CN217846491U - 一种铝电解容器的检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种铝电解容器的检测电路,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6,电容C1、C2,稳压二极管Z,场效应晶体管MOS以及运算放大器OA,通过电阻R1、R2可以对待检测的电解容器C的电压进行采用,运算放大器OA对该采样电压进行运算比较后进而可以准确测量待检测的电解容器C的电压和电流变化,根据该电压和电流的变化情况可以快速精准地排查旅店容器存在的隐藏内损问题,整体结构简单。
Description
技术领域
本实用新型涉及铝电解容器检测的技术领域,具体涉及一种铝电解容器的检测电路。
背景技术
铝电解电容器在开关电源、焊接设备等应用相当广泛,在电路中主要起滤波作用,铝电解容器在生产加工的过程中有机会产生缺陷,这些缺陷将影响产品的使用质量,因此需要在出厂前对其进行检测,现有的正度铝电解容器的检测电路存在精度不足,结构复杂的缺点。
因此,需要进一步改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术存在的不足,而提供一种铝电解容器的检测电路,旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一。
本实用新型的目的是这样实现的:
一种铝电解容器的检测电路,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6,电容C1、C2,稳压二极管Z,场效应晶体管MOS以及运算放大器OA。
所述电阻R1的上端分别与电容C1的上端、电阻R3的左右以及待检测的电解容器C的上端电性连接。
所述电阻R2的上端与电阻R1的下端电性连接,电阻R2的下端分别与电容C1的下端、稳压二极管Z的正极、电阻R4的下端以及待检测的电解容器C的下端电性连接,电阻R3的右端与电容C2的上端电性连接。
所述稳压二极管Z的负极分别与电容C2的下端、电阻R4的上端以及场效应晶体管MOS的漏极电性连接。
所述场效应晶体管MOS的源极分别与电阻R5的下端、电阻R6的右端电性连接,电阻R5的上端接地,电阻R6的左端与运算放大器OA的反相输入端电性连接,运算放大器OA的输出端与场效应晶体管MOS的栅极电性连接。
本实用新型的有益效果是:
通过电阻R1、R2可以对待检测的电解容器C的电压进行采用,运算放大器OA对该采样电压进行运算比较后进而可以准确测量待检测的电解容器C的电压和电流变化,根据该电压和电流的变化情况可以快速精准地排查旅店容器存在的隐藏内损问题,整体结构简单。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
图1为本实用新型实施例的电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述。
参见图1,本铝电解容器的检测电路,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6,电容C1、C2,稳压二极管Z,场效应晶体管MOS以及运算放大器OA,通过电阻R1、R2可以对待检测的电解容器C的电压进行采用,运算放大器OA对该采样电压进行运算比较后进而可以准确测量待检测的电解容器C的电压和电流变化,根据该电压和电流的变化情况可以快速精准地排查旅店容器存在的隐藏内损问题,整体结构简单。
电阻R1的上端分别与电容C1的上端、电阻R3的左右以及待检测的电解容器C的上端电性连接。
电阻R2的上端与电阻R1的下端电性连接,电阻R2的下端分别与电容C1的下端、稳压二极管Z的正极、电阻R4的下端以及待检测的电解容器C的下端电性连接,电阻R3的右端与电容C2的上端电性连接。
稳压二极管Z的负极分别与电容C2的下端、电阻R4的上端以及场效应晶体管MOS的漏极电性连接。
场效应晶体管MOS的源极分别与电阻R5的下端、电阻R6的右端电性连接,电阻R5的上端接地,电阻R6的左端与运算放大器OA的反相输入端电性连接,运算放大器OA的输出端与场效应晶体管MOS的栅极电性连接。
待检测的电解容器C两端电压稳定时,电阻R1、R2进行电压采样,由于电容C2的存在,直流不能通过,场效应晶体管MOS的漏极不能检测到电压信号。当检测的电解容器C发生内爆时,检测的电解容器C两端的直流电压发生突变,R3、C2、R4串联,此时由于检测的电解容器C电压突变,C2能够通过突变的电压,使R4两端存在电压,稳压二极管Z此时可以防止突变电压过高损坏场效应晶体管MOS。电阻R1、R2的采样电压与运算放大器OA输入端的基准电压进行运算比较得到场效应晶体管MOS的控制电流,从而可以准确测量待检测的电解容器C的电流和电压变化,根据该电流电压变化的情况可以快速精准地排查旅店容器存在的隐藏内损问题。
上述实施例只是本实用新型的优选方案,本实用新型还可有其他实施方案。本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出等同变形或替换,这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所设定的范围内。
Claims (1)
1.一种铝电解容器的检测电路,其特征在于,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6,电容C1、C2,稳压二极管Z,场效应晶体管MOS以及运算放大器OA;
所述电阻R1的上端分别与电容C1的上端、电阻R3的左右以及待检测的电解容器C的上端电性连接;
所述电阻R2的上端与电阻R1的下端电性连接,电阻R2的下端分别与电容C1的下端、稳压二极管Z的正极、电阻R4的下端以及待检测的电解容器C的下端电性连接,电阻R3的右端与电容C2的上端电性连接;
所述稳压二极管Z的负极分别与电容C2的下端、电阻R4的上端以及场效应晶体管MOS的漏极电性连接;
所述场效应晶体管MOS的源极分别与电阻R5的下端、电阻R6的右端电性连接,电阻R5的上端接地,电阻R6的左端与运算放大器OA的反相输入端电性连接,所述运算放大器OA的输出端与场效应晶体管MOS的栅极电性连接。
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CN202221637619.XU CN217846491U (zh) | 2022-06-27 | 2022-06-27 | 一种铝电解容器的检测电路 |
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CN202221637619.XU Active CN217846491U (zh) | 2022-06-27 | 2022-06-27 | 一种铝电解容器的检测电路 |
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2022
- 2022-06-27 CN CN202221637619.XU patent/CN217846491U/zh active Active
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