CN220342752U - 显示装置 - Google Patents
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- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 27
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 474
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 87
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 31
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 101000874179 Homo sapiens Syndecan-1 Proteins 0.000 description 26
- 102100035721 Syndecan-1 Human genes 0.000 description 26
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 25
- 101000692109 Homo sapiens Syndecan-2 Proteins 0.000 description 22
- 102100026087 Syndecan-2 Human genes 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 101150002740 CYP74B2 gene Proteins 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 102100021867 Natural resistance-associated macrophage protein 2 Human genes 0.000 description 8
- 108091006618 SLC11A2 Proteins 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 101100256304 Caenorhabditis elegans sdc-2 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100166255 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CEP3 gene Proteins 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 102100030978 Cytochrome c oxidase assembly factor 1 homolog Human genes 0.000 description 3
- 101000919635 Homo sapiens Cytochrome c oxidase assembly factor 1 homolog Proteins 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100495436 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CSE4 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150114166 coa2 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- 101100504411 Arabidopsis thaliana GH3.6 gene Proteins 0.000 description 2
- 102100036966 Dipeptidyl aminopeptidase-like protein 6 Human genes 0.000 description 2
- 101000804935 Homo sapiens Dipeptidyl aminopeptidase-like protein 6 Proteins 0.000 description 2
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2H-quinoline Chemical compound C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100438241 Arabidopsis thaliana CAM5 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100438980 Arabidopsis thaliana CDC2C gene Proteins 0.000 description 1
- 101100274517 Arabidopsis thaliana CKL1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100113626 Arabidopsis thaliana CKL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100167667 Arabidopsis thaliana CML24 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100448363 Arabidopsis thaliana GH3.10 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000967820 Homo sapiens Inactive dipeptidyl peptidase 10 Proteins 0.000 description 1
- 101000982628 Homo sapiens Prolyl 3-hydroxylase OGFOD1 Proteins 0.000 description 1
- 102100040449 Inactive dipeptidyl peptidase 10 Human genes 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100026942 Prolyl 3-hydroxylase OGFOD1 Human genes 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 Chemical compound [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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Abstract
公开了一种显示装置,包括:基底,包括包含显示区域和非显示区域的主区域和从主区域的一侧突出并包括变形以弯曲的弯曲区域的子区域;薄膜晶体管层;扫描驱动器;发光元件层;传感器电极层,包括第一传感器绝缘层和第二传感器绝缘层;控制信号线,电连接到扫描驱动器,并且设置在非显示区域和子区域的第一子区域中;控制连接线,设置在弯曲区域中,并且分别通过第一控制线接触孔电连接到控制信号线;以及第一孔保护层,设置在第二传感器绝缘层与控制连接线之间并且与第一控制线接触孔对应。该显示装置能够防止设置在第一控制线接触孔周围的有机层响应于湿气而变形,从而防止控制信号线和控制连接线断开或未连接的缺陷。
Description
本申请要求于2022年5月25日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0064191号韩国专利申请的优先权及由此产生的所有权益,该韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息导向的社会的进步,对用于以各种方式显示图像的显示装置提出了越来越多的需求。例如,显示装置用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置。
显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置的示例包括有机发光显示装置、无机发光显示装置和微型发光显示装置,有机发光显示装置包括有机发光元件,无机发光显示装置包括诸如无机半导体的无机发光元件,微型发光显示装置包括微型发光元件。
平板显示装置的至少一个表面可以是发射用于图像显示的光的发光表面。发光表面可以包括显示图像的显示区域和设置在显示区域周围的非显示区域。
实用新型内容
然而,随着设置在显示区域中的子像素区域的数量为了高清晰度或按比例放大而增大,非显示区域的组件(诸如用于将信号或电源供应到显示区域的集成电路芯片和线)的数量会增大。因此,当在发光表面中非显示区域的比例增大时,显示区域的宽度可能被视觉识别为小于实际宽度。
为了防止这种现象,非显示区域可以包括用于将非显示区域的至少一部分设置在显示装置的后表面上的弯曲区域。在这种情况下,为了降低由于弯曲区域中的弯曲应力而发生线的断开缺陷的可能性,可以去除与弯曲区域对应的由无机材料制成的绝缘层。
因此,显示装置可以包括将非显示区域的线连接到信号垫或集成电路芯片并布置在弯曲区域中的连接线。连接线可以分别通过接触孔连接到非显示区域的线。
然而,由于由有机材料制成的绝缘层堆叠在弯曲区域中,因此由有机材料制成的绝缘层产生的湿气可能流入设置在连接线两端处的接触孔中。因此,由有机材料制成并设置在接触孔周围的绝缘层可能变形,这可能导致线的断开或不良连接缺陷。
本实用新型的目的是为了提供了一种能够防止湿气流入设置在弯曲区域的连接线的两端处的接触孔中的显示装置。
根据实施例,一种显示装置包括:基底,包括主区域和子区域,主区域包括显示区域和非显示区域,在显示区域中布置有被构造为发射用于显示图像的光的多个子像素区域,非显示区域设置在显示区域周围,并且子区域从主区域的一侧突出并且包括变形以弯曲的弯曲区域;薄膜晶体管层,在基底上设置在显示区域中;扫描驱动器,被构造为将扫描信号输出到薄膜晶体管层的扫描线;发光元件层,设置在薄膜晶体管层上;传感器电极层,包括第一传感器绝缘层和第二传感器绝缘层,第一传感器绝缘层设置在覆盖发光元件层的封装层上,并且第二传感器绝缘层覆盖第一传感器绝缘层上的传感器电极;控制信号线,电连接到扫描驱动器,并且设置在非显示区域和子区域的与非显示区域连接的第一子区域中;控制连接线,设置在弯曲区域中,并且分别通过第一控制线接触孔电连接到控制信号线;以及第一孔保护层,设置在第二传感器绝缘层与控制连接线之间并且与第一控制线接触孔对应。
显示装置还包括:显示垫和传感器垫,电连接到电路板并且设置在子区域的连接到弯曲区域的第二子区域中;以及控制垫线,设置在第二子区域中,并且控制垫线分别电连接在显示垫中的一些与控制连接线之间,其中,控制连接线分别通过第二控制线接触孔连接到控制垫线,并且第一孔保护层还与第二控制线接触孔对应。
显示装置还包括:数据扇出线,设置在非显示区域和第一子区域中,数据扇出线分别电连接到薄膜晶体管层的数据线;数据连接线,设置在弯曲区域中,并且数据连接线分别通过第一数据线接触孔电连接到数据扇出线;以及第二孔保护层,设置在第二传感器绝缘层与数据连接线之间,并且与第一数据线接触孔对应。
显示装置还包括:显示驱动电路,安装在第二子区域中,并且被构造为输出多个子像素区域中的每个的数据信号;以及数据垫线,设置在第二子区域中,并且数据垫线分别电连接在显示驱动电路与数据连接线之间;其中,数据连接线分别通过第二数据线接触孔电连接到数据垫线,并且第二孔保护层还与第二数据线接触孔对应。
显示装置还包括:第一电源线,被构造为将第一电源供应到多个子像素区域;第二电源线,被构造为将不同于第一电源的第二电源供应到多个子像素区域;第一电源连接线,设置在弯曲区域中,并且连接到延伸到非显示区域和第一子区域的第一电源线;以及第二电源连接线,设置在弯曲区域中,并且连接到延伸到非显示区域和第一子区域的第二电源线,其中,第一电源连接线通过第一电源线接触孔连接到第一电源线,第二电源连接线通过第二电源线接触孔连接到第二电源线,并且其中,显示装置还包括:第三孔保护层,设置在第二传感器绝缘层与第一电源连接线之间,并且与第二电源线接触孔对应。
显示装置还包括:第一电源垫线,设置在第二子区域中,并且第一电源垫线分别通过第三电源线接触孔电连接到第一电源连接线;以及第二电源垫线,设置在第二子区域中,并且第二电源垫线分别通过第四电源线接触孔电连接到第二电源连接线,其中,第三孔保护层还与第四电源线接触孔对应。
第三孔保护层还与第一电源线接触孔和第三电源线接触孔对应。
薄膜晶体管层包括与多个子像素区域中的每个对应的像素驱动单元,发光元件层包括与多个子像素区域中的每个对应的发光元件,多个子像素区域中的每个的像素驱动单元包括:驱动晶体管,与发光元件串联地设置在第一电源线与第二电源线之间;第一晶体管,由扫描线的扫描信号导通,并且设置在驱动晶体管的栅电极与驱动晶体管的第二电极之间;第二晶体管,由扫描线的扫描信号导通,并且设置在数据线与驱动晶体管的第一电极之间;第三晶体管,设置在供应第一初始化电压的栅极初始化电压线与驱动晶体管的栅电极之间;第四晶体管,设置在供应第二初始化电压的发射初始化电压线与发光元件的第一发光电极之间;第五晶体管,设置在第一电源线与驱动晶体管的第一电极之间;以及第六晶体管,设置在驱动晶体管的第二电极与发光元件的第一发光电极之间,其中,第五晶体管和第六晶体管由发射控制线的发射栅极信号导通,其中,扫描驱动器还将发射栅极信号输出到发射控制线,其中,控制信号线包括:至少一条扫描输出控制线,被构造为分别供应与扫描信号的输出时序对应的至少一个扫描时序控制信号;两条或更多条扫描时钟线,被构造为分别供应与扫描信号的产生对应的两个或更多个扫描时钟信号;发射输出控制线,被构造为供应与发射栅极信号的输出时序对应的至少一个发射时序控制信号;以及两条或更多条发射时钟线,被构造为分别供应与发射栅极信号的产生对应的两个或更多个发射时钟信号。
