CN220822920U - 一种双相位调压电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电压调节技术领域,提供一种双相位调压电路,包括隔离变压器以及控制变压器,隔离变压器包括电压输入绕组GB‑1、电压输出绕组GB1和电压输出绕组GB2,电压输出绕组GB1与电压输出绕组GB2的线圈绕法相反,且输出电压的相位相反,电压输出绕组GB1输出正向电压,所述电压输出绕组GB2输出反向电压,电压输入绕组GB‑1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接;控制变压器包括初级绕组KB‑1、增压绕组KA1和降压绕组KB1,初级绕组KB‑1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接,从而实现在输电线路上的精确升压或降压,电路结构简单,降低用户产品成本,而且适用性广泛。
Description
技术领域
本实用新型属于电压调节技术领域,尤其涉及一种双相位调压电路。
背景技术
电压质量对电网稳定及电力设备的安全运行,工农业生产和城乡居民生活用电都有直接影响。在输出电流的过程中,由于输电线路存在等效电阻,电流从电源输出端传输到负载端的过程中会造成电源的压降,因此,通常采用相应的电压补偿电路来实现电压补偿。
经检索,例如申请号为202011027547.2的发明专利,公开一种输出电压补偿电路,该电路包括:控制模块、PWM输出模块、功率变换模块、电流检测模块、电压补偿调节模块和反馈模块;其中,PWM输出模块用于输出PWM信号至功率变换模块,功率变换模块用于根据PWM输出模块输出的PWM信号将电压输入端的信号变换后从电压输出端输出;电流检测模块用于检测流过功率变换模块的电流,电压补偿调节模块用于根据电流检测模块检测的电流和功率变换模块输出的电压输出补偿电压至反馈模块;控制模块用于根据电压补偿调节模块输出的补偿电压调节PWM输出模块输出的PWM信号以调节功率变换模块的输出电压,从而实现无需远端反馈和不增加反馈线就能补偿因走线阻抗产生的压降,进而降低走线复杂度和成本。
但是,上述公开的方案给出的补偿电路主要应用于终端设备,其应用场景较为单一,而且结构较为复杂,导致整体产品成本较高。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型提供了一种双相位调压电路,旨在解决现有技术中补偿电路主要应用于终端设备,其应用场景较为单一,而且结构较为复杂,导致整体产品成本较高的问题。
本实用新型所提供的技术方案是:一种双相位调压电路,包括隔离变压器以及控制变压器;
其中,所述隔离变压器包括电压输入绕组GB-1、电压输出绕组GB1和电压输出绕组GB2,所述电压输出绕组GB1与电压输出绕组GB2的线圈绕法相反,且输出电压的相位相反,所述电压输出绕组GB1输出正向电压,所述电压输出绕组GB2输出反向电压,所述电压输入绕组GB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接;
所述控制变压器包括初级绕组KB-1、增压绕组KA1和降压绕组KB1,所述初级绕组KB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接;
所述电压输出绕组GB1与所述降压绕组KB1形成降压电路,所述电压输出绕组GB2与所述降压绕组KA1形成升压电路。
作为一种改进的方案,所述降压电路中串接有控制开关JB2,所述升压电路中串接有控制开关JA1,所述控制开关JA1和控制开关JB2均与一发出开关导通与否指令的单片机连接。
作为一种改进的方案,所述控制开关JA1和控制开关JB2为继电器、可控硅、手动触点或继电器与可控硅的组合。
作为一种改进的方案,当所述控制开关JA1和控制开关JB2为继电器与可控硅的组合时,所述可控硅为双向可控硅,其中:
所述双向可控硅的T1端引出的线路与输入电压连接,T2端引出的线路串接负载后与输出电压连接,所述继电器并接在所述双向可控硅的T1端和T2端上;
所述双向可控硅的GATE端、继电器的控制端与单片机连接。
作为一种改进的方案,在所述负载导通的预设时间内,所述双向可控硅先于所述继电器先导通,所述继电器两端的电压差降低到第一预设电压值;
所述双向可控硅的压降为所述第一预设电压值。
作为一种改进的方案,当所述预设时间达到时,所述单片机控制所述继电器导通,所述双向可控硅的压降由所述第一预设电压值降为0。
作为一种改进的方案,所述负载断开时,所述继电器先于所述双向可控硅断开,所述双向可控硅的压降上升到所述第一预设电压值的瞬间,所述双向可控硅断开,压降降为0。
