CN217769455U - 一种过流保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种过流保护电路，包括输入端、输出端、第一电阻、第一控制电路、第二控制电路、连接端；第一控制电路通过连接端与第二控制电路连接；输入端与第一控制电路、第二控制电路连接；第一电阻与第一控制电路、第二控制电路连接；输出端与第二控制电路连接。本实用新型当第一电阻检测到输入电流过流，第一电阻影响第一控制电路使其导通，第一控制电路通过连接端影响第二控制电路，第二控制电路不导通，关闭电路输出，达到过流保护电路关断，在过流保护电路关断后不存在持续输出电流，从而解决传统过流保护中打嗝保护存在持续输出电流导致产生功耗大，发热严重的问题。

Description

一种过流保护电路

技术领域

本实用新型涉及保护电路，尤其涉及一种过流保护电路。

背景技术

日常生活中用电设备使用广泛，然而在用电设备的使用过程中，可能会因为设备电路自身原因或者负载原因造成电流过大。针对这样电流过大情况，一般是设置过流保护、过载保护等保护电路对用电设备进行保护，现有技术中的过流保护电路通常是在输出过流时采用打嗝保护，当输出过流变小时就恢复正常电压，但是由于打嗝保护在过流保护后还会持续存在输出电流，产生的功耗较大，发热严重。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种过流保护电路，解决传统过流保护电路中在过流保护后仍存在持续输出电流而产生功耗，发热严重的问题。

本实用新型提供一种过流保护电路，包括：输入端、输出端、第一电阻、第一控制电路、第二控制电路、连接端；

所述第一控制电路通过所述连接端与所述第二控制电路连接；

所述输入端与第一控制电路、第二控制电路连接，所述输入端用于提供第一控制电路、第二控制电路的供电电源；

所述第一电阻与第一控制电路、第二控制电路连接，所述第一电阻用于检测输入端提供至第一控制电路、第二控制电路的输入电流；

所述输出端与所述第二控制电路连接，所述输出端用于连接外部负载。

进一步的，第一控制电路包括：第一二极管、第一三极管、第一MOS管、第二三极管、晶闸管、第二电阻、第三电阻、第四电阻，第一电阻连接在第一三极管的基极和发射极之间，第二电阻的一端、第二三极管的集电极分别连接输入端，第二电阻串联第一二极管接地，第二三极管的基极连接在第二电阻和第一二极管之间，第二三极管的发射极通过第三电阻与晶闸管的阳极连接，第二三极管的发射极通过第四电阻与第一MOS管的漏极连接，晶闸管的阴极连接在第一MOS管的漏极与第四电阻之间，第一MOS管的栅极与第一三极管的集电极连接，所述连接端连接在第三电阻和晶闸管的阳极之间。

进一步的，第二控制电路包括：第二MOS管、第三MOS管、第五电阻、第六电阻，第二MOS管的源极接地，第二MOS管的漏极通过第六电阻与第三MOS管的栅极连接，第五电阻与第三MOS管的栅极和源极连接，第三MOS管的漏极与输出端连接，连接端与第二MOS管的栅极连接。

进一步的，第一控制电路还包括：第七电阻、第八电阻、第九电阻，第二三极管的发射极分别与第七电阻的一端、第八电阻的一端连接，第一三极管的集电极和第七电阻的另一端连接，第一三极管的基极连接在第八电阻的另一端和第九电阻的一端之间，第九电阻的另一端与第一电阻连接。

进一步的，第二控制电路还包括：第二二极管，第二二极管与第五电阻并联在第三MOS管的栅极和源极之间。

进一步的，第一三极管为NPN型三极管，第一MOS管为N沟道结型场效应管，第二三极管为NPN型三极管。

进一步的，第二MOS管为N沟道结型场效应管，第三MOS管为P沟道结型场效应管。

实施本实用新型实施例，将具有如下有益效果：

当第一电阻检测到输入电流过流，第一电阻影响第一控制电路使其导通，第一控制电路通过连接端影响第二控制电路，第二控制电路不导通，关闭电路输出，达到过流保护电路关断，在过流保护电路关断后不存在持续输出电流，从而解决传统过流保护中打嗝保护存在持续输出电流导致产生功耗大，发热严重的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种过流保护电路的原理框图；

图2为本实用新型实施例提供的一种过流保护电路的电路图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以容许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

在下文中，可在本公开的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所公开的功能、操作或元件的存在，并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。

在本公开的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，在不脱离本公开的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。

需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，本实用新型提供一种过流保护电路，包括输入端100、输出端102、第一电阻104、第一控制电路106、第二控制电路108、连接端110；

第一控制电路106通过连接端110与第二控制电路108连接；

输入端100与第一控制电路106、第二控制电路108连接，输入端100用于提供第一控制电路106、第二控制电路108的供电电源；

第一电阻104与第一控制电路106、第二控制电路108连接，第一电阻用于检测输入端100提供至第一控制电路106、第二控制电路108的输入电流；

输出端102与第二控制电路108连接，输出端102用于连接外部负载。

具体地，输入端100是指过温保护电路中连接外部电源的接口；输出端102是指过温保护电路中与外部负载连接的接口；连接端110是将第一控制电路106和第二控制电路108连接起来的器件，例如导线，通过导线将第一控制电路106和第二控制电路108连接。输入端100连接外部电源给第一控制电路106、第二控制电路108供电，引入输入电流；第一电阻104与第一控制电路106、第二控制电路108连接，第一控制电路106通过连接端110与第二控制电路108连接，输入电流经过第一电阻104，第一电阻104产生的电压影响第一控制电路106，第一控制电路106通过连接端110进而影响第二控制电路108，从而影响输出电流。产品正常工作时，第一电阻104产生的电压使第一控制电路106不导通，第一控制电路106不导通的信号通过连接端110传递至第二控制电路108，第二控制电路108根据第一控制电路106不导通的信号保持自身的导通，输出正常的电流；当输入电流过流时，电流经过第一电阻104，第一电阻104产生的电压足以使第一控制电路106导通，第一控制电路106通过连接端110传递至第二控制电路108，第二控制电路108根据第一控制电路106导通的信号调整，连接输出端102的第二控制电路108不导通，从而输出端102不输出电流，实现过流保护电路关断。

本实用新型实施例中，当第一电阻检测到输入电流过流，第一电阻影响第一控制电路使其导通，第一控制电路通过连接端影响第二控制电路，第二控制电路不导通，关闭电路输出，达到过流保护电路关断。在过流保护后不存在持续输出电流，从而解决传统过流保护中打嗝保护存在持续输出电流导致产生功耗大，发热严重的问题。

在一个实施例中，第一控制电路106包括：第一二极管D1、第一三极管Q1、第一MOS管Q2、第二三极管Q3、晶闸管SCR、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4，第一电阻104连接在第一三极管Q1的基极和发射极之间，第二电阻R2的一端、第二三极管Q3的集电极分别连接输入端100，第二电阻R2串联第一二极管D1接地，第二三极管Q3的基极连接在第二电阻R2和第一二极管D1之间，第二三极管Q3的发射极通过第三电阻R3与晶闸管的阳极连接，第二三极管Q3的发射极通过第四电阻R4与第一MOS管Q2的漏极连接，晶闸管SCR的阴极连接在第一MOS管Q2的漏极与第四电阻R4之间，第一MOS管Q2的栅极与第一三极管Q1的集电极连接，连接端110连接在第三电阻R3和晶闸管SCR的阳极之间。在本示例中，第一三极管Q1为NPN型三极管，第一MOS管Q2为N沟道结型场效应管，第二三极管Q3为NPN型三极管。

在一个实施例中，第二控制电路108包括：第二MOS管Q4、第三MOS管Q5、第五电阻R5、第六电阻R6，第二MOS管Q4的源极接地，第二MOS管Q4的漏极通过第六电阻R6与第三MOS管Q5的栅极连接，第五电阻R5与第三MOS管Q5的栅极和源极连接，第三MOS管Q5的漏极与输出端102连接，连接端110与第二MOS管Q4的栅极连接。在本示例中，第二MOS管Q4为N沟道结型场效应管，第三MOS管Q5为P沟道结型场效应管。

在本实施方式中，当输入电流在正常范围，产品正常工作时，输入电流经过第一电阻104，第一电阻104上产生的压降不足以导通第一三极管Q1,第一MOS管Q2栅极为高电平，第一MOS管Q2导通，晶闸管SCR驱动为低电平，则连接端110为高电平导通第二MOS管Q4，输入电压VIN在第五电阻R5、第六电阻R6上产生偏置电压，第三MOS管Q5导通，输入电压VIN通过第三MOS管Q5与地形成回路，输出端102连接外部负载例如产品，此时产品保持正常工作。

当输入电流过大，电路出现过流时，第一电阻104检测到过流的电流，第一电阻104上产生的压降能将第一三极管Q1导通，第一MOS管Q2栅极的电压由高电平转化为低电平，第一MOS管Q2被关断，线性供电(由第二电阻R2、第一二极管D1、第二三极管Q3组成)通过第四电阻R4给晶闸管SCR驱动电平，将晶闸管SCR导通，同时通过第三电阻R3给晶闸管SCR一个持续的电流，此时不管输入端100为任何电平，晶闸管SCR一直处于导通状态，连接端110传输的低电平信号使第二MOS管Q4关断，第三MOS管Q5的源极电压等于栅极电压，第三MOS管Q5关断，达到了过流关断输出的目的。并且即使输出端102过流消失，晶闸管SCR锁存的信号依旧保持为导通状态，只有当再次起机时，电路输出才恢复正常，产品重新工作。

在一个实施例中，第一控制电路106还包括：第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9，第二三极管Q3的发射极分别与第七电阻R7的一端、第八电阻R8的一端连接，第一三极管Q1的集电极和第七电阻R7的另一端连接，第一三极管Q1的基极连接在第八电阻R8的另一端和第九电阻R9的一端之间，第九电阻R9的另一端与第一电阻104连接。

其中，第七电阻R7作为限流电阻，当输入电流通过第七电阻R7流入第一三极管Q1，输入电流过大，第七电阻R7限流，第一三极管Q1能够保持正常工作。第八电阻R8、第九电阻R9作为电压补偿的电阻，降低输入电压的损失。

在一个实施例中，第二控制电路108还包括：第二二极管D2，第二二极管D2与第五电阻R5并联在第三MOS管Q5的栅极和源极之间。其中，第二二极管D2的目的是保护第三MOS管Q5不容易被输入电压击穿损坏。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (7)

1.一种过流保护电路，其特征在于，包括：输入端、输出端、第一电阻、第一控制电路、第二控制电路、连接端；

所述第一控制电路通过所述连接端与所述第二控制电路连接；

所述输入端与第一控制电路、第二控制电路连接，所述输入端用于提供第一控制电路、第二控制电路的供电电源；

所述第一电阻与第一控制电路、第二控制电路连接，所述第一电阻用于检测输入端提供至第一控制电路、第二控制电路的输入电流；

所述输出端与所述第二控制电路连接，所述输出端用于连接外部负载。

2.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第一控制电路包括：第一二极管、第一三极管、第一MOS管、第二三极管、晶闸管、第二电阻、第三电阻、第四电阻，所述第一电阻连接在所述第一三极管的基极和发射极之间，所述第二电阻的一端、所述第二三极管的集电极分别连接所述输入端，所述第二电阻串联所述第一二极管接地，所述第二三极管的基极连接在所述第二电阻和所述第一二极管之间，所述第二三极管的发射极通过所述第三电阻与所述晶闸管的阳极连接，所述第二三极管的发射极通过所述第四电阻与所述第一MOS管的漏极连接，所述晶闸管的阴极连接在所述第一MOS管的漏极与所述第四电阻之间，所述第一MOS管的栅极与所述第一三极管的集电极连接，所述连接端连接在所述第三电阻和所述晶闸管的阳极之间。

3.根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第二控制电路包括：第二MOS管、第三MOS管、第五电阻、第六电阻，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的漏极通过所述第六电阻与所述第三MOS管的栅极连接，所述第五电阻与所述第三MOS管的栅极和源极连接，所述第三MOS管的漏极与所述输出端连接，所述连接端与所述第二MOS管的栅极连接。

4.根据权利要求2所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第一控制电路还包括：第七电阻、第八电阻、第九电阻，所述第二三极管的发射极分别与所述第七电阻的一端、所述第八电阻的一端连接，所述第一三极管的集电极和所述第七电阻的另一端连接，所述第一三极管的基极连接在所述第八电阻的另一端和所述第九电阻的一端之间，所述第九电阻的另一端与所述第一电阻连接。

5.根据权利要求3所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第二控制电路还包括：第二二极管，所述第二二极管与所述第五电阻并联在所述第三MOS管的栅极和源极之间。

6.根据权利要求2所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第一三极管为NPN型三极管，所述第一MOS管为N沟道结型场效应管，所述第二三极管为NPN型三极管。

7.根据权利要求3所述的一种过流保护电路，其特征在于，所述第二MOS管为N沟道结型场效应管，所述第三MOS管为P沟道结型场效应管。

Images