CN217820838U - 一种激光雷达发射*** - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种激光雷达发射***，其中，该激光雷达发射***包括：光源***、MEMS振镜和超表面调制器；光源***出射的光束是线性排布的光束阵列；MEMS振镜设置于光源的出光侧，用于将光源出射的光束反射出去；超表面调制器设置于MEMS振镜的出光侧，用于将MEMS振镜所反射光束的角度扩大并向目标投射。通过本实用新型实施例提供的激光雷达发射***，无需使用多片光学透镜，而是采用一片超表面调制器作为扩大光束扫描范围的装置，能够同时满足紧凑、轻便、高性能和低成本等要求，使得包含该超表面调制器的激光雷达发射***可以满足小型化、轻量化、简洁化和低成本的发展趋势。

Description

一种激光雷达发射***

技术领域

本实用新型涉及超表面应用技术领域，具体而言，涉及一种激光雷达发射***。

背景技术

目前的半固态激光雷达主要基于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电***)振镜将光束激光光束进行反射并实现扫描，对于发射***而言，MEMS振镜偏转角度有限，导致扫描角度较小，限制扫描视场的范围，一般无法满足用于智能驾驶激光雷达的视场角需求，因此需要加入光学扩束结构，以满足车载激光雷达视场角的需求。

现有的非均匀扩束光学***一般包括至少两片光学透镜，其很难同时满足紧凑、轻便、高性能和低成本等要求，使包含其的激光雷达难以满足小型化、轻量化、简洁化和低成本的发展趋势。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型实施例的目的在于提供角度可调超表面及发射***。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种激光雷达发射***，包括：光源***、MEMS振镜和超表面调制器；所述光源***出射的光束是线性排布的光束阵列；所述MEMS振镜设置于所述光源***的出光侧，用于将所述光源***出射的光束反射出去；所述超表面调制器设置于所述MEMS振镜的出光侧，用于将所述MEMS振镜所反射光束的角度扩大或缩小，并向目标投射。

可选地，超表面调制器包括：基底、纳米结构、相变材料层、第一电极层以及第二电极层；所述基底的一侧设置有多个所述纳米结构，所述第一电极层填充于所述纳米结构的周围，所述第一电极层的高度低于所述纳米结构的高度；所述相变材料层设置在所述第一电极层远离所述基底的一侧，且填充于所述纳米结构的周围，所述第一电极层与所述相变材料层的高度之和大于或等于所述纳米结构的高度；所述第二电极层设置于所述相变材料层远离所述基底的一侧；所述第一电极层和所述第二电极层用于对所述相变材料层加载电压；所述相变材料层能够根据所加载的电压改变所述超表面调制器的相位。

可选地，超表面调制器的数量为多个，且多个所述超表面调制器共面；每个所述超表面调制器分别根据其所对应的第一电极层和第二电极层在相应的相变材料层上所加载的电压，相应地改变所述超表面调制器的相位。

可选地，MEMS振镜反射的光束阵列中的光束与每个所述超表面调制器一一对应。

可选地，超表面调制器中的所述基底、所述相变材料层、所述第一电极层以及所述第二电极层在工作波段透明。

可选地，超表面调制器还包括反射层；所述反射层设置于所述基底与所述纳米结构之间；所述反射层能够将射入所述反射层表面的光束反射出去；且所述相变材料层、所述第一电极层以及所述第二电极层在工作波段透明。

可选地，相变材料层使用的相变材料为锗锑碲。

可选地，第一电极层与所述第二电极层为氧化铟锡。

可选地，光源***包括垂直腔体激光器。

可选地，光源***包括垂直腔体激光器和准直超透镜。

可选地，MEMS振镜在垂直于其所反射的线性光束的方向上实现一维扫描。

本实用新型实施例上述第一方面提供的方案中，不同于传统的非均匀扩束光学***，无需使用多片光学透镜，而是采用一片超表面调制器3作为扩大光束扫描范围的装置，能够同时满足紧凑、轻便、高性能和低成本等要求，使得包含该超表面调制器3的激光雷达发射***可以满足小型化、轻量化、简洁化和低成本的发展趋势。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本实用新型实施例所提供的一种激光雷达发射***的示意图；

图2示出了本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，一种超表面调制器的结构示意图；

图3示出了本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，一种超表面调制器的调制结果示意图；

图4示出了本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，粗略扫描的示意图；

图5示出了本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，精细扫描的示意图；

图6示出了本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，超表面调制器为多个所对应的调制结果的示意图；

图7示出了本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，在不同投射位置对应不同疏密程度的扫描光束的示意图；

图8示出了本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，超表面调制器为多个的示意图；

图9示出了本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，另一种超表面调制器的调制结果示意图；

图10示出了本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，采用反射式的超表面调制器的示意图。

图标：

1-光源***、2-MEMS振镜、3-超表面调制器、31-基底、32-纳米结构、33-相变材料层、34第一电极层、35-第二电极层、36-反射层。

具体实施方式

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

本实用新型实施例提供了一种激光雷达发射***，参见图1所示，包括：光源***1、MEMS振镜2和超表面调制器3。

如图1所示，光源***1出射的光束是线性排布的光束阵列；MEMS振镜2设置于光源***1的出光侧，用于将光源***1出射的光束反射出去；超表面调制器3设置于MEMS振镜2的出光侧，用于将MEMS振镜2所反射光束的角度扩大或缩小，并向目标投射。图1中以多条平行实线表示光源***1所发出的激光光束，且图1中以平行四边形表示目标(如待扫描的区域)。

在本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，由光源***1所发射的激光光束是以线性方式排布的多束激光阵列。可选地，光源***1包括垂直腔体激光器阵列。其中，垂直腔体激光器是一种半导体激光器，其所发射的激光垂直于集成电路的顶面射出，而采用垂直腔体激光器作为光源***1与传统采用边发射激光器作为光源相比具有许多优势。例如，采用该垂直腔体激光器作为光源***1时，出光方向垂直衬底，可以很容易地实现高密度阵列的集成，能够实现更高功率输出，使得本发明实施例所使用的光源***1出光效果更好。光源***1也可以包括单个垂直腔体激光器和准直超透镜，准直超透镜对激光器发出的光束准直之后平行出射到MEMS振镜上。

其中，当该线性排布的激光光束阵列射入位于该光源***1出光侧位置的MEMS振镜2时，该MEMS振镜2可以将该线性排布的光束阵列反射至位于该MEMS振镜2出光侧位置处的超表面调制器3中。其中，MEMS振镜2可以通过静电驱动等方式进行转动，例如，该MEMS振镜2可以沿图1中箭头所指的方向转动，以用于将线性光束射向超表面调制器3。可选地，MEMS振镜2在垂直于其所反射的线性光束的方向上实现一维扫描。通过MEMS振镜2的转动，可以使该激光雷达发射***所射出的线性光束阵列，以与该线性光束阵列相垂直的方向进行扫描，例如，该MEMS振镜2可以使该激光雷达发射***所射出的、垂直排布的线性光束阵列，沿图1中x方向进行横向往复平扫(一维扫描，如以“线”扫“面”)。其中，在该线性光束阵列经该超表面调制器3的调制之后，其出射角度可以被扩大或缩小；在目标与该激光雷达发射***之间的相对距离恒定不变的情况下，使最终投射在目标表面的线性光束阵列中的相邻两条光束之间的间距(如图1平行于x方向上的每条激光光束之间的间隔)能够被扩大或缩小。

本实用新型实施例不同于传统的非均匀扩束光学***，无需使用多片光学透镜，而是采用一片超表面调制器3作为扩大或缩小光束出射角度的装置，实现扩大扫描范围或精细扫描的目的，能够同时满足紧凑、轻便、高性能和低成本等要求，使得包含该超表面调制器3的激光雷达发射***可以满足小型化、轻量化、简洁化和低成本的发展趋势。

目前，现有的非均匀扩束***在设计好之后不能自由地改变角度扩大倍率，从而不能改变所射出的线性光束阵列之间的间隙，使其在不同区域的扫描分辨率为固定值，最终导致在实际应用中，这种非均匀扩束光学***对扫描激光的利用率较低。例如，当需要对环境中距离较近的人物和距离较远的建筑同时进行扫描时，由于该非均匀扩束光学***所扩大的出射角度无法改变，可能会使更多的光束投射在扫描需求相对不高的远处建筑上，而使近处更需要被精细扫描的人物无法被投射更多扫描激光，导致扫描激光的浪费。

为解决该问题，可选地，参见图2所示，超表面调制器3包括：基底31、纳米结构32、相变材料层33、第一电极层34以及第二电极层35；基底31的一侧设置有多个纳米结构32，第一电极层34填充于纳米结构32的周围，第一电极层34的高度低于纳米结构32的高度；相变材料层33设置在第一电极层34远离基底31的一侧，且填充于纳米结构32的周围，第一电极层34与相变材料层33的高度之和大于或等于纳米结构32的高度；第二电极层35设置于相变材料层33远离基底31的一侧；第一电极层34和第二电极层35用于对相变材料层33加载电压；相变材料层33能够根据所加载的电压改变超表面调制器3的相位。

