DEL。封装层300包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层,并且作为一实施例,在图8中示出了封装层300包括依次堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物中的一种以上的无机物。有机封装层320可以包括聚合物(polymer)类的物质。聚合物类的材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。作为一实施例,有机封装层320可以包括丙烯酸酯(acrylate)。有机封装层320可以通过固化单体或涂覆聚合物来形成。有机封装层320可以具有透明性。
虽然未示出,但是在封装层300上可以布置有触摸传感器层,且在触摸传感器层上可以布置有光学功能层。触摸传感器层可以获得外部的输入,例如,获得根据触摸事件的坐标信息。光学功能层可以减小从外部朝向显示装置入射的光(外部光)的反射率,和/或可以提高从显示装置发射的光的颜色纯度。作为一实施例,光学功能层可以包括相位延迟器(retarder)和/或偏振器(polarizer)。相位延迟器可以是膜型或液晶涂覆型,并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可以包括拉伸型合成树脂膜,且液晶涂覆型可以包括以预定的排列方式排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可以包括保护膜。
在上述触摸传感器层和光学功能层之间可以布置有粘合部件。上述粘合部件可以无限制地采用本技术领域已知的一般的粘合部件。上述粘合部件可以是压敏粘合剂(pressure sensitive adhesive,PSA)。
参照图1至图6e说明的第一层TLAY1可以包括参照图8说明的基板100。参照图1至图6e说明的有机封装层TMN可以是参照图8说明的有机封装层320。参照图1至图6e说明的无机封装层LAY2可以是参照图8说明的至少一个无机封装层,例如是第二无机封装层330。
图9是根据本实用新型一实施例的显示装置中的任一像素的等效电路图。
每个像素PX可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示要素(例如,有机发光二极管OLED)。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。像素电路PC可以分别电连接到第一发光元件和第一虚设发光元件。每个像素PX可以通过有机发光二极管OLED发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
第二薄膜晶体管T2作为开关薄膜晶体管,可以连接到扫描线SL和数据线DL,并且可以基于从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传递到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL,并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2传递的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1作为驱动薄膜晶体管,可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以对应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流经有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的第二电极(例如,阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
虽然图9说明了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器,但是本实用新型不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而不同地改变。例如,除了前述两个薄膜晶体管之外,像素电路PC还可以包括四个、五个或更多个薄膜晶体管。
图10是根据本实用新型另一实施例的检查模块的示意性模式图。
参照图10,检查模块14可以包括拉曼光谱仪。检查模块14可以包括第三光源141、第五分离器142、第六分离器143、第七分离器144、第四检测器145、第四光源146和第五检测器147。
第三光源141可以发射第三光L3。从第三光源141发射的第三光L3可以包括白色光。从第三光源141发射的第三光L3可以入射到第五分离器142。
第五分离器142可以起到半反射镜的作用。第五分离器142可以朝向第六分离器143反射从第三光源141发射的第三光L3。
第六分离器143可以起到半反射镜的作用。第六分离器143可以使被第五分离器142反射的第三光L3穿过。穿过第六分离器143的第三光L3可以入射到第七分离器144。
第七分离器144可以起到半反射镜的作用。第七分离器144可以使穿过第六分离器143的第三光L3穿过。穿过第七分离器144的第三光L3可以入射到目标物T。
入射到目标物T的第三光L3可以再次被目标物T反射,并依次穿过第七分离器144、第六分离器143和第五分离器142从而入射到第四检测器145。
第四检测器145可以从穿过第五分离器142的第三光L3中检测出图像信息。第四检测器145可以包括显微镜。根据从第四检测器145检测到的图像信息,检查模块14可以判断目标物T中是否包括异物。即,检查模块14可以检查异物TFM的存在与否(参照图6a)。
第四光源146可以发射具有特定波长的第四光L4。例如,第四光L4的波长可以包括305nm、365nm、405nm、415nm、532nm和760nm中的至少一个。
从第四光源146发射的第四光L4可以被第七分离器144反射从而入射到目标物T。入射到目标物T的第四光L4可以再次被目标物T反射,并穿过第七分离器144,然后被第六分离器143反射从而入射到第五检测器147。
第五检测器147可以从入射到第五检测器147的第四光L4中检测出拉曼光谱。因此,通过分析从第五检测器147检测到的拉曼光谱,检查模块14可以检查异物TFM的成分。
虽然在图10中未示出,但是在第三光源141、第五分离器142、第六分离器143、第七分离器144、第四检测器145、第四光源146和第五检测器147中的每个之间可以布置有至少一个反射镜和透镜。例如,上述至少一个反射镜和透镜可以包括平面反射镜、凸面反射镜和凹面反射镜中的至少一个。上述至少一个反射镜和透镜可以使第三光L3和第四光L4集中或分散,或者可以改变第三光L3和第四光L4的路径。
如上所述,参考附图中所示的一实施例对本实用新型进行了说明,但这仅是示例性的,且本领域的普通技术人员将理解,可以由此进行各种变型及实施例的变型。因此,本实用新型的真正的技术保护范围应由所附的权利要求书的技术思想来确定。
Claims (10)
1.一种显示装置的制造装置,其特征在于,包括:
修复模块,修复包括有机封装层和从所述有机封装层突出的异物的目标物;以及
检查模块,检查所述异物的存在与否,
其中,所述修复模块包括修复部,所述修复部包括:
研磨部,研磨所述异物;以及
喷射部,向所述异物上喷射墨,以及
所述有机封装层和所述墨包括相同的成分。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置,其特征在于,所述修复部还包括:
紫外线照射部,向喷射到所述异物上的所述墨照射紫外线。
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置,其特征在于,所述修复模块还包括:
移动部,使所述修复部相对于所述目标物移动。
4.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置,其特征在于,
所述检查模块检查所述异物的成分。
5.根据权利要求4所述的显示装置的制造装置,其特征在于,
所述研磨部的研磨强度基于由所述检查模块检查到的所述异物的成分来确定。
6.根据权利要求4所述的显示装置的制造装置,其特征在于,
所述检查模块包括荧光显微镜。
7.根据权利要求4所述的显示装置的制造装置,其特征在于,
所述检查模块包括拉曼光谱仪。
8.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置,其特征在于,还包括:
测量模块,测量所述异物从所述有机封装层突出的程度。
9.根据权利要求8所述的显示装置的制造装置,其特征在于,
所述研磨部的研磨强度基于由所述测量模块判断的所述异物的突出程度来确定。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制造装置,其特征在于,
所述研磨部的旋转速度基于由所述测量模块判断的所述异物的突出程度来确定。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220139674A KR20240059759A (ko) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
KR10-2022-0139674 | 2022-10-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN221103943U true CN221103943U (zh) | 2024-06-07 |
Family
ID=91074456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202322498221.3U Active CN221103943U (zh) | 2022-10-26 | 2023-09-14 | 显示装置的制造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20240059759A (zh) |
CN (1) | CN221103943U (zh) |
-
2022
- 2022-10-26 KR KR1020220139674A patent/KR20240059759A/ko unknown
-
2023
- 2023-09-14 CN CN202322498221.3U patent/CN221103943U/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240059759A (ko) | 2024-05-08 |
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---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |