CN218039105U - 包括感知气体泄漏的传感器部的基板处理*** - Google Patents
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Abstract
根据一个实施例的基板处理***,可包括:腔室部,其用于对基板进行高压处理工艺;门部,其关闭腔室部的开口部;密封部,其沿开口部的周围设置于腔室部及门部之间;传感器部,其包括沿密封部的周围设置的多个传感器;以及控制部,其感知多个传感器测量的测量值的变化,判断向腔室部内部供给的高压气体的泄漏。
Description
技术领域
下面的实施例涉及一种包括感知气体泄漏的传感器部的基板处理***。
背景技术
通常,半导体通过反复地进行平版印刷、蒸镀及蚀刻等一系列的工艺来制造。在构成这样的半导体的基板的表面,由于反复的工艺而残存诸如各种粒子、金属不纯物或有机物等污染物质。残存在基板上的污染物质使得制造的半导体的可靠度低下,因此,为了改善这样的情况,要求在半导体制造工艺中对基板进行清洗及干燥的工艺。
对基板进行清洗及/或干燥的装置通常在内部形成高压。因此,为了能忍受高压而使得腔室密闭很重要,此外,感知气体向外部泄漏并防止事故也很重要。现有技术使用的方式为,在高压腔室外部设置气体检出器,从而检出气体泄漏。但是,缺点在于,这样的外部检出器直至检出需要很长时间,难以即刻应对。此外,现有装置的问题在于,仅可检出大量的气体泄漏,泄漏量细微的情况难以感知。并且,实际工艺中由于密封部件或腔室的局部破损导致的细微的泄漏发生的情况,具有难以把握泄漏的正确的位置的缺点,存在难以实时确认的问题。由此,实情是要求能感知细微泄漏发生的传感器部及包括其的高压处理***。
前述的背景技术是发明人在导出本申请的公开内容的过程中拥有或掌握的,未必是在本申请之前向一般公众公开的公知技术。
实用新型内容
一个实施例的目的在于,提供一种基板处理***,包括可感知细微泄漏发生的传感器部。
一个实施例的目的在于,提供一种基板处理***,包括可把握泄漏的位置的传感器部。
根据一个实施例的基板处理***,可包括:腔室部,其用于对基板进行高压处理工艺;门部,其关闭腔室部的开口部;密封部,其沿开口部的周围设置于腔室部及门部之间;传感器部,其包括沿密封部的周围设置的多个传感器;以及控制部,其感知多个传感器测量的测量值的变化,判断向腔室部内部供给的高压气体的泄漏。
在多个传感器中至少任意一个传感器测量的测量值以其他传感器测量的测量值为基准脱离临界范围的情况,控制部可判断为高压气体泄漏。
多个传感器可在密封部的外侧沿密封部的周围方向以指定的间隔隔开配置。
控制部可将至少任意一个传感器的位置判断为高压气体的泄漏发生的位置。
如果控制部判断高压气体泄漏,则可发出警报或中止高压处理工艺。
传感器可包括温度传感器、湿度传感器、压力传感器及浓度传感器中至少任意一个。
传感器部还可包括附着有多个传感器的底垫。
控制部可实时感知在多个传感器测量的测量值的变化。
根据一个实施例的基板处理***,在局部及/或一时发生的细微的泄漏情况也可即刻地对其进行感知。
根据一个实施例的基板处理***,可容易地把握泄漏发生的位置,因此可进行快速的维修。
根据一个实施例的基板处理***的效果不限定于以上提及的效果,一般的技术人员可通过下面的记载明确地理解未提及的其他效果。
附图说明
图1是包括现有的气体检出器的现有的基板处理***的概略图。
图2是示出图1中泄漏发生的情况的概略图。
图3是根据一个实施例的基板处理***的正常状态概略图。
图4是根据一个实施例的传感器部感知的正常状态温度曲线图。
图5是根据一个实施例的基板处理***的泄漏状态概略图。
图6是根据一个实施例的传感器部感知的泄漏状态温度曲线图。
图7及图8是根据一个实施例的传感器设置于腔室部的状态的概略图。
具体实施方式
以下,参照附图对实施例进行详细的说明。但是,在实施例中可施加多种变形,因此专利申请的权利范围并不受这些实施例的限制或限定。应理解为,对实施例进行的所有变更、均等物乃至代替物都包括在权利范围内。
实施例中使用的术语仅仅以说明为目的而使用,不应解释为用于限定的意图。如果文句上没有明确的不同含义,单数的表达也包括复数的表达。本说明书中,“包括”或“具有”等术语是要指定说明书上记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或这些组合的存在,应理解为不预先排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、动作、构成要素、部件或这些组合的存在或附加可能性。
如果没有其他的定义,包括技术或者科学术语在内,在此使用的所有术语具有与实施例所属的技术领域内具有一般知识的技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在一般使用的词典中定义的术语,应解释为具有与相关技术的文句上具有的含义一致的含义,如果本申请中没有明确地定义,不解释为理想或过于形式上的含义。
此外,在参照附图进行说明时,与附图标号无关地,相同的构成要素赋予相同的参照标号,省略对此的重复的说明。在说明实施例时,判断对于相关的公知技术的具体说明可能会不必要地混淆实施例的要旨的情况,省略其详细的说明。
此外,在说明实施例的构成要素时,可使用第一、第二、A、B、(a)、(b)等术语。这些术语仅用于将其构成要素与其他的构成要素区别开来,相应构成要素的本质或次序或顺序等不受该术语的限定。记载某个构成要素与其他的构成要素“连接”、“结合”或“接合”的情况,该构成要素可以与其他的构成要素直接连接或接合,但应理解为也可以在各构成要素之间“连接”、“结合”或“接合”又其他的构成要素。
在某一个实施例中包括的构成要素和包括共同功能的构成要素,在其他实施例中使用相同的名称并进行说明。如果没有相反的记载,在某一个实施例记载的说明也可适用于其他实施例,在重复的范围内省略具体的说明。
图1是包括现有的气体检出器的现有的基板处理***的概略图。
参照图1及图2,现有的基板处理***900可包括***空间910、基板处理装置920及气体检出器930。基板处理装置920及气体检出器930可配置于***空间910。即,气体检出器930可设置于基板处理装置920的外部。在基板处理装置920的内部,借助高压气体可形成高压。另外,如图2所示,未准确地形成密闭的情况,可能会产生气体向外部泄漏的现象。在这样的情况下,问题在于,由于现有气体检出器930设置于基板处理装置920的外部,因此在检出气体泄漏时需要很长时间,仅可判断泄漏与否,无法准确地判断泄漏发生的位置。此外,问题在于,泄漏的量细微的情况,气体检出器930无法对此进行感知。
图3是根据一个实施例的基板处理***的正常状态概略图。图4是根据一个实施例的传感器部感知的正常状态温度曲线图。图5是根据一个实施例的基板处理***的泄漏状态概略图。图6是根据一个实施例的传感器部感知的泄漏状态温度曲线图。图7及图8是根据一个实施例的传感器设置于腔室部的状态的概略图。
参照图3至图8,根据一个实施例的基板处理***100可执行处理基板的工艺。例如,基板处理***100可执行利用高压气体来处理基板的工艺。基板处理工艺可以是包括基板清洗工艺及干燥工艺的概念。
根据一个实施例的基板处理***100,可感知局部、一时发生的细微泄漏,可防止因发生泄漏导致的工艺错误,并进行快速的维修引导。
根据一个实施例的基板处理***100,可包括腔室部110、门部120、密封部130、传感器部140及控制部150。
腔室部110可在内部形成处理空间。腔室部110在一侧形成有开口部111,通过开口部111可装载及卸载基板。在腔室部110可执行高压处理工艺(例如,初临界处理工艺)。例如,如图7所示,腔室部110截面可形成为四边形,或如图8所示,截面也可形成为圆形。但这是例示,腔室部110的形状不限定于此。
门部120可关闭腔室部110的开口部111。门部120可借助驱动部(未示出)驱动,以便使得腔室部110的开口部111开放及关闭。门部120可形成为与腔室部110的开口部111对应的形状。
密封部130可使得腔室部110及门部120之间密闭。密封部130可沿开口部111的周围设置于腔室部110及门部120之间。即,如图7及图8所示,密封部130可在开口部111的外侧沿开口部111的周围方向设置。密封部130可设置于腔室部110及/或门部120。在图7及图8示出密封部130设置于腔室部110,但这是例示,密封部130也可设置于门部120。
传感器部140可设置于密封部130的周边。传感器部140可包括沿密封部130的周围设置的多个传感器141。例如,参照图7及图8,多个传感器141可在密封部130的外侧沿密封部130的周围方向以指定的间隔隔开配置。优选地,多个传感器141以与密封部130邻接的形式设置。各个传感器141在设置有各传感器141的区域可进行实时测量。多个传感器141分别运转,可将测量值传送至控制部150。传感器141可感知泄漏发生时一时变化的内/外部氛围。例如,传感器141可包括温度传感器、湿度传感器、压力传感器及浓度传感器中至少任意一个。但这是例示,传感器141的种类不限定于此,可包括可实时检出且在气体泄漏时数值可变化的所有传感器。另外,传感器部140也可包括附着有多个传感器141的底垫(未示出)。例如,多个传感器141附着于底垫,作为一个模块,可设置于腔室部110或门部120。优选地,底垫形成为与开口部111对应的形状。
控制部150感知多个传感器141测量的测量值的变化,可判断向腔室部110内部供给的高压气体的泄漏。例如,在多个传感器141中至少任意一个传感器(例如:141a)测量的测量值以剩余传感器(例如:141b)测量的测量值为基准脱离临界范围的情况,控制部150可判断为高压气体泄漏。控制部150的这样的感知可实时执行。
具体地,参照图3及图4,在未发生泄漏的正常状态的情况,多个传感器141a、141b检出的测量值可能会出现在一定范围内。例如,如图3所示,第一传感器141a及第二传感器141b测量的温度以80度为基准可能会出现在规定误差范围内。参照图5及图6,发生泄漏的情况,在多个传感器141a、141b中至少任意一个的传感器141a的测量值可能一时急剧地变化。例如,气体的泄漏在与第一传感器141a邻接的地方发生时,第一传感器141a测量值可实时急剧地变化。例如,参照图6,可确认在第一传感器141a中温度从80度急剧地下降至误差范围以上。如图6所示,当特定传感器(例如:141a)的测量值与剩余传感器(例如:141b)的测量值比较时,脱离临界范围的情况,控制部150可判断为泄漏发生。测量值急剧地变化的基准,即临界范围可考虑测量值的数值、倾斜度及图案中至少任意一个来设定。此外,临界范围可匹配传感器141的种类及气体的压力、温度条件等来设定。
根据这样的构成,控制部150实时监控从多个传感器141传递的测量值,因此仅可通过特定测量值是否实时急剧地变化而迅速地判断气体的泄漏与否。此外,由于多个传感器141沿密封部130的周围按区域配置,因此控制部150可将出现测量值变化的传感器(例如:141a)所设置的位置判断为泄漏发生的位置。例如,如图6所示的情况,第一传感器141a的测量值发生了急剧地变化,因此控制部150可判断与第一传感器141邻接的地方发生泄漏。控制部150判断为发生泄漏的情况,可发出警报或停止高压处理工艺。警报中可包括关于泄漏位置的信息。因此,作业者可迅速地把握泄漏位置,因此可进行迅速的维修。
此外,温度传感器、湿度传感器、压力传感器及浓度传感器等传感器141与现有的气体检出器(例如,图1及图2的气体检出器930)相比尺寸小,因此可适合设置于腔室部110和门部120之间。此外,由于传感器141敏感地反映,因此即使泄漏量细微的情况测量值也会发生变化,因此优点在于,细微的泄漏也可检出。
如上虽然通过限定的附图说明了实施例,但对于在该技术领域内具有一般的知识的人员而言,以所述内容为基础可适用各种技术性修正及变形。例如,通过与说明的方法不同的顺序执行说明的技术,及/或以与说明的方法不同的形态结合或组合说明的***、结构、装置、电路等构成要素,或通过其他的构成要素或均等物代替或置换也可实现适当的结果。
因此,其他的实现、其他的实施例及与权利要求书均等的事项也属于权利要求书的范围。
Claims (8)
1.一种基板处理***,其特征在于,包括:
腔室部,其用于对基板进行高压处理工艺;
门部,其关闭腔室部的开口部;
密封部,其沿开口部的边缘设置于腔室部及门部之间;
传感器部,其包括沿密封部的边缘设置的多个传感器;以及
控制部,其感知多个传感器测量的测量值的变化,判断向腔室部内部供给的高压气体的泄漏。
2.根据权利要求1所述的基板处理***,其特征在于,
在多个传感器中至少任意一个传感器测量的测量值以其余传感器测量的测量值为基准超出临界范围的情况,控制部判断为高压气体泄漏。
3.根据权利要求2所述的基板处理***,其特征在于,
多个传感器在密封部的外侧沿密封部的周围方向以指定的间隔隔开配置。
4.根据权利要求3所述的基板处理***,其特征在于,
控制部将至少任意一个传感器的位置判断为高压气体的泄漏发生的位置。
5.根据权利要求2所述的基板处理***,其特征在于,
如果控制部判断高压气体泄漏,则发出警报或中止高压处理工艺。
6.根据权利要求1所述的基板处理***,其特征在于,
传感器包括温度传感器、湿度传感器、压力传感器及浓度传感器中至少任意一个。
7.根据权利要求1所述的基板处理***,其特征在于,
传感器部还包括附着有多个传感器的底垫。
8.根据权利要求1所述的基板处理***,其特征在于,
控制部实时感知多个传感器测量的测量值的变化。
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