作为一种改进的方案,所述预设时间为10ms。
作为一种改进的方案,所述第一预设电压值为0.7V。
在本实用新型中,双相位调压电路,包括隔离变压器以及控制变压器,隔离变压器包括电压输入绕组GB-1、电压输出绕组GB1和电压输出绕组GB2,电压输出绕组GB1与电压输出绕组GB2的线圈绕法相反,且输出电压的相位相反,电压输出绕组GB1输出正向电压,所述电压输出绕组GB2输出反向电压,电压输入绕组GB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接;控制变压器包括初级绕组KB-1、增压绕组KA1和降压绕组KB1,初级绕组KB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接,从而实现在输电线路上的精确升压或降压,电路结构简单,降低用户产品成本,而且适用性广泛。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中,类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中,各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
图1是本实用新型提供的双相位调压电路的电路图;
图2是本实用新型提供的控制开关JA1和控制开关JB2的电路示意图;
其中,1、双向可控硅,2、继电器,3、负载,4、单片机,5、隔离变压器,6、控制变压器。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的、技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
图1是本实用新型提供的双相位调压电路的电路图,为了便于说明,图中仅给出了与本实用新型相关的部分。双相位调压电路,包括隔离变压器5以及控制变压器6;
其中,该隔离变压器5包括电压输入绕组GB-1、电压输出绕组GB1和电压输出绕组GB2,电压输出绕组GB1与电压输出绕组GB2的线圈绕法相反,且输出电压的相位相反,电压输出绕组GB1输出正向电压,电压输出绕组GB2输出反向电压,电压输入绕组GB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接;
该控制变压器5包括初级绕组KB-1、增压绕组KA1和降压绕组KB1,初级绕组KB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接;
电压输出绕组GB1与降压绕组KB1形成降压电路,电压输出绕组GB2与所述降压绕组KA1形成升压电路。
其中,上述双相位调压电路可实现升高电压和降低电压,而且整个电路结构简单,成本较低。
在该实用新型中,参阅图1所示,上述升压电路和降压电路均可还包含其他元件,例如:降压电路中串接有控制开关JB2,所述升压电路中串接有控制开关JA1,所述控制开关JA1和控制开关JB2均与一发出开关导通与否指令的单片机连接,其中,该单片机为工业控制计算机,其具备指令发送和识别的功能,为常见的硬件通讯控制器件,在此不再赘述。
其中,控制开关JA1和控制开关JB2为继电器、可控硅、手动触点或继电器与可控硅的组合,即该控制开关JA1和控制开关JB2可以单独采用继电器,单独才开可控硅,单独采用手动触点的方式实现,也可以通过组合的方式实现,例如继电器与可控硅组合的方式,下述给出具体的实现,当然不用以限制本实用新型;
当所述控制开关JA1和控制开关JB2为继电器与可控硅的组合时,可控硅为双向可控硅,其中:
如图2所示,有触点可控硅电路,包括双向可控硅1和继电器2,其中:
双向可控硅1的T1端引出的线路与输入电压连接,T2端引出的线路串接负载3后与输出电压连接,继电器2并接在所述双向可控硅1的T1端和T2端上;
双向可控硅1的GATE端、继电器2的控制端与单片机4连接。
其中,该双向可控硅1与继电器2的设置为互补设置,即双向可控硅1的设置为弥补继电器2上电时压降大的情形下产生触点打火、拉弧的缺陷,而继电器2的设置是弥补双向可控硅1长时间大电流工作时产生较大热量的缺陷。
在本实用新型中,为了便于说明,下述从导通和断开两个层面对上述有触点可控硅电路的工作过程进行说明:
(1)电路导通
在负载3导通的预设时间内,该双向可控硅1先于继电器2先导通,导通后,继电器2两端的电压差降低到第一预设电压值,其中经过不断实践和实验,该第一预设电压值为0.7V,该预设时间为10ms;
双向可控硅1的压降为第一预设电压值,此时,双向可控硅1会发热。
当到达预设时间时,通过单片机控制继电器2导通,双向可控硅1的压降由第一预设电压值降为0,此时双向可控硅1不再产生热量,此时,继电器2作为整个电路的控制开关。
(2)电路断开
负载3需要断开时,继电器2先于双向可控硅1断开,双向可控硅1的压降上升到第一预设电压值的瞬间,双向可控硅1断开,压降降为0;
即:断开负载3时,双向可控硅1压降上升到第一预设电压值,此时双向可控硅1产生发热现象,但是双向可控硅1为随即断开,此时双向可控硅1的发热停止。
下述给出本实用新型的双相位调压电路的具体工作原理:
当升压电路中的控制开关JA1闭合时,升压电路上的各个线圈通电,控制变压器6的电压得到相应数值的提升,该上升的电压的数值与隔离变压器5的线圈匝数、输入电压以及增压绕组KA1的线圈匝数相关联,这样扩大该双相位调压电路应用场景和应用范围,其调压数值的大小范围可调,给用户提供便利;
当降压电路中的控制开关JB2闭合时,降压电路上的各个线圈通电,控制变压器6的电压得到相应数值的提升,该降低的电压的数值与隔离变压器5的线圈匝数、输入电压以及增压绕组KB1的线圈匝数相关联,这样扩大该双相位调压电路应用场景和应用范围,其调压数值的大小范围可调,给用户提供便利。
在本实用新型中,双相位调压电路,包括隔离变压器以及控制变压器,隔离变压器包括电压输入绕组GB-1、电压输出绕组GB1和电压输出绕组GB2,电压输出绕组GB1与电压输出绕组GB2的线圈绕法相反,且输出电压的相位相反,电压输出绕组GB1输出正向电压,所述电压输出绕组GB2输出反向电压,电压输入绕组GB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接;控制变压器包括初级绕组KB-1、增压绕组KA1和降压绕组KB1,初级绕组KB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接,从而实现在输电线路上的精确升压或降压,电路结构简单,降低用户产品成本,而且适用性广泛。
以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围,其均应涵盖在本实用新型的权利要求和说明书的范围当中。
Claims (9)
1.一种双相位调压电路,其特征在于,包括隔离变压器以及控制变压器;
其中,所述隔离变压器包括电压输入绕组GB-1、电压输出绕组GB1和电压输出绕组GB2,所述电压输出绕组GB1与电压输出绕组GB2的线圈绕法相反,且输出电压的相位相反,所述电压输出绕组GB1输出正向电压,所述电压输出绕组GB2输出反向电压,所述电压输入绕组GB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接;
所述控制变压器包括初级绕组KB-1、增压绕组KA1和降压绕组KB1,所述初级绕组KB-1的两端分别与输入电压端和输出电压端连接;
所述电压输出绕组GB1与所述降压绕组KB1形成降压电路,所述电压输出绕组GB2与所述降压绕组KA1形成升压电路。
2.根据权利要求1所述的双相位调压电路,其特征在于,所述降压电路中串接有控制开关JB2,所述升压电路中串接有控制开关JA1,所述控制开关JA1和控制开关JB2均与一发出开关导通与否指令的单片机连接。
3.根据权利要求2所述的双相位调压电路,其特征在于,所述控制开关JA1和控制开关JB2为继电器、可控硅、手动触点或继电器与可控硅的组合。
4.根据权利要求3所述的双相位调压电路,其特征在于,当所述控制开关JA1和控制开关JB2为继电器与可控硅的组合时,所述可控硅为双向可控硅,其中:
所述双向可控硅的T1端引出的线路与输入电压连接,T2端引出的线路串接负载后与输出电压连接,所述继电器并接在所述双向可控硅的T1端和T2端上;
所述双向可控硅的GATE端、继电器的控制端与单片机连接。
5.根据权利要求4所述的双相位调压电路,其特征在于,在所述负载导通的预设时间内,所述双向可控硅先于所述继电器先导通,所述继电器两端的电压差降低到第一预设电压值;
所述双向可控硅的压降为所述第一预设电压值。
6.根据权利要求5所述的双相位调压电路,其特征在于,当所述预设时间达到时,所述单片机控制所述继电器导通,所述双向可控硅的压降由所述第一预设电压值降为0。
7.根据权利要求6所述的双相位调压电路,其特征在于,所述负载断开时,所述继电器先于所述双向可控硅断开,所述双向可控硅的压降上升到所述第一预设电压值的瞬间,所述双向可控硅断开,压降降为0。
8.根据权利要求6所述的双相位调压电路,其特征在于,所述预设时间为10ms。
9.根据权利要求6所述的双相位调压电路,其特征在于,所述第一预设电压值为0.7V。
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