CN220318036U - 一种单晶炉用加热器 - Google Patents
一种单晶炉用加热器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220318036U CN220318036U CN202321691442.6U CN202321691442U CN220318036U CN 220318036 U CN220318036 U CN 220318036U CN 202321691442 U CN202321691442 U CN 202321691442U CN 220318036 U CN220318036 U CN 220318036U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heating
- base
- rotary
- installation base
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种单晶炉用加热器，涉及单晶炉技术领域，包括加热炉，所述加热炉的内部设置有石英坩埚，所述加热炉的下端外表面设置有安装底座，所述安装底座的前端外表面设置有滑动槽，所述滑动槽的中间设置有两组调节把手，两组所述调节把手的后端设置有隔热板，所述安装底座的内部设置有加热盘，所述加热盘的内部设置有多组加热棒。本实用新型的一种单晶炉用加热器，热量从安装底座内部的加热盘中的加热棒产生，通过安装底座传到加热炉的内部，在滑动槽中间滑动调节把手，可以控制隔热板在安装底座的上端移动，改变安装底座上端的热量传输的出口的大小，便可以调节加热炉内部热量的大小。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶炉技术领域，特别涉及一种单晶炉用加热器。
背景技术
半导体硅单晶的制造大多采用直拉法，直拉法是把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化，再将一根直径只有10mm的棒状籽晶(称晶种)浸入融液中。在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。把晶种微微的旋转向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即硅单晶锭。
现有的加热器在使用的时候，在直拉的过程中有时候会由于固定不稳定，出现晶种晃动的现象，这样很可能会导致结晶出现瑕疵，并且加热器在加热的时候，难以调节加热的热量大小，给人们的使用过程带来了一定的不利影响，为了解决现有技术的不足，我们提出一种单晶炉用加热器。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种单晶炉用加热器，可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
一种单晶炉用加热器,包括加热炉，所述加热炉的内部设置有石英坩埚，所述加热炉的下端外表面设置有安装底座，所述安装底座的前端外表面设置有滑动槽，所述滑动槽的中间设置有两组调节把手，两组所述调节把手的后端设置有隔热板，所述安装底座的内部设置有加热盘，所述加热盘的内部设置有多组加热棒。
优选的，所述加热炉的上端外表面设置有密封盖，所述密封盖的上端外表面设置有固定座，所述固定座的中间设置有马达，所述马达的前端设置有主动齿轮，所述主动齿轮的上端设置有从动齿轮，所述从动齿轮的中间设置有旋转套筒，所述旋转套筒的内部设置有螺纹杆，所述旋转套筒的下端外表面设置有旋转底座，所述螺纹杆的下端外表面设置有连接块，所述连接块的下端设置有棒状晶种。
优选的，所述加热炉与安装底座之间设置有安装接口，所述加热炉通过设置的安装接口与安装底座可拆卸连接，所述隔热板与安装底座之间设置有滑动槽，所述隔热板通过设置的滑动槽与安装底座滑动连接，所述调节把手与隔热板之间设置有连接接口，所述调节把手通过设置的连接接口与隔热板可拆卸连接。
优选的，所述加热盘与安装底座之间设置有安装接口，所述加热盘通过设置的安装接口与安装底座可拆卸连接，所述加热棒与加热盘之间设置有连接口，所述加热棒通过设置的连接口与加热盘可拆卸连接。
优选的，所述旋转套筒与旋转底座之间设置有转动槽，所述旋转套筒通过设置的转动槽与旋转底座转动连接，所述从动齿轮与旋转套筒之间设置有连接口，所述从动齿轮通过设置的连接口与旋转套筒可拆卸连接，所述马达通过设置的主动齿轮以及从动齿轮与旋转套筒转动连接。
优选的，所述旋转底座与密封盖固定连接，所述螺纹杆与旋转套筒以及旋转底座之间均设置有螺纹孔，所述螺纹杆通过设置的螺纹孔分别与旋转套筒以及旋转底座可拆卸连接。
有益效果
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型中，通过设置的螺纹杆、旋转套筒以及旋转底座，装置在对原料加热以及结晶的时候，将晶种上移的过程会更加平缓和稳定，减少晃动的可能性，也减少了结晶的瑕疵可能性，通过马达带动主动齿轮旋转，主动齿轮通过从动齿轮带动旋转套筒在旋转底座的上端旋转，同时使螺纹杆相对于旋转套筒以及旋转底座旋转，旋转的同时通过螺纹孔向上平缓的移动，螺纹杆也通过连接块带动棒状晶种缓慢的向上一边旋转一边移动，这样可以使结晶更加完美。
本实用新型中，通过设置的安装底座以及隔热板，人们可以调节安装底座内部的加热的热量大小，热量从安装底座内部的加热盘中的加热棒产生，通过安装底座传到加热炉的内部，在滑动槽中间滑动调节把手，可以控制隔热板在安装底座的上端移动，改变安装底座上端的热量传输的出口的大小，便可以调节传输到加热炉内部的热量的大小，操作方便快捷。
