CN218730935U - 一种带有防护结构的电感版图 - Google Patents
一种带有防护结构的电感版图 Download PDFInfo
- Publication number
- CN218730935U CN218730935U CN202223062467.8U CN202223062467U CN218730935U CN 218730935 U CN218730935 U CN 218730935U CN 202223062467 U CN202223062467 U CN 202223062467U CN 218730935 U CN218730935 U CN 218730935U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inductance
- shielding unit
- metal
- protective structure
- top layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种带有防护结构的电感版图，包括主要由金属圈组成的片上电感，所述金属圈为由顶层金属和次顶层金属相互交叠而成的螺旋结构，所述片上电感外同层半环绕设置有侧部屏蔽单元，所述片上电感的底端设置有底部屏蔽单元。本实用新型采用上述结构的带有防护结构的电感版图，通过设置侧部屏蔽单元和底部屏蔽单元，不仅能有效的对片上电感工作时产生的边缘场进行捕获从而减少对芯片衬底和电感周围其他模块的干扰，而且还能减少片上电感工作时的能量衰弱，减少损耗，提升了电感Q值，实现对片上电感的隔离防护和效率的提升。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种本电感适用于射频电路中的巴伦(Balun)的带有防护结构的电感版图，用于对射频信号实现差分到单端的转换。
背景技术
电感是射频收发机中的重要模块之一，主要用于通讯***中将接收自天线的信号放大，便于后级的接收机电路处理，片上电感作为射频电路中的重要元件，因其具有低成本，易集成，功耗小，低噪声的优点而被广泛的应用。但是片上电感也因其结构复杂导致诸多的寄生效应进而影响其性能。
在电感的设计过程中，电感的Q值，即品质因数，是衡量电感器件的主要参数。是指电感在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感的Q值越高，其损耗越小，效率越高。同时电感在工作时会产生大量的能量，这些能量往往会对周围的电路和芯片衬底造成不必要的负面影响。
为解决上述技术问题，现有研究如CN201210477011.X一种电感结构以及CN201210496838.5一种电感结构，均公开了在片上电感的底端设置屏蔽层，这种方式可以屏蔽干扰，但是对于片上电感周围的干扰源屏蔽效果较差。
故急需一种片上电感全面防护结构，用以对其减少对周围电路和芯片衬底的干扰以及提升性能。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种带有防护结构的电感版图，通过设置侧部屏蔽单元和底部屏蔽单元，不仅能有效的对片上电感工作时产生的边缘场进行捕获从而减少对芯片衬底和电感周围其他模块的耦合干扰，而且还能减少片上电感工作时的能量衰弱，实现对片上电感的隔离防护和性能的提升。
为实现上述目的，本实用新型提供了带有防护结构的电感版图，包括主要由金属圈组成的片上电感，所述金属圈为由顶层金属和次顶层金属相互交叠而成的螺旋结构，所述片上电感外同层半环绕设置有侧部屏蔽单元，所述片上电感的底端设置有底部屏蔽单元。
优选的，所述金属圈为两端留有线端的正八边形结构，所述侧部屏蔽单元为对应所述金属圈线端位置留有开口的正方形结构。
优选的，所述侧部屏蔽单元由呈阵列布置的多个MOS电容组成，所述MOS电容的栅极连接电源线，所述MOS电容的源极、漏极以及衬底均与地线连接；
所述电源线为顶层金属，所述地线为次顶层金属。
优选的，所述底部屏蔽单元包括阵列均匀布置于金属圈下方的多个屏蔽部件，多个所述屏蔽部件组成与所述金属圈相适配的正八边形结构。
优选的，所述屏蔽部件包括呈X形间隔布置的有源区方块和多晶硅方块。
因此，本实用新型采用上述结构的通过设置侧部屏蔽单元和底部屏蔽单元，不仅能有效的对片上电感工作时产生的边缘场进行捕获从而减少对芯片衬底和电感周围其他模块的耦合干扰，而且还能减少片上电感工作时的能量衰弱，实现对片上电感的隔离防护和性能的提升。
下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图；
图2为本实用新型的侧部屏蔽单元结构示意图；
图3为本实用新型的底部屏蔽单元结构示意图。
其中：1、金属圈；10、顶层金属；11、次顶层金属；2、MOS电容；20、栅极；21、衬底；22、源极；23、漏极；3、底部屏蔽单元；4、电源线；5、地线。
具体实施方式
以下将结合附图对本实用新型作进一步的描述，需要说明的是，本实施例以本技术方案为前提，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围并不限于本实施例。
图1为本实用新型的整体结构示意图，如图1所示，本实用新型的结构包括主要由金属圈1组成的片上电感，金属圈1为由顶层金属10和次顶层金属11相互交叠而成的螺旋结构，片上电感外同层半环绕设置有侧部屏蔽单元，片上电感的底端设置有底部屏蔽单元。金属圈1为两端留有线端的正八边形结构，侧部屏蔽单元为对应金属圈1线端位置留有开口的正方形结构。
图2为本实用新型的侧部屏蔽单元结构示意图，如图2所示，侧部屏蔽单元由呈阵列布置的多个MOS电容2组成，MOS电容2的栅极20连接电源线4，MOS电容2的源极22、漏极23以及衬底21均与地线5连接；电源线4为顶层金属，地线5为次顶层金属。从而达到隔离片上电感以及与其四周其他部件的目的，阻挡了电感工作时产生的能量对电感周围电路的干扰，同时减小电感工作时的能量衰弱，实现电感性能的提升。
图3为本实用新型的底部屏蔽单元结构示意图，如图3所示，底部屏蔽单元3包括阵列均匀布置于金属圈1下方的多个屏蔽部件，多个屏蔽部件组成与金属圈1相适配的正八边形结构。优选的，屏蔽部件包括呈X形间隔布置的有源区方块和多晶硅方块。底部屏蔽单元3阻挡了片上电感线圈1工作时产生的能量对芯片衬底的干扰。
因此，本实用新型采用上述结构的通过设置侧部屏蔽单元，不仅能有效的对片上电感工作时产生的边缘场进行捕获从而减少对芯片衬底和电感周围其他模块的耦合干扰，而且还能减少片上电感工作时的能量衰弱，实现对片上电感的隔离防护和性能的提升。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本实用新型技术方案的精神和范围。
Claims (5)
1.一种带有防护结构的电感版图，包括主要由金属圈组成的片上电感，所述金属圈为由顶层金属和次顶层金属相互交叠而成的螺旋结构，其特征在于：所述片上电感外同层半环绕设置有侧部屏蔽单元，所述片上电感的底端设置有底部屏蔽单元。
2.根据权利要求1所述的一种带有防护结构的电感版图，其特征在于：所述金属圈为两端留有线端的正八边形结构，所述侧部屏蔽单元为对应所述金属圈线端位置留有开口的正方形结构。
3.根据权利要求2所述的一种带有防护结构的电感版图，其特征在于：所述侧部屏蔽单元由呈阵列布置的多个MOS电容组成，所述MOS电容的栅极连接电源线，所述MOS电容的源极、漏极以及衬底均与地线连接；
所述电源线为顶层金属，所述地线为次顶层金属。
4.根据权利要求1所述的一种带有防护结构的电感版图，其特征在于：所述底部屏蔽单元包括阵列均匀布置于金属圈下方的多个屏蔽部件，多个所述屏蔽部件组成与所述金属圈相适配的正八边形结构。
5.根据权利要求4所述的一种带有防护结构的电感版图，其特征在于：所述屏蔽部件包括呈X形间隔布置的有源区方块和多晶硅方块。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202223062467.8U CN218730935U (zh) | 2022-11-18 | 2022-11-18 | 一种带有防护结构的电感版图 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202223062467.8U CN218730935U (zh) | 2022-11-18 | 2022-11-18 | 一种带有防护结构的电感版图 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN218730935U true CN218730935U (zh) | 2023-03-24 |
Family
ID=85621958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202223062467.8U Active CN218730935U (zh) | 2022-11-18 | 2022-11-18 | 一种带有防护结构的电感版图 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN218730935U (zh) |
-
2022
- 2022-11-18 CN CN202223062467.8U patent/CN218730935U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101420203B (zh) | 低噪声放大器电路 | |
| US8610494B1 (en) | Low power active filter | |
| CN102142819B (zh) | 基于变压器的射频功率放大器 | |
| CN102255300B (zh) | 射频组件 | |
| US9543073B2 (en) | Transformer, method for manufacturing transformer and chip | |
| CN102082550B (zh) | 一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器 | |
| WO2023169038A1 (zh) | 一种变压器型分布式多核振荡器及其集成电路与终端 | |
| CN101938256B (zh) | 全集成双频带可配置射频功率放大器 | |
| US20230126116A1 (en) | Low-noise amplifier (lna) input impedance adjustment circuit | |
| TWI404085B (zh) | 變壓器及其結構與功率放大裝置 | |
| CN105991093A (zh) | 一种具有差分结构和极点消除结构的低噪声放大器 | |
| CN103457555B (zh) | 采用任意耦合系数片上变压器的毫米波放大器单向化网络 | |
| CN102938637A (zh) | 超宽带低噪声放大器电路 | |
| CN104065346A (zh) | 一种基于交叉耦合反馈的宽频带低噪声放大器电路 | |
| CN218730935U (zh) | 一种带有防护结构的电感版图 | |
| CN102938400A (zh) | 一种电感结构 | |
| CN103475357B (zh) | 基于有源电感实现的半有源片上电感 | |
| US8013684B2 (en) | Radio frequency noise and interference suppression in an integrated circuit | |
| TW201713038A (zh) | 射頻干擾抑制電路 | |
| CN114726325B (zh) | 一种堆叠功率放大器、电路板及电子设备 | |
| Javid et al. | CMOS integrated galvanically isolated RF chip-to-chip communication utilizing lateral resonant coupling | |
| CN106783798A (zh) | 一种毫米波电感结构 | |
| EP2854291A1 (en) | Amplifier circuit with cross wiring of direct-current signals and microwave signals | |
| CN102946231B (zh) | 一种低噪声放大器及其制造方法 | |
| CN111245372A (zh) | 一种互补型无源预放大低噪声放大器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |