CN219968453U - 一种pcd钻头 - Google Patents

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China
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余美亮
刘光达
石锡祥
谢福海
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Xiamen Maida Intelligent Technology Co ltd
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Xiamen Maida Intelligent Technology Co ltd
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Abstract

本申请涉及一种PCD钻头,其包括切削部分和柄部,切削部分的表面涂覆有ta‑C涂层,且切削部分的长度为12mm~24mm,ta‑C涂层的厚度范围为100~300nm。本申请的PCD钻头利用ta‑C涂层具有的高硬度、低摩擦系数的性能,降低PCD钻头表面的摩擦系数,增加其润滑性,从而在加工单晶硅的过程中更有效地排屑,提高钻孔质量并延长刀具寿命。

Description

一种PCD钻头
技术领域
本申请涉及单晶硅钻孔加工刀具的技术领域,尤其是涉及一种PCD钻头。
背景技术
聚晶金刚石(Polycrystalline diamond,简称PCD)钻头具有硬度高、抗压强度高、导热性及耐磨性好等优点,可在高速切削中获得较高的加工精度和加工效率,逐渐成为行业内的热门产品。
针对上述中的相关技术,发明人认为存在有以下缺陷:目前PCD钻头在加工单晶硅的过程中,由于PCD钻头排屑槽内的润滑度不够,容易造成堵屑,从而影响加工品质及寿命。
实用新型内容
针对上述PCD钻头润滑度较低的问题,本申请提出了一种PCD钻头,采用如下的技术方案:
本申请提出了一种PCD钻头,包括切削部分和柄部,切削部分的表面涂覆有ta-C涂层,所述切削部分的长度为12mm~24mm,ta-C涂层的厚度范围为100~300nm。
通过采用上述技术方案,将ta-C涂层涂覆在PCD钻头切削部分表面,利用ta-C涂层具有的高硬度、低摩擦系数的性能,降低PCD钻头表面的摩擦系数,增加其润滑性,从而在加工单晶硅的过程中更有效地排屑,提高钻孔质量并延长刀具寿命。
优选的,切削部分的长度为16mm。
优选的,ta-C涂层的厚度值为200nm。将ta-C涂层的厚度值设置为200nm可以确保ta-C涂层覆盖PCD钻头的同时不影响钻头的正常使用。
优选的,所述ta-C涂层从切削部分的顶点向内延伸。
通过采用上述技术方案,确保PCD钻头工作面上覆盖有ta-C涂层。
优选的,切削部分的全部区域或者部分区域涂覆有ta-C涂层。
优选的,柄部的横截面积大于切削部分的横截面积。
优选的,柄部和切削部分之间连接有锥部。
通过采用上述技术方案,衔接柄部和切削部分。
优选的,ta-C涂层是利用离子溅射工艺涂覆到切削部分上。
通过采用上述技术方案,使得ta-C涂层和PCD钻头结合牢固。
本申请的一种PCD钻头,其在切削部分的表面涂覆有ta-C涂层,利用ta-C涂层具有的高硬度、低摩擦系数的性能,降低PCD钻头表面的摩擦系数,增加其润滑性,从而在加工单晶硅的过程中更有效地排屑,提高钻孔质量并延长刀具寿命。
附图说明
包括附图以提供对实施例的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与描述一起用于解释本申请的原理。将容易认识到其它实施例和实施例的很多预期优点,因为通过引用以下详细描述,它们变得被更好地理解。附图的元件不一定是相互按照比例的。同样的附图标记指代对应的类似部件。
图1是本申请实施例一种PCD钻头的结构示意图。
附图标记说明:1、PCD钻头;2、柄部;3、ta-C涂层;4、锥部。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
参照图1,本申请实施例公开的一种PCD钻头,包括切削部分1和柄部2,切削部分1的表面涂覆有ta-C涂层3,切削部分1的长度为12mm~24mm,ta-C涂层3的厚度范围为100~300nm。具体的,在本实施例中,切削部分1的长度为16mm,ta-C涂层3的厚度值为200nm。将ta-C涂层3的厚度值设置为200nm可以确保ta-C涂层3覆盖PCD钻头的同时不影响钻头的正常使用。该PCD钻头利用ta-C涂层3具有的高硬度、低摩擦系数的性能,降低PCD钻头表面的摩擦系数,增加其润滑性,从而在加工单晶硅的过程中更有效地排屑,提高钻孔质量并延长刀具寿命。
在具体的实施例中,ta-C涂层3从切削部分1的顶点向内延伸,确保PCD钻头工作面上覆盖有ta-C涂层3。
在具体的实施例中,切削部分1全部区域涂覆有ta-C涂层3。在其他实施方式中,切削部分1也可以部分区域涂覆ta-C涂层3,根据使用情况来涂覆。
在具体的实施例中,柄部2的横截面积大于切削部分1的横截面积,且柄部2和切削部分1之间连接有锥部4,衔接柄部2和切削部分1。
在具体的实施例中,ta-C涂层3是利用离子溅射工艺涂覆到切削部分上,使得ta-C涂层3和PCD钻头结合牢固。具体的,ta-C涂层3是用石墨靶材通过离子溅射工艺涂覆到切削部分上,使得ta-C涂层3和PCD钻头结合牢固。
类金刚石(Diamond-like Carbon,简称DLC)涂层是一种亚稳非晶态物质,碳原子主要以sp3和sp2杂化键结合,具有硬度高、耐磨性好、弹性模量高以及摩擦系数低的性能。四面体非晶碳(ta-C)是DLC涂层的一种,sp3含量一般高于70%,具有极高的硬度。
本申请公开的PCD钻头,包括切削部分1和柄部2,切削部分1的表面涂覆有ta-C涂层3,且切削部分1的长度为12mm~24mm,ta-C涂层3的厚度范围为100~300nm。利用ta-C涂层3具有的高硬度、低摩擦系数的性能,降低PCD钻头表面的摩擦系数,增加其润滑性,从而在加工过程中更有效地排屑,提高钻孔质量并延长刀具寿命。
以上描述了本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。措词‘包括’并不排除在权利要求未列出的元件或步骤的存在。元件前面的措词‘一’或‘一个’并不排除多个这样的元件的存在。在相互不同从属权利要求中记载某些措施的简单事实不表明这些措施的组合不能被用于改进。在权利要求中的任何参考符号不应当被解释为限制范围。

Claims (8)

1.一种PCD钻头,其特征在于:包括切削部分(1)和柄部(2),所述切削部分(1)的表面涂覆有ta-C涂层(3),所述切削部分(1)的长度为12mm~24mm,所述ta-C涂层(3)的厚度范围为100~300nm。
2.根据权利要求1所述的一种PCD钻头,其特征在于:所述切削部分(1)的长度为16mm。
3.根据权利要求1所述的一种PCD钻头,其特征在于:所述ta-C涂层(3)的厚度值为200nm。
4.根据权利要求1所述的一种PCD钻头,其特征在于:所述ta-C涂层(3)从切削部分(1)的顶点向内延伸。
5.根据权利要求4所述的一种PCD钻头,其特征在于:所述切削部分(1)的全部区域或者部分区域涂覆有ta-C涂层(3)。
6.根据权利要求1所述的一种PCD钻头,其特征在于:所述柄部(2)的横截面积大于切削部分(1)的横截面积。
7.根据权利要求6所述的一种PCD钻头,其特征在于:所述柄部(2)和切削部分(1)之间连接有锥部(4)。
8.根据权利要求1所述的一种PCD钻头,其特征在于:所述ta-C涂层(3)利用离子溅射工艺涂覆在切削部分(1)上。
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