CN220672405U - 基于mlcc多层片式多芯组陶瓷电容器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及陶瓷体电容器技术领域，特别是一种基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器，在相邻的两个纯芯片之间设有缓冲减震薄片，所述缓冲减震薄片由泡沫板、弹簧伸缩机构、缓冲海绵和减震气囊构成，所述泡沫板的上部均布有若干个圆孔，所述圆孔内放置有弹簧伸缩机构，所述缓冲海绵包裹在所述泡沫板的***，所述缓冲海绵的内部放置有所述减震气囊。缓冲减震薄片会极大地削弱包括碰撞、振动在内的外力对芯片之间的影响，同时也可以缓冲以热应力为主的内部应力对陶瓷体和端电极的变形挤压。

Description

基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器

技术领域

本实用新型涉及陶瓷体电容器技术领域，特别是一种基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器。

背景技术

瓷介电容器就是用陶瓷作为电介质，在每片陶瓷体两面喷涂银层，之后再经过低温烧结出银质薄膜作极板而制成的电容器。它的外观结构有片式、管型、圆形等，主要以片式居多。瓷介电容器因体积小、性能优良等特点得到了各行各业的广泛使用，但单个芯片的瓷介电容器由于容量做不大，而使得在其使用上受到了限制。后来设计师们将两只或两只以上的片式瓷介电容器芯片并联组成，瓷介电容器芯片并联时采用垂直方式与引线相连接，瓷介电容器芯片并联后的两端由引线引出，形成多芯组瓷介电容器。多芯组瓷介电容器在工作时，产生大量的热会使其内部结构受热发生变化，两端的端电极也会随之受热膨胀变形，引线相连接下的两芯片端电极端面受热膨胀后会相互挤压，随着热量的升高，两端面可能会出现粘连失效的情况，所以针对这个问题，还应做出改进。同时关于常规的引线设计，使用简单的手工制作的制作方法，外观设计简单，连接效果较差，容易出现芯片松动脱落，连接不紧固的情况，针对这一问题，也应作出相应的改进。

通过检索没有发现有与本实用新型相同技术的专利文献报道，与本实用新型有一定关系的专利和论文主要有以下几个：

专利号为CN201520759048，名称为“一种多芯组瓷介电容器引线”的实用新型专利，该专利公开了一种引线，改引线采取上引线和下引线打弯成“Z”字型，按照上下组配平行原则，连接形成。本专利将引线设计成此种形状，上下引线通过打弯方向相反使多芯组瓷介电容器中的片式瓷介电容器芯片可以垂直并联极大的提高了瓷介电容器的容量体积比，同时使用这种引线可以开发出高电压高容量的产品并且实现大批量生产，极大的提高了生产效率和经济效益。

专利号为CN202222088606，名称为“一种便于装配的多芯组瓷介电容器框架及其多芯组瓷介电容器”，该专利公开了一种便于装配的多芯组瓷介电容器框架，用于装配多个电容芯片，包括平行设置的两金属片，金属片包括金属片本体和设置在金属片本体底部的引出端，金属片本体包括沿竖直方向间隔设置的多个通孔和可摆动设置在通孔中用于固定电容芯片的弹性块，弹性块形成有向内凸起的卡接部，所述电容芯片卡接在左右相对的两卡接部之间。通过此设计，可以很大程度上提高焊接电容芯片的效率，弥补了传统电容芯片焊接方式的不足，利用金属片本体上的弹性块，适用于不同长度的电容芯片进行焊接，且金属片的结构设计简单、便于装配、易于操作、焊接一致性好等特点。

以上电容器在工作时，受到冷热温度的循环冲击，内部结构都会产生不同程度的变形，内部结构变形后就会导致端电极产生变形，两芯片的端电极相距很近，很容易两者产生挤压破坏，导致电容器失效。另外，传统的引线就是一个片式结构，尺寸大小和端电极侧面相同，将其通过焊接的方式与端电极固定即可，这样的引线有三点问题，一点是平面焊接，连接不稳固，在受到外载荷或者内部应力的冲击下，比如说震动，很有可能就会导致芯片和引线之间产生缝隙，最后导致脱落。另一点是，片式的引线引脚处较为薄弱，很容易在受到载荷的作用下发生弯曲变形，影响结构的稳定性。第三点就是，直接将片式引线整片焊接到端电极上，降低了芯片内部的散热功能。

实用新型内容

本实用新型为了有效的解决上述背景技术中的问题，提出了一种基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器。

具体技术方案如下；

一种基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器，纯芯片内部是由交错排列的多层内电极和隔绝每两层内电极的介质层组成，纯芯片的外部被陶瓷体包裹，陶瓷体两端套设有端电极，将两个或两个以上的纯芯片通过引线并联到一起，其特征在于：在相邻的两个纯芯片之间设有缓冲减震薄片，所述缓冲减震薄片由泡沫板、弹簧伸缩机构、缓冲海绵和减震气囊构成，所述泡沫板的上部均布有若干个圆孔，所述圆孔内放置有弹簧伸缩机构，所述缓冲海绵包裹在所述泡沫板的***，所述缓冲海绵的内部放置有所述减震气囊。

优选地，所述引线为包裹型结构，引线的侧面部分挖空。

优选地，所述引线为方框形结构。

优选地，所述引线端面内侧两边设有滑轨，滑轨上连接有引线底板，引线底板的上部与上方的纯芯片连接，引线底板的下部与引线的引脚之间设有弹簧伸缩杆。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

(1)减震缓冲薄片由泡沫板、弹簧伸缩机构、缓冲海绵和减震气囊组成，这四部分成本较低且减震效果明显，会极大地削弱包括碰撞、振动在内的外力对芯片之间的影响，同时也可以缓冲以热应力为主的内部应力对陶瓷体和端电极的变形挤压。

(2)包裹型引线的设计可以使两芯片的连接更加稳定，比传统的平面式引线的紧固效果更加优越。

(3)将引线端面的中间位置挖空，可以使芯片内部更好的散热，也实现了降低生产成本，提高可靠性的效果。

(4)将引线设计上滑轨，再将滑轨位置上安装上引线底板，使引线可以根据芯片的尺寸，随意调整出合适的包裹引线，引线底板下端面与引脚之间安装有弹簧伸缩机构，此机构可以起到支撑和缓冲作用，调整好位置后，将引线和端电极焊接在一起，实现固定连接。

(5)此引线可以根据多芯组的尺寸进行调节，安装方便，适合批量化生产，完全可以满足多芯组瓷介电容器对引线的需求。

附图说明

图1为本申请的整体外观结构视图；

图2为本申请的左视图；

图3为本申请中纯芯片的结构图；

图4为本申请中缓冲减振薄片的侧视图；

图中：1、端电极；2、PCB板；3、陶瓷体；301、介质层；302、内电极；4、缓冲减振薄片；401、缓冲海绵；402、减振气囊；403、弹簧伸缩机构；404、泡沫板；5、弹簧伸缩杆；6、引线；7、滑轨；8、引线底板。

具体实施方式

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位旋转90度或处于其他方位，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

下面结合附图及较佳实施例详细说明本实用新型的具体实施方式。

本申请公开一种基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器，多芯组瓷介电容器在工作状态下，受温度的影响，每两组芯片之间会产生热应力，在热应力的作用下，会导致芯片的内部结构以及陶瓷体受热膨胀或遇冷收缩。芯片结构发生变化后，套设在芯片端部的端电极1也会发生结构变化，因此本实施方案就是在两个纯芯片的端电极1两相邻端面之间放置一缓冲减震薄片4，此薄片由四部分组成，分别为缓冲海绵401、减震气囊402、弹簧伸缩机构403、泡沫板404。将弹簧伸缩机构403安装在提前预设的泡沫板404圆孔中，将缓冲海绵401围绕泡沫板404一周，缓冲海绵401内部放置减振气囊402，此四部分固定连接成一个整体。使组合成的缓冲减震薄板4的长宽尺寸和端电极1内部上端面的尺寸一致，厚度可根据具体的需求设置。在芯片受到挤压、振动、碰撞等作用下，上述四部分组成的缓冲减震薄片4配合完成缓冲减震的目的，保护芯片，防止因力的作用而导致的芯片受损。

芯片内部是由交错排列的多层内电极302和隔绝每两层内电极302的介质层301组成，在芯片的外部，被陶瓷体3包裹，陶瓷体两端套设有端电极1，这便是纯芯片的大致组成。多芯组就是在纯芯片的基础上，将两个或两个以上的纯芯片通过引线6并联到一起，引线6和芯片之间采用的连接方式为焊接。引线6下方伸出来的是引脚，引脚与下面的PCB板2焊接固定。

对引线6的改造，就是由将其设计成包裹型引线6，将多芯组两端的端电极1包裹起来，这样会使得芯片连接的更加紧密、稳定。将引线6的中间位置挖空，是为了可以最大限度的将芯片内部的热量散失出来，同时如此设计，也可以提高引线6结构的稳定性。将引线6内部两侧开设两条滑轨7，在该处安装上引线底板8，底板下端面和焊脚之间连接有一弹簧伸缩杆5，将多芯组瓷介电容器芯片安装调整好位置后，通过焊接的方式将引线6和芯片固定连接，此引线6的设计可以确保芯片之间夹紧固定，防止因引线脱落而导致的电容器失效，并且此引线6还可以确保和电容芯片的焊接质量。最后将引线6固定连接在PCB板2上。

综上所述，借助本实用新型的上述技术方案，可以解决每两组芯片之间的缓冲减震作用，消除或降低因挤压等力的作用而导致的电容器失效，所用材料经济，结构设计简单，适合批量生产。对引线的优化，将引线设计成包裹型，会使其与芯片之间的连接更加稳定，提高整体的结构性能和使用寿命，在引线上设计了引线底板，可以根据不同层数、不同尺寸的芯片调节大小，安装简单，焊接稳定，该引线可以适用于多种多芯组结构，适合批量生产。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (4)

1.一种基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器，纯芯片内部是由交错排列的多层内电极和隔绝每两层内电极的介质层组成，纯芯片的外部被陶瓷体包裹，陶瓷体两端套设有端电极，将两个或两个以上的纯芯片通过引线并联到一起，其特征在于：在相邻的两个纯芯片之间设有缓冲减震薄片，所述缓冲减震薄片由泡沫板、弹簧伸缩机构、缓冲海绵和减震气囊构成，所述泡沫板的上部均布有若干个圆孔，所述圆孔内放置有弹簧伸缩机构，所述缓冲海绵包裹在所述泡沫板的***，所述缓冲海绵的内部放置有所述减震气囊。

2.根据权利要求1所述的基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器，其特征在于，所述引线为包裹型结构，引线的侧面部分挖空。

3.根据权利要求1所述的基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器，其特征在于，所述引线为方框形结构。

4.根据权利要求1所述的基于MLCC多层片式多芯组陶瓷电容器，其特征在于，所述引线端面内侧两边设有滑轨，滑轨上连接有引线底板，引线底板的上部与上方的纯芯片连接，引线底板的下部与引线的引脚之间设有弹簧伸缩杆。