附图说明
图1是本实用新型的整体结构示意图；
图2是本实用新型的加热炉结构示意图；
图3是本实用新型的结晶装置拆解结构示意图；
图4是本实用新型的安装底座结构示意图；
图中：1、加热炉；2、密封盖；3、固定座；4、马达；5、旋转套筒；6、从动齿轮；7、主动齿轮；8、旋转底座；9、螺纹杆；10、安装底座；11、滑动槽；12、调节把手；13、隔热板；14、加热盘；15、加热棒；16、连接块；17、棒状晶种；18、石英坩埚。
实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
如图1-4所示，一种单晶炉用加热器，包括加热炉1，加热炉1的内部设置有石英坩埚18，加热炉1的下端外表面设置有安装底座10，加热炉1与安装底座10之间设置有安装接口，加热炉1通过设置的安装接口与安装底座10可拆卸连接，安装底座10的前端外表面设置有滑动槽11，滑动槽11的中间设置有两组调节把手12，两组调节把手12的后端设置有隔热板13，调节把手12与隔热板13之间设置有连接口，调节把手12通过设置的连接口与隔热板13可拆卸连接，隔热板13与安装底座10之间设置有滑动槽，隔热板13通过设置的滑动槽与安装底座10滑动连接，安装底座10的内部设置有加热盘14，加热盘14与安装底座10之间设置有安装接口，加热盘14通过设置的安装接口与安装底座10可拆卸连接，加热盘14的内部设置有多组加热棒15，加热棒15与加热盘14之间设置有连接口，加热棒15通过设置的连接口与加热盘14可拆卸连接，热量从安装底座10内部的加热盘14中的加热棒15产生，通过安装底座10传到加热炉1的内部，在滑动槽11中间滑动调节把手12，可以控制隔热板13在安装底座10的上端移动，改变安装底座10上端的热量传输的出口的大小，便可以调节传输到加热炉1内部的热量的大小。
如图1-4所示，加热炉1的上端外表面设置有密封盖2，密封盖2的上端外表面设置有固定座3，固定座3的中间设置有马达4，马达4的前端设置有主动齿轮7，主动齿轮7的上端设置有从动齿轮6，从动齿轮6的中间设置有旋转套筒5，从动齿轮6与旋转套筒5之间设置有连接口，从动齿轮6通过设置的连接口与旋转套筒5可拆卸连接，马达4通过设置的主动齿轮7以及从动齿轮6与旋转套筒5转动连接，旋转套筒5的内部设置有螺纹杆9，旋转套筒5的下端外表面设置有旋转底座8，旋转套筒5与旋转底座8之间设置有转动槽，旋转套筒5通过设置的转动槽与旋转底座8转动连接，螺纹杆9与旋转套筒5以及旋转底座8之间均设置有螺纹孔，螺纹杆9通过设置的螺纹孔分别与旋转套筒5以及旋转底座8可拆卸连接，螺纹杆9的下端外表面设置有连接块16，连接块16的下端设置有棒状晶种17。
需要说明的是，本实用新型为一种单晶炉用加热器，使用时，在滑动槽11中间滑动调节把手12，可以控制隔热板13在安装底座10的上端移动，改变安装底座10上端的热量传输的出口的大小，通过马达4带动主动齿轮7旋转，主动齿轮7通过从动齿轮6带动旋转套筒5在旋转底座8的上端旋转，同时使螺纹杆9相对于旋转套筒5以及旋转底座8旋转，旋转的同时通过螺纹孔向上平缓的移动，螺纹杆9也通过连接块16带动棒状晶种17缓慢的向上一边旋转一边移动，进行结晶。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种单晶炉用加热器，包括加热炉（1），其特征在于：所述加热炉（1）的内部设置有石英坩埚（18），所述加热炉（1）的下端外表面设置有安装底座（10），所述安装底座（10）的前端外表面设置有滑动槽（11），所述滑动槽（11）的中间设置有两组调节把手（12），两组所述调节把手（12）的后端设置有隔热板（13），所述安装底座（10）的内部设置有加热盘（14），所述加热盘（14）的内部设置有多组加热棒（15）。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉用加热器，其特征在于：所述加热炉（1）的上端外表面设置有密封盖（2），所述密封盖（2）的上端外表面设置有固定座（3），所述固定座（3）的中间设置有马达（4），所述马达（4）的前端设置有主动齿轮（7），所述主动齿轮（7）的上端设置有从动齿轮（6），所述从动齿轮（6）的中间设置有旋转套筒（5），所述旋转套筒（5）的内部设置有螺纹杆（9），所述旋转套筒（5）的下端外表面设置有旋转底座（8），所述螺纹杆（9）的下端外表面设置有连接块（16），所述连接块（16）的下端设置有棒状晶种（17）。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉用加热器，其特征在于：所述加热炉（1）与安装底座（10）之间设置有安装接口，所述加热炉（1）通过设置的安装接口与安装底座（10）可拆卸连接，所述隔热板（13）与安装底座（10）之间设置有滑动槽，所述隔热板（13）通过设置的滑动槽与安装底座（10）滑动连接，所述调节把手（12）与隔热板（13）之间设置有连接接口，所述调节把手（12）通过设置的连接接口与隔热板（13）可拆卸连接。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉用加热器，其特征在于：所述加热盘（14）与安装底座（10）之间设置有安装接口，所述加热盘（14）通过设置的安装接口与安装底座（10）可拆卸连接，所述加热棒（15）与加热盘（14）之间设置有连接口，所述加热棒（15）通过设置的连接口与加热盘（14）可拆卸连接。
