CN218677902U - 一种多层复合功率模块母排结构 - Google Patents

Abstract

一种多层复合功率模块母排结构包括复合母排、驱动电路板、以及MOS管。所述复合母排依次包括第一导电排、第二导电排、第三导电排、第一绝缘膜，第二绝缘膜，第三绝缘膜。所述第一导电排包括第一导电排主体，第一针脚单元、第一引脚。所述第一针脚单元包括第一针脚。所述第二导电排包括第二导电排主体、第二针脚单元、第二引脚。所述第二针脚单元包括第二针脚。所述第三导电排包括第三导电排主体、第三针脚单元、第三引脚。所述第三针脚单元包括第三针脚。所述驱动电路板包括驱动电路板主体、以及安装通孔。所述MOS管包括MOS管主体、以及多管针脚。该多层复合功率模块母排结构提升载流能力、以及耐压性能，有效提高空间利用率，提高集成度。

Description

一种多层复合功率模块母排结构

技术领域

本实用新型属于复合母排技术领域，特别是一种多层复合功率模块母排结构。

背景技术

DC/DC转换器是转变输入电压并有效输出固定电压的电压转换器，目前新能源汽车DCDC转换器广泛应用于混/纯电动汽车内，起到整车电能转换的作用。

常规的DCDC转换器电能转换的MOS管通过PCB板直接进行锡焊连接，只可满足较低的电流、电压。随着市场需求，新能源汽车对转换输出的功率要求越来越高，需要有更高载流、高耐压和高集成的可靠的连接器连接MOS管。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种可实现多层极性复合带总输入输出端子的多层复合功率模块母排结构，以满足工业需求。

一种多层复合功率模块母排结构包括一个复合母排，一个设置在所述复合母排一侧的驱动电路板，以及一个设置在所述复合母排背向所述驱动电路板一侧的MOS管。所述复合母排依次包括第一导电排、第二导电排、第三导电排，两个设置在所述第一导电排两侧的第一绝缘膜，两个设置在所述第二导电排两侧的第二绝缘膜，两个分别设置在所述第三导电排两侧的第三绝缘膜。所述第一导电排包括一个第一导电排主体，一个设置在所述第一导电排主体一侧的第一针脚单元，一个设置在所述第一导电排主体一端的第一引脚。所述第一针脚单元包括多个间隔设置的第一针脚。所述第二导电排包括一个第二导电排主体，一个设置在所述第二导电排主体一侧的第二针脚单元，一个设置在所述第二导电排主体一端的第二引脚。所述第二针脚单元包括多个间隔设置的第二针脚。所述第三导电排包括一个第三导电排主体，两个分别设置在所述第三导电排主体两侧的第三针脚单元，一个设置在所述第三导电排主体一端的第三引脚。所述第三针脚单元包括多个间隔设置的第三针脚。所述第一针脚单元、所述第二针脚单元分别与一个所述第三针脚单元设置于同一侧。所述驱动电路板包括一个驱动电路板主体，以及多个设置在所述驱动电路板主体上的安装通孔。所述MOS管包括一个MOS管主体，以及多个对称设置在所述MOS管主体两侧的管针脚。当所述复合母排、所述驱动电路板、以及所述MOS管之间形成叠层结构时，任意一个所述第一针脚、所述第二针脚、以及所述第三针脚皆与一个所述管针脚重叠贴合，且所述第一针脚、所述第二针脚、所述第三针脚与所述管针脚容置于一个所述安装通孔内。

进一步地，所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜的厚度皆小于0.3mm。

进一步地，所述第一引脚包括一个设置第一导电排主体上的连接段，一个设置在所述连接段一端的第一引脚主体，以及一个设置在所述连接段与所述第一引脚主体之间的折弯段。

进一步地，所述第一引脚主体端面与所述第二引脚端面齐平。

进一步地，所述第一引脚、所述第二引脚设置于同一端，所述第三引脚设置在所述第三导电排主体背向所述第一引脚的一端。

进一步地，所述第一针脚与所述第三针脚之间、以及所述第二针脚与所述第三针脚之间交替设置。

与现有技术相比，本实用新型提供的多层复合功率模块母排结构通过所述复合母排与所述驱动电路板、以及所述MOS管形成一个整体，提升了该母排整体结构的耐压性能。其中所述复合母排通过第一导电排、第二导电排、第三导电排形成的多层复合结构，提升载流能力，也降低回路中杂散电感保证所述MOS管可以满足更高功率的运行。当所述复合母排、所述驱动电路板、以及所述MOS管之间形成叠层结构时，任意一个所述第一针脚、所述第二针脚、以及所述第三针脚皆与一个所述管针脚重叠贴合，且所述第一针脚、所述第二针脚、所述第三针脚与所述管针脚容置于一个所述安装通孔内，限制了所述复合母排、所述驱动电路板、以及所述MOS管的位置且形成一个整体。由此可以看出的是，该多层复合功率模块母排结构通过这种多层平板复合的母排结构使DCDC转换器内部的MOS管、母排、驱动电路板叠层形成一个整体，提升载流能力、以及耐压性能，有效提高空间利用率，提高集成度。

附图说明

图1为本实用新型提供的多层复合功率模块母排结构的结构示意图。

图2为图1的多层复合功率模块母排结构中复合母排的结构示意图。

图3为图2的复合母排的分解结构示意图。

具体实施方式

以下对本实用新型的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是，此处对本实用新型实施例的说明并不用于限定本实用新型的保护范围。

如图1至图3所示，其为本实用新型提供的多层复合功率模块母排结构的结构示意图。所述多层复合功率模块母排结构包括一个复合母排10，一个设置在所述复合母排10一侧的驱动电路板20，以及一个设置在所述复合母排10背向所述驱动电路板20一侧的MOS管30。所述多层复合功率模块母排结构还包括其他的一些功能模块，如组装组件等等，其应当为本领域技术人员所习知的技术，在此不再一一详细说明。

所述复合母排10依次包括第一导电排11、第二导电排12、第三导电排13，两个设置在所述第一导电排11两侧的第一绝缘膜14，两个设置在所述第二导电排12两侧的第二绝缘膜15，两个分别设置在所述第三导电排13两侧的第三绝缘膜16。

所述第一导电排11包括一个第一导电排主体111，一个设置在所述第一导电排主体111一侧的第一针脚单元112，一个设置在所述第一导电排主体111一端的第一引脚113。所述第一针脚单元112包括多个间隔设置的第一针脚1121。

所述第一引脚113包括一个设置第一导电排主体111上的连接段1131，一个设置在所述连接段1131一端的第一引脚主体1132，以及一个设置在所述连接段1132与所述第一引脚主体1131之间的折弯段1133。且所述第一引脚主体1131端面与下述第二引脚123端面齐平，以便于所述第一导电排11、所述第二导电排12之间的加工。

所述第二导电排12包括一个第二导电排主体121，一个设置在所述第二导电排主体121一侧的第二针脚单元122，一个设置在所述第二导电排主体121一端的第二引脚123。所述第二针脚单元122包括多个间隔设置的第二针脚1221

所述第三导电排13包括一个第三导电排主体131，两个分别设置在所述第三导电排主体131两侧的第三针脚单元132，一个设置在所述第三导电排主体131一端的第三引脚133。所述第三针脚单元132包括多个间隔设置的第三针脚1321。

所述第一针脚单元112、所述第二针脚单元122分别与一个所述第三针脚单元123设置于同一侧，即为所述第一针脚单元112与所述第三针脚单元123形成一组、所述第二针脚单元122与所述第三针脚单元123形成一组且分别设置于所述复合母排10的两侧，且所述第一针脚1121与所述第三针脚1231之间、以及所述第二针脚1221与所述第三针脚1231之间交替设置。

在本实施例中，所述第一引脚113、所述第二引脚123为输入引脚，所述第三引脚133为输出引脚，所述第一引脚113、所述第二引脚123设置于同一端，所述第三引脚133设置在所述第三导电排主体131背向所述第一引脚113的一端，以便于该母排的使用。

两个所述第一绝缘膜14分别设置在所述第一导电排11的两侧，两个所述第二绝缘膜15分别设置在所述第二导电排12的两侧，两个所述第三绝缘膜16分别设置在所述第三导电排13的两侧，以使所述第一导电排11、所述第二导电排12、所述第三导电排13之间绝缘。在本实施例中，所述第一绝缘膜14、所述第二绝缘膜15、所述第三绝缘膜16的厚度皆小于0.3mm。所述第一绝缘膜14、所述第二绝缘膜15、所述第三绝缘膜16为一种现有技术，在此不再赘述。

所述多层复合功率模块母排结构在加工过程中，通过热压工艺，在所述述第一绝缘膜14、所述第二绝缘膜15、所述第三绝缘膜16的作用下，所述复合母排10、所述驱动电路板20、以及所述MOS管30之间粘合成一个整体，提升了该母排结构耐压性能。

所述驱动电路板20包括一个驱动电路板主体21，以及多个设置在所述驱动电路板主体21上的安装通孔22。所述驱动电路板主体21用来对控制电路的信号进行放大的中间电路，所述驱动电路板主体21为一种现有技术，在此不在赘述。所述安装通孔22用于安装所述复合母排10、以及所述MOS管30，故所述安装通孔22将结合所述MOS管30进行详细说明。

所述MOS管30包括一个MOS管主体31，以及多个对称设置在所述MOS管主体31两侧的管针脚32。所述MOS管主体31是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，所述MOS管主体31为一种现有技术。

多层复合功率模块母排结构在加工的过程中，所述MOS管30、所述复合母排10、以及所述驱动电路板20依次堆叠成为一个整体，所述管针脚32与所述第一针脚1121、所述第二针脚1221、所述第三针脚1321之间相互配合。当所述复合母排10、所述驱动电路板20、以及所述MOS管30之间形成叠层结构时，任意一个所述第一针脚1121、所述第二针脚1221、以及所述第三针脚1321皆与一个所述管针脚32重叠贴合，且所述第一针脚1121、所述第二针脚1221、所述第三针脚1321与所述管针脚32容置于一个所述安装通孔22内，从而所述复合母排10、所述驱动电路板20、以及所述MOS管30之间组合在一起形成一个整体，且限制了所述复合母排10、所述驱动电路板20、以及所述MOS管30的位置。

在后续的加工过程中，所述第一针脚1121、所述第二针脚1221、所述第三针脚1321皆与所述管针脚32之间通过锡焊连接，以使复合母排10、所述驱动电路板20、以及所述MOS管30之间结构稳定，防止振动导致的接触不良。

与现有技术相比，本实用新型提供的多层复合功率模块母排结构通过所述复合母排10与所述驱动电路板20、以及所述MOS管30形成一个整体，提升了该母排整体结构的耐压性能。其中所述复合母排10通过第一导电排11、第二导电排12、第三导电排13形成的多层复合结构，提升载流能力，也降低回路中杂散电感保证所述MOS管30可以满足更高功率的运行。当所述复合母排10、所述驱动电路板20、以及所述MOS管30之间形成叠层结构时，任意一个所述第一针脚1121、所述第二针脚1221、以及所述第三针脚1321皆与一个所述管针脚32重叠贴合，且所述第一针脚1121、所述第二针脚1221、所述第三针脚1321与所述管针脚32容置于一个所述安装通孔22内，限制了所述复合母排10、所述驱动电路板20、以及所述MOS管30的位置且形成一个整体。由此可以看出的是，该多层复合功率模块母排结构通过这种多层平板复合的母排结构使DCDC转换器内部的MOS管、母排、驱动电路板叠层形成一个整体，提升载流能力、以及耐压性能，有效提高空间利用率，提高集成度。

以上仅为本实用新型的较佳实施例，并不用于局限本实用新型的保护范围，任何在本实用新型精神内的修改、等同替换或改进等，都涵盖在本实用新型的权利要求范围内。

Claims (6)

1.一种多层复合功率模块母排结构，其特征在于：所述多层复合功率模块母排结构包括一个复合母排，一个设置在所述复合母排一侧的驱动电路板，以及一个设置在所述复合母排背向所述驱动电路板一侧的MOS管，所述复合母排依次包括第一导电排、第二导电排、第三导电排，两个设置在所述第一导电排两侧的第一绝缘膜，两个设置在所述第二导电排两侧的第二绝缘膜，两个分别设置在所述第三导电排两侧的第三绝缘膜，所述第一导电排包括一个第一导电排主体，一个设置在所述第一导电排主体一侧的第一针脚单元，一个设置在所述第一导电排主体一端的第一引脚，所述第一针脚单元包括多个间隔设置的第一针脚，所述第二导电排包括一个第二导电排主体，一个设置在所述第二导电排主体一侧的第二针脚单元，一个设置在所述第二导电排主体一端的第二引脚，所述第二针脚单元包括多个间隔设置的第二针脚，所述第三导电排包括一个第三导电排主体，两个分别设置在所述第三导电排主体两侧的第三针脚单元，一个设置在所述第三导电排主体一端的第三引脚，所述第三针脚单元包括多个间隔设置的第三针脚，所述第一针脚单元、所述第二针脚单元分别与一个所述第三针脚单元设置于同一侧，所述驱动电路板包括一个驱动电路板主体，以及多个设置在所述驱动电路板主体上的安装通孔，所述MOS管包括一个MOS管主体，以及多个对称设置在所述MOS管主体两侧的管针脚，当所述复合母排、所述驱动电路板、以及所述MOS管之间形成叠层结构时，任意一个所述第一针脚、所述第二针脚、以及所述第三针脚皆与一个所述管针脚重叠贴合，且所述第一针脚、所述第二针脚、所述第三针脚与所述管针脚容置于一个所述安装通孔内。

2.如权利要求1所述的多层复合功率模块母排结构，其特征在于：所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜的厚度皆小于0.3mm。

3.如权利要求1所述的多层复合功率模块母排结构，其特征在于：所述第一引脚包括一个设置第一导电排主体上的连接段，一个设置在所述连接段一端的第一引脚主体，以及一个设置在所述连接段与所述第一引脚主体之间的折弯段。

4.如权利要求3所述的多层复合功率模块母排结构，其特征在于：所述第一引脚主体端面与所述第二引脚端面齐平。

5.如权利要求1所述的多层复合功率模块母排结构，其特征在于：所述第一引脚、所述第二引脚设置于同一端，所述第三引脚设置在所述第三导电排主体背向所述第一引脚的一端。

6.如权利要求1所述的多层复合功率模块母排结构，其特征在于：所述第一针脚与所述第三针脚之间、以及所述第二针脚与所述第三针脚之间交替设置。

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