CN219553853U - 印刷膜射频微带带通滤波器 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种印刷膜射频微带带通滤波器。该印刷膜射频微带带通滤波器包括：设置在介电衬底上的多个谐振器；第一输入/输出(I/O)接口和第二I/O接口连接到位于一个或更多个中间谐振器侧面的相应的第一谐振器和第二谐振器。所述一个或更多个中间谐振器的相反端通过相应的导线连接到衬底相反侧上的接地平面。中间谐振器具有作为滤波器中心频率的波长的二分之一的电波长，并且第一谐振器和第二谐振器可以具有标称为带通滤波器中心频率的波长的二分之一的电波长。

Description

印刷膜射频微带带通滤波器
技术领域
本公开总体上涉及射频(RF)滤波器，更具体地，涉及具有短接到地的二分之一波长谐振器的印刷膜RF滤波器。
背景技术
印刷膜RF滤波器通常包括沉积在介电衬底上的厚膜或薄膜谐振器和其它导电元件。这种滤波器通常与印刷电路板(PCB)上的微带或其它阻抗受控传输线集成，并且通常用于其中***损耗、频率选择性和功率考虑是最重要的通信和雷达***的前端或前端附近。一种这样的印刷薄膜微带滤波器是四分之一波长带通滤波器，包括一端接地(短路)而另一端未接地(开路)的部分接地谐振器。然而，印刷膜四分之一波长谐振器往往导致小于期望的***损耗、阻带抑制以及偏离期望的平坦和低损耗通带。因此，希望提供具有较低损耗、改进的频率选择和其它通带特性的印刷膜滤波器。
实用新型内容
本实用新型的一个方面涉及一种印刷膜射频微带带通滤波器，所述印刷膜射频微带带通滤波器包括：介电衬底，所述介电衬底的第一表面上具有接地平面；第一谐振器，所述第一谐振器位于所述介电衬底的与所述第一表面相反的第二表面上，所述第一谐振器具有介于所述介电衬底的横向侧面部分之间的长度，所述第一谐振器的相反端联接到所述接地平面；位于所述介电衬底上的第一输入/输出I/O接口，所述第一I/O接口通过导线连接到所述第一谐振器；第二谐振器，所述第二谐振器位于所述介电衬底的所述第二表面上，所述第二谐振器具有介于所述介电衬底的所述横向侧面部分之间的长度，所述第二谐振器的相反端联接到所述接地平面；位于所述介电衬底上的第二I/O接口，所述第二I/O接口通过导线连接到所述第二谐振器；一个或更多个中间谐振器，所述一个或更多个中间谐振器在所述介电衬底的所述第二表面上介于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间，所述一个或更多个中间谐振器中的每一者具有介于所述介电衬底的所述横向侧面部分之间的长度以及电波长，所述电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一，所述一个或更多个中间谐振器的相反端通过相应的导线连接到所述接地平面。
所述印刷膜射频微带带通滤波器还包括：位于所述介电衬底的第一侧壁上的第一导线，所述第一导线将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第一端；位于所述介电衬底的与所述第一侧壁相反的第二侧壁上的第二导线，所述第二导线将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第二端。
所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长标称为所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
所述印刷膜射频微带带通滤波器还包括：第一多个导电通孔，所述第一多个导电通孔穿过所述介电衬底并沿着所述介电衬底的第一侧壁延伸，所述第一多个导电通孔将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第一端；第二多个导电通孔，所述第二多个导电通孔穿过所述介电衬底并沿着所述介电衬底的与所述第一侧壁相反的第二侧壁延伸，所述第二多个导电通孔将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第二端。
所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器具有介于所述介电衬底的所述横向侧面部分之间的共同长度，其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器的宽度大于所述一个或更多个中间谐振器的宽度。
所述一个或更多个中间谐振器的长宽比不大于8，并且所述第一谐振器和所述第二谐振器的长宽比小于所述一个或更多个中间谐振器的长宽比。
所述第一谐振器和所述第二谐振器的长度大于所述一个或更多个中间谐振器的长度。
所述第一谐振器、所述第二谐振器以及所述一个或更多个中间谐振器是相对于所述介电衬底的纵轴和横轴对称地布置的。
所述印刷膜射频微带带通滤波器是具有三个极的薄膜带通滤波器，所述介电衬底包括具有15密耳至25密耳之间的厚度以及8至15之间的介电常数的陶瓷件，并且所述一个或更多个中间谐振器具有大于500的无载品质因子，其中，所述薄膜带通滤波器具有9GHz至10GHz之间的通带和小于0.5dB的***损耗。
本实用新型的另一个方面涉及一种印刷膜射频微带带通滤波器，所述印刷膜射频微带带通滤波器包括：介电衬底，所述介电衬底的第一表面上具有接地平面；第一谐振器，所述第一谐振器位于所述介电衬底的与所述第一表面相反的第二表面上，所述第一谐振器具有介于所述介电衬底的相反侧壁之间的长度；位于所述介电衬底上的第一输入/输出I/O接口，所述第一I/O接口连接到所述第一谐振器；第二谐振器，所述第二谐振器位于所述介电衬底上的所述第二表面上，所述第二谐振器具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的长度；位于所述介电衬底上的第二I/O接口，所述第二I/O接口与所述第一I/O接口，所述第二I/O接口通过导线连接到所述第二谐振器；一个或更多个中间谐振器，所述一个或更多个中间谐振器在所述介电衬底的所述第二表面上介于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间，所述一个或更多个中间谐振器中的每一者具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的长度以及电波长，所述电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一；位于所述介电衬底的第一侧壁上的第一导线，所述第一导线将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第一端；位于所述介电衬底的与所述第一侧壁相反的第二侧壁上的第二导线，所述第二导线将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第二端；所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的共同长度，其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器的宽度大于所述一个或更多个中间谐振器的宽度。
所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长标称为所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
所述一个或更多个中间谐振器的长宽比不大于8，并且所述第一谐振器和所述第二谐振器的长宽比小于所述一个或更多个中间谐振器的长宽比。
所述印刷膜射频微带带通滤波器是具有三个极的薄膜带通滤波器，所述介电衬底具有15密耳至25密耳之间的厚度和8至15之间的介电常数，并且所述至少一个或更多个中间谐振器具有大于500的无载品质因子，其中，所述薄膜带通滤波器具有9GHz至10GHz之间的通带以及小于0.5dB的***损耗。
本实用新型的又一方面涉及一种印刷膜射频微带带通滤波器，所述印刷膜射频微带带通滤波器包括：介电衬底，所述介电衬底的第一表面上具有接地平面；第一谐振器，所述第一谐振器位于所述介电衬底的与所述第一表面相反的第二表面上，所述第一谐振器具有介于所述介电衬底的相反侧壁之间的长度；位于所述介电衬底上的第一输入/输出I/O接口，所述第一I/O接口连接到所述第一谐振器；第二谐振器，所述第二谐振器位于所述介电衬底的所述第二表面上，所述第二谐振器具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的长度；位于所述介电衬底上的第二I/O接口，所述第二I/O接口通过导线连接到所述第二谐振器；一个或更多个中间谐振器，所述一个或更多个中间谐振器在所述介电衬底的所述第二表面上介于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间，所述一个或更多个中间谐振器中的每一者具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的长度以及电波长，所述电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一；第一多个导电通孔，所述第一多个导电通孔穿过所述介电衬底并沿着所述介电衬底的第一侧壁延伸，所述第一多个导电通孔将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第一端；第二多个导电通孔，所述第二多个导电通孔穿过所述介电衬底并沿着所述介电衬底的与所述第一侧壁相反的第二侧壁延伸，所述第二多个导电通孔将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第二端；所述第一谐振器和所述第二谐振器的长度大于所述一个或更多个中间谐振器的长度。
所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长标称为所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
所述一个或更多个中间谐振器的长宽比不大于8，并且所述第一谐振器和所述第二谐振器的长宽比小于所述一个或更多个中间谐振器的长宽比。
所述印刷膜射频微带带通滤波器是具有三个极的薄膜带通滤波器，所述介电衬底包括具有15密耳至25密耳之间的厚度以及8至15之间的介电常数的陶瓷件，并且所述一个或更多个中间谐振器具有大于500的无载品质因子，其中，所述薄膜带通滤波器具有9GHz至10GHz之间的通带和小于0.5dB的***损耗。
附图说明
从结合附图考虑的以下详细描述和所附权利要求中，本公开的目的、特征和优点将变得更加完全显而易见。附图仅描绘代表性实施方式，并且因此不应视为限制本实用新型的范围。
图1是根据第一实施方式的RF滤波器的平面图。
图2是图1的RF滤波器的侧视图。
图3是图1的RF滤波器的底部平面图。
图4是具有盖的RF滤波器的侧视图。
图5是图4的RF滤波器的端视图。
图6是根据第二实施方式的RF滤波器。
图7是图6的RF滤波器的等距视图，其中衬底没有支承滤波器的导电部分。
图8是根据第三实施方式的RF滤波器。
图9示出了根据本公开的具有部分接地的四分之一波长谐振器的现有技术带通滤波器和具有完全接地的二分之一波长谐振器的带通滤波器的比较通带曲线。
本领域普通技术人员将理解，附图是为了简单和清楚而示出的，因此可以不按比例绘制，并且可以不包括公知的特征、动作或步骤的发生顺序可以与所描述的顺序不同，并且除非另有说明，一些动作或步骤可以同时执行。并且本文中使用的术语和表达具有本领域普通技术人员所理解的含义，除非本文中不同的含义归于它们。
具体实施方式
本公开总体上涉及射频(RF)滤波器，更具体地涉及具有短接到地的二分之一波长谐振器的印刷膜RF滤波器。印刷膜滤波器通常包括沉积在可安装在印刷电路板(PCB)或其它主电路上的介电衬底上的厚膜或薄膜谐振器和其它导电元件。厚膜过滤元件通常具有介于千分之0.5(密耳)至2.0密耳之间的范围内的厚度，并且可以由丝网印刷在衬底上的金属膏形成。薄膜滤波器通常具有大约两个集肤深度的厚度。如本文所用，“集肤深度”是其中电流密度是膜表面处的电流密度的约1/e的深度。小于两个集肤深度的膜厚度可不利地影响***损耗。大于两个集肤深度的膜厚度没有提供明显的益处，并且可能降低金属沉积的精度。例如，对于具有良好导电性的导电膜(例如，铜、银、金等)的10GHz滤波器，两个集肤深度约为0.06密耳。薄膜沉积可通过各种方式图案化，并通过化学气相沉积、电子束沉积或溅射以及其它已知或未来的薄膜沉积工艺沉积在衬底上。本文进一步描述代表性实施方式。
印刷膜RF滤波器通常包括一面具有接地平面并且相反一面具有谐振器元件的介电衬底。介电材料的特性通常取决于滤波器规格，例如频率和***损耗等。合适的介电材料通常具有相对高的质量(Q)因子和稳定的温度系数。在一些滤波器实现中，介电材料具有大于1000的Q因子。一种代表性的介电材料是高纯度氧化铝陶瓷，其可以具有高达5000的Q因子和约10的相对介电常数。也可以使用其它陶瓷和其它介电材料。
在图1、图6和图8中，第一谐振器102和第二谐振器104位于介电衬底200的表面202上，并连接到输入/输出(I/O)接口，如这里进一步描述的。一个或更多个中间谐振器也可以在介电衬底的表面202上介于第一谐振器与第二谐振器之间。相邻的谐振器由电介质间隙隔开。谐振器之间的电磁耦合是由电介质间隙限定的空间的函数。在存在多个中间谐振器的实施方式中，可以通过在相邻的中间谐振器之间提供相对大的间隙并且在与联接到I/O接口的谐振器相邻的中间谐振器之间提供相对小的间隙来减少由于阻抗失配而引起的反射。在图1、图6、图7和图8中，一个中间谐振器106位于第一谐振器102与第二谐振器104之间。滤波器阶数与谐振器的数目相关联。图1、图6、图7和图8示出了包括三个谐振器的三阶带通滤波器。较高阶的滤波器可以由附加的谐振器产生。
谐振器和其它导电部分可以关于衬底的纵轴204和横轴206对称地布置，如图1所示。在其它实现中，谐振器可以关于衬底的纵轴和/或横轴不对称地对准。衬底上的谐振器和其它导线元件的对称配置可以改善滤波器性能。
谐振器的相反端通常联接到图3、图4、图5和图7中所示的接地平面208。如果谐振器通过导线而不是通过电容耦合联接到地平面，则可以减少***损耗。在图1中，衬底的第一侧壁212上的第一导线210将接地平面208连接到谐振器的第一端103、105和107，而衬底的与第一侧壁相反的第二侧壁216上的第二导线214将接地平面连接到谐振器的第二端。图2示出了位于第一侧壁212上的第一导线210。在图6、图7和图8的另选实现中，穿过衬底并沿着衬底的第一侧壁延伸的第一多个导电通孔220将接地平面连接到谐振器的第一端，并且穿过衬底并沿着衬底的第二侧壁延伸的第二多个导电通孔222将接地平面连接到谐振器的第二端。
第一谐振器和第二谐振器连接到衬底上的相应的I/O接口。这里描述的滤波器通常可以被设计成在I/O接口处具有50欧姆的阻抗。50欧姆的接口阻抗是微波***的特性。然而，在其他实现中，I/O接口的阻抗可以不同于50欧姆。在图3中，第一I/O接口230和第二I/O接口232以及接地平面208位于衬底的公共表面上。I/O接口由衬底的相应电介质部分231、233与接地平面间隔开。在图1和图6至图8中，第一谐振器和第二谐振器通过衬底的表面上的相应导线234、236连接到相应的第一I/O接口和第二I/O接口。图7示出了通过延伸穿过衬底的相应的堞形结构(castellation)238、239连接到I/O接口的导线234、236。堞形结构被显示在衬底的相应端壁上。或者，堞形结构可以位于端壁的内部。另选地，在其它实现中，I/O接口可以在与谐振器相同的衬底表面上。
谐振器具有在衬底的横向侧面部分之间延伸的长度。在图1、图6和图7中，谐振器具有共同长度，并且第一谐振器和第二谐振器具有比一个或更多个中间谐振器的宽度大的宽度。相对于中间谐振器的宽度，增加连接到I/O接口的谐振器的宽度可以补偿I/O接口的外部负载。在图8中，第一谐振器和第二谐振器具有比一个或更多个中间谐振器长的长度。相对于中间谐振器的长度，增加连接到I/O接口的谐振器的长度也可以补偿外部负载。通常，一个或更多个中间谐振器的长宽比不大于8，并且第一谐振器和第二谐振器的长宽比小于一个或更多个中间谐振器的长宽比。
一个或更多个中间谐振器具有作为滤波器中心频率的波长的二分之一的电波长。连接到I/O接口的谐振器也可以具有作为中心频率的波长的二分之一的电波长。另选地，联接到I/O接口的谐振器可以具有标称为带通滤波器中心频率的波长的二分之一的电波长，其中“标称”意味着电波长可以比滤波器中心频率的波长的二分之一大8％。在存在来自相邻谐振器的负载和I/O接口以及其它源的特性负载的情况下，可能需要第一谐振器和第二谐振器的附加电波长以在滤波器中心频率处产生谐振。如这里所建议的，电波长通常取决于谐振器的宽度和/或长度。
在一些实现中，可选地，导电罩被放置在衬底上的谐振器之上。在图4中，滤波器包括覆盖衬底上的谐振器的一部分的罩250。罩包括具有连接相反侧壁254、256的顶壁252的导电金属。罩的端部可以保持打开，使得在罩下面具有通道。在图4中，罩的相反侧壁254、256连接到衬底上的相应导电表面。不需要罩，但是如果覆盖衬底，则可以改善滤波器性能。
图9示出了具有一端接地而另一端不接地的四分之一波长谐振器的现有技术的印刷膜RF微带滤波器的通带曲线图400，以及如本文所述的具有两端都接地的二分之一波长谐振器的印刷膜RF微带滤波器的频率曲线图420。两种印刷膜滤波器都具有6个极，并且使用0.05密耳厚并且相对介电常数为90的相同介电材料。两种滤波器都包括具有相同成分的0.2密尔的薄导电膜。具有二分之一波长谐振器的滤波器包括将谐振器互连到接地平面的金属化侧壁，并且具有四分之一波长谐振器的滤波器包括将谐振器互连到接地平面的导电通孔。接地的二分之一波长谐振器具有比部分接地的四分之一波长谐振器高的Q因子。与具有部分接地的四分之一波长谐振器的滤波器的2dB***损耗相比，具有接地的二分之一波长谐振器的滤波器具有显著改善的约1dB的***损耗。与具有四分之一波长谐振器的滤波器的通带边缘402、404相比，具有接地的二分之一波长谐振器的滤波器还具有由通带边缘422和424的相对陡度示出的显著改善的阻带抑制。与具有四分之一波长谐振器的滤波器的通带406相比，具有接地的二分之一波长谐振器的滤波器还具有更平滑或甚至更平坦的通带特性426。
在一个实施方式中，印刷膜射频微带带通滤波器包括设置在介电衬底上的多个谐振器，在一个或更多个中间谐振器的相反侧连接到相应的第一谐振器和第二谐振器的第一输入/输出(I/O)接口和第二I/O接口。一个或更多个中间谐振器的相反端通过衬底的相反侧壁上的相应导线连接到衬底的相反侧上的接地平面。中间谐振器的电波长是滤波器中心频率的波长的二分之一，第一谐振器和第二谐振器的电波长标称为带通滤波器中心频率的波长的二分之一。第一谐振器、第二谐振器以及一个或更多个中间谐振器可以在衬底的相反侧壁之间具有共同长度，其中，第一谐振器和第二谐振器的宽度大于一个或更多个中间谐振器的宽度。
在另一实施方式中，印刷膜射频微带带通滤波器包括设置在介电衬底上的多个谐振器、在一个或更多个中间谐振器的相反侧连接到相应的第一谐振器和第二谐振器的第一输入/输出(I/O)接口和第二I/O接口。一个或更多个中间谐振器的相反端通过衬底的相反侧壁上的相应导线连接到衬底的相反侧的接地平面。中间谐振器的电波长是滤波器的中心频率的波长的二分之一，第一谐振器和第二谐振器的电波长标称为通带的中心频率的波长的二分之一。第一谐振器和第二谐振器的长度大于一个或更多个中间谐振器的长度。
在这些和其它实施方式中，第一和第二谐振器可具有为带通滤波器中心频率的波长的二分之一的电波长。或者，第一和第二谐振器可具有标称为带通滤波器中心频率的波长的二分之一的电波长。所述一个或多个中间谐振器具有不大于8的长宽比，并且所述第一和第二谐振器具有小于所述一个或多个中间谐振器的长宽比的长宽比。
在这些和其它实施方式中，印刷膜射频微带带通滤波器是具有9GHz至10GHz之间的通带和小于0.5dB的***损耗的三极薄膜带通滤波器。衬底由陶瓷材料构成，该陶瓷材料的Q因子大于1000，厚度在千分之15英寸(密尔)至25密尔之间，介电常数在8至15之间。中间谐振器具有大于500的无载Q因子。
虽然已经以建立所有权并使本领域普通技术人员能够制造和使用本实用新型的方式描述了本公开和目前认为是其最佳模式的内容，但是应当理解和认识到，存在本文所述的代表性实施方式的许多等同物，并且在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，可以对其进行各种修改和变化。这不限于所描述的实施方式，而是由所附权利要求及其等同物来限定。

Claims (20)

1.一种印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述印刷膜射频微带带通滤波器包括：
介电衬底，所述介电衬底的第一表面上具有接地平面；
第一谐振器，所述第一谐振器位于所述介电衬底的与所述第一表面相反的第二表面上，所述第一谐振器具有介于所述介电衬底的横向侧面部分之间的长度，所述第一谐振器的相反端联接到所述接地平面；
位于所述介电衬底上的第一输入/输出接口，所述第一输入/输出接口通过导线连接到所述第一谐振器；
第二谐振器，所述第二谐振器位于所述介电衬底的所述第二表面上，所述第二谐振器具有介于所述介电衬底的所述横向侧面部分之间的长度，所述第二谐振器的相反端联接到所述接地平面；
位于所述介电衬底上的第二输入/输出接口，所述第二输入/输出接口通过导线连接到所述第二谐振器；
一个或更多个中间谐振器，所述一个或更多个中间谐振器在所述介电衬底的所述第二表面上介于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间，所述一个或更多个中间谐振器中的每一者具有介于所述介电衬底的所述横向侧面部分之间的长度以及电波长，所述电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一，
所述一个或更多个中间谐振器的相反端通过相应的导线连接到所述接地平面。
2.根据权利要求1所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述印刷膜射频微带带通滤波器还包括：
位于所述介电衬底的第一侧壁上的第一导线，所述第一导线将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第一端；
位于所述介电衬底的与所述第一侧壁相反的第二侧壁上的第二导线，所述第二导线将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第二端。
3.根据权利要求2所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
4.根据权利要求2所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长标称为所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
5.根据权利要求1所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述印刷膜射频微带带通滤波器还包括：
第一多个导电通孔，所述第一多个导电通孔穿过所述介电衬底并沿着所述介电衬底的第一侧壁延伸，所述第一多个导电通孔将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第一端；
第二多个导电通孔，所述第二多个导电通孔穿过所述介电衬底并沿着所述介电衬底的与所述第一侧壁相反的第二侧壁延伸，所述第二多个导电通孔将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第二端。
6.根据权利要求1所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器具有介于所述介电衬底的所述横向侧面部分之间的共同长度，其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器的宽度大于所述一个或更多个中间谐振器的宽度。
7.根据权利要求1所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述一个或更多个中间谐振器的长宽比不大于8，并且所述第一谐振器和所述第二谐振器的长宽比小于所述一个或更多个中间谐振器的长宽比。
8.根据权利要求1所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器的长度大于所述一个或更多个中间谐振器的长度。
9.根据权利要求1所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振器、所述第二谐振器以及所述一个或更多个中间谐振器是相对于所述介电衬底的纵轴和横轴对称地布置的。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述印刷膜射频微带带通滤波器是具有三个极的薄膜带通滤波器，所述介电衬底包括具有15密耳至25密耳之间的厚度以及8至15之间的介电常数的陶瓷件，并且所述一个或更多个中间谐振器具有大于500的无载品质因子，其中，所述薄膜带通滤波器具有9GHz至10GHz之间的通带和小于0.5dB的***损耗。
11.一种印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述印刷膜射频微带带通滤波器包括：
介电衬底，所述介电衬底的第一表面上具有接地平面；
第一谐振器，所述第一谐振器位于所述介电衬底的与所述第一表面相反的第二表面上，所述第一谐振器具有介于所述介电衬底的相反侧壁之间的长度；
位于所述介电衬底上的第一输入/输出接口，所述第一输入/输出接口连接到所述第一谐振器；
第二谐振器，所述第二谐振器位于所述介电衬底上的所述第二表面上，所述第二谐振器具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的长度；
位于所述介电衬底上的第二输入/输出接口，所述第二输入/输出接口与所述第一输入/输出接口相对，所述第二输入/输出接口通过导线连接到所述第二谐振器；
一个或更多个中间谐振器，所述一个或更多个中间谐振器在所述介电衬底的所述第二表面上介于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间，所述一个或更多个中间谐振器中的每一者具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的长度以及电波长，所述电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一；
位于所述介电衬底的第一侧壁上的第一导线，所述第一导线将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第一端；
位于所述介电衬底的与所述第一侧壁相反的第二侧壁上的第二导线，所述第二导线将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第二端；
所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的共同长度，其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器的宽度大于所述一个或更多个中间谐振器的宽度。
12.根据权利要求11所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
13.根据权利要求11所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长标称为所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
14.根据权利要求11所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述一个或更多个中间谐振器的长宽比不大于8，并且所述第一谐振器和所述第二谐振器的长宽比小于所述一个或更多个中间谐振器的长宽比。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述印刷膜射频微带带通滤波器是具有三个极的薄膜带通滤波器，所述介电衬底具有15密耳至25密耳之间的厚度和8至15之间的介电常数，并且所述一个或更多个中间谐振器具有大于500的无载品质因子，其中，所述薄膜带通滤波器具有9GHz至10GHz之间的通带以及小于0.5dB的***损耗。
16.一种印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述印刷膜射频微带带通滤波器包括：
介电衬底，所述介电衬底的第一表面上具有接地平面；
第一谐振器，所述第一谐振器位于所述介电衬底的与所述第一表面相反的第二表面上，所述第一谐振器具有介于所述介电衬底的相反侧壁之间的长度；
位于所述介电衬底上的第一输入/输出接口，所述第一输入/输出接口连接到所述第一谐振器；
第二谐振器，所述第二谐振器位于所述介电衬底的所述第二表面上，所述第二谐振器具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的长度；
位于所述介电衬底上的第二输入/输出接口，所述第二输入/输出接口通过导线连接到所述第二谐振器；
一个或更多个中间谐振器，所述一个或更多个中间谐振器在所述介电衬底的所述第二表面上介于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间，所述一个或更多个中间谐振器中的每一者具有介于所述介电衬底的所述相反侧壁之间的长度以及电波长，所述电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一；
第一多个导电通孔，所述第一多个导电通孔穿过所述介电衬底并沿着所述介电衬底的第一侧壁延伸，所述第一多个导电通孔将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第一端；
第二多个导电通孔，所述第二多个导电通孔穿过所述介电衬底并沿着所述介电衬底的与所述第一侧壁相反的第二侧壁延伸，所述第二多个导电通孔将所述接地平面连接到所述第一谐振器、所述第二谐振器和所述一个或更多个中间谐振器的第二端；
所述第一谐振器和所述第二谐振器的长度大于所述一个或更多个中间谐振器的长度。
17.根据权利要求16所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长是所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
18.根据权利要求16所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器的电波长标称为所述印刷膜射频微带带通滤波器的中心频率的波长的二分之一。
19.根据权利要求16所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述一个或更多个中间谐振器的长宽比不大于8，并且所述第一谐振器和所述第二谐振器的长宽比小于所述一个或更多个中间谐振器的长宽比。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的印刷膜射频微带带通滤波器，其特征在于，所述印刷膜射频微带带通滤波器是具有三个极的薄膜带通滤波器，所述介电衬底包括具有15密耳至25密耳之间的厚度以及8至15之间的介电常数的陶瓷件，并且所述一个或更多个中间谐振器具有大于500的无载品质因子，其中，所述薄膜带通滤波器具有9GHz至10GHz之间的通带和小于0.5dB的***损耗。
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