其中，该超表面调制器3的基底31可以选用石英玻璃、冕牌玻璃、火石玻璃等，在该超表面调制器3的基底31的一侧(图2所示为基底31的上侧)设置有多个纳米结构32，这些纳米结构32可以是高度统一的纳米结构，当这些纳米结构32为偏振相关的结构时，如纳米鳍和纳米椭圆柱等结构，其可以对入射光施加一个几何相位；当这些纳米结构32为偏振无关结构时，如纳米圆柱和纳米方柱等结构，其可以对入射光施加一个传播相位；并且，这些纳米结构32可以为全介质结构单元，在可见光波段具有高透过率，可选的材料包括：氧化钛、氮化硅、熔融石英、氧化铝、氮化镓、磷化镓、非晶硅、晶体硅和氢化非晶硅等。在该超表面调制器3所具有的多个纳米结构32的周围(如两个纳米结构之间的间隙)填充有第一电极层34，该第一电极层34的高度比每个纳米结构32的高度要低，例如，该第一电极层34的高度可以是纳米结构32高度的二分之一。在该第一电极层34远离基底31的一侧(如图2所示第一电极层34的上侧)，填充有相变材料层33，该相变材料层33与第一电极层34一样，也是填充在多个纳米结构32的周围，其高度与第一电极层34的高度相加所得到的高度之和可以大于该纳米结构32的高度，或者，该高度之和也可以等于该纳米结构32的高度；如2所示，该相变材料层33的上表面不低于纳米结构32的上表面，以避免纳米结构32接触到第二电极层35。在该相变材料层33远离基底31的一侧(如图2所示相变材料层33的上侧)设置有第二电极层35，该第二电极层35与第一电极层34分别位于该相变材料层33的两侧，用于对该相变材料层33施加电压，其中，该相变材料层33在接收到第一电极层34与第二电极层35所施加的电压后，相变材料层33的相变状态会发生改变，从而可以使超表面调制器3的相位发生改变。本实用新型实施例中，第一电极层34可以是正电极层、第二电极层35可以是负电极层；或者，第一电极层34可以是负电极层、第二电极层35可以是正电极层，本实用新型实施例对此不做限定。

参见图3所示，当该超表面调制器3的相位发生变化时，经过该超表面调制器3所射出的光束的出射角度也会产生相应地变化。例如，图3中以θ_i射入该超表面调制器3的光束，在所接受的电压为V₁的情况下，其射出该超表面调制器3的出射角度为θ_o；当施加在该超表面调制器3的电压变为V₂时，其射出该超表面调制器3的出射角度相应地变化为θ_o′，进而使由该超表面调制器3射出的光束的角度改变。其中，当投射在目标上的线性光束阵列之间的间距越大，该激光雷达发射***的扫描分辨率就越低，对应粗略扫描(如图4所示)；相反地，在目标与该激光雷达发射***之间的相对距离恒定不变的情况下，当投射在目标上的线性光束阵列之间的间距越小，该激光雷达发射***的扫描分辨率也就越高，对应精细扫描(如图5所示)。因此，本实用新型实施例可以通过控制电压，达到改变该超表面调制器3所射出光束的出射角度，使该激光雷达发射***的扫描分辨率不再是固定值。

本实用新型实施例所使用的超表面调制器3不仅包含有基底31和纳米结构32，还针对性地选取了相变材料层33作为填充材料填充于该纳米结构32的周围，利用了该相变材料层33在受到电压的影响后能够相应地改变相变状态的特质，从而改变该超表面调制器的相位，采用第一电极层34与第二电极层35对填充在纳米结构32周围的相变材料层33施加一定的电压，当该相变材料层33接收到电压时，该相变材料层33即可改变该超表面调制器3的相位，此时的相位与未施加电压时的相位不同，使得射入该超表面调制器3的光束能够根据电压的变化改变射出光束的出射角度，并改变扫描分辨率；故采用该超表面调制器3的激光雷达发射***可以自由且稳定地转换其所投射的光束的出射角度的大小，进而可以自由地控制该激光雷达发射***的扫描分辨率。

可选地，参见图6所示，超表面调制器3的数量为多个，且多个超表面调制器3共面；每个超表面调制器3分别根据其所对应的第一电极层34和第二电极层35在相应的相变材料层33上所加载的电压，相应地改变超表面调制器3的相位。

如图6所示，在本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，可以在同一平面并排设置多个超表面调制器3，令这些超表面调制器3作为一个整体。虽然多个超表面调制器3并列摆放或者拼接形成一整体结构，但每个超表面调制器3都是可以自由调控的独立单元，例如，每个超表面调制器3分别对应一组专门控制该超表面调制器3的电极层(第一电极层34和第二电极层35)，并可以通过改变每个超表面调制器3所对应的两个电极层，改变每个超表面调制器3所分别对应的相变材料层33的相变状态，从而达到独立控制每个超表面调制器3的目的；令经过多个超表面控制器3最终所投射至目标的线性光束阵列，在不同投射位置可以具有不同疏密程度(参见图7所示，中间精细扫描，上下两端粗略扫描)，进而实现在不同位置能够获得不同的扫描分辨率的功能。

例如，参见图6所示，在独立控制4个超表面调制器3各自所对应的两个电极层，以分别向各自所对应的相变材料层33施加V₁、V₂、V₃和V₄大小的电压的情况下，每个超表面调制器3最终射出的光束的出射角度各不相同。如图6中由左至右依次为施加电压分别是V₁、V₂、V₃和V₄的超表面调制器3。在该图6中，实线表示每个超表面调制器3实际所对应的入射光与出射光的光路；为了使该图能更加清楚的表示不同电压作用下的超表面调制器3可以对应不同的光束的出射角度，在电压分别改变为V₂、V₃和V₄的这3个超表面调制器3上以虚线表示所施加电压为V₁的超表面调制器3的出射光线的光路，以将其分别与这3个超表面调制器3实际所射出的光束的光路进行对比。其中，可以参见图8所示，图8为采用多个超表面调制器3的激光雷达发射***在实际应用中的示意图；如图8所示，当需要对环境中距离较近的人物和距离较远的建筑同时进行扫描时，可以分别控制两个超表面调制器3所接收的电压，将两个超表面调制器3的相位分别进行改变，使得经由这两个超表面调制器3所射出的光束，可以分别投射至距离较近的人物和距离较远的建筑上，对于近处需要精细扫描的目标(如图8中人物)，控制其中一个超表面调制器3的电压，以选用较小的光束间隔对该人物进行精细扫描；对于边缘视场(如图8中建筑)，控制另一个超表面调制器3的电压，选用较大的光束间隔该建筑进行粗略扫描，从而达到针对性扫描的目的。

本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***，由于采用了多个超表面调制器3共面拼接的方式，使得可以独立调控每个超表面调制器3，以实现将线性光束阵列投射在目标表面时，可以有针对性的改变光束投射在不同位置处的疏密程度，即针对不同区域扩展不同的扫描范围，以获得不同的扫描分辨率，进而在投入最小算力的情况下得到分辨率高的目标物体信息，避免扫描激光的浪费。

可选地，MEMS振镜2反射的光束阵列中的光束与每个超表面调制器一一对应。

其中，可以使MEMS振镜2所发射的线性光束的阵列中的每一条光束分别射向每个超表面调制器3，例如，在光源***1所发射的线性光束为8线的情况下，可以在该激光雷达发射***中设置8个并排相连的超表面调制器3，使得每个超表面调制器3可以分别对MEMS振镜2所射出的8线光束中的1线进行调制，并向不同位置处的目标射出。

可选地，超表面调制器3中的基底31、相变材料层33、第一电极层34以及第二电极层35在工作波段透明。

在本实用新型实施例中，超表面调制器3中的基底31、相变材料层33、第一电极层34以及第二电极层35为在工作波段透明的结构层，即上述各结构层对工作波段的光线具有高透过率，其中，上述各结构层的工作波段是该超表面调制器3所需调制的光束所对应的工作波段，例如，红外光对应的波段。如图3所示，在该基底31、相变材料层33、第一电极层34以及第二电极层35为在工作波段透明的情况下，该超表面调制器3为透射式的超表面调制器3，其可以将射入其中的线性光束阵列(如图3中由该基底31的下侧以θ_i射入的光束)以扩大后的出射角度透射出去(如图3所示从基底12的上侧以θ_o或θ_o′射出)。此外，还可以参见图1所示，图1中示出了采用能够将光束进行透射的超表面调制器3的激光雷达发射***的示意图。

可选地，参见图9所示，超表面调制器3还包括反射层36；反射层36设置于基底31与纳米结构32之间；反射层36能够将射入反射层36表面的光束反射出去；且相变材料层33、第一电极层34以及第二电极层35在工作波段透明。

在本实用新型实施例中，可以在超表面调制器3中基底31的一侧先生长一层反射层36，再在该反射层36远离该基底31的一侧生长多个纳米结构32，并于该反射层36生长纳米结构32的一侧，依次填充在工作波段透明的第一电极层34、相变材料层33以及第二电极层35，以得到能够将射入其中的线性光束阵列进行反射的反射式的超表面调制器3。如图9所示，该反射式的超表面调制器3可以将以θ_i射入该反射层36的光束(如图9中由远离基底31的一侧以θ_i射入至反射层36的光束)在电压分别为V₁或V₂的情况下，以θ_r或θ_r′反射(如图9所示从该反射层36表面向远离基底31的一侧射出)；并且，采用该反射式的超表面调制器3的激光雷达发射***的示意图可以参见图10所示。

本实用新型实施例分别提供的具有透射式的超表面调制器3的激光雷达发射***，与具有反射式的超表面调制器3的激光雷达发射***，可以根据不同的安装的环境与实际需求选取使用，其应用场景更为广泛。

可选地，相变材料层33使用的相变材料为锗锑碲。

其中，相变材料层33所选用的相变材料可以是锗锑碲(GST，GeSbTe)，例如，Ge₂Sb₂Te₅。GST具有实现相变能量要求低、相变可逆等特点，在不同的电压下GST可以实现晶态相和非晶态相间的可逆相变，从而实现对激光雷达发射***中超表面调制器3的相位的调节。

可选地，第一电极层34与第二电极层35为氧化铟锡。

在本实用新型实施例所提供的激光雷达发射***中，在其超表面调制器3中用于作为第一电极层34与第二电极层25的材料可以是氧化铟锡(ITO，Indium tin oxide)，该材料是一种N型氧化物半导体，对红外波段透明；并且，其作为纳米铟锡金属氧化物可以具有很好的导电性，比较适用于制作成电极层填充或设置于本实用新型实施例的相变材料层33的两侧，用于对该相变材料层33施加电压。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换的技术方案，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种激光雷达发射***，其特征在于，包括：光源***(1)、MEMS振镜(2)和超表面调制器(3)；

所述光源***(1)出射的光束是线性排布的光束阵列；

所述MEMS振镜(2)设置于所述光源***(1)的出光侧，用于将所述光源***(1)出射的光束反射出去；

所述超表面调制器(3)设置于所述MEMS振镜(2)的出光侧，用于将所述MEMS振镜(2)所反射光束的角度扩大或缩小，并向目标投射。

2.根据权利要求1所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述超表面调制器(3)包括：基底(31)、纳米结构(32)、相变材料层(33)、第一电极层(34)以及第二电极层(35)；

所述基底(31)的一侧设置有多个所述纳米结构(32)，所述第一电极层(34)填充于所述纳米结构(32)的周围，所述第一电极层(34)的高度低于所述纳米结构(32)的高度；所述相变材料层(33)设置在所述第一电极层(34)远离所述基底(31)的一侧，且填充于所述纳米结构(32)的周围，所述第一电极层(34)与所述相变材料层(33)的高度之和大于或等于所述纳米结构(32)的高度；所述第二电极层(35)设置于所述相变材料层(33)远离所述基底(31)的一侧；

所述第一电极层(34)和所述第二电极层(35)用于对所述相变材料层(33)加载电压；所述相变材料层(33)能够根据所加载的电压改变所述超表面调制器(3)的相位。

3.根据权利要求2所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述超表面调制器(3)的数量为多个，且多个所述超表面调制器(3)共面；

每个所述超表面调制器(3)分别根据其所对应的第一电极层(34)和第二电极层(35)在相应的相变材料层(33)上所加载的电压，相应地改变所述超表面调制器(3)的相位。

4.根据权利要求3所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述MEMS振镜(2)反射的光束阵列中的光束与每个所述超表面调制器一一对应。

5.根据权利要求2或3所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述超表面调制器(3)中的所述基底(31)、所述相变材料层(33)、所述第一电极层(34)以及所述第二电极层(35)在工作波段透明。

6.根据权利要求2或3所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述超表面调制器(3)还包括反射层(36)；所述反射层(36)设置于所述基底(31)与所述纳米结构(32)之间；所述反射层(36)能够将射入所述反射层(36)表面的光束反射出去；且所述相变材料层(33)、所述第一电极层(34)以及所述第二电极层(35)在工作波段透明。

7.根据权利要求2或3所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述相变材料层(33)使用的相变材料为锗锑碲。

8.根据权利要求2或3所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述第一电极层(34)与所述第二电极层(35)为氧化铟锡。

9.根据权利要求1所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述光源***(1)包括垂直腔体激光器阵列。

10.根据权利要求1所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述光源***(1)包括垂直腔体激光器和准直超透镜。

11.根据权利要求1所述的激光雷达发射***，其特征在于，所述MEMS振镜(2)在垂直于其所反射的线性光束的方向上实现一维扫描。

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