5.根据权利要求2所述的一种单晶炉用加热器，其特征在于：所述旋转套筒（5）与旋转底座（8）之间设置有转动槽，所述旋转套筒（5）通过设置的转动槽与旋转底座（8）转动连接，所述从动齿轮（6）与旋转套筒（5）之间设置有连接口，所述从动齿轮（6）通过设置的连接口与旋转套筒（5）可拆卸连接，所述马达（4）通过设置的主动齿轮（7）以及从动齿轮（6）与旋转套筒（5）转动连接。
6.根据权利要求2所述的一种单晶炉用加热器，其特征在于：所述旋转底座（8）与密封盖（2）固定连接，所述螺纹杆（9）与旋转套筒（5）以及旋转底座（8）之间均设置有螺纹孔，所述螺纹杆（9）通过设置的螺纹孔分别与旋转套筒（5）以及旋转底座（8）可拆卸连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321691442.6U CN220318036U (zh) | 2023-06-30 | 2023-06-30 | 一种单晶炉用加热器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321691442.6U CN220318036U (zh) | 2023-06-30 | 2023-06-30 | 一种单晶炉用加热器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220318036U true CN220318036U (zh) | 2024-01-09 |
Family
ID=89420051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321691442.6U Active CN220318036U (zh) | 2023-06-30 | 2023-06-30 | 一种单晶炉用加热器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220318036U (zh) |
-
2023
- 2023-06-30 CN CN202321691442.6U patent/CN220318036U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101070608B (zh) | 旋转多坩埚下降法晶体生长*** | |
| EP0252537B1 (en) | Process for crystal growth of ktiopo4 from solution | |
| WO2008086705A1 (fr) | Système de production de cristaux utilisé dans un procédé à gradient thermique par rotation de plusieurs creusets | |
| WO2022213647A1 (zh) | 一种pzn基大尺寸三元高性能单晶、生长方法及熔盐炉 | |
| CN220318036U (zh) | 一种单晶炉用加热器 | |
| JPH0772116B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| TWI762113B (zh) | 一種用於單晶矽生長爐的熱屏及單晶矽生長爐 | |
| CN100497756C (zh) | 一种蓝宝石Al2O3单晶的生长方法 | |
| CN115852483B (zh) | 一种制备圆饼状氟化镁晶体镀膜材料的装置和方法 | |
| CN208023111U (zh) | 一种安全高效的蓝宝石生长炉 | |
| JPS5930795A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| CN200992592Y (zh) | 多坩埚下降法晶体生长*** | |
| CN113061971A (zh) | 温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法 | |
| JPS6046073B2 (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| CN200988869Y (zh) | 温梯法旋转坩埚晶体生长*** | |
| CN221028768U (zh) | 一种液面同步上升提拉炉 | |
| JP2001240485A (ja) | 単結晶引上方法及び単結晶引上装置 | |
| CN213113596U (zh) | 高氧半导体单晶硅用石英坩埚 | |
| CN220643341U (zh) | 一种大尺寸蓝宝石晶体生长用热场结构 | |
| CN208219010U (zh) | 一种提拉单晶炉装置 | |
| CN221254767U (zh) | 一种晶体生长炉用送料装置 | |
| JPH0143405Y2 (zh) | ||
| JPS62283895A (ja) | 単結晶の引上げ装置 | |
| JPH02293390A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JPS60195087A (ja) | 単結晶育成炉 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |