CN218449864U - 一种基于SiC器件的双向DCDC变换器*** - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***，包括主电路和控制***，所述主电路包括电容C12、电感L1、SiC模块V1、SiC模块V2和电容C13，所述电容C12并联有SiC模块V1，所述SiC模块V1并联有电容C13，所述电容C12与SiC模块V1之间串联有电感L1，所述SiC模块V1与电容C13之间串联有SiC模块V2。本实用新型，SiC功率器件具有阻断电压高、通态电阻低、开关损耗小、耐高温等优点，可实现开关频率提高至IGBT开关频率的几倍甚至几十倍，有效减小DCDC中斩波电抗器的体积、重量、噪声。
Description
技术领域
本实用新型涉及双向DCDC变换器技术领域，具体是一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***。
背景技术
在新能源汽车DCDC变换器应用中，常用的开关器件按其使用的半导体材料，主要分为两类：Si半导体材料为代表的IGBT开关器件与SiC半导体材料为代表的SiCMOSFET功率器件。SiC功率器件具有阻断电压高、通态电阻低、开关损耗小、耐高温等优点，可实现开关频率提高至IGBT开关频率的几倍甚至几十倍，有效减小DCDC中斩波电抗器的体积、重量、噪声；同时通态损耗、开关损耗的降低也可以进一步降低DCDC变换器散热板设计难度及尺寸重量，实现新能源汽车DCDC的小型化、轻量化、低噪化、高效率等，SiC功率器件未来在新能源汽车应用成为趋势。为此，我们提供一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***，以解决现有技术中的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***，包括主电路和控制***，所述主电路包括电容C12、电感L1、SiC模块V1、SiC模块V2和电容C13，所述电容C12并联有SiC模块V1，所述SiC模块V1并联有电容C13，所述电容C12与SiC模块V1之间串联有电感L1，所述SiC模块V1与电容C13之间串联有SiC模块V2。
优选的，所述控制***包括驱动电路、电流采样电路、温度传感器、电压采样电路和处理电路，所述电流采样电路的输出端与处理电路的输入端连接，所述处理电路的输出端与驱动电路的输入端连接，所述温度传感器的输出端以及电压采样电路的输出端均与处理电路的输入端连接。
优选的，所述处理电路采用MCU单元。
优选的，所述驱动电路采用PWM驱动。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：主电路1包括电容C12、电感L1、SiC模块V1、SiC模块V2和电容C13，电容C12并联有SiC模块V1，SiC模块V1并联有电容C13，电容C12与SiC模块V1之间串联有电感L1，SiC模块V1与电容C13之间串联有SiC模块V2；SiC功率器件具有阻断电压高、通态电阻低、开关损耗小、耐高温等优点，可实现开关频率提高至IGBT开关频率的几倍甚至几十倍，有效减小DCDC中斩波电抗器的体积、重量、噪声。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1是本实用新型的原理图；
图2是本实用新型的电路图。
图中：1、主电路；2、控制***；21、驱动电路；22、电流采样电路；23、温度传感器；24、电压采样电路；25、处理电路。
具体实施方式
为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2，本实用新型实施例中，一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***，包括主电路1和控制***2，所述主电路1包括电容C12、电感L1、SiC模块V1、SiC模块V2和电容C13，所述电容C12并联有SiC模块V1，所述SiC模块V1并联有电容C13，所述电容C12与SiC模块V1之间串联有电感L1，所述SiC模块V1与电容C13之间串联有SiC模块V2；所述控制***2包括驱动电路21、电流采样电路22、温度传感器23、电压采样电路24和处理电路25，所述电流采样电路22的输出端与处理电路25的输入端连接，所述处理电路25的输出端与驱动电路21的输入端连接，所述温度传感器23的输出端以及电压采样电路24的输出端均与处理电路25的输入端连接；所述处理电路25采用MCU单元；所述驱动电路21采用PWM驱动。
本实用新型的工作原理是：SiC功率器件具有阻断电压高、通态电阻低、开关损耗小、耐高温等优点，可实现开关频率提高至IGBT开关频率的几倍甚至几十倍，有效减小DCDC中斩波电抗器的体积、重量、噪声。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***，包括主电路(1)和控制***(2)，其特征在于：所述主电路(1)包括电容C12、电感L1、SiC模块V1、SiC模块V2和电容C13，所述电容C12并联有SiC模块V1，所述SiC模块V1并联有电容C13，所述电容C12与SiC模块V1之间串联有电感L1，所述SiC模块V1与电容C13之间串联有SiC模块V2。
2.根据权利要求1所述的一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***，其特征在于：所述控制***(2)包括驱动电路(21)、电流采样电路(22)、温度传感器(23)、电压采样电路(24)和处理电路(25)，所述电流采样电路(22)的输出端与处理电路(25)的输入端连接，所述处理电路(25)的输出端与驱动电路(21)的输入端连接，所述温度传感器(23)的输出端以及电压采样电路(24)的输出端均与处理电路(25)的输入端连接。
3.根据权利要求2所述的一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***，其特征在于：所述处理电路(25)采用MCU单元。
4.根据权利要求2所述的一种基于SiC器件的双向DCDC变换器***，其特征在于：所述驱动电路(21)采用PWM驱动。
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| CN202222612535.7U CN218449864U (zh) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 一种基于SiC器件的双向DCDC变换器*** |
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Publications (1)
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2022
- 2022-09-30 CN CN202222612535.7U patent/CN218449864U/zh active Active
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