显示装置还包括:恒定电压供应线,设置在非显示区域和第一子区域中,并且恒定电压供应线被构造为分别将预定的恒定电压供应到多个子像素区域或扫描驱动器;恒定电压供应连接线,设置在弯曲区域中,并且恒定电压供应连接线分别电连接到恒定电压供应线;以及恒定电压供应垫线,设置在第二子区中,并且恒定电压供应垫线分别电连接到恒定电压供应连接线,其中,第三孔保护层还与恒定电压供应线和恒定电压供应连接线之间的接触孔以及恒定电压供应连接线和恒定电压供应垫线之间的接触孔对应,其中,恒定电压供应线包括:栅极初始化电压线;发射初始化电压线;第一栅极电压线,被构造为将第一电压电平的第一栅极电压供应到扫描驱动器;以及第二栅极电压线,被构造为将具有不同于第一电压电平的第二电压电平的第二栅极电压供应到扫描驱动器。
传感器电极层的传感器电极设置在与至少显示区域对应的触摸传感器区域中,传感器电极层还包括传感器线,传感器线设置在作为触摸传感器区域的***的触摸***区域中,并且传感器线分别电连接到传感器电极中的一些,传感器电极中的一些在一个方向上并排连接,传感器线延伸到第一子区域,并且传感器线分别电连接到设置在弯曲区域中的传感器连接线,传感器连接线分别通过设置在第二子区域中的传感器垫线电连接到传感器垫,并且第一孔保护层与传感器线和传感器垫线形成在同一层,并且与传感器线和传感器垫线间隔开。
根据实施例,显示装置包括:基底,包括主区域和子区域,主区域包括显示区域和非显示区域,在显示区域中布置有被构造为发射用于显示图像的光的多个子像素区域,非显示区域设置在显示区域周围,并且子区域从主区域的一侧突出并且包括变形以弯曲的弯曲区域;薄膜晶体管层,在基底上设置在显示区域中;扫描驱动器,被构造为将扫描信号输出到薄膜晶体管层的扫描线;发光元件层,设置在薄膜晶体管层上;传感器电极层,包括第一传感器绝缘层和第二传感器绝缘层,第一传感器绝缘层设置在覆盖发光元件层的封装层上,并且第二传感器绝缘层覆盖第一传感器绝缘层上的传感器电极;控制信号线,电连接到扫描驱动器,并且设置在非显示区域和子区域的连接到非显示区域的第一子区域中;控制连接线,设置在弯曲区域中,并且分别通过第一控制线接触孔电连接到控制信号线;以及第一孔保护层,设置在第二传感器绝缘层与控制连接线之间并且与第一控制线接触孔对应。
显示装置还包括:显示垫和传感器垫,电连接到电路板并且设置在子区域的连接到弯曲区域的第二子区域中;以及控制垫线,设置在第二子区域中,并且控制垫线分别电连接在显示垫中的一些与控制连接线之间。控制连接线分别通过第二控制线接触孔连接到控制垫线。第一孔保护层还与第二控制线接触孔对应。
第一孔保护层与传感器电极形成在同一层。
第一孔保护层与控制连接线完全地叠置。
显示装置还包括:数据扇出线,设置在非显示区域和第一子区域中,数据扇出线分别电连接到薄膜晶体管层的数据线;数据连接线,设置在弯曲区域中,并且数据连接线分别通过第一数据线接触孔电连接到数据扇出线;以及第二孔保护层,设置在第二传感器绝缘层与数据连接线之间,并且与第一数据线接触孔对应。
显示装置还包括:显示驱动电路,安装在第二子区域中,并且被构造为输出多个子像素区域中的每个的数据信号;以及数据垫线,设置在第二子区域中,并且数据垫线分别电连接在显示驱动电路与数据连接线之间。数据连接线分别通过第二数据线接触孔电连接到数据垫线。第二孔保护层还与第二数据线接触孔对应。
第一孔保护层和第二孔保护层与传感器电极形成在同一层。
第一孔保护层与控制连接线完全地叠置。
显示装置还包括:第一电源线,被构造为将第一电源供应到多个子像素区域;第二电源线,被构造为将不同于第一电源的第二电源供应到多个子像素区域;第一电源连接线,设置在弯曲区域中,并且连接到延伸到非显示区域和第一子区域的第一电源线;以及第二电源连接线,设置在弯曲区域中,并且连接到延伸到非显示区域和第一子区域的第二电源线。第一电源连接线通过第一电源线接触孔连接到第一电源线。第二电源连接线通过第二电源线接触孔连接到第二电源线。
显示装置还包括:第三孔保护层,设置在第二传感器绝缘层与第一电源连接线之间,并且与第二电源线接触孔对应。
显示装置还包括:第一电源垫线,设置在第二子区域中,并且第一电源垫线分别通过第三电源线接触孔电连接到第一电源连接线;以及第二电源垫线,设置在第二子区域中,并且第二电源垫线分别通过第四电源线接触孔电连接到第二电源连接线。
第三孔保护层还与第四电源线接触孔对应。
第三孔保护层还与第一电源线接触孔和第三电源线接触孔对应。
薄膜晶体管层包括与多个子像素区域中的每个对应的像素驱动单元。发光元件层包括与多个子像素区域中的每个对应的发光元件。多个子像素区域中的每个的像素驱动单元包括:驱动晶体管,与发光元件串联地设置在第一电源线与第二电源线之间;第一晶体管,由扫描线的扫描信号导通,并且设置在驱动晶体管的栅电极与驱动晶体管的第二电极之间;第二晶体管,由扫描线的扫描信号导通,并且设置在数据线与驱动晶体管的第一电极之间;第三晶体管,设置在供应第一初始化电压的栅极初始化电压线与驱动晶体管的栅电极之间;第四晶体管,设置在供应第二初始化电压的发射初始化电压线与发光元件的第一发光电极之间;第五晶体管,设置在第一电源线与驱动晶体管的第一电极之间;以及第六晶体管,设置在驱动晶体管的第二电极与发光元件的第一发光电极之间。第五晶体管和第六晶体管由发射控制线的发射栅极信号导通。
控制信号线包括:至少一条扫描输出控制线,被构造为分别供应与扫描信号的输出时序对应的至少一个扫描时序控制信号;以及两条或更多条扫描时钟线,被构造为分别供应与扫描信号的产生对应的两个或更多个扫描时钟信号。
扫描驱动器还将发射栅极信号输出到发射控制线。控制信号线还包括:发射输出控制线,被构造为供应与发射栅极信号的输出时序对应的至少一个发射时序控制信号;以及两条或更多条发射时钟线,被构造为分别供应与发射栅极信号的产生对应的两个或更多个发射时钟信号。
显示装置还包括:恒定电压供应线,设置在非显示区域和第一子区域中,并且恒定电压供应线被构造为分别将预定的恒定电压供应到多个子像素区域或扫描驱动器;恒定电压供应连接线,设置在弯曲区域中,并且恒定电压供应连接线分别电连接到恒定电压供应线;以及恒定电压供应垫线,设置在第二子区中,并且恒定电压供应垫线分别电连接到恒定电压供应连接线。第三孔保护层还与恒定电压供应线和恒定电压供应连接线之间的接触孔以及恒定电压供应连接线和恒定电压供应垫线之间的接触孔对应。
恒定电压供应线包括栅极初始化电压线和发射初始化电压线。
恒定电压供应线包括:第一栅极电压线,被构造为将第一电压电平的第一栅极电压供应到扫描驱动器;以及第二栅极电压线,被构造为将具有不同于第一电压电平的第二电压电平的第二栅极电压供应到扫描驱动器。
传感器电极层的传感器电极设置在与至少显示区域对应的触摸传感器区域中。传感器电极层还包括传感器线,传感器线设置在作为触摸传感器区域的***的触摸***区域中,并且传感器线分别电连接到传感器电极中的一些,传感器电极中的一些在一个方向上并排连接。传感器线延伸到第一子区域,并且传感器线分别电连接到设置在弯曲区域中的传感器连接线。传感器连接线分别通过设置在第二子区域中的传感器垫线电连接到传感器垫。第一孔保护层与传感器线和传感器垫线形成在同一层,并且与传感器线和传感器垫线间隔开。
第二传感器绝缘层由负性光致抗蚀剂材料制成。
根据实施例的显示装置包括控制信号线、控制连接线和第一孔保护层,控制信号线设置在非显示区域和第一子区域中并且连接到扫描驱动器,控制连接线设置在弯曲区域中并且分别通过第一控制线接触孔连接到控制信号线,第一孔保护层设置在第二传感器绝缘层与控制连接线之间并且与第一控制线接触孔对应。
也就是说,第一孔保护层阻挡第一控制线接触孔与第二传感器绝缘层之间的间隙。
因此,由易受湿气渗透的第二传感器绝缘层产生的湿气被第一孔保护层阻挡,因此不太可能到达第一控制线接触孔。因此,能够防止设置在第一控制线接触孔周围的有机层响应于湿气而变形,从而防止控制信号线和控制连接线断开或未连接的缺陷。
本公开的效果不限于上述效果,并且各种其他效果包括在本说明书中。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例,其以上及其他方面和特征将变得更加明显,在附图中:
图1是示出根据一个实施例的显示装置的透视图;
图2和图3是示出根据一个实施例的显示装置的平面图;
图4是示出沿着图3的线B-B'截取的平面的示例的剖视图;
图5是示出图4的薄膜晶体管层的示例的布局图;
图6是示出图5的显示区域中的任何一个子像素区域的示例的电路图;
图7是详细示出图4的传感器电极层的示例的布局图;
图8是详细示出图7的触摸感测区域的一部分的布局图;
图9是详细示出图8的区域C的布局图;
图10是示出沿着图9的线D-D'截取的平面的示例的剖视图;
图11是示出根据第一实施例的图2的区域A1的布局图;
图12和图13是详细示出图11的区域E的示例的平面图;
图14是示出沿着图13的线F-F'截取的平面的示例的剖视图;
图15是示出沿着图13的线G-G'截取的平面的示例的剖视图;
图16是示出图11的数据扇出线、数据连接线和数据垫线的示例的剖视图;
图17是示出图11的传感器线、传感器连接线和传感器垫线的示例的剖视图;
图18是示出根据第二实施例的图2的区域A2的布局图;
图19是示出图18的控制信号线、控制信号连接线和控制信号垫线的示例的剖视图;
图20是示出根据第三实施例的图2的区域A3的布局图;
图21是示出图20的数据扇出线、数据连接线和数据垫线的示例的剖视图;
图22是示出根据第四实施例的图2的区域A4的布局图;
图23是示出根据第五实施例的图2的区域A5的布局图;以及
图24是示出图23的第一电源线、第一电源连接线和第一电源垫线的示例的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述实施例。然而,实施例可以以不同的形式提供,并且不应被解释成限制。在整个公开中,相同的附图标记指示相同的组件。在附图中,为了清楚,可以夸大层和区域的厚度。
为了描述公开的实施例,可能不会提供多个部分(部件)中的与描述无关的一些部分(部件)。
还将理解的是,当层被称为“在”另一层或基底“上”时,它可以直接在所述另一层或基底上,或者也可以存在居间层。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,可以不存在居间元件。
此外,短语“在平面图中”意指当从上方观看对象部分时,短语“在示意性剖视图中”意指当从侧面观看通过竖直地切割对象部分而截取的示意性剖面时。术语“叠置”或“叠置的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方或侧面,反之亦然。另外,术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或其变型、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。表述“不叠置”可以包括诸如“分开”或“偏置”或“偏移”的含义以及如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的等同物。术语“面对”和“面向”可以意指第一对象可以直接或间接地与第二对象相对。在其中第三对象介于第一对象与第二对象之间的情况下,第一对象和第二对象可以被理解为彼此间接相对,尽管仍然彼此面对。
为了易于描述,可以在这里使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是,除了在附图中描绘的方位之外,空间相对术语还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如,在将附图中所示的装置翻转的情况下,定位“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以放置“在”所述另一装置“上方”。因此,说明性术语“在……下方”可以包括下位置和上位置两者。装置也可以在其他方向上定位,因此空间相对术语可以根据方位而被不同地解释。
当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时,该元件可以“直接连接”或“直接结合”到所述另一元件,或者可以“间接连接”或“间接结合”到所述另一元件且一个或更多个居间元件置于它们之间。还将理解的是,当使用术语“包括”、“具有”、“包含”或其变型时,它们可以说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件或组件,但是不排除存在或添加其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的任何组合。
将理解的是,尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开,或者用于便于其描述和解释。例如,当在说明书中讨论“第一元件”时,它可以被称为“第二元件”或“第三元件”,并且“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式被命名而不脱离这里的教导。
如在这里使用的术语“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值,并且意指:考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(例如,测量***的局限性),在如由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如,“约(大约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内,或者在所陈述的值的±30%、±20%、±10%、±5%内。
如在这里使用的,词语“或”意指逻辑“或”,使得除非上下文另外指示,否则表述“A、B或C”意指“A和B和C”、“A和B但是没有C”、“A和C但是没有B”、“B和C但是没有A”、“A但是没有B且没有C”、“B但是没有A且没有C”以及“C”但是没有A且没有B”。在说明书和权利要求书中,短语“……中的至少一个(种/者)”出于其含义和解释的目的旨在包括“选自……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如,“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。
除非另外定义或暗示,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义一致的含义,而将不以理想化或过于形式化的含义来进行解释,除非在说明书中清楚地定义。
在下文中,将参照附图描述实施例。
图1是示出根据一个实施例的显示装置的透视图。
