CN218995923U - 一种一键多功能控制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型适用于电器控制领域,提供了一种一键多功能控制电路,按键SW1按下,可以使PMOS管M1导通,从而使后端电路得电开机,MCU控制MCU‑LOCK输出高电平,使PMOS管M1导通一直导通;在此双击SW1或者不同频率按SW1,配合MCU控制就可以实现其他功能的控制;当长按按键SW1时,MCU检测MCU‑IO信号,实现MCU控制MCU‑LOCK输出低电平,实现关机。本实用新型可以实现一个按键实现多种功能,可以有效的减少控制器的面积,使产品体积小;整个电路所选的元器件成本低廉,全部采用普通的常规器件;此电路的通用性和时效性比较好,可靠性高;所选器件和材料都为通用件,电路的产业化很容易实现,电路一致性很好,具有推广的意义。
Description
技术领域
本实用新型属于电器控制领域,尤其涉及一种一键多功能控制电路。
背景技术
我们日常生活中使用的电子和电器产品,好多产品的功能通过按键切换的。同时随着人们对生活品质的提高,对产品的追求是在满足功能的前提要求体积要尽可能小。
但现有的多功能电子产品,大多是使用多个按键控制不同的功能,虽然满足了产品多功能的要求,但多个控制按键使得产品的体积变得很大,并不适合携带和操作。
为避免上述技术问题,确有必要提供一种一键多功能控制电路以克服现有技术中的所述缺陷。
实用新型内容
本实用新型实施例的目的在于提供一种一键多功能控制电路,旨在解决上述背景技术中提到的问题。
本实用新型实施例是这样实现的,一种一键多功能控制电路,包括PMOS管M1,所述PMOS管M1控制VCC_OUT的输出,所述PMOS管M1的S极连接有电阻R2,所述电阻R2的另一端连接在PMOS管M1的G极,所述PMOS管M1的G极连接二极管D2的阳极和三极管Q1的集电极,所述二极管D2的阴极连接二极管D1的阴极和开关SW1,所述二极管D1的阳极连接电阻R1和MCU-IO的检测口,所述电阻R1的另一端连接电源VDD,所述三极管Q1的基极连接电阻R3和电阻R4,所述电阻R3的另一端连接MCU-LOCK,所述电阻R4的另一端连接GND。
进一步的技术方案,所述三极管Q1为NPN三极管。
进一步的技术方案,所述MCU-LOCK和MCU-IO均与单片机(MCU)芯片的控制引脚连接。
相较于现有技术,本实用新型的有益效果如下:
1.本实用新型可以实现一个按键实现多种功能,同时兼顾待机功耗的控制,可以有效的减少控制器的面积,使产品体积小;
2.整个电路所选的元器件成本低廉,全部采用普通的常规器件,经济效益十分可观;
3.此电路的通用性和时效性比较好,可靠性高;
4.产业化优势,所选器件和材料都为通用件,电路的产业化很容易实现,并且此电路已经经过一系列测试验证,电路一致性很好,具有推广的意义。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
以下结合具体实施例对本实用新型的具体实现进行详细描述。
如图1所示,该电路主要组成为:
主控电路:由PMOS管M1,控制VCC_OUT的输出。电阻R2一端接到PMOS管M1的S极,另一端接PMOS管M1的G极组成。
检测和按键电路:由电阻R1一端接电源VDD,电阻R1的另外一端接MCU-IO的检测口和二极管D1的阳极,二极管D1的阴极接开关SW1和二极管D2的阴极,二极管D2的阳极接PMOS管M1的G极和NPN三极管Q1的集电极组成。
自锁电路:由MCU-LOCK控制信号,经过电阻R3,控制NPN三极管Q1的基极。三极管Q1的基极连接电阻R4,电阻R4的另一端接地,防止三极管Q1误导通。
工作原理:
当SW1键未没按下之前,PMOS管M1的GS两端电压一样,不导通,当按键按下之后,电压通过R2通过二极管D2,通过SW1流到地,PMOS管M1导通,给后级电路供电。后级电路得电后,单片机(MCU)控制MCU-LOCK输出高电平,控制PMOS管M1持续导通。
当开机后,每当按键SW1按下时,VDD电压通过二极管D1,通过SW1流到地,此时MCU-IO的电平由高电平变低电平。双击击SW1或者不同时间间隔按SW1,MCU-IO的信号都可以有效的被MCU检测到,从而实现不同功能的控制。
关机,SW1长按时,当MCU检测到MCU-IO持续低电平,***执行关机处理,MCU控制MCU-LOCK输出低电平,Q1关断,松开按键SW1后,实现关机。
上述MCU-LOCK和MCU-IO都是直接接到MCU芯片的控制引脚。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (3)
1.一种一键多功能控制电路,包括PMOS管M1,所述PMOS管M1控制VCC_OUT的输出,其特征在于,所述PMOS管M1的S极连接有电阻R2,所述电阻R2的另一端连接在PMOS管M1的G极,所述PMOS管M1的G极连接二极管D2的阳极和三极管Q1的集电极,所述二极管D2的阴极连接二极管D1的阴极和开关SW1,所述二极管D1的阳极连接电阻R1和MCU-IO的检测口,所述电阻R1的另一端连接电源VDD,所述三极管Q1的基极连接电阻R3和电阻R4,所述电阻R3的另一端连接MCU-LOCK,所述电阻R4的另一端连接GND。
2.根据权利要求1所述的一键多功能控制电路,其特征在于,所述三极管Q1为NPN三极管。
3.根据权利要求1所述的一键多功能控制电路,其特征在于,所述MCU-LOCK和MCU-IO均与MCU芯片的控制引脚连接。
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- 2022-12-29 CN CN202223552880.2U patent/CN218995923U/zh active Active
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