CN220554267U - 显示装置 - Google Patents

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CN220554267U CN202321923612.9U CN202321923612U CN220554267U CN 220554267 U CN220554267 U CN 220554267U CN 202321923612 U CN202321923612 U CN 202321923612U CN 220554267 U CN220554267 U CN 220554267U
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Abstract

提供了显示装置。能够减少泄漏电流并且将电信号有效地传输到多个相对电极的显示装置包括包含第一开口的像素限定层、包含第二开口的间隔件，其中，间隔件的本体部分的至少一部分在第一开口中布置成覆盖像素限定层的侧表面。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请基于并且要求于2022年7月26日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0092644号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示装置。
背景技术
显示装置可视觉性地显示数据。显示装置可用作诸如移动电话的小型产品的显示器，或者可用作诸如电视机的大型产品的显示器。
包括在显示装置中的一些层通常提供在多个显示器件中。因此，当电流供给到显示器件时，电流也可供给到另一相邻的显示器件，并且因此显示装置的颜色纯度可劣化。为了解决这种问题，显示装置可包括分隔件等。
实用新型内容
相关技术的显示装置需要附加工艺来防止泄漏电流。一个或多个实施方式包括能够减少泄漏电流并且最小化工艺步骤的显示装置。然而，这些问题仅为示例并且本公开的范围不限于此。
附加方面将在下面的详细描述中部分地阐述，并且部分地将根据本描述而显而易见，或者可通过实践本公开的实施方式而获知。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括：衬底；像素电极，该像素电极遍及衬底布置；像素限定层，该像素限定层包括暴露像素电极的至少一部分的第一开口，像素电极的暴露的部分包括发射区域和连接区域；间隔件，该间隔件遍及像素限定层布置并且包括暴露像素电极的至少一部分的第二开口；发射层，该发射层排列在发射区域中；以及相对电极，该相对电极遍及发射层布置并且覆盖间隔件的至少一部分和像素限定层，其中，间隔件的本体部分的至少一部分在第一开口中布置成覆盖像素限定层的侧表面。
在实施方式中，间隔件的本体部分可不排列在发射区域中，而是可排列在连接区域中。
在实施方式中，在连接区域中，相对电极可覆盖第二开口的侧表面，并且遍及发射层布置的相对电极可通过连接区域连接到布置在间隔件的上表面上的相对电极。
在实施方式中，在除了连接区域以外的区域中，遍及发射层布置的相对电极可与布置在间隔件的上表面上的相对电极断开连接。
在实施方式中，形成在限定第一开口的像素限定层的内表面与衬底的上表面之间的第一角可为约60°或更大并且约130°或更小，并且形成在限定第二开口的间隔件的内表面与衬底的上表面之间的第二角可大于约0°并且为约80°或更小。
在实施方式中，第一开口可包括具有与发射区域相对应的多边形形状的主开口以及在与连接区域相对应的区域中从多边形形状的拐角突出的连接开口。
在实施方式中，第一开口在平面图中可具有圆形或多边形形状。
在实施方式中，第二开口可包括具有圆形或多边形形状的主开口，并且间隔件可包括在与连接区域相对应的区域中朝向第一开口的中心突出的突起。
在实施方式中，连接区域可位于第一开口的边缘处。
在实施方式中，一个子像素区域可包括至少一个连接区域。
在实施方式中，间隔件和像素限定层可包括不同的材料。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括：第一像素电极和第二像素电极，该第一像素电极和第二像素电极遍及衬底彼此分开排列；像素限定层，该像素限定层包括暴露第一像素电极的至少一部分以限定第一发射区域和第一连接区域的第1-1开口和暴露第二像素电极的至少一部分以限定第二发射区域和第二连接区域的第1-2开口；间隔件，该间隔件遍及像素限定层布置并且包括暴露第一像素电极的至少一部分的第2-1开口和暴露第二像素电极的至少一部分的第2-2开口；第一发射层，该第一发射层排列在第一发射区域中；第二发射层，该第二发射层排列在第二发射区域中；以及相对电极，该相对电极遍及第一发射层和第二发射层布置并且至少部分地覆盖像素限定层和间隔件，其中，间隔件的本体部分的至少一部分排列在第1-1开口和第1-2开口中，限定第1-1开口和第1-2开口的像素限定层的内表面与衬底的上表面形成钝角，并且限定第2-1开口和第2-2开口的像素限定层的内表面与衬底的上表面形成锐角。
在实施方式中，间隔件的本体部分可排列在第一连接区域和第二连接区域中。
在实施方式中，通过第一连接区域和第二连接区域，遍及第一像素电极布置的相对电极可连接到遍及第二像素电极布置的相对电极。
在实施方式中，在除了第一连接区域和第二连接区域以外的区域中，遍及第一像素电极布置的相对电极和遍及第二像素电极布置的相对电极可断开连接。
在实施方式中，第一连接区域可位于第1-1开口的边缘处，并且第二连接区域可位于第1-2开口的边缘处。
在实施方式中，第一连接区域可包括遍及第一像素电极布置的至少一个第一连接区域，并且第二连接区域可包括遍及第二像素电极布置的至少一个第二连接区域。
在实施方式中，第1-1开口和第1-2开口中的每个可包括：具有与第一发射区域和第二发射区域相对应的多边形形状的主开口；以及从与第一连接区域和第二连接区域相对应的多边形形状的拐角朝向远离第1-1开口和第1-2开口中的每个的中心的方向突出的连接开口。
在实施方式中，第1-1开口和第1-2开口可具有圆形或多边形形状。
在实施方式中，间隔件和像素限定层可包括不同的材料。
附图说明
根据结合附图的以下描述，本公开的某些实施方式的上述和其它方面、特征以及优点将更加显而易见，在附图中：
图1是示意性地图示根据实施方式的显示装置的一部分的平面图；
图2是包括在图1的显示装置中的像素的等效电路图；
图3是示意性地图示图1的显示装置的区K的放大平面图；
图4是示意性地图示沿图3的线I-I’截取的剖面的剖面图；
图5是示意性地图示沿图3的线II-II’截取的剖面的剖面图；
图6、图7和图8是示意性地图示在图1的显示装置的区K中可以出现的其它实施方式的放大平面图；以及
图9是示意性地图示沿图6的线III-III’截取的剖面的剖面图。
具体实施方式
现在将详细地参考其示例在附图中图示的实施方式，在附图中相似的附图标记始终指相似的元件。在这方面，本实施方式可具有不同的形式，并且不应当被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图对实施方式进行描述以解释本描述的各方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变体。
本公开可包括各种实施方式和修改，并且在附图中图示并且将在本文中详细描述其特定实施方式。本公开的效果和特征及其实现方法将根据下面参考附图详细描述的实施方式而变得显而易见。然而，本公开不限于下面描述的实施方式并且可以各种模式体现。
在下文中，将参考附图对实施方式进行详细描述，并且在下面的描述中，相似的附图标记将表示相似的元件，并且为了简洁起见，将省略其冗余描述。
将理解，尽管诸如“第一”和“第二”的术语在本文中可用于描述各种元件，但是这些元件不应当受这些术语限制，并且这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
除非上下文中另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。
将理解，本文中使用的诸如“包括(comprise)”、“包含(include)”和“具有(have)”的术语指定了所述特征或元件的存在，但不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。
将理解，当一个层、区、区域、部件或元件被称为在另一层、区、区域、部件或元件“上”时，其可“直接在”另一层、区、区域、部件或元件“上”，或者可在其间具有一个或多个居间层、区、区域、部件或元件的情况下而“间接地在”另一层、区、区域、部件或元件“上”。
另外，在本文中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。
为了便于描述，附图中的元件的大小可被放大。换言之，由于附图中的元件的大小和厚度为了便于描述而被任意地图示，因此本公开不限于此。
当特定实施方式可以不同方式实现时，特定工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可实质上同时执行，或者可以与描述的顺序相反的顺序执行。
将理解，当一个层、区或部件被称为“连接到”另一层、区或部件时，其可“直接连接到”另一层、区或部件，或者可在其间具有一个或多个居间层、区或部件的情况下而“间接连接到”另一层、区或部件。例如，将理解，当一个层、区、区域、部件或元件被称为“电连接到”另一层、区、区域、部件或元件时，其可“直接电连接到”另一层、区、区域、部件或元件，或者可在其间具有一个或多个居间层、区、区域、部件或元件的情况下而“间接地电连接到”另一层、区、区域、部件或元件。
显示装置可为显示图像的装置并且可为诸如游戏机、多媒体装置或超紧凑型PC的便携式移动装置。下面描述的显示装置可包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机EL显示器(无机发光显示器)、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、量子点显示器、等离子显示器和阴极射线显示器。在下文中，有机发光显示装置将被描述为根据实施方式的显示装置的示例；然而，在实施方式中可使用上述的各种显示装置。
图1是示意性地图示根据实施方式的显示装置1的一部分的平面图。
如图1中图示，显示装置1可包括其中排列有多个像素PX的显示区域DA和位于显示区域DA外部的***区域PA。特别地，***区域PA可完全围绕显示区域DA。可理解，包括在显示装置1中的衬底100(参见图4)包括显示区域DA和***区域PA。
显示装置1的每个像素PX可为能够发射特定颜色的光的元件，并且显示装置1可通过使用从像素PX发射的光来提供图像。例如，每个像素PX可发射红色光、绿色光或蓝色光。
显示区域DA可具有包括如图1中图示的四边形形状的多边形形状。例如，显示区域DA可具有其中横向长度大于纵向长度的矩形形状，可具有其中横向长度小于纵向长度的矩形形状，或者可具有正方形形状。替代性地，显示区域DA可具有诸如椭圆形形状或圆形形状的各种形状。
***区域PA可为其中未排列有像素PX的非显示区域。在***区域PA中可排列有用于向像素PX提供电信号或电力的驱动器等。***区域PA可包括各种电子设备、印刷电路板等可电连接到的焊盘(未图示)。焊盘可在***区域PA中彼此分开排列并且可电连接到印刷电路板或集成电路设备。
图2是包括在图1的显示装置1中的像素PX的等效电路图。如图2中图示，像素P可包括像素电路PC和电连接到其的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。作为开关晶体管，第二晶体管T2可连接到扫描线SL和数据线DL，并且可通过从扫描线SL输入的开关信号而导通以将从数据线DL输入的数据信号传输到第一晶体管T1。存储电容器Cst的一端可电连接到第二晶体管T2并且其另一端可电连接到驱动电压线PL，并且存储电容器Cst可存储与从第二晶体管T2接收到的电压与从驱动电压线PL供给的驱动电力电压ELVDD之间的差相对应的电压。
作为驱动晶体管，第一晶体管T1可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流的电平。有机发光二极管OLED可根据驱动电流来发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极可供给有电极电力电压ELVSS。
尽管图2图示了像素电路PC包括两个晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。晶体管的数量和存储电容器的数量可根据像素电路PC的设计而进行各种修改。
图3是示意性地图示图1的显示装置1的区K的放大平面图。
如图3中图示，在衬底100的显示区域DA中可排列有多个像素PX。多个像素PX中的每个可指子像素并且可包括诸如有机发光二极管OLED的显示器件。例如，像素PX可发射绿色光、红色光或蓝色光。例如，像素PX可为发射绿色光的第一像素PX1、发射红色光的第二像素PX2或发射蓝色光的第三像素PX3。绿色光可为属于约495nm至约580nm的波段的光，红色光可为属于约580nm至约780nm的波段的光，并且蓝色光可为属于约400nm至约495nm的波段的光。
在显示区域DA中可排列有多个像素电极210。多个像素电极210可包括包含在第一像素PX1中的第一像素电极210-1、包含在第二像素PX2中的第二像素电极210-2和包含在第三像素PX3中的第三像素电极210-3。例如，第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可在平面图中彼此分开排列。第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可具有与图3中图示的大小相同的大小。在其它实施方式中，第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可具有不同的大小。在下文中，为了简洁起见，将省略第三像素PX3的描述。
像素限定层PDL可遍及像素电极210布置并且可包括暴露像素电极210的至少一部分的第一开口OP1。第一开口OP1可暴露像素电极210的中心部分。
像素限定层PDL可通过第一开口OP1限定发射区域EA和连接区域CA。发射区域EA可包括第一开口OP1的中心部分。连接区域CA可位于第一开口OP1的边缘处。连接区域CA可定位成距像素PX的中心最远。发射区域EA可与连接区域CA部分地重叠。连接区域CA可在一个子像素区域中提供为至少一个连接区域。
在实施方式中，第一开口OP1可包括与发射区域EA相对应的主开口OP1-m和与连接区域CA相对应的连接开口OP1-c。主开口OP1-m可具有与发射区域EA相对应的多边形形状。连接开口OP1-c可具有从多边形形状的拐角朝向与主开口OP1-m的中心相反的方向突出的形状。
第一开口OP1可包括遍及第一像素电极210-1布置的第1-1开口OP1-1和遍及第二像素电极210-2布置的第1-2开口OP1-2。在实施方式中，第1-1开口OP1-1可限定第一发射区域EA1和第一连接区域CA1。第1-2开口OP1-2可限定第二发射区域EA2和第二连接区域CA2。
第一连接区域CA1和第二连接区域CA2可分别提供为多个第一连接区域和多个第二连接区域。例如，第一连接区域CA1可包括第1-1连接区域CA1-1、第1-2连接区域CA1-2、第1-3连接区域CA1-3和第1-4连接区域CA1-4。同样地，第二连接区域CA2可包括第2-1连接区域CA2-1、第2-2连接区域CA2-2、第2-3连接区域CA2-3和第2-4连接区域CA2-4。
第1-1开口OP1-1和第1-2开口OP1-2可具有与图3中图示的大小相同的大小。在其它实施方式中，第1-1开口OP1-1和第1-2开口OP1-2可具有不同的大小。
尽管图3中未图示，但是发射光的发射层(未图示)可位于像素限定层PDL的第一开口OP1中。相对电极230可遍及发射层布置。像素电极210、发射层和相对电极230的堆叠结构可形成有机发光二极管OLED。像素限定层PDL的开口可与其中布置有机发光二极管OLED的区域相对应。
间隔件SPC可遍及像素限定层PDL布置。间隔件SPC可遍及像素电极210布置并且可包括暴露像素电极210的至少一部分的第二开口OP2。第二开口OP2可暴露像素电极210的中心部分。如图3中图示，第二开口OP2在平面图中可具有包括四边形形状的多边形形状。在其它实施方式中，第二开口OP2可具有圆形形状或非典型形状。
第二开口OP2可包括遍及第一像素电极210-1布置的第2-1开口OP2-1和遍及第二像素电极210-2布置的第2-2开口OP2-2。第2-1开口OP2-1和第2-2开口OP2-2可具有与图3中图示的大小相同的大小。在其它实施方式中，第2-1开口OP2-1和第2-2开口OP2-2可具有不同的大小。
间隔件SPC的本体部分的一部分可排列在第一开口OP1中。间隔件SPC的本体部分可排列在像素限定层PDL的连接开口OP1-c中。其中排列有间隔件SPC的本体部分的第一开口OP1的内部可与连接区域CA重叠。换言之，间隔件SPC的本体部分的一部分可排列在连接区域CA中。间隔件SPC的本体部分可不排列在发射区域EA中。
形成在限定第二开口OP2的间隔件SPC的内表面与衬底100(参见图4)之间的第二角a2(参见图4)可小于形成在限定第一开口OP1的像素限定层PDL的内表面与衬底100(参见图4)之间的第一角a1(参见图4)。下面将通过剖面图对其细节进行描述。
图4是示意性地图示沿图3的线I-I’截取的剖面的剖面图。
如图4中图示，根据本实施方式的显示装置1可包括衬底100。衬底100可包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料。例如，衬底100可包括玻璃、金属或聚合物材料。另外，衬底100可包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。然而，衬底100可进行各种修改，诸如包括包含两个层和位于两个层之间的阻挡层的多层结构，两个层包括聚合物树脂，并且阻挡层包括无机材料(例如，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)。
包括显示元件和像素电路PC的像素PX可遍及衬底100布置。图4图示了像素PX包括有机发光二极管OLED作为显示元件。例如，有机发光二极管OLED可为第一有机发光二极管OLED1或第二有机发光二极管OLED2。即，第一像素PX1可包括第一有机发光二极管OLED1，并且第二像素PX2可包括第二有机发光二极管OLED2。
像素电路PC可遍及衬底100布置。由于像素PX的像素电路PC的结构彼此相同，因此将主要描述一个像素电路PC。像素电路PC可包括多个薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。为了便于说明，图4中仅图示了一个薄膜晶体管TFT，并且薄膜晶体管TFT可与上述的驱动薄膜晶体管T1(参见图2)相对应。
薄膜晶体管TFT与衬底100之间可排列有包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层201。缓冲层201可起到增加衬底100的上表面的光滑度或者防止或最小化杂质从衬底100等渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中的作用。
如图4中图示，薄膜晶体管TFT可包括包含非晶硅、多晶硅、有机半导体材料或氧化物半导体材料的半导体层Act。另外，薄膜晶体管TFT可包括栅电极GE、源电极SE和/或漏电极DE。栅电极GE可包括各种导电材料并且可具有各种层状结构，例如，可包括Mo层和Al层。替代性地，栅电极GE可包括TiNx层、Al层和/或Ti层。源电极SE和漏电极DE也可包括各种导电材料并且可具有各种层状结构，例如，可包括Ti层、Al层和/或Cu层。
为了确保半导体层Act与栅电极GE之间的绝缘，在半导体层Act与栅电极GE之间可定位有包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅极绝缘层203。图4图示了栅极绝缘层203具有与衬底100的整个表面相对应的形状，并且具有其中在预设部分中形成接触孔的结构；然而，本公开不限于此。例如，栅极绝缘层203可图案化为具有与栅电极GE的形状相同的形状。
另外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第一层间绝缘层205可遍及栅电极GE布置。第一层间绝缘层205可具有包括上述材料的单层或多层结构。因此，可通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成包括无机材料的绝缘层。这也可适用于下面的实施方式及其修改。
存储电容器Cst可包括在其间布置有第一层间绝缘层205的情况下彼此重叠的第一电极CE1和第二电极CE2。存储电容器Cst可与薄膜晶体管TFT重叠。在这方面，图4图示了薄膜晶体管TFT的栅电极GE为存储电容器Cst的第一电极CE1；然而，本公开不限于此。例如，存储电容器Cst可不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst的第二电极CE2可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料并且可具有包含上述材料的多层或单层结构。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第二层间绝缘层207可遍及存储电容器Cst的第二电极CE2布置。第二层间绝缘层207可具有包含上述材料的单层或多层结构。
源电极SE和漏电极DE可遍及第二层间绝缘层207布置。数据线DL可位于与源电极SE和漏电极DE的层相同的层上并且可包括与源电极SE和漏电极DE的材料相同的材料。源电极SE、漏电极DE和数据线DL可包括具有高导电率的材料。源电极SE和漏电极DE可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料并且可具有包含上述材料的多层或单层结构。例如，源电极SE、漏电极DE和数据线DL可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
然而，本公开不限于此。例如，薄膜晶体管TFT可仅包括源电极SE和漏电极DE中的一个或者可不包括它们两者。例如，一个薄膜晶体管TFT可不包括漏电极DE，与该一个薄膜晶体管TFT连接的另一薄膜晶体管TFT可不包括源电极SE，并且两个薄膜晶体管TFT的半导体层Act可彼此连接。这种连接结构可提供与一个薄膜晶体管TFT也包括源电极SE，另一薄膜晶体管TFT也包括漏电极DE，并且该一个薄膜晶体管TFT的源电极SE连接到另一薄膜晶体管TFT的漏电极DE的情况下的效果相同的效果。
如图4中图示，平坦化层208可排列成覆盖薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。平坦化层208可包括有机绝缘材料。例如，平坦化层208可包括光致抗蚀剂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或它们的任何混合物。尽管图4中未图示，但是平坦化层208下方还可布置有第三层间绝缘层(未图示)。第三层间绝缘层可包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可遍及平坦化层208彼此分开布置。
第一像素电极210-1和第二像素电极210-2可遍及平坦化层208彼此分开布置。第一像素电极210-1和第二像素电极210-2可包括由诸如ITO、In2O3或IZO的透明导电氧化物形成的透明导电层和由诸如Al或Ag的金属形成的反射层。例如，第一像素电极210-1和第二像素电极210-2可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
如图4中图示，第一像素电极210-1和第二像素电极210-2可通过接触源电极SE和漏电极DE中的任一个而电连接到薄膜晶体管TFT。特别地，第一像素电极210-1和第二像素电极210-2中的每个可通过形成在平坦化层208中的接触孔而接触源电极SE和漏电极DE中的任一个。
像素限定层PDL可遍及平坦化层208布置。像素限定层PDL可通过包括暴露像素电极210的至少一部分的第一开口OP1来限定像素PX。
像素限定层PDL可包括第一开口OP1。第一开口OP1可包括遍及第一像素电极210-1布置的第1-1开口OP1-1和遍及第二像素电极210-2布置的第1-2开口OP1-2。在实施方式中，第1-1开口OP1-1可限定第一发射区域EA1和第一连接区域CA1。第1-2开口OP1-2可限定第二发射区域EA2和第二连接区域CA2。
第一连接区域CA1和第二连接区域CA2可位于第一开口OP1的拐角处。第一连接区域CA1和第二连接区域CA2可分别提供为多个第一连接区域和多个第二连接区域。例如，第一连接区域CA1可包括第1-1连接区域CA1-1、第1-2连接区域CA1-2、第1-3连接区域CA1-3和第1-4连接区域CA1-4。第二连接区域CA2可包括第2-1连接区域CA2-1、第2-2连接区域CA2-2、第2-3连接区域CA2-3和第2-4连接区域CA2-4。图4图示了第1-1连接区域CA1-1、第1-3连接区域CA1-3、第2-2连接区域CA2-2和第2-4连接区域CA2-4的剖面。
像素限定层PDL可增加像素电极210的边缘与遍及像素电极210布置的相对电极230之间的距离。因此，可防止在像素电极210的边缘处出现电弧等。像素限定层PDL可包括例如有机材料，诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。在一些实施方式中，像素限定层PDL可包括阻光材料并且可提供为黑色。阻光材料可包括例如包含炭黑、碳纳米管或黑色染料的树脂或浆料、金属粒子(例如，镍、铝、钼或它们的任何合金)、金属氧化物粒子(例如，氧化铬)或金属氮化物粒子(例如，氮化铬)。当像素限定层PDL包括阻光材料时，可减少布置在像素限定层PDL下方的金属结构对外部光的反射。
参考图4，在实施方式中，形成在限定第一开口OP1的像素限定层PDL的内表面与衬底100的上表面之间的第一角a1可为约60°或更大并且约130°或更小。
间隔件SPC可遍及像素限定层PDL布置。间隔件SPC可包括暴露像素电极210的至少一部分的第二开口OP2。第二开口OP2可包括暴露第一像素电极210-1的至少一部分的第2-1开口OP2-1和暴露第二像素电极210-2的至少一部分的第2-2开口OP2-2。
间隔件SPC的本体部分的一部分可排列在像素限定层PDL的第一开口OP1中。间隔件SPC的本体部分可排列在包括在第一开口OP1中的连接开口OP1-c中。其中排列有间隔件SPC的本体部分的第一开口OP1的内部可与连接区域CA重叠。参考图4，间隔件SPC的本体部分的一部分可排列在第1-1连接区域CA1-1、第1-3连接区域CA1-3、第2-2连接区域CA2-2和第2-4连接区域CA2-4中。
在实施方式中，间隔件SPC可包括与像素限定层PDL的材料不同的材料。例如，像素限定层PDL和间隔件SPC可包括不同的材料(例如，像素限定层PDL可包括负光敏材料而间隔件SPC可包括正光敏材料)并且可分别通过单独的掩模工艺形成。间隔件SPC可包括透明绝缘层。
参考图4，形成在限定第二开口OP2的间隔件SPC的内表面与衬底100之间的第二角a2可小于形成在限定第一开口OP1的像素限定层PDL的内表面与衬底100之间的第一角a1。第二角a2可大于约0°并且为约80°或更小。因此，下面描述的相对电极230可在连接区域CA中覆盖间隔件SPC的第二开口OP2的侧表面，并且相邻的像素PX的相对电极230可通过布置在连接区域CA中的相对电极230彼此连接。
第一中间层220-1可遍及第一像素电极210-1布置。第二中间层220-2可遍及第二像素电极210-2布置。第一中间层220-1和第二中间层220-2可包括低分子量或高分子量材料。第一中间层220-1可包括第一发射层。第一发射层可仅排列在第1-1开口OP1-1中。第二中间层220-2可包括第二发射层。第二发射层可以排列在第1-2开口OP1-2中。
当第一中间层220-1和第二中间层220-2包括低分子量材料时，第一中间层220-1和第二中间层220-2可具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等以单一或复合结构堆叠的结构，并且可通过真空沉积形成。
当第一中间层220-1和第二中间层220-2包括高分子量材料时，第一中间层220-1和第二中间层220-2可具有包括空穴传输层(HTL)和发射层(EML)的结构。在这种情况下，空穴传输层(HTL)可包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)并且发射层(EML)可包括诸如聚对苯乙炔(PPV)和聚芴的高分子量材料。第一中间层220-1和第二中间层220-2可通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成。
第一相对电极230-1可遍及第一中间层220-1布置。第二相对电极230-2可遍及第二中间层220-2布置。即，第一中间层220-1可排列在第一像素电极210-1与第一相对电极230-1之间，并且第二中间层220-2可排列在第二像素电极210-2与第二相对电极230-2之间。
第一相对电极230-1和第二相对电极230-2可包括由ITO、In2O3或IZO形成的透明导电层，并且也可包括包含诸如Al或Ag的金属的半透明层。例如，第一相对电极230-1和第二相对电极230-2可包括包含Mg或Ag的半透明层。尽管图4中未图示，但是盖层(未图示)可遍及第一相对电极230-1和第二相对电极230-2布置。例如，盖层可提供为包含选自有机材料、无机材料和它们的混合物中的材料的单层或多层。在替代性实施方式中，LiF层可遍及盖层定位。此外，第一相对电极230-1和第二相对电极230-2可通过相同的工艺由相同的材料同时形成。特别地，形成第一相对电极230-1和第二相对电极230-2的材料可沉积在衬底100的整个表面上。
相对电极230可覆盖间隔件SPC的至少一部分和像素限定层PDL。由于间隔件SPC的本体部分在连接区域CA中排列在像素限定层PDL的第一开口OP1中，因此如图4中图示，相对电极230可在第1-1连接区域CA1-1、第1-3连接区域CA1-3、第2-2连接区域CA2-2和第2-4连接区域CA2-4中遍及间隔件SPC布置。
由于间隔件SPC的第二角a2可提供为锐角，因此相对电极230可覆盖间隔件SPC的侧表面。因此，第一相对电极230-1可在第一连接区域CA1中连接到布置在间隔件SPC的上表面上的剩余相对电极230a。第二相对电极230-2可在第二连接区域CA2中连接到布置在间隔件SPC的上表面上的剩余相对电极230a。另外，第一相对电极230-1可在第一连接区域CA1和第二连接区域CA2中连接到第二相对电极230-2。
由此，由于排列在多个像素PX中的相对电极230可在连接区域CA中彼此连接，因此显示装置1可将电信号有效地传输到相对电极230。
通常，由于包括在多个显示器件中的相对电极230遍及显示区域DA的整个表面一体地形成，因此包括在多个显示器件中的相对电极230可彼此电连接。相同的电信号可通过一体地形成的相对电极230供给到多个显示器件。例如，相同的电极电力电压ELVSS可通过一体地形成的相对电极230供给到多个显示器件。因此，一体地形成的相对电极230可用作用于将电极电力电压ELVSS供给到显示器件的线。
此外，根据本公开，通过在上述的连接区域CA中连接相对电极230，电极电力电压ELVSS可供给到显示器件。
图5是示意性地图示沿图3的线II-II’截取的剖面的剖面图。在下文中，将主要描述与图4的图示的不同之处，并且为了简洁起见将省略相同配置的冗余描述。
参考图5，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可遍及平坦化层208彼此分开布置。第一像素电极210-1和第二像素电极210-2可遍及平坦化层208彼此分开布置。
第一中间层220-1可遍及第一像素电极210-1布置。第二中间层220-2可遍及第二像素电极210-2布置。第一中间层220-1和第二中间层220-2可包括低分子量或高分子量材料。
在实施方式中，第一有机发光二极管OLED1的第一中间层220-1可包括第1-1公共层、第一发射层和第2-1公共层。第一发射层可包括用于发射特定颜色的高分子量或低分子量有机材料。第二有机发光二极管OLED2的第二中间层220-2可包括第1-2公共层、第二发射层和第2-2公共层。
第一发射层和第二发射层可发射特定波段的光。例如，第一发射层和第二发射层可发射绿色光、红色光或蓝色光。第二有机发光二极管OLED2的第二发射层可发射与第一有机发光二极管OLED1的第一发射层不同波段的光。
有机发光二极管OLED可具有串联结构。特别地，有机发光二极管OLED可包括下发射层和上发射层，并且上发射层可遍及下发射层布置以与下发射层重叠。即，发射层可包括下发射层和上发射层。
第一公共层可排列在像素电极210与下发射层之间。第一公共层可具有单层或多层结构。例如，当第一公共层由高分子量材料形成时，第一公共层可为单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可由聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺(PANI)、N，N'-二苯基-N，N'-双(3-甲基苯基)-1，1'-联苯基-4，4'-二胺(TPD)、或者N，N'-二(萘-1-基)-N，N'-二苯基-联苯胺(NPB)形成。当第一公共层由低分子量材料形成时，第一公共层可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
第二公共层可遍及上发射层布置。第二公共层可被省略。例如，当第一公共层和发射层由高分子量材料形成时，可形成第二公共层。第二公共层可具有单层或多层结构。第二公共层可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。相对电极230可遍及第二公共层布置。
中间层220还可包括电荷产生层。电荷产生层可位于下发射层与上发射层之间。电荷产生层可起到向包括下发射层的第一堆叠和包括上发射层的第二堆叠供给电荷的作用。
中间层220还可包括第三公共层和第四公共层。第三公共层可位于下发射层与电荷产生层之间。第四公共层可位于电荷产生层与上发射层之间。第三公共层可包括电子传输层，并且第四公共层可包括空穴传输层。
例如，中间层220可包括第一公共层、下发射层、第三公共层、电荷产生层、第四公共层、上发射层和第二公共层。
第一相对电极230-1可遍及第一中间层220-1布置。第二相对电极230-2可遍及第二中间层220-2布置。即，第一中间层220-1可排列在第一像素电极210-1与第一相对电极230-1之间，并且第二中间层220-2可排列在第二像素电极210-2与第二相对电极230-2之间。
如上所述，第一有机发光二极管OLED1的第一中间层220-1和第二有机发光二极管OLED2的第二中间层220-2可包括通过相同的工艺由相同的材料同时形成的层。第一有机发光二极管OLED1的第一相对电极230-1和第二有机发光二极管OLED2的第二相对电极230-2可通过相同的工艺由相同的材料同时形成。
特别地，可通过在衬底的整个表面上沉积用于形成层的材料来形成层。泄漏电流可通过层在第一有机发光二极管OLED1与第二有机发光二极管OLED2之间流动。
例如，可假设第一有机发光二极管OLED1发射绿色光并且第二有机发光二极管OLED2发射红色光。即使当旨在仅向发射绿色光的第一有机发光二极管OLED1供给电流时，也可通过一体地形成的层向第二有机发光二极管OLED2供给电流。
因此，由于不仅从第一有机发光二极管OLED1发射绿色光而且从第二有机发光二极管OLED2发射红色光，因此颜色纯度可能劣化。
然而，在根据本实施方式的显示装置1的情况下，如上所述，通过调节像素限定层PDL的第一角a1、间隔件SPC的第二角a2和像素限定层PDL与间隔件SPC之间的排列关系，一体地形成的层可在除了连接区域CA以外的区域中彼此断开连接。即，电信号可仅通过连接区域CA传输并且可防止或减少泄漏电流。
参考图5，像素限定层PDL可遍及平坦化层208布置。像素限定层PDL可限定与暴露像素电极210的至少一部分的第一开口OP1相对应的发射区域EA。
第一开口OP1可包括暴露第一像素电极210-1的至少一部分的第1-1开口OP1-1和暴露第二像素电极210-2的至少一部分的第1-2开口OP1-2。在实施方式中，形成在限定第一开口OP1的像素限定层PDL的内表面与衬底100的上表面之间的第一角a1可为约60°或更大并且约130°或更小。
间隔件SPC可遍及像素限定层PDL布置。间隔件SPC可包括暴露像素电极210的至少一部分的第二开口OP2。第二开口OP2可包括暴露第一像素电极210-1的至少一部分的第2-1开口OP2-1和暴露第二像素电极210-2的至少一部分的第2-2开口OP2-2。形成在限定第二开口OP2的间隔件SPC的内表面与衬底100之间的第二角a2可大于约0°并且为约80°或更小。
如图4中图示，间隔件SPC的本体部分可不排列在发射区域EA中但可排列在连接区域CA中。图5表示沿不穿过连接区域CA的线II-II’截取的剖面图。
如图5中图示，在除了连接区域CA以外的区域中，间隔件SPC可覆盖像素限定层PDL的上表面的一部分。换言之，在除了连接区域CA以外的区域中，间隔件SPC的本体部分可排列在第一开口OP1外部。由于像素限定层PDL具有未被间隔件SPC的本体部分覆盖的底切部分，因此相对电极230可在未被间隔件SPC的本体部分覆盖的底切部分上具有断开连接部分。
在除了连接区域CA以外的区域中，第一相对电极230-1可与布置在间隔件SPC的上表面上的剩余相对电极230a断开连接。第二相对电极230-2可与布置在间隔件SPC的上表面上的剩余相对电极230a断开连接。
在除了连接区域CA以外的区域中，第一相对电极230-1可与第二相对电极230-2断开连接。另外，第一中间层220-1和第二中间层220-2可在除了连接区域CA以外的区域中彼此断开连接。因此，可最小化相邻的像素PX之间的泄漏电流。
剩余中间层220a可包括第一剩余公共层、第三剩余公共层、剩余电荷产生层、第四剩余公共层和第二剩余公共层。
剩余相对电极230a、第一相对电极230-1和第二相对电极230-2可通过相同的工艺由相同的材料同时形成。特别地，当用于形成第一相对电极230-1和第二相对电极230-2的材料沉积在衬底100的整个表面上时，遍及间隔件SPC形成的层可为剩余相对电极230a。例如，剩余相对电极230a可遍及第二剩余公共层形成。
图6、图7和图8是示意性地图示在图1的显示装置的区K中可以出现的其它实施方式的放大平面图。
如图6至图8中图示，在衬底100的显示区域DA中可排列有多个像素PX。多个像素PX中的每个可指子像素并且可包括诸如有机发光二极管OLED的显示器件。例如，像素PX可发射绿色光、红色光或蓝色光。
在显示区域DA中可排列有多个像素电极210。多个像素电极210可包括包含在第一像素PX1中的第一像素电极210-1、包含在第二像素PX2中的第二像素电极210-2和包含在第三像素PX3中的第三像素电极210-3。例如，第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可在平面图中彼此分开排列。第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可具有与图3中图示的大小相同的大小。在其它实施方式中，第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可具有不同的大小。在下文中，为了简洁起见将省略第三像素PX3的描述。
像素限定层PDL可遍及像素电极210布置并且可包括暴露像素电极210的至少一部分的第一开口OP1。第一开口OP1可暴露像素电极210的中心部分。
像素限定层PDL可通过第一开口OP1限定发射区域EA和连接区域CA。发射区域EA可位于第一开口OP1的中心部分处。连接区域CA可位于第一开口OP1的边缘处。发射区域EA可与连接区域CA部分地重叠。连接区域CA可在一个子像素区域中提供为至少一个连接区域。
参考图6，第一开口OP1在平面图中可具有圆形形状。一同参考图7和图8，第一开口OP1在平面图中可具有椭圆形形状或包括四边形形状的多边形形状。
第一开口OP1可包括遍及第一像素电极210-1布置的第1-1开口OP1-1和遍及第二像素电极210-2布置的第1-2开口OP1-2。在实施方式中，第1-1开口OP1-1可限定第一发射区域EA1和第一连接区域CA1。第1-2开口OP1-2可限定第二发射区域EA2和第二连接区域CA2。
第一连接区域CA1和第二连接区域CA2可分别提供为多个第一连接区域和多个第二连接区域。
参考图6和图8，第一连接区域CA1可包括第1-1连接区域CA1-1、第1-2连接区域CA1-2、第1-3连接区域CA1-3和第1-4连接区域CA1-4。同样地，第二连接区域CA2可包括第2-1连接区域CA2-1、第2-2连接区域CA2-2、第2-3连接区域CA2-3和第2-4连接区域CA2-4。
参考图7，第一连接区域CA1可包括第1-1连接区域CA1-1和第1-2连接区域CA1-2，并且第二连接区域CA2可包括第2-1连接区域CA2-1和第2-2连接区域CA2-2。即，可提供在一个像素PX中的连接区域的数量可根据需要来更改。
返回参考图6至图8，第1-1开口OP1-1和第1-2开口OP1-2可具有如图示的大小。在其它实施方式中，第1-1开口OP1-1和第1-2开口OP1-2可具有不同的大小。
间隔件SPC可遍及像素限定层PDL布置。间隔件SPC可遍及像素电极210布置并且可包括暴露像素电极210的至少一部分的第二开口OP2。第二开口OP2可暴露像素电极210的中心部分。
在实施方式中，第二开口OP2可包括具有圆形、椭圆形或多边形形状的主开口OP2-m。间隔件SPC可具有在与连接区域CA相对应的区域中朝向第一开口OP1的中心突出的突起P2-c。在另一实施方式中，第二开口OP2可具有非典型形状。
第二开口OP2可包括遍及第一像素电极210-1布置的第2-1开口OP2-1和遍及第二像素电极210-2布置的第2-2开口OP2-2。第2-1开口OP2-1和第2-2开口OP2-2可具有与图6至图8中图示的大小相同的大小。在其它实施方式中，第2-1开口OP2-1和第2-2开口OP2-2可具有不同的大小。
图9是示意性地图示沿图6的线III-III’截取的剖面的剖面图。为了简洁起见，将省略与图4和图5的配置相同的配置的冗余描述。
遍及平坦化层208布置的像素限定层PDL可覆盖第一像素电极210-1的至少一部分和第二像素电极210-2的至少一部分。像素限定层PDL可包括限定第一像素PX1的第1-1开口OP1-1和限定第二像素PX2的第1-2开口OP1-2。第1-1开口OP1-1可限定第一发射区域EA1和第1-4连接区域CA1-4。第1-2开口OP1-2可限定第二发射区域EA2和第2-1连接区域CA2-1。
第一发射区域EA1可包括第1-1开口OP1-1的中心部分。第二发射区域EA2可包括第1-2开口OP1-2的中心部分。第1-4连接区域CA1-4可位于第1-1开口OP1-1的边缘处。第2-1连接区域CA2-1可位于第1-2开口OP1-2的边缘处。
间隔件SPC可遍及像素限定层PDL布置。间隔件SPC可包括暴露第一像素电极210-1的至少一部分的第2-1开口OP2-1和暴露第二像素电极210-2的至少一部分的第2-2开口OP2-2。
第一中间层220-1可遍及第一像素电极210-1布置。第二中间层220-2可遍及第二像素电极210-2布置。第一相对电极230-1可遍及第一中间层220-1布置。第二相对电极230-2可遍及第二中间层220-2布置。
在实施方式中，形成在限定第一开口OP1的像素限定层PDL的内表面与衬底100的上表面之间的第一角a1可大于形成在限定第二开口OP2的间隔件SPC的内表面与衬底100之间的第二角a2。第一角a1可为约60°或更大并且约130°或更小。第二角a2可大于约0°并且为约80°或更小。
在第1-4连接区域CA1-4中，间隔件SPC的本体部分可排列在第1-1开口OP1-1中。在第2-1连接区域CA2-1中，间隔件SPC的本体部分可排列在第1-2开口OP1-2中。间隔件SPC的本体部分可排列在第一开口OP1的连接开口OP1-c中。在第1-4连接区域CA1-4和第2-1连接区域CA2-1中，间隔件SPC的本体部分可覆盖像素限定层PDL的侧表面。
间隔件SPC的第二角a2可小于像素限定层PDL的第一角a1。由于第二角a2可大于约0°并且为约80°或更小，因此第一中间层220-1和第一相对电极23-1可覆盖间隔件SPC的侧表面。第一中间层220-1和第一相对电极230-1可在第1-4连接区域CA1-4中连接到相邻区域的中间层220和相对电极230。第二中间层220-2和第二相对电极230-2可在第2-1连接区域CA2-1中连接到相邻区域的中间层220和相对电极230。
间隔件SPC的本体部分可不排列在第一发射区域EA1和第二发射区域EA2中。参考图9，在除了连接区域CA以外的区域中，第一中间层220-1和第一相对电极230-1可遍及间隔件SPC与剩余中间层220a和剩余相对电极230a断开连接。同样地，第二中间层220-2和第二相对电极230-2可遍及间隔件SPC与剩余中间层220a和剩余相对电极230a断开连接。因此，第一中间层220-1和第一相对电极230-1可分别与第二中间层220-2和第二相对电极230-2断开连接。因此，可最小化因中间层220和相对电极230而引起的泄漏电流。
总之，根据实施方式，可通过在连接区域CA中连接相邻的像素PX之间的中间层220和相对电极230来确保电流的流动，并且可通过在除了连接区域CA以外的区域中分离相邻的像素PX之间的中间层220和相对电极230来最小化泄漏电流。因此，本公开的显示装置1可有效地传输电信号。
由于有机发光二极管OLED容易被来自外部的湿气或氧气损坏，因此封装层(未图示)可排列成覆盖和保护有机发光二极管OLED。封装层可包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层并且可覆盖显示区域DA并且延伸到显示区域DA的外部。
根据上述实施方式，可实现能够在减少相邻的显示器件之间的泄漏电流的同时最小化工艺步骤的显示装置。然而，本公开的范围不限于这些效果。
应当理解，本文中描述的实施方式应当仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应当被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。虽然已参考图对一个或多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如随附权利要求书中限定的范围和精神的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
衬底；
像素电极，所述像素电极遍及所述衬底布置；
像素限定层，所述像素限定层包括暴露所述像素电极的第一部分的第一开口，所述像素电极的暴露的所述第一部分包括发射区域和连接区域；
间隔件，所述间隔件遍及所述像素限定层布置并且包括暴露所述像素电极的第二部分的第二开口；
发射层，所述发射层排列在所述发射区域中；以及
相对电极，所述相对电极遍及所述发射层布置并且覆盖所述间隔件的至少一部分和所述像素限定层，
其中，所述间隔件的本体部分的至少一部分在所述第一开口中布置成覆盖所述像素限定层的侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述连接区域中，所述相对电极覆盖所述第二开口的侧表面，并且
其中，遍及所述发射层布置的所述相对电极通过所述连接区域连接到布置在所述间隔件的上表面上的所述相对电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在除了所述连接区域以外的区域中，遍及所述发射层布置的所述相对电极与布置在所述间隔件的上表面上的所述相对电极断开连接。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一开口包括：具有与所述发射区域相对应的多边形形状的主开口；以及在与所述连接区域相对应的区域中从所述多边形形状的拐角突出的连接开口。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一开口在平面图中具有圆形或多边形形状。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第二开口包括具有圆形或多边形形状的主开口，并且
其中，所述间隔件包括在与所述连接区域相对应的区域中朝向所述第一开口的中心突出的突起。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述连接区域位于所述第一开口的边缘处。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素电极的所述第一部分和所述第二部分至少部分重叠。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极遍及衬底彼此分开排列；
像素限定层，所述像素限定层包括暴露所述第一像素电极的第一部分以限定第一发射区域和第一连接区域的第1-1开口和暴露所述第二像素电极的第一部分以限定第二发射区域和第二连接区域的第1-2开口；
间隔件，所述间隔件遍及所述像素限定层布置并且包括暴露所述第一像素电极的第二部分的第2-1开口和暴露所述第二像素电极的第二部分的第2-2开口；
排列在所述第一发射区域中的第一发射层和排列在所述第二发射区域中的第二发射层；以及
相对电极，所述相对电极遍及所述第一发射层和所述第二发射层布置并且至少部分地覆盖所述像素限定层和所述间隔件，
其中，所述间隔件的本体部分的至少一部分排列在所述第1-1开口和所述第1-2开口中，限定所述第1-1开口和所述第1-2开口的所述像素限定层的内表面与所述衬底的上表面形成钝角，并且限定所述第2-1开口和所述第2-2开口的所述像素限定层的内表面与所述衬底的所述上表面形成锐角。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述间隔件的所述本体部分排列在所述第一连接区域和所述第二连接区域中。
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