参照图1,显示装置10是用于显示运动图像或静止图像的装置。显示装置10可以用作各种装置(诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IOT)装置)以及便携式电子装置(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC))的显示屏幕。
显示装置10可以是诸如使用有机发光二极管的有机发光显示器、包括量子点发光层的量子点发光显示器、包括无机半导体的无机发光显示器以及使用微发光二极管(LED)或纳米发光二极管(LED)的微发光显示器的发光显示装置。在以下描述中,假设显示装置10是有机发光显示装置,但是本公开不限于此。
显示装置10包括显示面板100、显示驱动电路200和电路板300。
在平面图中,显示面板100可以以具有在第一方向DR1上的短边和在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上的长边的矩形形状形成。第一方向DR1上的短边和第二方向DR2上的长边交汇的拐角可以被倒圆以具有预定的曲率,或者可以是直角的。显示面板100的平面形状不限于矩形形状,并且可以以其他多边形形状、圆形形状或椭圆形形状形成。显示面板100可以形成为平坦的,但是不限于此。例如,显示面板100可以包括形成在左端和右端处并且具有预定的曲率或变化的曲率的弯曲部分。另外,显示面板100可以柔性地形成,使得它可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。
显示面板100可以包括包含主区域MA和子区域SBA的基底SUB(见图4)。
主区域MA可以包括显示图像的显示区域DA和作为显示区域DA的***区域的非显示区域NDA。显示区域DA可以包括显示图像的子像素区域SPX(见图5)。子区域SBA可以从主区域MA的在第二方向DR2上的一侧突出。
图1示出了子区域SBA被展开以与主区域MA并排设置的状态。
然而,如图3中所示,子区域SBA的一部分可以弯曲,使得子区域SBA的其他剩余部分可以设置在显示面板100的底表面上。在这种情况下,它可以在基底SUB的厚度方向(或称为“第三方向”)DR3上与主区域MA叠置。显示驱动电路200可以布置在子区域SBA中。
如图1中所示,显示驱动电路200可以产生用于驱动显示面板100的信号和电压。显示驱动电路200可以形成为集成电路(IC)并且通过玻璃上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声键合方法附着到显示面板100上,但是本公开不限于此。例如,显示驱动电路200可以通过膜上芯片(COF)方法附着到电路板300上。
电路板300可以附着到显示面板100的子区域SBA的一端。因此,电路板300可以电连接到显示面板100和显示驱动电路200。显示面板100和显示驱动电路200可以通过电路板300接收数字视频数据、时序信号和驱动电压。电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板或诸如膜上芯片的柔性膜。
图2和图3是示出根据一个实施例的显示装置的平面图。图4是示出图3的沿着线B-B'截取的平面的示例的剖视图。
在图2中示例性地示出了子区域SBA被展开而未被弯曲。在图3和图4中示例性地示出了子区域SBA被弯曲。
参照图2至图4,显示面板100可以包括主区域MA和子区域SBA。
主区域MA可以包括显示图像的显示区域DA和作为显示区域DA的***区域的非显示区域NDA。显示区域DA可以占据主区域MA的大部分。显示区域DA可以设置在主区域MA的中心处。
非显示区域NDA可以与显示区域DA相邻地设置。非显示区域NDA可以是显示区域DA的外部的区域。非显示区域NDA可以被设置为围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以是显示面板100的边缘区域。
第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2可以设置在非显示区域NDA中。第一扫描驱动器SDC1可以与显示区域DA的在第一方向DR1上的一侧(例如,左侧)并排设置,第二扫描驱动器SDC2可以与显示区域DA的在第一方向DR1上的另一侧(例如,右侧)并排设置,但是本公开不限于此。第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2中的每个可以通过控制信号线CSL(见图5)从显示驱动电路200接收控制信号,并且可以响应于控制信号产生扫描信号和发射栅极信号。
扫描信号可以输出到显示区域DA的扫描线SCL(见图6)。发射栅极信号可以输出到显示区域DA的发射控制线ECL(见图6)。
子区域SBA可以从主区域MA的在第二方向DR2上的一侧突出。子区域SBA的在第二方向DR2上的长度可以小于主区域MA的在第二方向DR2上的长度。子区域SBA的在第一方向DR1上的长度可以基本上等于或小于主区域MA的在第一方向DR1上的长度。
子区域SBA可以包括弯曲部分和设置在显示面板100的底表面上的另一部分。在这种情况下,子区域SBA的另一部分可以在第三方向DR3上与主区域MA叠置。
子区域SBA可以包括第一子区域SB1、第二子区域SB2和弯曲区域BA。
第一子区域SB1是从主区域MA的在第二方向DR2上的一侧突出的区域。第一子区域SB1的一侧可以与主区域MA的非显示区域NDA接触,第一子区域SB1的另一侧可以与弯曲区域BA接触。
第二子区域SB2是布置垫(pad,或称“焊盘”)PD和显示驱动电路200的区域。显示驱动电路200可以使用诸如自组装各向异性导电膏(SAP)或各向异性导电膜的低电阻高可靠性材料附着到第二子区域SB2的驱动垫。电路板300可以使用诸如SAP或各向异性导电膜的低电阻高可靠性材料附着到第二子区域SB2的垫PD。第二子区域SB2的一侧可以与弯曲区域BA接触。
如图3中所示,弯曲区域BA被弯曲。当弯曲区域BA弯曲时,第二子区域SB2可以设置在第一子区域SB1下面和主区域MA下面。弯曲区域BA可以设置在第一子区域SB1与第二子区域SB2之间。弯曲区域BA的一侧可以与第一子区域SB1接触,弯曲区域BA的另一侧可以与第二子区域SB2接触。
如图4中所示,显示面板100可以包括薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、封装层TFEL和传感器电极层SENL。
基底SUB可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料形成。例如,基底SUB可以由聚酰亚胺形成。基底SUB可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
薄膜晶体管层TFTL可以设置在基底SUB上。薄膜晶体管层TFTL可以布置在主区域MA和子区域SBA中。薄膜晶体管层TFTL包括薄膜晶体管。
发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以布置在主区域MA的显示区域DA中。发光元件层EML包括布置在发光单元中的发光元件。
封装层TFEL可以设置在发光元件层EML上。封装层TFEL可以布置在主区域MA的显示区域DA和非显示区域NDA中。封装层TFEL包括用于封装发光元件层的至少一个无机层和至少一个有机层。
传感器电极层SENL可以设置在封装层TFEL上。传感器电极层SENL可以设置在主区域MA中。传感器电极层SENL可以使用触摸电极感测人或对象的触摸。
用于保护显示面板100的上部的覆盖窗(未示出)可以设置在传感器电极层SENL上。覆盖窗可以通过诸如光学透明粘合剂(OCA)膜或光学透明树脂(OCR)的透明粘合构件附着到传感器电极层SENL。覆盖窗可以由无机材料(诸如玻璃)或有机材料(诸如塑料或聚合物材料)制成。
此外,还可以在传感器电极层SENL与覆盖窗之间设置防反射构件(未示出),以防止由于外部光被显示面板100反射而导致显示面板100显示的图像的可见性降低。防反射构件可以是偏振膜或滤色器。
触摸驱动电路400可以设置在电路板300上。触摸驱动电路400可以形成为集成电路(IC)并附着到电路板300。
触摸驱动电路400可以电连接到传感器电极层SENL的多个驱动电极和多个感测电极。触摸驱动电路400将触摸驱动信号施加到多个驱动电极,并且通过多个感测电极感测多个触摸节点中的每个的触摸感测信号(例如,互电容的电荷改变量)。
触摸驱动电路400可以根据多个触摸节点中的每个的触摸感测信号来确定是否发生用户的触摸、用户是否接近等。用户的触摸指示诸如用户的手指或笔的对象与显示装置10的前表面的直接接触。用户的接近指示诸如用户的手指或笔之类的对象离开显示装置10的前表面地定位,诸如悬停。
图5是示出图4的薄膜晶体管层的示例的布局图。
参照图5,显示面板100可以包括在显示区域DA中在第一方向DR1和第二方向DR2上布置的多个子像素区域SPX。
显示面板100的薄膜晶体管层TFTL可以包括设置在显示区域DA中的扫描线SCL、发射控制线ECL、数据线DL和第一电源线VDL。
扫描线SCL可以在第一方向DR1上延伸。
扫描线SCL可以供应与数据是否被写入到多个子像素区域SPX对应的扫描信号。
第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2可以响应于控制信号线CSL的控制信号输出与数据是否被写入到显示区域DA的扫描线SCL对应的扫描信号。
例如,第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2可以响应于控制信号在用于图像显示的一个帧周期期间将扫描信号顺序地输出到显示区域DA的扫描线SCL。
连接到第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2的控制信号线CSL的控制信号可以包括与扫描信号的输出时序对应的扫描时序控制信号和与扫描信号的产生对应的两个或更多个扫描时钟信号。
发射控制线ECL可以在第一方向DR1上延伸。
发射控制线ECL可以与扫描线SCL设置在同一层,并且可以与扫描线SCL间隔开。发射控制线ECL可以将与是否开始光发射对应的发射栅极信号供应到多个子像素区域SPX。
尽管在图5中未详细示出,但是显示面板100还可以包括用于将发射栅极信号输出到发射控制线ECL的发射栅极驱动器(未示出)。
发射栅极驱动器可以与第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2分开地设置。在这种情况下,发射栅极驱动器可以在与显示区域DA的在第一方向DR1上的至少一侧相邻的非显示区域NDA中与第一扫描驱动器SDC1或第二扫描驱动器SDC2并排设置。
可选地,发射栅极驱动器可以被实现为第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2中的至少一个的一部分。也就是说,第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2中的至少一个可以包括用于输出发射栅极信号的电路。
在这种情况下,连接到第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2的控制信号线CSL的控制信号还可以包括与发射栅极信号的输出时序对应的至少一个发射时序控制信号和与发射栅极信号的产生对应的两个或更多个发射时钟信号。
这仅仅是示例,根据一个实施例的用于输出发射栅极信号的装置不限于上述装置。
数据线DL可以在第二方向DR2上延伸,并且可以将从显示驱动电路200输出的数据信号供应到多个子像素区域SPX中的每个。
显示驱动电路200可以基于从电路板300传输的数字视频数据和时序信号将将要施加到多个子像素区域SPX中的每个的数据信号施加到显示区域DA的数据线DL。
此外,显示驱动电路200可以基于数字视频数据和时序信号将扫描控制信号供应到第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2。
第一电源线VDL可以将用于驱动发光元件的第一电源供应到多个子像素区域SPX。第一电源线VDL可以从显示驱动电路200或电路板300接收第一电源。
图6是示出图5的显示区域中的任何一个子像素区域的示例的电路图。
参照图6,多个子像素区域SPX中的每个可以包括发光元件LEL和将驱动电流供应到发光元件LEL的像素驱动单元PDU。
发光元件LEL可以包括阳极电极、阴极电极和设置在阳极电极与阴极电极之间的发光层。
例如,发光元件LEL可以是具有由有机发光材料制成的发光层的有机发光二极管。可选地,发光元件LEL可以是包括由无机半导体制成的发光层的无机发光元件。可选地,发光元件LEL可以是具有量子点发光层的量子点发光元件。可选地,发光元件LEL可以是微型发光二极管。
像素驱动单元PDU可以包括驱动晶体管DT、至少一个开关元件和至少一个电容器。例如,像素驱动单元PDU可以包括第一晶体管(开关晶体管)ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6的开关元件。
驱动晶体管DT可以包括栅电极、第一电极和第二电极,并且可以在第一电源线VDL与第二电源线VSL之间与发光元件LEL串联连接。
当扫描线SCL的扫描信号和数据线DL的数据信号供应到像素驱动单元PDU时,驱动晶体管DT基于数据信号在第一电极和第二电极之间产生电流,即漏-源电流。
驱动晶体管DT的漏-源电流供应为发光元件LEL的驱动电流。
发光元件LEL发射具有与驱动晶体管DT的驱动电流对应的亮度的光。
与发光元件LEL并联连接的电容器Cel是阳极电极与阴极电极之间的寄生电容。
电容器C1连接在第一电源线VDL与驱动晶体管DT的栅电极之间。
第一晶体管ST1连接在驱动晶体管DT的第二电极与驱动晶体管DT的栅电极之间,并且基于通过扫描线SCL供应的扫描信号而导通。另外,第一晶体管ST1可以是包括第一子晶体管ST1-1和第二子晶体管ST1-2的双栅极晶体管。
第二晶体管ST2连接在数据线DL与驱动晶体管DT的第一电极之间,并且基于通过扫描线SCL供应的扫描信号而导通。
因此,当通过扫描线SCL供应扫描信号时,第一晶体管ST1和第二晶体管ST2导通。
此时,数据线DL的数据信号通过导通的第二晶体管ST2供应到驱动晶体管DT的第一电极。
另外,驱动晶体管DT的栅电极和第二电极通过导通的第一晶体管ST1具有相同的电位。
因此,当驱动晶体管DT的第一电极与栅电极之间的电位差超过阈值电压时,在驱动晶体管DT的第一电极与第二电极之间产生漏-源电流。可以基于电容器C1中充有的电压来保持通过驱动晶体管DT的漏-源电流的供应。
第三晶体管ST3连接在栅极初始化电压线VGIL与驱动晶体管DT的栅电极之间,并且基于初始化控制线ICL的初始化控制信号而导通。另外,第三晶体管ST3可以是包括第三子晶体管ST3-1和第四子晶体管ST3-2的双栅极晶体管。
当第三晶体管ST3导通时,驱动晶体管DT的栅电极的电位通过栅极初始化电压线VGIL被初始化为第一初始化电压。
第四晶体管ST4连接在发射初始化电压线VAIL和发光元件LEL的阳极电极之间,并且基于栅极控制线GCL的栅极控制信号而导通。
当第四晶体管ST4导通时,发光元件LEL的阳极电极的电位通过发射初始化电压线VAIL被初始化为第二初始化电压。
第五晶体管ST5连接在第一电源线VDL与驱动晶体管DT的第一电极之间。
第六晶体管ST6连接在驱动晶体管DT的第二电极与发光元件LEL的阳极电极之间。
第五晶体管ST5和第六晶体管ST6基于发射控制线ECL的发射控制信号而导通。
当第五晶体管ST5和第六晶体管ST6导通时,通过驱动晶体管DT的驱动电流供应到发光元件LEL,并且发光元件LEL基于驱动电流发射光。
如图6中所示,包括在像素驱动单元PDU中的驱动晶体管DT、第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的全部可以被设置为P型MOSFET。在这种情况下,扫描线SCL的扫描信号、初始化控制线ICL的初始化控制信号、栅极控制线GCL的栅极控制信号和发射控制线ECL的发射控制信号中的每个可以是用于使P型MOSFET导通的栅极低电平信号。
可选地,与图6的图示不同,包括在像素驱动单元PDU中的开关元件中的一些可以被设置为P型MOSFET,而其他剩余部分可以被设置为N型MOSFET。以这种方式,以P型MOSFET设置的开关元件和以N型MOSFET设置的开关元件可以包括不同半导体材料的有源层。因此,可以通过堆叠结构来改善子像素区域SPX的底面积比(floor area ratio),并且这可以有利于提高分辨率。
例如,尽管未单独地示出,但是根据另一示例,像素驱动单元PDU的开关元件之中的驱动晶体管DT、第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6可以被设置为具有多晶硅半导体材料的有源层的P型MOSFET,而第一晶体管ST1和第三晶体管ST3可以被设置为具有氧化物半导体材料的有源层的N型MOSFET。
在这种情况下,由于第一晶体管ST1不利用与用于第二晶体管ST2的信号相同的信号导通,所以第一晶体管ST1的栅电极可以连接到栅极控制线GCL而不是扫描线SCL。以这种方式,当栅极控制线GCL供应栅极低电平信号时,第四晶体管ST4可以导通,并且当栅极控制线GCL供应栅极高电平信号时,第一晶体管ST1可以导通。另外,当初始化控制线ICL供应栅极高电平信号时,第三晶体管ST可以导通。
图7是详细示出图4的传感器电极层的示例的布局图。图8是详细示出图7的触摸感测区域的一部分的布局图。
尽管图7和图8示出了传感器电极层SENL包括两种类型的传感器电极SE(即,驱动电极TE和感测电极RE),并且以在驱动信号施加到驱动电极TE的状态下通过感测电极RE感测在互电容中充入的电压的互电容方式驱动,但是本公开不限于此。
图7和图8仅示出了传感器电极SE、虚设图案DE、传感器线SL以及传感器垫TP1和TP2。
参照图7,传感器电极层SENL包括用于感测用户的触摸的触摸传感器区域TSA和设置在触摸传感器区域TSA周围的触摸***区域TPA。例如,触摸传感器区域TSA可以与显示区域DA叠置,触摸***区域TPA可以与非显示区域NDA叠置。
传感器电极层SENL可以包括设置在触摸传感器区域TSA中的传感器电极SE和虚设图案DE。
感测电极RE可以是产生互电容以感测对象或人的触摸的电极。
传感器电极SE可以包括驱动电极TE和感测电极RE。感测电极RE可以被定义为第一传感器电极,驱动电极TE可以被定义为第二传感器电极。可选地,驱动电极TE可以被定义为第一传感器电极,感测电极RE可以被定义为第二传感器电极。
多个感测电极RE可以在第一方向DR1和第二方向DR2上并排布置。多个感测电极RE可以在第一方向DR1上电连接。在第一方向DR1上相邻的感测电极RE可以彼此连接。在第二方向DR2上相邻的感测电极RE可以彼此电分离。
多个驱动电极TE可以在第一方向DR1和第二方向DR2上并排布置。在第一方向DR1上相邻的驱动电极TE可以彼此电分离。多个驱动电极TE可以在第二方向DR2上电连接。在第二方向DR2上相邻的驱动电极TE可以通过图8的桥接线BE彼此连接。
参照图8,桥接线BE可以弯曲至少一次。尽管图8示出了桥接线BE具有尖括号形状(“<”或“>“),但是桥接线BE的平面形状不限于此。由于在第二方向DR2上彼此相邻的驱动电极TE通过多条桥接线BE连接,因此即使桥接线BE中的任何一条断开,在第二方向DR2上彼此相邻的驱动电极TE也可以稳定地彼此连接。尽管图8示出了相邻的驱动电极TE通过两条桥接线BE连接,但是相邻的驱动电极TE之间的桥接线BE的数量不限于此。
由于驱动电极TE和感测电极RE彼此间隔开,因此它们在其交叉点处电分离。因此,可以在驱动电极TE与感测电极RE之间产生互电容。
虚设图案DE中的每个可以被驱动电极TE或感测电极RE围绕。虚设图案DE中的每个可以与驱动电极TE或感测电极RE电分离。虚设图案DE中的每个可以与驱动电极TE或感测电极RE间隔开。虚设图案DE中的每个可以是电浮置的。
驱动电极TE在第一方向DR1上的长度和驱动电极TE在第二方向DR2上的长度可以近似为3mm至5mm。驱动电极TE在第一方向DR1上的长度指从驱动电极TE的左端到右端的距离。驱动电极TE在第二方向DR2上的长度指从驱动电极TE的上端到下端的距离。感测电极RE在第一方向DR1上的长度和感测电极RE在第二方向DR2上的长度也可以近似为3mm至5mm。
尽管图7和图8示出了驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE中的每个具有菱形平面形状,但是本公开不限于此。例如,驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE中的每个在平面图中可以具有除了菱形形状之外的四边形形状、除了四边形形状之外的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。
参照图7,传感器线SL可以设置在触摸***区域TPA中。传感器线SL可以包括连接到感测电极RE的感测线RL和连接到驱动电极TE的驱动线TL。感测线RL可以被定义为第一传感器线,驱动线TL可以被定义为第二传感器线。
布置在触摸传感器区域TSA的一侧处的感测电极RE可以一对一地连接到感测线RL。例如,如图7中所示,在第一方向DR1上电连接的多个感测电极RE之中的设置在右端处的感测电极RE可以连接到感测线RL。感测线RL可以一对一地连接到第二传感器垫TP2。因此,触摸驱动电路400可以电连接到感测电极RE。
布置在触摸传感器区域TSA的一侧处的驱动电极TE可以一对一地连接到驱动线TL。例如,如图7中所示,在第二方向DR2上电连接的多个驱动电极TE之中的设置在下端处的驱动电极TE可以连接到驱动线TL。
驱动线TL可以一对一地连接到第一传感器垫TP1。因此,触摸驱动电路400可以电连接到驱动电极TE。
驱动电极TE在触摸感测区域TSA的相对侧处连接到驱动线TL并且接收触摸驱动信号。这使得能够防止施加到布置在触摸感测区域TSA的下侧的驱动电极TE的触摸驱动信号与施加到布置在触摸感测区域TSA的上侧的驱动电极TE的触摸驱动信号因触摸驱动信号的RC延迟而引起的差异。
其中布置有第一传感器垫TP1的第一传感器垫区域TPA1可以设置在子区域SBA的第二子区域SB2中的其中布置有显示垫DP的显示垫区域DPA的一侧处。
其中布置有第二传感器垫TP2的第二传感器垫区域TPA2可以设置在子区域SBA的第二子区域SB2中的显示垫区域DPA的另一侧处。
显示垫DP中的一些可以连接到安装在子区域SBA的第二子区域SB2中的显示驱动电路200以及设置在非显示区域NDA中的第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2。此外,显示垫DP中的一些其他显示垫DP可以连接到用于将电源供应到显示区域DA的线。
电路板300(见图1)可以设置在显示垫DP、第一传感器垫TP1和第二传感器垫TP2上。显示垫DP、第一传感器垫TP1和第二传感器垫TP2可以使用诸如SAP或各向异性导电膜的低电阻高可靠性材料电连接到电路板300。因此,第一传感器垫TP1和第二传感器垫TP2可以电连接到设置在电路板300上的触摸驱动电路400(见图4)。
如图7和图8中所示,传感器电极层SENL可以包括触摸传感器区域TSA中的驱动电极TE和感测电极RE,并且可以使用驱动电极TE与感测电极RE之间的互电容来感测对象或人的触摸。
图9是详细示出图8的区域C的布局图。
参照图9,驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以设置在同一层并且彼此间隔开。也就是说,间隙可以形成在驱动电极TE与感测电极RE之间。此外,间隙可以形成在驱动电极TE与虚设图案DE(图8)之间以及感测电极RE与虚设图案DE之间。
桥接线BE可以与驱动电极TE和感测电极RE设置在不同的层。
桥接线BE的一侧可以通过第一触摸接触孔TCNT1连接到在第二方向DR2上相邻的驱动电极TE之中的任何一个驱动电极TE。桥接线BE的另一侧可以通过第一触摸接触孔TCNT1连接到在第二方向DR2上相邻的驱动电极TE之中的另一驱动电极TE。
驱动电极TE、感测电极RE和桥接线BE中的每个可以在平面图中以网格结构或网状结构形成。此外,虚设图案DE(图8)中的每个也可以在平面图中以网格结构或网状结构形成。因此,驱动电极TE、感测电极RE、桥接线BE和虚设图案DE中的每个可以不与发射区域E1、E2和E3叠置。因此,能够防止当从发射区域E1、E2和E3发射的光被驱动电极TE、感测电极RE、桥接线BE和虚设图案DE阻挡时发生的光的亮度的降低。
可选地,驱动电极TE、感测电极RE、桥接线BE和虚设图案DE中的每个可以在平面图中以整体表面结构而不是网格结构或网状结构形成。为了防止从发射区域E1、E2和E3发射的光的亮度由于驱动电极TE、感测电极RE、桥接线BE和虚设图案DE而降低,驱动电极TE、感测电极RE、桥接线BE和虚设图案DE可以由能够透射光的透明导电材料(诸如ITO或IZO)制成。
发射区域E1、E2和E3可以包括发射第一颜色的光的第一发射区域E1、发射第二颜色的光的第二发射区域E2和发射第三颜色的光的第三发射区域E3。例如,第一颜色可以是红色,第二颜色可以是绿色,第三颜色可以是蓝色。
第一发射区域E1、第二发射区域E2和第三发射区域E3中的每个可以具有菱形平面形状或矩形平面形状,但是本公开不限于此。第一发射区域E1、第二发射区域E2和第三发射区域E3中的每个在平面图中可以具有除了四边形形状之外的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。此外,尽管图9示出了第三发射区域E3具有最大的面积而第二发射区域E2具有最小的面积,但是本公开不限于此。
一个第一发射区域E1、两个第二发射区域E2和一个第三发射区域E3可以被定义为用于表现白色灰度级的一个像素发射组PXG。也就是说,从一个第一发射区域E1发射的光、从两个第二发射区域E2发射的光和从一个第三发射区域E3发射的光可以被组合以表现白色灰度级。
第二发射区域E2可以布置在奇数行中。第二发射区域E2可以在奇数行中的每行中在第一方向DR1上并排布置。在奇数行中的每行中,在第一方向DR1上相邻的第二发射区域E2中的任何一个具有在一个方向上的长边和在另一方向上的短边,而另一个具有在所述另一方向上的长边和在所述一个方向上的短边。一个方向可以是第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向,并且另一方向可以是与所述一个方向交叉的方向。
第一发射区域E1和第三发射区域E3可以设置在偶数行中。第一发射区域E1和第三发射区域E3可以在偶数行中的每行中在第一方向DR1上并排布置。第一发射区域E1和第三发射区域E3可以交替地布置在偶数行中的每行中。
第二发射区域E2可以布置在奇数列中。第二发射区域E2可以在奇数列中的每列中在第二方向DR2上并排布置。在奇数列中的每列中,在第二方向DR2上相邻的第二发射区域E2中的任何一个具有在一个方向上的长边和在另一方向上的短边,而另一个具有在所述另一方向上的长边和在所述一个方向上的短边。
第一发射区域E1和第三发射区域E3可以布置在偶数列中。第一发射区域E1和第三发射区域E3可以在偶数列中的每列中在第二方向DR2上并排布置。第一发射区域E1和第三发射区域E3可以交替地布置在偶数列中的每列中。
图10是示出沿着图9的线D-D'截取的平面的示例的剖视图。
参照图10,显示面板100可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的薄膜晶体管层TFTL、设置在薄膜晶体管层TFTL上的发光元件层EML、覆盖发光元件层EML的封装层TFEL和设置在封装层TFEL上的传感器电极层SENL。
具体地,薄膜晶体管层TFTL可以包括设置在基底SUB上的第一缓冲层BF1、覆盖第一缓冲层BF1上的光阻挡层BML的第二缓冲层BF2、覆盖第二缓冲层BF2上的有源层ACT的栅极绝缘层130、覆盖栅极绝缘层130上的栅电极G的第一层间绝缘层141、覆盖第一层间绝缘层141上的电容器电极CAE的第二层间绝缘层142、覆盖第二层间绝缘层142上的第一电极S和第二电极D的第一有机层150以及覆盖第一有机层150上的阳极连接电极ANDE1的第二有机层160。
基底SUB可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料形成。例如,基底SUB可以由聚酰亚胺制成。基底SUB可以是可以弯曲、折叠和卷曲的柔性基底。
第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2用于保护薄膜晶体管层TFTL和发光元件层EML免受渗透过基底SUB的湿气的影响。
第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2中的每个可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个无机层交替地堆叠的多层形成。
光阻挡层BML用于防止由于从基底SUB入射的光引起的有源层ACT的漏电流。为此,光阻挡层BML可以至少与第二缓冲层BF2上的有源层ACT的沟道区CHA叠置。可选地,光阻挡层BML可以与整个有源层ACT叠置。
光阻挡层BML可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金制成的单层或多层。可选地,光阻挡层BML可以是包括黑色颜料的有机层。
有源层ACT可以包括由于电位差而形成沟道的沟道区CHA以及位于沟道区CHA两侧的第一电极区域COA1和第二电极区域COA2。
有源层ACT可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体材料。
当有源层ACT包括多晶硅或氧化物半导体材料时,第一电极区域COA1和第二电极区域COA2可以是通过离子掺杂获得的导电区域。
栅极绝缘层130可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机绝缘层形成。
栅极绝缘层130上的栅电极G在第三方向DR3上与有源层ACT的沟道区CHA叠置。
栅电极G可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金制成的单层或多层。
第一层间绝缘层141可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层形成。第一层间绝缘层141可以包括多个无机绝缘层。
第一层间绝缘层141上的电容器电极CAE可以在第三方向DR3上与栅电极G的一部分叠置。电容器C1(见图6)可以由电容器电极CAE与栅电极G之间的叠置区域来设置。在这种情况下,栅电极G是驱动晶体管DT(见图6)的栅电极。
电容器电极CAE可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金制成的单层或多层。
第二层间绝缘层142可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机绝缘层形成。
第一电极S和第二电极D可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金制成的单层或多层。
第一电极S可以通过穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的接触孔连接到有源层ACT的第一电极区域COA1。
第二电极D可以通过穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的接触孔连接到有源层ACT的第二电极区域COA2。
第一有机层150可以由诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
阳极连接电极ANDE1可以通过穿透第一有机层150的接触孔连接到第二电极D。
阳极连接电极ANDE1可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金制成的单层或多层。
尽管图10示出了薄膜晶体管层TFTL包括在第一有机层150与第二有机层160之间的阳极连接电极ANDE1的情况,但这仅仅是示例。也就是说,根据一个实施例的薄膜晶体管层TFTL还可以包括设置在第一有机层150与第二有机层160之间的一个或更多个附加有机层(未示出)以及分别设置在一个或更多个附加有机层上的一个或更多个附加阳极连接电极(未示出)。
第二有机层160可以由诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
尽管图10示出了薄膜晶体管层TFTL包括具有顶栅结构(顶栅结构包括位于有源层ACT上方的栅电极G)的晶体管的情况,但是本公开不限于此。也就是说,薄膜晶体管层TFTL可以包括具有其中栅电极G位于有源层ACT下面的底栅结构的晶体管,或者具有其中栅电极G位于有源层ACT上方和下面的双栅结构的晶体管。
发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL的第二有机层160上。
发光元件层EML可以包括与第一发射区域E1、第二发射区域E2和第三发射区域E3中的每个对应的第一发光电极171、覆盖第一发光电极171的边缘的第三有机层180、设置在第一发光电极171上的发光层172以及设置在第三有机层180和发光层172上的第二发光电极173。第一发光电极171可以是阳极电极,第二发光电极173可以是阴极电极。
第一发光电极171可以形成在第二有机层160上。第一发光电极171可以通过穿透第二有机层160的接触孔连接到阳极连接电极ANDE1。
在相对于发光层172朝向第二发光电极173发射光的顶发射结构中,第一发光电极171可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层形成,或者可以形成为具有铝和钛的层压结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的层压结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的层压结构(ITO/APC/ITO),以增大反射率。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
第三有机层180用于限定显示像素的发射区域E2和E3。为此,第三有机层180可以形成为暴露第二有机层160上的第一发光电极171的一部分。第三有机层180可以覆盖第一发光电极171的边缘。第三有机层180可以由诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
发光层172形成在第一发光电极171上。发光层172可以包括有机材料,从而以预定的颜色的发射光。例如,发光层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。有机材料层可以包括主体和掺杂剂。有机材料层可以包括发射预定的光的材料,并且可以使用磷光材料或荧光材料形成。
例如,发射第一颜色的光的第一发射区域E1(见图9)中的发光层172的有机材料层可以是包括主体材料和掺杂剂的磷光材料,主体材料包括咔唑联苯(CBP)或mCP(1,3-双(咔唑-9-基)),掺杂剂包括选自由PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮化铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮化铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱))和PtOEP(八乙基卟啉铂)组成的组中的至少一种。可选地,第一发射区域E1(见图9)中的发光层172的有机材料层可以是包括PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝的荧光材料,但是本公开不限于此。
发射第二颜色的光的第二发射区域E2中的发光层172的有机材料层可以是包括主体材料和掺杂剂材料的磷光材料,主体材料包括CBP或mCP,掺杂剂材料包括Ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)铱)。可选地,发射第二颜色的光的第二发射区域E2中的发光层172的有机材料层可以是包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)的荧光材料,但是本公开不限于此。
发射第三颜色的光的第三发射区域E3中的发光层172的有机材料层可以是包括主体材料和掺杂剂材料的磷光材料,主体材料包括CBP或mCP,掺杂剂材料包括(4,6-F2ppy)2Irpic或L2BD111,但是本公开不限于此。
第二发光电极173形成在发光层172上。第二发光电极173可以形成为覆盖发光层172和第三有机层180。第二发光电极173可以是针对多个子像素区域SPX公共地形成的公共层。覆盖层(未示出)可以形成在第二发光电极173上。
在顶发射型结构中,第二发光电极173可以由能够透射光的透明导电材料(TCO)(诸如ITO或IZO)或半透射导电材料(诸如镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金)形成。当第二发光电极173由半透射导电材料形成时,由于微腔效应可以提高发光效率。
同时,发光层172可以设置在第一发光电极171的顶表面和第三有机层180的倾斜表面上。第二发光电极173可以设置在发光层172的顶表面和第三有机层180的倾斜表面上。
发光元件层EML被封装层TFEL覆盖。
封装层TFEL用于防止氧或湿气渗透到发光元件层EML中,并且用于保护发光元件层EML免受诸如灰尘的异物的影响。封装层TFEL可以具有其中无机绝缘材料和有机绝缘材料交替地堆叠的结构。
例如,封装层TFEL可以具有其中由无机绝缘材料制成的第一封装层191、由有机绝缘材料制成的第二封装层190和由无机绝缘材料制成的第三封装层192顺序地堆叠的结构。
第一封装层191和第三封装层192中的每个的无机绝缘材料可以是氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的任何一种。
第二封装层190的有机绝缘材料可以是丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。
传感器电极层SENL设置在封装层TFEL上。传感器电极层SENL可以包括传感器电极SE。
传感器电极层SENL可以包括封装层TFEL上的第三缓冲层BF3、设置在第三缓冲层BF3上的桥接线BE、覆盖桥接线BE的第一传感器绝缘层TINS1、设置在第一传感器绝缘层TINS1上的传感器电极SE以及覆盖传感器电极SE的第二传感器绝缘层TINS2。
第三缓冲层BF3可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个无机层交替地堆叠的多个层形成。第三缓冲层BF3可以通过使用柔性材料的层压工艺、使用溶液型材料的旋涂工艺、狭缝模涂覆工艺或沉积工艺形成。可以省略第三缓冲层BF3。
桥接线BE可以由包含钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层形成,或者可以形成为具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡(ITO)的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、Ag-Pd-Cu(APC)合金或者APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。
第一传感器绝缘层TINS1可以由具有绝缘功能和光学功能的材料制成。第一传感器绝缘层TINS1可以由诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。可选地,第一传感器绝缘层TINS1可以由无机层形成,例如,氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
第一传感器绝缘层TINS1可以通过使用柔性材料的层压工艺、使用溶液型材料的旋涂工艺、狭缝模涂覆工艺或沉积工艺形成。
驱动电极TE和感测电极RE可以设置在第一传感器绝缘层TNIS1上。
驱动电极TE和感测电极RE不与发射区域E2和E3叠置。驱动电极TE和感测电极RE可以由包含钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层形成,或者可以形成为具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡(ITO)的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、Ag-Pd-Cu(APC)合金或者APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。
驱动电极TE和感测电极RE可以设置在同一层,并且可以使用相同的材料同时形成。
第二传感器绝缘层TINS2可以是具有绝缘功能和光学功能的层。第二传感器绝缘层TINS2可以由诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。可选地,第二传感器绝缘层TINS2还可以包括设置在有机层上方或下面的无机层。第二传感器绝缘层TINS2的无机层可以是氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
第二传感器绝缘层TINS2可以通过使用柔性材料的层压工艺、使用溶液型材料的旋涂工艺、狭缝模涂覆工艺或沉积工艺形成。
可选地,第二传感器绝缘层TINS2可以由在相对低温环境下层压的绝缘材料制成,以不损坏绝缘材料和设置在其下面的导电材料。例如,第二传感器绝缘层TINS2可以由负性光致抗蚀剂的有机材料制成。也就是说,即使在约90℃的温度下也可以沉积负性光致抗蚀剂,使得能够防止由高温环境引起的变形。
如上面参照图1至图6描述的,根据一个实施例的显示面板100包括基底SUB、基底SUB上的薄膜晶体管层TFTL、薄膜晶体管层TFTL上的发光元件层EML、覆盖发光元件层EML的封装层TFEL和封装层TFEL上的传感器电极层SENL。
基底SUB包括与显示装置10的发光表面对应的主区域MA和从主区域MA的一侧突出的子区域SBA。
主区域MA包括其中布置有发射用于显示图像的光的多个子像素区域SPX的显示区域DA和设置在显示区域DA周围的非显示区域NDA。
子区域SBA包括变形为弯曲的弯曲区域BA。此外,子区域SBA包括连接到非显示区域NDA的第一子区域SB1和连接到弯曲区域BA的第二子区域SB2。
当弯曲区域BA变形为弯曲时,第二子区域SB2设置在基底SUB的后表面上并且与第一子区域SB1和主区域MA叠置。
显示驱动电路200可以安装在第二子区域SB2中。
此外,显示垫DP以及传感器垫TP1和TP2(见图7)可以设置在第二子区域SB2中。显示垫DP以及传感器垫TP1和TP2(见图7)可以并排布置在第二子区域SB2的边缘处。
显示垫DP以及传感器垫TP1和TP2可以电连接到单独的电路板300。
薄膜晶体管层TFTL在基底SUB上设置在显示区域DA中。薄膜晶体管层TFTL包括与多个子像素区域SPX中的每个对应的像素驱动单元PDU。
发光元件层EML包括与多个子像素区域SPX中的每个对应的发光元件LEL。
多个子像素区域SPX中的每个的像素驱动单元PDU可以连接到扫描线SCL、数据线DL、第一电源线VDL和第二电源线VSL。
此外,像素驱动单元PDU还可以连接到初始化控制线ICL、栅极控制线GCL、发射控制线ECL、栅极初始化电压线VGIL和发射初始化电压线VAIL。
扫描线SCL传输与是否写入数据对应的扫描信号。
数据线DL传输与用于图像显示的每个子像素区域SPX的亮度对应的数据信号。
第一电源线VDL和第二电源线VSL分别供应用于驱动发光元件LEL的第一电源和第二电源。第一电源和第二电源彼此不同。例如,第一电源可以是高电位电源,第二电源可以是低电位电源。
初始化控制线ICL和栅极控制线GCL传输与像素驱动单元PDU的主节点是否被初始化对应的栅极信号。
发射控制线ECL传输与是否开始光发射对应的发射栅极信号。
栅极初始化电压线供应第一初始化电压。
发射初始化电压线供应第二初始化电压。
像素驱动单元PDU可以包括驱动晶体管DT、第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6。
驱动晶体管DT与发光元件LEL串联设置在第一电源线VDL与第二电源线VSL之间。
第一晶体管ST1通过扫描线SCL的扫描信号导通,并且设置在驱动晶体管DT的栅电极与驱动晶体管DT的第二电极之间。
第二晶体管ST2通过扫描线SCL的扫描信号导通,并且设置在数据线DL与驱动晶体管DT的第一电极之间。
当通过扫描线SCL传输扫描信号时,第一晶体管ST1和第二晶体管ST2导通。此时,驱动晶体管DT的栅电极和驱动晶体管DT的第二电极通过导通的第一晶体管ST1保持在相同电位。此外,数据线DL的数据信号通过导通的第二晶体管ST2传输到驱动晶体管DT的第一电极。
因此,当驱动晶体管DT的栅电极与第一电极之间的电位差超过阈值电压时,驱动晶体管DT导通。
第三晶体管ST3设置在栅极初始化电压线VGIL与驱动晶体管DT的栅电极之间。当第三晶体管ST3通过初始化控制线ICL的初始化控制信号而导通时,驱动晶体管DT的栅电极的电位被初始化为栅极初始化电压线VGIL的第一初始化电压。
第四晶体管ST4设置在发射初始化电压线VAIL与发光元件LEL的第一发光电极之间。当第四晶体管ST4通过栅极控制线GCL的栅极控制信号而导通时,发光元件LEL的第一发光电极的电位被初始化为发射初始化电压线VAIL的第二初始化电压。
第五晶体管ST5设置在第一电源线VDL与驱动晶体管DT的第一电极之间。
第六晶体管ST6设置在驱动晶体管DT的第二电极与发光元件LEL的第一发光电极之间。
发光元件LEL的第二发光电极连接到第二电源线VSL。
当第五晶体管ST5和第六晶体管ST6通过发射控制线ECL的发射栅极信号导通时,驱动晶体管DT和发光元件LEL串联连接在第一电源线VDL与第二电源线VSL之间,使得由导通的驱动晶体管DT产生的驱动电流供应到发光元件LEL。
显示面板100还可以包括将扫描信号输出到薄膜晶体管层TFTL的扫描线SCL的第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2。在下文中,为了简化描述,第一扫描驱动器SDC1和第二扫描驱动器SDC2统称为扫描驱动器。
扫描驱动器SDC1和SDC2可以响应于控制信号线CSL的控制信号将扫描信号输出到显示区域DA的扫描线SCL。
此外,根据一个示例的扫描驱动器SDC1和SDC2可以响应于控制信号线CSL的控制信号将发射栅极信号输出到显示区域DA的发射控制线ECL。
如上面参照图7至图10描述的,封装层TFEL上的传感器电极层SENL至少包括设置在与显示区域DA对应的触摸传感器区域TSA中的传感器电极SE。传感器电极SE产生互电容以感测对象或人的触摸。
例如,传感器电极SE包括通过桥接线BE在第二方向DR2上连接的多个驱动电极TE和在第一方向DR1上连接的多个感测电极RE。
传感器电极层SENL可以包括设置在封装层TFEL上的桥接线BE、设置在封装层TFEL上并覆盖桥接线BE的第一传感器绝缘层TINS1、设置在第一传感器绝缘层TINS1上的传感器电极SE和覆盖传感器电极SE的第二传感器绝缘层TINS2。
第二传感器绝缘层TINS2可以由可以在90℃的相对低的温度下层压的负性光致抗蚀剂的有机材料制成。因此,能够防止设置在第二传感器绝缘层TINS2下面的绝缘材料或导电材料的图案形状在第二传感器绝缘层TINS2的布置工艺期间被损坏。
然而,负性光致抗蚀剂的缺点在于其易于湿气渗透。因此,当第二传感器绝缘层TINS2由负性光致抗蚀剂制成时,可能引起与第二传感器绝缘层TINS2相邻的金属材料的腐蚀,这可能导致断开或不良连接。
具体地,在弯曲区域BA中,需要去除由易受弯曲应力影响的无机材料制成的绝缘层。因此,第一子区域SB1的线会跳转到弯曲区域BA的连接线并且连接到第二子区域SB2。在这种情况下,用于在弯曲区域BA中跳转的接触孔是缩短湿气渗透路径的因素,使得由金属材料制成并设置在第一子区域SB1和第二子区域SB2中的线的不良连接或断开可能变得严重。
因此,在稍后将要描述的每个实施例的显示装置中,保护由金属材料制成并设置在第一子区域SB1和第二子区域SB2中的线免受渗透通过由负性光致抗蚀剂制成的第二传感器绝缘层TINS2和接触孔的湿气影响。
图11是示出根据第一实施例的图2的区域A1的布局图。图12和图13是详细示出图11的区域E的示例的平面图。图14是示出沿着图13的线F-F'截取的平面的示例的剖视图。图15是示出沿着图13的G-G'截取的平面的示例的剖视图。
图16是示出图11的数据扇出线、数据连接线和数据垫线的示例的剖视图。图17是示出图11的传感器线、传感器连接线和传感器垫线的示例的剖视图。
首先,如上所述,根据一个实施例的显示面板100包括基底SUB、薄膜晶体管层TFTL、扫描驱动器SDC1和SDC2、发光元件层EML、传感器电极层SENL和控制信号线CSL,基底SUB包括主区域MA和子区域SBA,主区域MA包括其中布置有多个子像素区域SPX的显示区域DA和设置在显示区域DA周围的非显示区域NDA,子区域SBA包括从主区域MA的一侧突出并变形以弯曲的弯曲区域BA,薄膜晶体管层TFTL在基底SUB上设置在显示区域DA中,扫描驱动器SDC1和SDC2用于将扫描信号输出到薄膜晶体管层TFTL的扫描线SCL,发光元件层EML设置在薄膜晶体管层TFTL上,传感器电极层SENL包括设置在覆盖发光元件层EML的封装层TFEL上的第一传感器绝缘层TINS1和覆盖第一传感器绝缘层TINS1上的传感器电极SE的第二传感器绝缘层TINS2,控制信号线CSL设置在非显示区域NDA和连接到其的子区域SBA的第一子区域SB1中并且连接到扫描驱动器SDC1和SDC2。
参照图11和图12,根据第一实施例的显示面板100还可以包括设置在弯曲区域BA中并且分别通过第一控制线接触孔CSCT1连接到控制信号线CSL的控制连接线CSCL。
控制信号线CSL提供用于控制扫描驱动器SDC1和SDC2的驱动的控制信号。
例如,如图12中所示,控制信号线CSL可以包括用于供应与扫描信号的输出时序对应的至少一个扫描时序控制信号的一条或更多条扫描输出控制线SCSL1和SCSL2以及用于供应与扫描信号的产生对应的两个或更多个扫描时钟信号的两条或更多条扫描时钟线CKL1和CKL2。
此外,当扫描驱动器SDC1和SDC2将发射栅极信号输出到发射控制线ECL时,控制信号线CSL还可以包括用于供应与发射栅极信号的输出时序对应的至少一个发射时序控制信号的发射输出控制线EMCSL以及用于供应与发射栅极信号的产生对应的两个或更多个发射时钟信号的两条或更多条发射时钟线EMCKL。
扫描驱动器SDC1和SDC2可以响应于控制信号线CSL的控制信号将扫描信号输出到扫描线SCL,并且可以将发射栅极信号输出到发射控制线ECL。
然而,控制信号线CSL的控制信号从正极性(+)变化到负极性(-),并且从负极性(-)变化到正极性(+)。
由于传输极性变化的控制信号,因此邻近的离子可能被引入到控制信号线CSL。
此外,如上所述,由负性光致抗蚀剂制成的第二传感器绝缘层TINS2易受湿气渗透的影响,使得由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气可能进一步促进离子的移动。因此,可能引起第一控制线接触孔CSCT1周围的有机层150、160和180通过对来自第二传感器绝缘层TINS2的湿气和离子的反应而与金属材料分离的变形。
为了防止这种情况,参照图13和图14,根据第一实施例的显示面板100还包括设置在第二传感器绝缘层TINS2与控制连接线CSCL之间并且与第一控制线接触孔CSCT1对应的第一孔保护层HPL1。
如图13中所示,第一孔保护层HPL1可以与第一控制线接触孔CSCT1叠置地以岛状图案形成。第一孔保护层HPL1可以保持浮置状态。
如图14中所示,第一子区域SB1的控制信号线CSL中的每条可以具有第一层间绝缘层141上的控制线上部CSL1和栅极绝缘层130上的控制线下部CSL2组合的跳转结构。控制线上部CSL1可以通过穿透第一层间绝缘层141的第一控制线跳转孔CSLH电连接到控制线下部CSL2。
当控制线上部CSL1设置在第一层间绝缘层141上时,弯曲区域BA的控制连接线CSCL可以设置在覆盖第一层间绝缘层141的第一有机层150、第二有机层160和第三有机层180中的任何一个上。
例如,如图14中所示,控制连接线CSCL中的每条可以类似于第二发光电极173(见图10)设置在第三有机层180上。
如上所述,当控制信号线CSL具有控制线上部CSL1和控制线下部CSL2组合的跳转结构时,非显示区域NDA和第一子区域SB1的线可以利用与线的数量相比小数量的导电层来实现,同时避免了设置在非显示区域NDA和第一子区域SB1中的线之间的短路。
第一孔保护层HPL1被第二传感器绝缘层TINS2覆盖,并且与用于控制信号线CSL与控制连接线CSCL之间的连接的第一控制线接触孔CSCT1叠置。
第一孔保护层HPL1阻挡第一控制线接触孔CSCT1与第二传感器绝缘层TINS2之间的间隙。因此,由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子被第一孔保护层HPL1阻挡,并且几乎不到达第一控制线接触孔CSCT1。因此,在第一控制线接触孔CSCT1周围的有机层响应于湿气或离子而变形,从而能够防止由金属材料制成的控制信号线CSL和控制连接线CSCL的断开缺陷或不良连接缺陷。
例如,如图14中所示,当控制连接线CSCL类似于第二发光电极173(见图10)设置在第三有机层180上时,第一孔保护层HPL1可以与被第二传感器绝缘层TINS2覆盖的传感器电极(图7的SE,图10的TE和RE)形成在同一层。然而,这仅仅是示例,第一孔保护层HPL1可以由满足允许其以岛状图案设置在第二传感器绝缘层TINS2与控制连接线CSCL之间的条件的范围内的任何层形成。
也就是说,控制连接线CSCL可以在它们不与其他线短路的范围内设置在第一有机层150或第二有机层160上而不是第三有机层180上。
又例如,尽管未单独地示出,但是当控制连接线CSCL类似于阳极连接电极ANDE1设置在第一有机层150上时,第一孔保护层HPL1可以与覆盖阳极连接电极ANDE1的第二有机层160上的第一发光电极171设置在同一层。
图12示出了多条控制信号线CSL设置在同一层并且多条控制连接线CSCL设置在同一层的情况。然而,这仅仅是示例,控制信号线CSL和控制连接线CSCL的实现不限于图12中所示的情况。
图12示出了三个第一控制线接触孔CSCT1在一个方向上连续地布置的情况。然而,这仅仅是示例,第一控制线接触孔CSCT1的布置不限于图12中所示的情况。也就是说,可以设置仅一个第一线接触孔CSCT1,或者多个第一线接触孔CSCT1可以在第一方向DR1和第二方向DR2上并排布置。
如图11中所示,根据第一实施例的显示面板100的传感器电极层SENL还可以包括设置在触摸***区域TPA(见图7)中并延伸到非显示区域NDA和第一子区域SB1的传感器线SL、设置在弯曲区域BA中的传感器连接线TSCL以及设置在第二子区域SB2中的传感器垫线TSPL。
传感器线SL可以延伸到非显示区域NDA和第一子区域SB1,并且可以分别连接到设置在弯曲区域BA中的传感器连接线TSCL。
此外,弯曲区域BA的传感器连接线TSCL可以通过设置在第二子区域SB2中的传感器垫线TSPL分别连接到传感器垫TP1和TP2(见图7)。
传感器垫线TSPL将弯曲区域BA的传感器连接线TSCL和传感器垫TP1和TP2(见图7)连接。
如图17中所示,传感器线SL和传感器垫线TSPL中的每条可以类似于传感器电极SE(见图10)设置在第一传感器绝缘层TINS1上,并且可以被第二传感器绝缘层TINS2覆盖。
此外,传感器连接线TSCL可以设置在被第一传感器绝缘层TINS1覆盖的有机层中的任何一个上,即,第三有机层180、第二有机层160和第一有机层150中的任何一个上。可选地,传感器连接线TSCL可以设置在作为直接设置在第一有机层150下面的无机层的第二层间绝缘层142上。
例如,如图17中所示,传感器连接线TSCL可以设置在第三有机层180上以与第二发光电极173(见图10)位于同一层,并且可以被第一传感器绝缘层TINS1和第二传感器绝缘层TINS2覆盖。
在第一传感器绝缘层TINS1上设置在第一子区域SB1中的传感器线SL可以通过穿透第一传感器绝缘层TINS1的第一传感器线接触孔TCH1分别电连接到第三有机层180上的传感器连接线TSCL的一端。
此外,在第一传感器绝缘层TINS1上设置在第二子区域SB2中的传感器垫线TSPL可以通过穿透第一传感器绝缘层TINS1的第二传感器线接触孔TCH2分别电连接到第三有机层180上的传感器连接线TSCL的另一端。
如上所述,第二传感器绝缘层TINS2也可以设置在第二子区域SB2中以覆盖传感器垫线TSPL。因此,为了保护设置在第二子区域SB2中的接触孔免受由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子的渗透,第一孔保护层HPL1也可以设置在第二子区域SB2中。
具体地,如图12中所示,根据第一实施例的显示面板100还可以包括设置在第二子区域SB2中并分别连接在显示垫DP(见图2)中的一些与控制连接线CSCL之间的控制垫线CSPL。
如图14中所示,第二子区域SB2的控制垫线CSPL中的每条可以具有第一层间绝缘层141上的控制垫线上部CSPL1和栅极绝缘层130上的控制垫线下部CSPL2组合的跳转结构。控制垫线上部CSPL1可以通过穿透第一层间绝缘层141的第二控制线跳转孔CSPH电连接到控制垫线下部CSPL2。
然而,图14的图示仅仅是示例,第一子区域SB1的控制信号线CSL、弯曲区域BA的控制连接线CSCL、第一控制线接触孔CSCT1、第二子区域SB2的控制垫线CSPL和第二控制线接触孔CSCT2中的每个可以在不发生短路缺陷的范围内以与图14中所示的方式不同的方式实现。
弯曲区域BA的控制连接线CSCL可以通过第二控制线接触孔CSCT2分别连接到第二子区域SB2的控制垫线CSPL。由于控制垫线CSPL被第二传感器绝缘层TINS2覆盖,因此由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子也可能流入第二控制线接触孔CSCT2中。
因此,根据第一实施例,第一孔保护层HPL1除了与第一控制线接触孔CSCT1对应之外还可以与第二控制线接触孔CSCT2对应。也就是说,第一孔保护层HPL1可以覆盖第一控制线接触孔CSCT1和第二控制线接触孔CSCT2。
由于第一孔保护层HPL1,可以阻止由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子流入第一控制线接触孔CSCT1和第二控制线接触孔CSCT2周围的有机层150、160和180中。因此,可以防止控制信号线CSL与控制垫线CSPL之间的断开缺陷或不良连接缺陷。
如图11中所示,根据第一实施例的显示面板100还可以包括用于将第一电源供应到布置在显示区域DA中的多个子像素区域SPX的第一电源线VDL、用于将不同于第一电源的第二电源供应到多个子像素区域SPX的第二电源线VSL、以及设置在弯曲区域BA中的第一电源连接线VDCL和第二电源连接线VSCL。
弯曲区域BA的第一电源连接线VDCL可以连接到延伸到非显示区域NDA和第一子区域SB1的第一电源线VDL。
由于弯曲区域BA的第一电源连接线VDCL与第一子区域SB1的第一电源线VDL设置在不同的层,因此第一电源连接线VDCL可以通过第一电源线接触孔连接到第一子区域SB1的第一电源线VDL。
弯曲区域BA的第二电源连接线VSCL可以连接到延伸到非显示区域NDA和第一子区域SB1的第二电源线VSL。
由于弯曲区域BA的第二电源连接线VSCL与第一子区域SB1的第二电源线VSL设置在不同的层,因此第二电源连接线VSCL可以通过第二电源线接触孔连接到第一子区域SB1的第二电源线VSL。
例如,如图15中所示,第一子区域SB1的第二电源线VSL中的每条可以具有第一有机层150上的第二电源线上部VSL1和栅极绝缘层130上的第二电源线下部VSL2组合的跳转结构。
如上所述,当第二电源线VSL具有第二电源线上部VSL1和第二电源线下部VSL2组合的跳转结构时,非显示区域NDA和第一子区域SB1的线可以用与线的数量相比小数量的导电层来实现,同时避免了设置在非显示区域NDA和第一子区域SB1中的线之间的短路。
当第二电源线上部VSL1设置在第一有机层150上时,弯曲区域BA的第二电源连接线VSCL可以设置在覆盖阳极连接电极ANDE1和第二电源线上部VSL1的第二有机层160上,以与第一发光电极171(见图10)位于同一层。此外,在第一子区域SB1中,第二有机层160上的第二电源连接线VSCL可以分别通过穿透第二有机层160的第二电源线接触孔VSCT1电连接到第二电源线VSL。
此外,如图11中所示,第一实施例的显示面板100还可以包括设置在第二子区域SB2中的第一电源垫线VDPL和第二电源垫线VSPL。
第二子区域SB2的第一电源垫线VDPL的一端可以分别连接到弯曲区域BA的第一电源连接线VDCL,第二子区域SB2的第一电源垫线VDPL的另一端可以连接到设置在第二子区域SB2中的显示垫DP(见图2)中的一些或显示驱动电路200(见图1)。也就是说,第一电源垫线VDPL分别将显示垫DP中的一些或显示驱动电路200与弯曲区域BA的第一电源连接线VDCL连接。
第二子区域SB2的第一电源垫线VDPL可以与第一子区域SB1的第一电源线VDL设置在同一层。也就是说,第二子区域SB2的第一电源垫线VDPL与弯曲区域BA的第一电源连接线VDCL设置在不同的层。因此,第二子区域SB2的第一电源垫线VDPL可以通过第三电源线接触孔连接到弯曲区域BA的第一电源连接线VDCL。
第二子区域SB2的第二电源垫线VSPL可以与第一子区域SB1的第二电源线VSL设置在同一层。也就是说,第二子区域SB2的第二电源垫线VSPL与弯曲区域BA的第二电源连接线VSCL设置在不同的层。因此,第二子区域SB2的第二电源垫线VSPL可以通过第四电源线接触孔VSCT2(见图15)连接到弯曲区域BA的第二电源连接线VSCL。
例如,如图15中所示,类似于第一子区域SB1的第二电源线VSL,第二子区域SB2的第二电源垫线VSPL中的每条可以是设置在第一有机层150上的第二电源垫线上部VSPL1和设置在栅极绝缘层130上的第二电源垫线下部VSPL2的组合。
此外,在第二子区域SB2中,第二有机层160上的第二电源连接线VSCL可以通过穿透第二有机层160的第四电源线接触孔VSCT2分别电连接到第二电源垫线VSPL。
然而,图15的图示仅仅是示例,第一子区域SB1的第二电源线VSL、弯曲区域BA的第二电源连接线VSCL、第二电源线接触孔VSCT1、第二子区域SB2的第二电源垫线VSPL和第四电源线接触孔VSCT2中的每个可以在不发生短路缺陷的范围内以与图15中所示的方式不同的方式实现。
又例如,尽管未单独地示出,但是第一子区域SB1的第二电源线VSL和第二子区域SB2的第二电源垫线VSPL中的每条还可以包括栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142之中的至少一个附加下部(未示出)。
再例如,尽管未单独地示出,但是弯曲区域BA的第二电源连接线VSCL可以设置在第三有机层180上,以与图10的第二发光电极173位于同一层。在这种情况下,第二电源线接触孔VSCT1和第四电源线接触孔VSCT2穿透第二有机层160和第三有机层180。
同时,第一电源线VDL、第一电源连接线VDCL、第一电源线VDL与第一电源连接线VDCL之间的第一电源线接触孔、第一电源垫线VDPL以及第一电源垫线VDPL与第一电源连接线VDCL之间的第三电源线接触孔类似于参照图11和图15描述的第二电源线VSL、第二电源连接线VSCL、第二电源线接触孔VSCT1、第二电源垫线VSPL和第四电源线接触孔VSCT2,因此将省略其冗余描述。
如图11中所示,根据第一实施例的显示面板100还可以包括设置在非显示区域NDA和第一子区域SB1中并且分别连接到显示区域DA的数据线DL(见图5)的数据扇出线DFL、设置在弯曲区域BA中的数据连接线DCL以及设置在第二子区域SB2中的数据垫线DPL。
数据扇出线DFL可以通过连接到数据线DL中的每条的图案或单独的孔分别电连接到数据线DL。
弯曲区域BA的数据连接线DCL可以与第一子区域SB1的数据扇出线DFL和第二子区域SB2的数据垫线DPL设置在不同的层。
例如,如图16中所示,第一子区域SB1的数据扇出线DFL中的每条可以具有设置在第一层间绝缘层141上的数据线上部DFL1和设置在栅极绝缘层130上的数据线下部DFL2组合的跳转结构。
此外,第二子区域SB2的数据垫线DPL中的每条可以具有设置在第一层间绝缘层141上的数据垫线上部DPL1和设置在栅极绝缘层130上的数据垫线下部DPL2组合的跳转结构。
数据连接线DCL可以设置在覆盖第一层间绝缘层141的第二层间绝缘层142、第一有机层150、第二有机层160和第三有机层180中的任何一个上。
例如,如图16中所示,数据连接线DCL可以设置在第三有机层180上以与第二发光电极173(见图10)位于同一层。
在这种情况下,弯曲区域BA的数据连接线DCL的一端可以通过穿透第二层间绝缘层142、第一有机层150、第二有机层160和第三有机层180的第一数据线接触孔DCT1分别电连接到第一子区域SB1的数据扇出线DFL。此外,数据连接线DCL的另一端可以通过穿透第二层间绝缘层142、第一有机层150、第二有机层160和第三有机层180的第二数据线接触孔DCT2分别电连接到第二子区域SB2的数据垫线DPL。
然而,图16的图示仅仅是示例,第一子区域SB1的数据扇出线DFL、弯曲区域BA的数据连接线DCL、第一数据线接触孔DCT1、第二子区域SB2的数据垫线DPL和第二数据线接触孔DCT2中的每个可以在不发生短路缺陷的范围内以与图16中所示的方式不同的方式实现。
又例如,尽管未单独地示出,但是第一子区域SB1的数据线上部DFL1和第二子区域SB2的数据垫线上部DPL1可以设置在第二层间绝缘层142、第一有机层150和第二有机层160中的任何一个上,而不是第一层间绝缘层141上。
再例如,尽管未单独地示出,但是第一子区域SB1的数据扇出线DFL和第二子区域SB2的数据垫线DPL中的每条还可以包括设置在第二层间绝缘层142、第一有机层150和第二有机层160中的任何一个上的附加上部(未示出)。
如图11中所示,根据第一实施例的显示面板100还可以包括恒定电压供应线CVL、恒定电压供应连接线CVCL和恒定电压供应垫线CVPL,恒定电压供应线CVL设置在非显示区域NDA和第一子区域SB1中以将预定的恒定电压供应到多个子像素区域SPX或者扫描驱动器SDC1和SDC2,恒定电压供应连接线CVCL设置在弯曲区域BA中,恒定电压供应垫线CVPL设置在第二子区域SB2中。
如图12中所示,恒定电压供应线CVL可以包括用于将第一初始化电压供应到多个子像素区域SPX的栅极初始化电压线VGIL和用于将第二初始化电压供应到多个子像素区域SPX的发射初始化电压线VAIL。
此外,如图12中所示,恒定电压供应线CVL还可以包括用于将第一电压电平的第一栅极电压供应到扫描驱动器SDC1和SDC2的第一栅极电压线VGHL以及用于将不同于第一电压电平的第二电压电平的第二栅极电压供应到扫描驱动器SDC1和SDC2的第二栅极电压线VGLL。
恒定电压供应线CVL、恒定电压供应连接线CVCL和恒定电压供应垫线CVPL可以类似于参照图14描述的控制信号线CSL、控制连接线CSCL和控制垫线CSPL。
可选地,恒定电压供应线CVL、恒定电压供应连接线CVCL和恒定电压供应垫线CVPL可以类似于参照图15描述的第二电源线VSL、第二电源连接线VSCL和第二电源垫线VSPL。
可选地,恒定电压供应线CVL、恒定电压供应连接线CVCL和恒定电压供应垫线CVPL可以类似于参照图16描述的数据扇出线DFL、数据连接线DCL和数据垫线DPL。
因此,恒定电压供应线CVL、恒定电压供应连接线CVCL和恒定电压供应垫线CVPL类似于参照图14、图15和图16描述的线,因此将省略其冗余描述。
如上所述,根据第一实施例,可以通过覆盖用于控制信号线CSL与控制连接线CSCL之间的连接的第一控制线接触孔CSCT1的第一孔保护层HPL1来防止由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子流入第一控制线接触孔CSCT1中。因此,能够防止在第一控制线接触孔CSCT1周围的有机层150、160和180响应于由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子而变形。因此,能够防止由金属材料制成的控制信号线CSL和控制连接线CSCL的断开缺陷或不良连接缺陷。
此外,根据第一实施例,第一孔保护层HPL1还可以覆盖用于控制垫线CSPL与控制连接线CSCL之间的连接的第二控制线接触孔CSCT2。因此,可以防止控制垫线CSPL的断开缺陷或不良连接缺陷。
图18是示出根据第二实施例的图2的区域A2的布局图。图19是示出图18的控制信号线、控制信号连接线和控制信号垫线的示例的剖视图。
参照图18和图19,在根据第二实施例的显示面板100中,第一孔保护层HPL1'与第一控制线接触孔CSCT1和第二控制线接触孔CSCT2对应并且与弯曲区域BA的控制连接线CSCL完全地叠置。由于图18和图19的第二实施例除此之外与参照图11至图17描述的第一实施例相同,因此将省略其冗余描述。
如图19中所示,根据第二实施例,第一孔保护层HPL1'设置在弯曲区域BA的控制连接线CSCL与第二传感器绝缘层TINS2之间。
因此,可以防止由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子流入控制连接线CSCL中,从而能够防止控制连接线CSCL的断开缺陷或不良连接缺陷。
图20是示出根据第三实施例的图2的区域A3的布局图。图21是示出图20的数据扇出线、数据连接线和数据垫线的示例的剖视图。
参照图20和图21,根据第三实施例的显示面板100还包括设置在数据连接线DCL与第二传感器绝缘层TINS2之间并且与第一数据线接触孔DCT1(见图16)和第二数据线接触孔DCT2(见图16)对应的第二孔保护层HPL2。由于图20和图21的第三实施例除此之外与参照图11至图17描述的第一实施例相同,因此将省略其冗余描述。
如图21中所示,根据第三实施例,设置在第二传感器绝缘层TINS2与数据连接线DCL之间的第二孔保护层HPL2与将第一子区域SB1的数据扇出线DFL和弯曲区域BA的数据连接线DCL连接的第一数据线接触孔DCT1叠置。
因此,由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子可以被第二孔保护层HPL2阻挡并防止流入第一数据线接触孔DCT1中,从而能够防止在第一数据线接触孔DCT1周围的有机层150、160和180的变形。因此,能够防止数据扇出线DFL的与第一数据线接触孔DCT1对应的一端和数据连接线DCL的一端的断开缺陷或不良连接缺陷。
此外,设置在第二传感器绝缘层TINS2与数据连接线DCL之间的第二孔保护层HPL2还可以与将第二子区域SB2的数据垫线DPL和弯曲区域BA的数据连接线DCL分别连接的第二数据线接触孔DCT2叠置。
因此,由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子可以被第二孔保护层HPL2阻挡并防止流入第二数据线接触孔DCT2中,从而能够防止在第二数据线接触孔DCT2周围的有机层150、160和180的变形。因此,能够防止数据垫线DPL的与第二数据线接触孔DCT2对应的一端和数据连接线DCL的另一端的断开缺陷或不良连接缺陷。
图22是示出根据第四实施例的图2的区域A4的布局图。
参照图22,除了反映了图18和图19的第二实施例之外,根据第四实施例的显示面板100与图20和图21的第三实施例相同,因此将省略其冗余描述。
也就是说,根据第四实施例的显示面板100包括设置在弯曲区域BA的控制连接线CSCL与第二传感器绝缘层TINS2之间的第一孔保护层HPL1'以及与第一数据线接触孔DCT1(见图16)和第二数据线接触孔DCT2(见图16)对应的第二孔保护层HPL2。
因此,可以防止控制连接线CSCL、数据扇出线DFL和数据垫线DPL的断开缺陷或不良连接缺陷。
图23是示出根据第五实施例的图2的区域A5的布局图。图24是示出图23的第一电源线、第一电源连接线和第一电源垫线的示例的剖视图。
参照图23和图24,根据第五实施例的显示面板100还包括设置在第二电源连接线VSCL与第二传感器绝缘层TINS2之间并且与第二电源线接触孔VSCT1和第四电源线接触孔VSCT2对应的第三孔保护层HPL3。由于图23和图24的第五实施例除此之外与图20和图21的第三实施例相同,因此将省略其冗余描述。
如图24中所示,根据第五实施例,设置在第二电源连接线VSCL与第二传感器绝缘层TINS2之间的第三孔保护层HPL3可以与将第一子区域SB1的第二电源线VSL和第二电源连接线VSCL连接的第二电源线接触孔VSCT1叠置。
因此,由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子可以被第三孔保护层HPL3阻挡并防止流入第二电源线接触孔VSCT1中,从而能够防止在第二电源线接触孔VSCT1周围的有机层150、160和180的变形。因此,能够防止第二电源线VSL的与第二电源线接触孔VSCT1对应的一端和第二电源连接线VSCL的一端的断开缺陷或不良连接缺陷。
此外,根据第五实施例,设置在第二电源连接线VSCL与第二传感器绝缘层TINS2之间的第三孔保护层HPL3还可以与将第二子区域SB2的第二电源垫线VSPL和第二电源连接线VSCL连接的第四电源线接触孔VSCT2叠置。
因此,由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子可以被第三孔保护层HPL3阻挡并防止流入第四电源线接触孔VSCT2中,从而能够防止在第四电源线接触孔VSCT2周围的有机层150、160和180的变形。因此,能够防止第二电源垫线VSPL的与第四电源线接触孔VSCT2对应的一端和第二电源连接线VSCL的另一端的断开缺陷或不良连接缺陷。
此外,如图23中所示,第三孔保护层HPL3还可以与将第一子区域SB1的第一电源线VDL和第一电源连接线VDCL连接的第一电源线接触孔叠置。
此外,第三孔保护层HPL3还可以与将第二子区域SB2的第一电源垫线VDPL和第一电源连接线VDCL连接的第三电源线接触孔叠置。
因此,由第二传感器绝缘层TINS2产生的湿气或离子可以被第三孔保护层HPL3阻挡并防止流入与第一电源连接线VDCL对应的第一电源线接触孔和第三电源线接触孔中。因此,能够防止在第一电源线接触孔和第三电源线接触孔周围的有机层150、160和180的变形。因此,能够防止与第一电源线接触孔和第三电源线接触孔对应的第一电源线VDL的一端、第一电源连接线VDCL的两端和第一电源垫线VDPL的一端的断开缺陷或不良连接缺陷。
另外,如图23中所示,根据第五实施例的显示面板100还可以包括与使第一子区域SB1的恒定电压供应线CVL和恒定电压供应连接线CVCL连接的接触孔叠置的第四孔保护层HPL4。
此外,第四孔保护层HPL4还可以与将第二子区域的恒定电压供应垫线CVPL和恒定电压供应连接线CVCL连接的接触孔叠置。
因此,可以防止有机层150、160和180在恒定电压供应线CVL与恒定电压供应连接线CVCL之间的接触孔和恒定电压供应垫线CVPL与恒定电压供应连接线CVCL之间的接触孔周围变形。因此,能够防止恒定电压供应线CVL、恒定电压供应连接线CVCL和恒定电压供应垫线CVPL的断开缺陷或不良连接缺陷。
尽管已经描述了给出的实用新型构思的实施例,但是这些实施例的各种修改和类似布置对于本领域普通技术人员而言将是明显的。因此,实用新型构思不限于这些实施例,而是限于所附权利要求的范围和精神。
Claims (10)
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
基底,包括主区域和子区域,所述主区域包括显示区域和非显示区域,在所述显示区域中布置有被构造为发射用于显示图像的光的多个子像素区域,所述非显示区域设置在所述显示区域周围,并且所述子区域从所述主区域的一侧突出并且包括变形以弯曲的弯曲区域;
薄膜晶体管层,在所述基底上设置在所述显示区域中;
扫描驱动器,被构造为将扫描信号输出到所述薄膜晶体管层的扫描线;
发光元件层,设置在所述薄膜晶体管层上;
传感器电极层,包括第一传感器绝缘层和第二传感器绝缘层,所述第一传感器绝缘层设置在覆盖所述发光元件层的封装层上,并且所述第二传感器绝缘层覆盖所述第一传感器绝缘层上的传感器电极;
控制信号线,电连接到所述扫描驱动器,并且设置在所述非显示区域和所述子区域的与所述非显示区域连接的第一子区域中;
控制连接线,设置在所述弯曲区域中,并且分别通过第一控制线接触孔电连接到所述控制信号线;以及
第一孔保护层,设置在所述第二传感器绝缘层与所述控制连接线之间并且与所述第一控制线接触孔对应。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
显示垫和传感器垫,电连接到电路板并且设置在所述子区域的连接到所述弯曲区域的第二子区域中;以及
控制垫线,设置在所述第二子区域中,并且所述控制垫线分别电连接在所述显示垫中的一些与所述控制连接线之间,
其中,所述控制连接线分别通过第二控制线接触孔连接到所述控制垫线,并且
所述第一孔保护层还与所述第二控制线接触孔对应。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
数据扇出线,设置在所述非显示区域和所述第一子区域中,所述数据扇出线分别电连接到所述薄膜晶体管层的数据线;
数据连接线,设置在所述弯曲区域中,并且所述数据连接线分别通过第一数据线接触孔电连接到所述数据扇出线;以及
第二孔保护层,设置在所述第二传感器绝缘层与所述数据连接线之间,并且与所述第一数据线接触孔对应。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
显示驱动电路,安装在所述第二子区域中,并且被构造为输出所述多个子像素区域中的每个的数据信号;以及
数据垫线,设置在所述第二子区域中,并且所述数据垫线分别电连接在所述显示驱动电路与所述数据连接线之间;
其中,所述数据连接线分别通过第二数据线接触孔电连接到所述数据垫线,并且
所述第二孔保护层还与所述第二数据线接触孔对应。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
第一电源线,被构造为将第一电源供应到所述多个子像素区域;
第二电源线,被构造为将不同于所述第一电源的第二电源供应到所述多个子像素区域;
第一电源连接线,设置在所述弯曲区域中,并且连接到延伸到所述非显示区域和所述第一子区域的所述第一电源线;以及
第二电源连接线,设置在所述弯曲区域中,并且连接到延伸到所述非显示区域和所述第一子区域的所述第二电源线,
其中,所述第一电源连接线通过第一电源线接触孔连接到所述第一电源线,并且
所述第二电源连接线通过第二电源线接触孔连接到所述第二电源线,并且
其中,所述显示装置还包括:第三孔保护层,设置在所述第二传感器绝缘层与所述第一电源连接线之间,并且与所述第二电源线接触孔对应。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
第一电源垫线,设置在所述第二子区域中,并且所述第一电源垫线分别通过第三电源线接触孔电连接到所述第一电源连接线;以及
第二电源垫线,设置在所述第二子区域中,并且所述第二电源垫线分别通过第四电源线接触孔电连接到所述第二电源连接线,
其中,所述第三孔保护层还与所述第四电源线接触孔对应。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第三孔保护层还与所述第一电源线接触孔和所述第三电源线接触孔对应。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括与所述多个子像素区域中的每个对应的像素驱动单元,
所述发光元件层包括与所述多个子像素区域中的每个对应的发光元件,
所述多个子像素区域中的每个的所述像素驱动单元包括:
驱动晶体管,与所述发光元件串联地设置在所述第一电源线与所述第二电源线之间;
第一晶体管,由所述扫描线的所述扫描信号导通,并且设置在所述驱动晶体管的栅电极与所述驱动晶体管的第二电极之间;
第二晶体管,由所述扫描线的所述扫描信号导通,并且设置在所述数据线与所述驱动晶体管的第一电极之间;
第三晶体管,设置在供应第一初始化电压的栅极初始化电压线与所述驱动晶体管的所述栅电极之间;
第四晶体管,设置在供应第二初始化电压的发射初始化电压线与所述发光元件的第一发光电极之间;
第五晶体管,设置在所述第一电源线与所述驱动晶体管的所述第一电极之间;以及
第六晶体管,设置在所述驱动晶体管的所述第二电极与所述发光元件的所述第一发光电极之间,
其中,所述第五晶体管和所述第六晶体管由发射控制线的发射栅极信号导通,
其中,所述扫描驱动器还将所述发射栅极信号输出到所述发射控制线,
其中,所述控制信号线包括:
至少一条扫描输出控制线,被构造为分别供应与所述扫描信号的输出时序对应的至少一个扫描时序控制信号;
两条或更多条扫描时钟线,被构造为分别供应与所述扫描信号的产生对应的两个或更多个扫描时钟信号;
发射输出控制线,被构造为供应与所述发射栅极信号的输出时序对应的至少一个发射时序控制信号;以及
两条或更多条发射时钟线,被构造为分别供应与所述发射栅极信号的产生对应的两个或更多个发射时钟信号。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
恒定电压供应线,设置在所述非显示区域和所述第一子区域中,并且所述恒定电压供应线被构造为分别将预定的恒定电压供应到所述多个子像素区域或所述扫描驱动器;
恒定电压供应连接线,设置在所述弯曲区域中,并且所述恒定电压供应连接线分别电连接到所述恒定电压供应线;以及
恒定电压供应垫线,设置在所述第二子区中,并且所述恒定电压供应垫线分别电连接到恒定电压供应连接线,
其中,所述第三孔保护层还与所述恒定电压供应线和所述恒定电压供应连接线之间的接触孔以及所述恒定电压供应连接线和所述恒定电压供应垫线之间的接触孔对应,
其中,所述恒定电压供应线包括:
所述栅极初始化电压线;
所述发射初始化电压线;
第一栅极电压线,被构造为将第一电压电平的第一栅极电压供应到所述扫描驱动器;以及
第二栅极电压线,被构造为将具有不同于所述第一电压电平的第二电压电平的第二栅极电压供应到所述扫描驱动器。
10.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述传感器电极层的所述传感器电极设置在与至少所述显示区域对应的触摸传感器区域中,
所述传感器电极层还包括传感器线,所述传感器线设置在作为所述触摸传感器区域的***的触摸***区域中,并且所述传感器线分别电连接到所述传感器电极中的一些,所述传感器电极中的所述一些在一个方向上并排连接,
所述传感器线延伸到所述第一子区域,并且所述传感器线分别电连接到设置在所述弯曲区域中的传感器连接线,
所述传感器连接线分别通过设置在所述第二子区域中的传感器垫线电连接到所述传感器垫,并且
所述第一孔保护层与所述传感器线和所述传感器垫线形成在同一层,并且与所述传感器线和所述传感器垫线间隔开。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2022-0064191 | 2022-05-25 | ||
KR1020220064191A KR20230164798A (ko) | 2022-05-25 | 2022-05-25 | 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220342752U true CN220342752U (zh) | 2024-01-12 |
Family
ID=88861740
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310592851.9A Pending CN117135967A (zh) | 2022-05-25 | 2023-05-24 | 显示装置 |
CN202321281954.5U Active CN220342752U (zh) | 2022-05-25 | 2023-05-24 | 显示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310592851.9A Pending CN117135967A (zh) | 2022-05-25 | 2023-05-24 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230389389A1 (zh) |
KR (1) | KR20230164798A (zh) |
CN (2) | CN117135967A (zh) |
-
2022
- 2022-05-25 KR KR1020220064191A patent/KR20230164798A/ko unknown
-
2023
- 2023-01-03 US US18/092,442 patent/US20230389389A1/en active Pending
- 2023-05-24 CN CN202310592851.9A patent/CN117135967A/zh active Pending
- 2023-05-24 CN CN202321281954.5U patent/CN220342752U/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230389389A1 (en) | 2023-11-30 |
KR20230164798A (ko) | 2023-12-05 |
CN117135967A (zh) | 2023-11-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |