CN217641340U - 显示装置 - Google Patents

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CN217641340U CN202220900550.9U CN202220900550U CN217641340U CN 217641340 U CN217641340 U CN 217641340U CN 202220900550 U CN202220900550 U CN 202220900550U CN 217641340 U CN217641340 U CN 217641340U
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Abstract

提供了可以将由于有缺陷的像素电路而发生的亮斑修复为暗斑的显示装置。所述显示装置包括：基底；薄膜晶体管，布置在所述基底上；像素电极，布置在所述基底上；节点连接线，配置为将所述薄膜晶体管和所述像素电极彼此连接；以及初始化电压线，布置在所述基底上，其中，所述节点连接线包括在平面图中与所述初始化电压线重叠的修复部分。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请基于并且要求于2021年4月27日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0054632号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开一般地涉及一种显示装置。更具体地，本公开涉及一种具有当发生亮斑缺陷时能够进行变暗化修复的结构的显示装置以及一种修复显示装置的方法。
背景技术
显示装置将诸如图像或视频的视觉信息提供给用户。随着诸如电视机、计算机、移动电话和平板个人计算机(PC)的各种电子装置的发展，已经开发了适用于各种电子装置的各种类型的显示装置。
这种显示装置包括彼此绝缘的扫描线和数据线，并且包括连接到扫描线和数据线的多个像素电路。所述多个像素电路中的每一个包括多个薄膜晶体管和存储电容器，并且可以驱动发光元件。
同时，在制造显示装置的工艺中，在一些像素电路中可能发生缺陷。可能发生例如像素电路的薄膜晶体管或信号线的短路或开路的缺陷。
实用新型内容
当像素电路中发生缺陷时，不论扫描信号和数据信号如何，由有缺陷的像素电路驱动的发光元件可能始终产生光。如上所述的始终发射光的像素可能被用户识别为亮斑，从而导致显示装置的亮斑缺陷。具体地，随着近来显示装置的尺寸的增加和高分辨率，像素电路中的这种缺陷和显示装置的亮斑缺陷的可能性已经增加。
为了解决包括上述问题的各种问题，一个或多个实施例包括一种能够通过将由于有缺陷的像素电路而发生的亮斑修复为暗斑使显示装置成为正常产品的显示装置以及一种修复显示装置的方法。然而，这些目的是示例并且不限制本公开的范围。
附加方面将在随后的描述中部分地阐述，通过该描述，附加方面将部分地显而易见，或者可以通过实践本公开的实施例而获知附加方面。
根据实施例，一种显示装置包括：基底；薄膜晶体管，布置在所述基底上；像素电极，布置在所述基底上；节点连接线，配置为将所述薄膜晶体管和所述像素电极彼此连接；以及初始化电压线，布置在所述基底上，其中，所述节点连接线包括在平面图中与所述初始化电压线重叠的修复部分。
所述初始化电压线在第一方向上延伸，并且所述显示装置还包括：数据线，布置在所述基底上并且在所述第一方向上延伸，其中，在平面图中，所述初始化电压线布置为比所述数据线更靠近所述薄膜晶体管，并且其中，在平面图中，所述节点连接线与所述数据线不重叠。
所述显示装置还包括：存储电容器，包括彼此重叠的第一电容器极板和第二电容器极板，其中，所述第二电容器极板包括所述节点连接线的一部分。
所述薄膜晶体管包括半导体层和与所述半导体层的至少一部分重叠的栅极电极，并且所述显示装置还包括：底部金属层，布置在所述基底与所述薄膜晶体管的所述半导体层之间。
所述显示装置还包括：存储电容器，包括彼此重叠的第一电容器极板和第三电容器极板，其中，所述第三电容器极板包括所述底部金属层的一部分。
所述节点连接线的所述修复部分通过接触孔连接到所述初始化电压线。
所述显示装置还包括：发射层，布置在所述像素电极上；相对电极，布置在所述发射层上；颜色转换透射层，布置在所述相对电极上；以及滤色器层，布置在所述颜色转换透射层上，其中，所述颜色转换透射层将从所述发射层发射的第一颜色的光转换为与所述第一颜色不同的第二颜色的光，或者在没有颜色转换的情况下透射所述第一颜色的所述光。
所述显示装置还包括：辅助线，设置在所述节点连接线的所述修复部分与所述初始化电压线之间，并且电连接到所述初始化电压线，并且其中，所述节点连接线的所述修复部分通过所述辅助线电连接到所述初始化电压线。
所述显示装置包括：基底；薄膜晶体管，布置在所述基底上；初始化电压线，布置在所述基底上；像素电极，布置在所述基底上并且电连接到所述薄膜晶体管；以及上绝缘膜，布置在所述像素电极上，并且包括与所述像素电极的一部分相对应的开口，其中，所述像素电极包括在平面图中与所述初始化电压线重叠的修复部分，并且所述修复部分与所述上绝缘膜的所述开口不重叠。
所述像素电极的所述修复部分通过接触孔连接到所述初始化电压线。
根据实施例，一种显示装置包括：基底；薄膜晶体管，布置在所述基底上并且包括半导体层和与所述半导体层的至少一部分重叠的栅极电极；像素电极，布置在所述基底上；节点连接线，配置为将所述薄膜晶体管和所述像素电极彼此连接；以及初始化电压线，布置在所述基底上并且在第一方向上延伸，其中，所述节点连接线包括在平面图中与所述初始化电压线重叠的修复部分。
所述显示装置还可以包括：数据线，布置在所述基底上并且在所述第一方向上延伸，并且在平面图中，所述初始化电压线可以布置为比所述数据线更靠近所述薄膜晶体管。
在平面图中，所述节点连接线可以与所述数据线不重叠。
所述显示装置还可以包括：存储电容器，包括彼此重叠的第一电容器极板和第二电容器极板，并且所述第一电容器极板和所述薄膜晶体管的所述栅极电极可以包括相同的材料，并且所述第二电容器极板可以包括所述节点连接线的一部分。
所述显示装置还可以包括：底部金属层，布置在所述基底与所述薄膜晶体管的所述半导体层之间。
所述初始化电压线和所述底部金属层可以包括相同的材料。
所述显示装置还可以包括：存储电容器，包括彼此重叠的第一电容器极板和第三电容器极板，并且所述第一电容器极板和所述薄膜晶体管的所述栅极电极可以包括相同的材料，并且所述第三电容器极板可以包括所述底部金属层的一部分。
所述节点连接线的所述修复部分可以通过接触孔连接到所述初始化电压线。
所述显示装置还可以包括：扫描线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；和分支线，从所述扫描线在所述第一方向上延伸。
所述扫描线、所述分支线和所述薄膜晶体管的所述栅极电极可以包括相同的材料。
所述显示装置还可以包括：发射层，布置在所述像素电极上；相对电极，布置在所述发射层上；颜色转换透射层，布置在所述相对电极上；以及滤色器层，布置在所述颜色转换透射层上，其中，所述颜色转换透射层将从所述发射层发射的第一颜色的光转换为与所述第一颜色不同的第二颜色的光，或者在没有颜色转换的情况下透射所述第一颜色的所述光。
所述显示装置还可以包括：辅助线，设置在所述节点连接线的所述修复部分与所述初始化电压线之间，并且电连接到所述初始化电压线。
所述辅助线和所述薄膜晶体管的所述栅极电极可以包括相同的材料。
所述节点连接线的所述修复部分可以通过所述辅助线电连接到所述初始化电压线。
根据实施例，一种显示装置包括：基底；薄膜晶体管，布置在所述基底上，并且包括半导体层和与所述半导体层的至少一部分重叠的栅极电极；初始化电压线，布置在所述基底上并且在第一方向上延伸；像素电极，布置在所述基底上并且电连接到所述薄膜晶体管；以及上绝缘膜，布置在所述像素电极上，并且包括与所述像素电极的一部分相对应的开口，其中，所述像素电极包括在平面图中与所述初始化电压线重叠的修复部分，并且所述修复部分与所述上绝缘膜的所述开口不重叠。
所述显示装置还可以包括：数据线，布置在所述基底上并且在所述第一方向上延伸，并且所述初始化电压线可以布置在所述数据线与所述薄膜晶体管之间。
所述显示装置还可以包括：底部金属层，布置在所述基底与所述薄膜晶体管的所述半导体层之间，并且所述初始化电压线和所述底部金属层可以包括相同的材料。
所述像素电极的所述修复部分可以通过接触孔连接到所述初始化电压线。
根据实施例，一种修复显示装置的方法，所述显示装置包括：基底；薄膜晶体管，布置在所述基底上并且包括半导体层和与所述半导体层的至少一部分重叠的栅极电极；像素电极，在所述基底上；初始化电压线，布置在所述基底上并且在第一方向上延伸；以及节点连接线，将所述薄膜晶体管和所述像素电极彼此电连接，并且包括在平面图中与所述初始化电压线重叠的修复部分，其中，所述方法包括将所述节点连接线的所述修复部分与所述初始化电压线彼此短路。
所述节点连接线的所述修复部分和所述初始化电压线的所述彼此短路可以通过将激光束照射到所述节点连接线的所述修复部分和所述初始化电压线彼此重叠的区域来实现。
除了上述方面、特征和优点之外的其他方面、特征和优点将从本公开的附图、所附权利要求和详细描述中变得显而易见。
这些一般性的和特定的方面可以使用***、方法、计算机程序或它们的任何组合来执行。
附图说明
从以下结合附图的描述中，某些实施例的上述和其他方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的透视图；
图2是示意性地示出根据实施例的显示装置的一部分的截面图；
图3是根据实施例的显示装置的颜色转换透射层的一部分的放大示意性截面图；
图4A是根据实施例的提供在显示装置中的像素电路的等效电路图；
图4B是根据实施例的在执行显示装置的修复工艺之后的像素电路的等效电路图；
图5是示意性地示出根据实施例的显示装置的一部分的平面图；
图6是示意性地示出沿着图5的线VI-VI'截取的根据实施例的显示装置的一部分的截面图；
图7A和图7B是示意性地示出根据实施例的修复显示装置的方法的操作的截面图；
图8是示意性地示出根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图；
图9是示意性地示出沿着图8中的线IX-IX'截取的图8中的显示装置的截面的截面图；
图10是示意性地示出根据实施例的在显示装置的修复工艺之后的图9中的显示装置的截面的截面图；
图11是示意性地示出根据另一实施例的沿着图5中的线VI-VI'截取的图5中的显示装置的截面的截面图；以及
图12是示意性地示出根据另一实施例的在显示装置的修复工艺之后的图11中的显示装置的截面的截面图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，在整个本公开中同样的附图标记表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式和配置，并且不应被解释为限于在本文中阐述的描述。因此，下面仅仅通过参照附图描述实施例以解释本公开的各方面。
因为本公开可以具有各种修改的实施例，所以在附图中示出实施例并且针对实施例进行描述。通过参考参照附图描述的实施例，本公开的效果和特性以及实现本公开的效果和特性的方法将显而易见。然而，本公开可以以许多不同的形式和配置实现，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。
下面将参照附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。无论附图标记如何，相同或彼此对应的组件都被赋予相同的附图标记，并且省略了冗余的解释。
在下面的实施例中，在本文中可以使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种构成元件，但是构成元件不被这些术语限制。这样的术语仅用于将一个构成元件与另一构成元件区分开的目的。
除非上下文另有明确指示，否则以单数使用的表述包含复数的表述。
将理解的是，在本文中所使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或元件，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征或元件。
还将理解的是，当层、区或元件被称为“形成在”另一层、区或元件“上”时，所述层、区或元件可以直接或间接形成在所述另一层、区或元件上。即，例如，在所述层、区或元件与所述另一层、区或元件之间可以存在居间层、区或元件。
在附图中，为了便于解释，可以夸大或减小了附图中的组件的尺寸。换言之，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
当可以不同地实现实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，可以基本上同时执行两个连续地描述的工艺，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在本公开中，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何组合和所有组合。例如，“A和/B”可以包括“A”、“B”或“A和B”。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、所有的a、b和c或者它们的任何变型。
将理解的是，当层、区或元件被称为连接到另一层、区或元件时，所述层、区或元件可以直接或间接连接到另一层、区或元件。即，例如，可以存在居间层、区或元件。例如，当层、区或元件等被称为“电连接”时，所述层、区或元件等可以直接电连接，或者所述层、区或元件等可以间接电连接，并且在所述层、区或元件等之间可以存在居间层、区或元件等。
x方向、y方向和z方向不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，x方向、y方向和z方向可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置1的透视图。
参照图1，显示装置1可以包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的周边区域PA。显示区域DA可以包括提供图像的区域。显示装置1可以通过布置在显示区域DA中的多个像素PX的阵列来提供图像。所述多个像素PX中的每一个包括可以从其发射一颜色的光的区域，并且显示装置1可以使用由像素PX发射的光来提供图像。例如，所述多个像素PX中的每一个可以发射红光、绿光或蓝光。
产生光的发光元件和用于驱动发光元件的像素电路可以布置在显示区域DA中。另外，电连接到像素电路的数据线和扫描线可以布置在显示区域DA中。
周边区域PA包括不提供图像的区域，并且可以完全地或部分地围绕显示区域DA。将电信号或电力提供给显示区域DA中的像素电路的各种电力线、信号线和驱动电路可以布置在周边区域PA中。另外，可以在周边区域PA中布置焊盘单元，电子组件或印刷电路板可以电连接到所述焊盘单元。
当从垂直于显示装置1的一个表面的方向观察时，显示装置1可以具有大致矩形形状。例如，如图1中所示，显示装置1可以具有整体矩形平面形状，所述整体矩形平面形状例如具有在x方向上延伸的长边和在y方向上延伸的短边。在x方向上的长边与在y方向上的短边交会所呈的角可以是直角形状，或者可以具有具备曲率的倒圆的形状。然而，显示装置1的平面形状不限于矩形形状，并且可以包括各种形状，诸如，诸如三角形形状的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或无定形形状等。
在图1中，显示装置1具有平坦的显示表面，但是示例不限于此。在另一实施例中，显示装置1可以包括三维显示表面或弯曲的显示表面。当显示装置1包括三维显示表面时，显示装置1可以包括指示不同方向的多个显示区域，并且可以包括例如多棱柱型显示表面。在另一实施例中，当显示装置1包括弯曲的显示表面时，显示装置1可以被实现为包括柔性的、可折叠的和/或可卷曲的显示装置的各种形式。
在一些实施例中，显示装置1可以包括在显示装置1的厚度方向(例如，z方向)上堆叠的发光单元10和颜色单元20。发光单元10可以包括发光元件和像素电路。颜色单元20可以包括滤色器层和颜色转换透射层。这将在下面参照图2详细描述。
同时，显示装置1不仅可以用作诸如移动电话、智能电话、平板PC、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)的便携式电子装置中的显示屏幕，还用作诸如电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)装置的各种产品中的显示屏幕。另外，根据实施例的显示装置1可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜式显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。另外，显示装置1可以用作汽车的仪表板、汽车的中央仪表盘或布置在仪表板上的中央信息显示器(CID)、替代汽车的侧视镜的车内后视镜显示器以及布置在前排座椅的后侧作为汽车的后排座椅的娱乐的显示器。
图2是示意性地示出根据实施例的显示装置1的一部分的截面图。图2可以与沿着图1中的线II-II'截取的图1中的显示装置1的截面相对应。
参照图2，显示装置1可以包括发光单元10和颜色单元20。发光单元10包括产生光的发光元件，并且可以包括多个有机发光二极管OLED。另外，发光单元10可以包括分别电连接到多个有机发光二极管OLED的多个像素电路PC。例如，发光单元10中的多个有机发光二极管OLED可以包括第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3，并且发光单元10中的多个像素电路PC可以包括分别连接到第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3。
发光单元10的有机发光二极管OLED中的每一个可以由对应的像素电路PC驱动，并且可以向颜色单元20发射光。从发光单元10发射的光可以经由颜色单元20实现为各种颜色的光。
颜色单元20可以布置在发光单元10上，并且可以包括颜色转换透射层400和滤色器层500。例如，颜色单元20的颜色转换透射层400可以布置在对应的有机发光二极管OLED上，并且颜色单元20的滤色器层500可以布置在颜色转换透射层400上。
颜色转换透射层400可以包括第一颜色转换单元410、第二颜色转换单元420和透光单元430。第一颜色转换单元410、第二颜色转换单元420和透光单元430可以布置为分别与第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3相对应。第一颜色转换单元410、第二颜色转换单元420和透光单元430可以将来自发光单元10的第一颜色的入射光转换为与第一颜色不同的第二颜色的光，或者可以在没有颜色转换的情况下透射第一颜色的入射光。在实施例中，例如，蓝光Lb可以从第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3发射。蓝光Lb可以经由颜色单元20被转换为红光Lr或绿光Lg，或者可以未经颜色转换而作为蓝光Lb透射。在这种情况下，例如，红光Lr可以包括在大约580nm至大约780nm的波段中的光，绿光Lg可以包括在大约495nm至大约580nm的波段中的光，并且蓝光Lb可以包括在大约400nm至大约495nm的波段中的光。
滤色器层500可以包括选择性地透射不同颜色的光的第一滤色器层510、第二滤色器层520和第三滤色器层530。第一滤色器层510、第二滤色器层520和第三滤色器层530可以布置为分别与第一颜色转换单元410、第二颜色转换单元420和透光单元430相对应。
例如，由颜色转换透射层400颜色转换或透射的红光Lr、绿光Lg和蓝光Lb可以经由分别穿过第一滤色器层510、第二滤色器层520和第三滤色器层530而具有改善的颜色纯度，并且然后可以被发射到显示装置1的外部。例如，像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。从其发射红光Lr的区域可以与第一像素PX1相对应，从其发射绿光Lg的区域可以与第二像素PX2相对应，并且从其发射蓝光Lb的区域可以与第三像素PX3相对应。因此，显示装置1可以提供全色图像。
至此，描述了显示装置1的发光元件包括有机发光二极管OLED的示例，所述有机发光二极管OLED包括有机发射层。然而，本公开不限于此。在另一实施例中，发光元件可以包括包含无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括p-n结二极管，所述p-n结二极管包括基于无机材料半导体的材料。当将电压在正向方向上施加到p-n结二极管时，空穴和电子被注入，并且可以通过将由于空穴和电子的复合而产生的能量转换为光能来发射一颜色的光。无机发光二极管可以具有在从几微米到几百微米的范围内的宽度。在另一实施例中，发光元件可以包括作为发射层的量子点。然而，在以下描述中，为了便于解释，将主要描述发光元件包括有机发光二极管OLED的情况。
图3是根据实施例的显示装置的颜色转换透射层400的一部分的放大示意性截面图。
参照图3，颜色转换透射层400可以包括第一颜色转换单元410、第二颜色转换单元420和透光单元430。
例如，第一颜色转换单元410可以将蓝光Lb转换为红光Lr。为此，第一颜色转换单元410可以包括其中分散有第一量子点412的第一光敏聚合物411。
第一光敏聚合物411未被具体限制，只要该材料具有优异的分散性和透光率即可，但是第一光敏聚合物411可以包括例如丙烯醛基树脂、酰亚胺基树脂或环氧基树脂。
第一量子点412可以被蓝光Lb激发，并且可以各向同性地发射具有比蓝光Lb的波长更长的波长的红光Lr。在本公开中，量子点是指半导体化合物的晶体，并且根据晶体的尺寸，量子点可以包括能够发射各种波段的光的任何材料。
第一量子点412可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺或类似工艺来合成。湿法化学工艺是将有机溶剂与前体材料混合后生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂作为分散剂自然配位在量子点晶体表面上，并且调节晶体的生长，并且因此湿法化学工艺比诸如金属有机化学气相沉积工艺或分子束外延工艺的气相沉积法更容易，并且通过低成本工艺，可以控制量子颗粒的生长。
第一量子点412可以包括III-VI族半导体化合物、II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者它们的任何组合。
例如，III-VI族半导体化合物可以包括诸如In2S3的二元化合物、诸如AgInS、AgInS2、CuInS和CuInS2的三元化合物或它们的任何组合。
II-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和MgS；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和MgZnS；四元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe；或它们的任何组合。
III-V族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和InSb；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和InPSb；四元化合物，诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和InAlPSb；或它们的任何组合。同时，III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。进一步包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP或InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2Se3和InTe；三元化合物，诸如InGaS3和InGaSe3；或它们的任何组合。
I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括：三元化合物，诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2和AgAlO2；或它们的任何组合。
IV-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和PbTe；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和SnPbTe；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe和SnPbSTe；或它们的任何组合。
IV族元素或化合物可以包括：单元素化合物，诸如Si和Ge；二元化合物，诸如SiC和SiGe；或它们的任何组合。
被包括在诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物的多元素化合物中的元素中的每一种可以以均匀或不均匀的浓度存在于颗粒中。
同时，第一量子点412可以具有单一结构或核-壳双重结构，在单一结构或核-壳双重结构中，被包括在对应的量子点中的每种元素的浓度是均匀的。例如，被包括在核中的材料和被包括在壳中的材料可以彼此不同。
壳可以用作用于通过防止核的化学改性来保持半导体性质的保护层，和/或用作用于赋予量子点电泳性质的充电层。壳可以包括单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中壳中的元素的浓度朝向核的中心降低的浓度梯度。
壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的任何组合。金属或非金属氧化物的示例可以包括：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO；三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4；或它们的任何组合。半导体化合物的示例可以包括：III-VI族半导体化合物；II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；或它们的任何组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或它们的任何组合。
第一量子点412可以具有在大约45nm或更小(例如，大约40nm或更小，并且例如，大约30nm或更小)的范围内的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。在此范围内可以改善颜色纯度或颜色再现性。而且，因为从第一量子点412发射的光在所有方向上发射，所以可以改善光学视角。
另外，第一量子点412的形状具体为球体的、锥体的、多臂的或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片状颗粒等。第一散射颗粒413可以被进一步分散在第一光敏聚合物411中。第一散射颗粒413可以通过将未被第一量子点412吸收的蓝光Lb散射使更多的第一量子点412被激发。因此，第一颜色转换单元410的颜色转换效率可能增加。另外，无论入射角度如何，第一散射颗粒413可以在各个方向上散射光，而无需实质上转换入射光的波长。因此，可以改善侧面可视性。
第一散射颗粒413可以包括具有与第一光敏聚合物411的折射率不同的折射率的颗粒，例如光散射颗粒。第一散射颗粒413未被具体限制，只要该材料可以与第一光敏聚合物411形成光学界面并且部分地散射透射光即可，但是第一散射颗粒413可以包括例如金属氧化物颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物可以包括氧化钛(TiO2)、二氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)，并且有机材料可以包括丙烯醛基树脂或聚氨酯基树脂。第二颜色转换单元420可以将蓝光Lb转换为绿光Lg。第二颜色转换单元420可以包括其中分散有第二量子点422的第二光敏聚合物421，并且第二散射颗粒423与第二量子点422一起被分散在第二光敏聚合物421中，因此提高第二颜色转换单元420的颜色转换率。
第二光敏聚合物421和第一光敏聚合物411可以包括相同的材料，并且第二散射颗粒423和第一散射颗粒413可以包括相同的材料。
第二量子点422可以包括与第一量子点412的材料相同的材料，并且可以具有与第一量子点412的形状相同的形状。然而，第二量子点422的尺寸可以小于第一量子点412的尺寸。这是为了使第二量子点422发射与第一量子点412的波段不同的波段的光。例如，可以通过调整量子点的尺寸来调整能带隙，并且因此，可以获得各种波段的光。第二量子点422可以具有小于第一量子点412的尺寸的尺寸，并且因此第二量子点422被蓝光Lb激发并且具有比蓝光Lb的波长更长的波长，并且可以各向同性地发射具有比红光Lr的波长短的波长的绿光Lg。透光单元430可以包括其中分散有第三散射颗粒433的第三光敏聚合物431。换言之，透光单元430不包括可以被蓝光Lb激发的另外量子点。同时，如同第一光敏聚合物411那样，第三光敏聚合物431可以包括具有透光率的有机材料，并且第三散射颗粒433可以包括与第一散射颗粒413的材料相同的材料。因此，入射在透光单元430上的蓝光Lb可以在不改变颜色的情况下透射穿过透光单元430，并且因此，通过透光单元430发射的光可以是蓝光Lb。然而，蓝光Lb可以被透光单元430内的第三散射颗粒433散射，并且可以发射到外部。透光单元430可以在不改变颜色的情况下透射入射在透光单元430上的蓝光Lb，因此获得改善的光效率。
图4A是根据实施例的提供在显示装置中的像素电路PC的等效电路图。图4B是根据实施例的在执行显示装置的修复工艺之后的像素电路PC的等效电路图。
首先，参照图4A，像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和至少一个电容器。在实施例中，像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和存储电容器Cst。
第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3中的每一个可以包括氧化物半导体薄膜晶体管，所述氧化物半导体薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层，或者第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3中的每一个可以包括硅半导体薄膜晶体管，所述硅半导体薄膜晶体管包括包含多晶硅的半导体层。第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3中的每一个可以包括第一电极和第二电极，并且根据薄膜晶体管的类型，第一电极可以是源极电极和漏极电极中的一个，并且第二电极可以是源极电极和漏极电极中的另一个。另外，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3中的每一个可以包括栅极电极。
第一薄膜晶体管T1可以包括驱动薄膜晶体管。第一薄膜晶体管T1的第一电极可以连接到用于施加驱动电源电压ELVDD的驱动电压线VDL，并且第一薄膜晶体管T1的第二电极可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第一薄膜晶体管T1的栅极电极可以连接到第一节点N1。第一薄膜晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压控制从驱动电源电压ELVDD流经有机发光二极管OLED的电流的量。
第二薄膜晶体管T2可以包括开关薄膜晶体管。第二薄膜晶体管T2的第一电极可以连接到数据线DL，并且第二薄膜晶体管T2的第二电极可以连接到第一节点N1。第二薄膜晶体管T2的栅极电极可以连接到扫描线SL。当将扫描信号传输到扫描线SL时，第二薄膜晶体管T2可以导通，并且可以将数据线DL和第一节点N1彼此电连接。
第三薄膜晶体管T3可以包括初始化薄膜晶体管和/或感测薄膜晶体管。第三薄膜晶体管T3的第一电极可以连接到第二节点N2，并且第三薄膜晶体管T3的第二电极可以连接到初始化电压线INL。第三薄膜晶体管T3的栅极电极可以连接到扫描线SL。
当将扫描信号传输到扫描线SL时，第三薄膜晶体管T3可以导通，并且可以将初始化电压线INL和第二节点N2彼此电连接。在一些实施例中，第三薄膜晶体管T3可以根据经由扫描线SL接收的信号而导通，并且可以通过使用来自初始化电压线NL的初始化电压使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
在一些实施例中，当将扫描信号传输到扫描线SL时，第三薄膜晶体管T3可以导通，以感测有机发光二极管OLED的特性信息。第三薄膜晶体管T3可以具有初始化薄膜晶体管的功能和感测薄膜晶体管的功能两者，或者可以具有任意一者的功能。第三薄膜晶体管T3的初始化操作和感测操作可以单独或同时进行。当第三薄膜晶体管T3具有感测薄膜晶体管的功能时，初始化电压线INL可以被称为感测线。
存储电容器Cst可以连接在第一节点N1与第二节点N2之间。例如，存储电容器Cst的第一电容器极板可以连接到第一薄膜晶体管T1的栅极电极，并且存储电容器Cst的第二电容器极板可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极。
有机发光二极管OLED的相对电极可以连接到用于提供公共电源电压ELVSS的公共电压线VSL。
在图4A中，像素电路PC包括三个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。在另一实施例中，根据像素电路PC的设计，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以被不同地修改。
同时，在制造显示装置1(参见图1)的工艺中，一些像素电路PC中可能发生缺陷。例如，第一薄膜晶体管T1可能短路的缺陷可能由于异物或工艺错误而发生。在这种情况下，无论扫描信号和数据信号如何，有机发光二极管OLED可以始终接收驱动电源电压ELVDD，并且因此可以始终发光。由于有机发光二极管OLED始终发光，因此对应的像素PX(参见图1)可以始终被用户识别为亮斑。通常，当在显示装置1中存在至少一个这样的亮斑时，可以将显示装置1在整体上视为有缺陷的(该缺陷在下文中被称为亮斑缺陷)。
参照图4B，可以通过修复具有缺陷的像素电路PC将亮斑变为暗斑。如上所述，当在显示装置1(参见图1)中存在至少一个有缺陷的亮斑时，显示装置1在整体上被视为有缺陷的，但是可以允许显示装置1中存在预定数量的暗斑。
在实施例中，初始化电压线INL和第二节点N2可以在具有缺陷的像素电路PC中短路。与图4A不同，图4B示出了设置在初始化电压线INL与第二节点N2之间的短路路径ST。在这种情况下，可以始终将初始化电压施加到直接连接到初始化电压线INL的第二节点N2。初始化电压线INL传送初始化电压(例如，大约2伏)，所述初始化电压小于用于照亮有机发光二极管OLED的电压(例如，大约8伏)，并且因此，无论数据信号和扫描信号如何，有机发光二极管OLED并不始终发光，并且对应的像素PX(参见图1)可能包括暗斑。
如上所述，可以通过像素电路PC的修复将有缺陷的亮斑变为暗斑，因此减少将整个显示装置1(参见图1)视为有缺陷的。因此，可以提高显示装置1的生产率和产量。
图5是示意性地示出根据实施例的显示装置1的一部分的平面图。
参照图5，显示装置1可以包括多个像素电路PC。例如，显示装置1可以包括第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3。另外，显示装置1可以包括电连接到像素电路PC中的每一个的各种线，例如，扫描线SL、多条数据线DL、分支线BL、初始化电压线INL、驱动电压线VDL和公共电压线VSL。
在实施例中，例如，扫描线SL可以在x方向上延伸，并且多条数据线DL可以在与x方向交叉的y方向上延伸。分支线BL可以从扫描线SL在y方向上延伸。初始化电压线INL、驱动电压线VDL和公共电压线VSL中的每一个可以在y方向上延伸。
在一些实施例中，驱动电压线VDL和公共电压线VSL彼此间隔开，并且多条数据线DL可以布置在驱动电压线VDL与公共电压线VSL之间。多条数据线DL可以包括例如第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3，并且第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3可以布置为彼此相邻并且与公共电压线VSL相邻。第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3可以分别将独立的数据信号施加到第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3。
在实施例中，初始化电压线INL和分支线BL可以布置在驱动电压线VDL与公共电压线VSL之间。初始化电压线INL可以布置在稍后将描述的第一薄膜晶体管T1与数据线DL之间。分支线BL可以相对于初始化电压线INL布置在数据线DL的相对侧。例如，分支线BL可以与扫描线SL一体地形成为单个整体，并且可以与扫描线SL一起传送扫描信号。
图5中的第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3、初始化电压线INL和分支线BL的布置仅为示例，并且本公开不限于此，并且可以根据像素电路PC的设计适当地改变和修改该布置。
显示装置1可以包括其中图5中所示的结构在x方向和y方向上重复的结构。因此，提供在显示装置1中的多条扫描线SL和多条驱动电压线VDL可以在平面图中形成网状结构。同样地，多条扫描线SL和多条公共电压线VSL可以在平面图中形成网状结构。在此，表述“在平面图中”可以指“在与显示装置1的基底100(参见图6)平行的虚拟平面上”。
例如第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3的多个薄膜晶体管以及存储电容器Cst可以布置在由在平面图中彼此相邻的扫描线SL、驱动电压线VDL和公共电压线VSL围绕的空间中。例如第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3的多个薄膜晶体管以及存储电容器Cst可以被包括在一个像素电路PC中。例如，图5中所示的第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3可以各自包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3，并且可以各自包括存储电容器Cst。在下文中，为了便于解释，将主要描述提供在第一像素电路PC1中的例如第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3的多个薄膜晶体管以及存储电容器Cst的结构和布置。除了第二像素电路PC2和第三像素电路PC3分别连接到第二数据线DL2和第三数据线DL3之外，第二像素电路PC2和第三像素电路PC3具有与上述第一像素电路PC1的结构和布置相同的结构和布置。因此，将省略第二像素电路PC2和第三像素电路PC3的冗余描述。
第一像素电路PC1的例如第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3的薄膜晶体管中的每一个可以包括半导体层和与半导体层的至少一部分重叠的栅极电极。
第一薄膜晶体管T1可以包括第一半导体层A1和与第一半导体层A1的至少一部分重叠的第一栅极电极G1。第一半导体层A1可以包括氧化物半导体或硅基半导体。第一半导体层A1可以包括沟道区域以及分别布置在沟道区域的相对侧的源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域是具有低于沟道区域的电阻的电阻的区域，并且可以通过杂质的掺杂工艺或导电工艺形成。源极区域和漏极区域可以分别与每个薄膜晶体管的源极电极和漏极电极相对应。在下文中，为了便于解释，分别使用术语“源极区域”和“漏极区域”来替代“源极电极”和“漏极电极”。第一栅极电极G1可以与第一半导体层A1的沟道区域重叠。
在第一半导体层A1中，源极区域和漏极区域中的一个可以通过第一接触孔CNT1电连接到驱动电压线VDL，并且另一个可以通过第二接触孔CNT2电连接到存储电容器Cst。例如，第一半导体层A1可以通过第二接触孔CNT2连接到存储电容器Cst的第二电容器极板CE2。
第二薄膜晶体管T2可以包括第二半导体层A2和与第二半导体层A2的至少一部分重叠的第二栅极电极G2。第二半导体层A2可以包括氧化物半导体或硅基半导体。第二半导体层A2可以包括沟道区域以及分别布置在沟道区域的相对侧的源极区域和漏极区域。第二栅极电极G2可以与第二半导体层A2的沟道区域重叠。如图5中所示，第二栅极电极G2可以与扫描线SL的一部分或者从扫描线SL在y方向上延伸的分支线BL的一部分相对应。
第二半导体层A2的源极区域和漏极区域中的一个可以电连接到存储电容器Cst，并且另一个可以电连接到数据线DL。例如，第二半导体层A2可以通过第四接触孔CNT4连接到第一连接线CL1，并且第一连接线CL1可以通过第三接触孔CNT3连接到存储电容器Cst的第一电容器极板CE1。另外，第二半导体层A2可以通过第五接触孔CNT5连接到第二连接线CL2，并且第二连接线CL2可以通过第六接触孔CNT6连接到第一数据线DL1。
第三薄膜晶体管T3可以包括第三半导体层A3和与第三半导体层A3的至少一部分重叠的第三栅极电极G3。第三半导体层A3可以包括氧化物半导体或硅基半导体。第三半导体层A3可以包括沟道区域以及分别布置在沟道区域的相对侧的源极区域和漏极区域。第三栅极电极G3可以与第三半导体层A3的沟道区域重叠。如图5中所示，第三栅极电极G3可以与扫描线SL的一部分或者从扫描线SL在y方向上延伸的分支线BL的一部分相对应。
第三半导体层A3的源极区域和漏极区域中的一个可以电连接到初始化电压线INL，并且另一个可以电连接到存储电容器Cst。例如，第三半导体层A3可以通过第八接触孔CNT8连接到第三连接线CL3，并且第三连接线CL3可以通过第七接触孔CNT7连接到初始化电压线INL。第三半导体层A3可以通过第九接触孔CNT9连接到存储电容器Cst的第二电容器极板CE2。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的至少两个电容器极板。在实施例中，存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电容器极板CE1和第二电容器极板CE2。在一些实施例中，存储电容器Cst还可以包括与第一电容器极板CE1和第二电容器极板CE2重叠的第三电容器极板CE3。
第一电容器极板CE1可以与第一栅极电极G1一体地提供为单个整体。换言之，第一电容器极板CE1的一部分可以与第一栅极电极G1相对应。第二电容器极板CE2可以在截面图中布置在第一电容器极板CE1上，并且可以与节点连接线NCL的一部分相对应。换言之，节点连接线NCL可以包括第二电容器极板CE2。第三电容器极板CE3在截面图中可以布置在第一电容器极板CE1下方，并且可以与底部金属层BML的一部分相对应。换言之，底部金属层BML可以包括第三电容器极板CE3。第二电容器极板CE2可以通过第十接触孔CNT10电连接到第三电容器极板CE3。在此，表述“在截面图中”可以指“在垂直于显示装置1的基底100(参见图6)的虚拟平面上”。
节点连接线NCL可以将第一薄膜晶体管T1与有机发光二极管OLED(参见图6)的像素电极电连接。例如，节点连接线NCL可以通过第二接触孔CNT2连接到第一薄膜晶体管T1，并且尽管在图5中未示出，但是有机发光二极管OLED(参见图6)的像素电极210(参见图6)可以通过接触孔和/或连接电极连接到节点连接线NCL。另外，节点连接线NCL可以电连接到第三薄膜晶体管T3。例如，节点连接线NCL可以通过第九接触孔CNT9连接到第三薄膜晶体管T3。节点连接线NCL可以与上述的图4A和图4B中的第二节点N2相对应。
在实施例中，节点连接线NCL可以不仅包括存储电容器Cst的第二电容器极板CE2，还包括修复部分RP。在截面图中，修复部分RP的至少一部分可以与初始化电压线INL重叠。例如，节点连接线NCL的修复部分RP可以在与y方向交叉的x方向上延伸，y方向是初始化电压线INL的延伸方向，并且节点连接线NCL的修复部分RP可以与初始化电压线INL重叠。即，节点连接线NCL的修复部分RP与初始化电压线INL的至少一部分重叠。修复部分RP和初始化电压线INL在平面图中彼此重叠的区域可以被限定为修复区域RA。
根据实施例，当在第一像素电路PC1中发生缺陷时，节点连接线NCL的修复部分RP和初始化电压线INL可能彼此短路。例如，通过将激光束照射到其中修复部分RP和初始化电压线INL彼此重叠的修复区域RA，修复部分RP和初始化电压线INL可以彼此短路。在这种情况下，初始化电压线INL可以不经过第三薄膜晶体管T3(参见图4B)，而是可以将初始化电压施加到有机发光二极管OLED(参见图6)的像素电极210(参见图6)。因此，有机发光二极管OLED可能不始终发光，并且对应的像素PX(参见图6)可能包括暗斑。因此，可以解决亮斑缺陷。
在比较示例中，可以将激光束照射到多个区域以解决亮斑缺陷。例如，通过将激光束照射到各个区域，可以执行其中一些线被开路且其他线被短路的工艺。
然而，根据实施例，激光束仅照射到单个区域，从而解决了亮斑缺陷。因此，可以减少修复工艺时间，并且可以改善修复成功率。因此，可以改善显示装置1的生产率和产量。另外，根据实施例，不需要使像素电路PC的线开路以进行修复。因此，当设计像素电路PC时，无需确保用于开路的空间裕度，并且因此将设计限制最小化，从而改善了显示装置1的集成度和分辨率。
同时，根据实施例，初始化电压线INL可以布置为在平面图中比数据线DL更靠近第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3。例如，初始化电压线INL可以布置为在平面图中比第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3更靠近第一薄膜晶体管T1。在平面图中，节点连接线NCL可以与数据线DL不重叠。例如，节点连接线NCL的修复部分RP在x方向上延伸，但是仅延伸到布置有初始化电压线INL的区域。因此，节点连接线NCL的修复部分RP可以仅与初始化电压线INL重叠，并且与数据线DL不重叠。因此，可以使节点连接线NCL与数据线DL之间的寄生电容和耦合的发生最小化。
在下文中，将参照图6描述显示装置1的堆叠结构。
图6是示意性地示出沿着图5的线VI-VI'截取的根据实施例的图5中的显示装置1的一部分的截面图。
参照图6，显示装置1可以包括基底100，并且稍后将描述的显示装置1的各种元件可以布置在基底100上。
基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。当基底100是柔性的或可弯折时，基底100可以包括聚合物树脂，诸如，例如，聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。然而，基底100可以具有多层结构，所述多层结构包括两层和位于所述两层之间的包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)的阻挡层，所述两层中的每一者包括上述的聚合物树脂，并且可以进行各种修改。
多个薄膜晶体管可以布置在基底100上。图6示出了第一薄膜晶体管T1的截面作为示例，并且在下文中，为了便于解释，将着重于第一薄膜晶体管T1描述截面图中的薄膜晶体管的堆叠结构。截面图中的第二薄膜晶体管T2(参见图5)和第三薄膜晶体管T3(参见图5)的堆叠结构可以与第一薄膜晶体管T1的堆叠结构相同或相似。
第一薄膜晶体管T1可以包括第一半导体层A1和与第一半导体层A1的至少一部分重叠的第一栅极电极G1。
第一薄膜晶体管T1的第一半导体层A1可以包括例如氧化物半导体。氧化物半导体可以包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)或氧化锌铟(ZIO)等。在另一示例中，第一半导体层A1可以包括多晶硅、非晶硅或有机半导体。
第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极G1可以与第一半导体层A1的沟道区域重叠，栅极绝缘层112在第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极G1与第一半导体层A1的沟道区域之间。第一栅极电极G1可以包括例如包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以被提供为包括上述材料的多层或单层。在一些实施例中，第一栅极电极G1可以具有包括上述金属元素的金属层和在金属层上的包括ITO的透明导电氧化物层的多层结构。
存储电容器Cst的第一电容器极板CE1可以在与第一栅极电极G1的工艺相同的工艺中形成，并且可以包括与第一栅极电极G1的材料相同的材料。另外，分支线BL和与分支线BL一体地提供为单个整体的扫描线SL(参见图5)可以在与第一栅极电极G1相同的工艺中形成，并且可以包括与第一栅极电极G1的材料相同的材料。
栅极绝缘层112可以布置在第一栅极电极G1、第一电容器极板CE1和分支线BL下方。栅极绝缘层112可以在与第一栅极电极G1、第一电容器极板CE1和分支线BL的掩模工艺相同的掩模工艺中形成。因此，栅极绝缘层112可以具有与第一栅极电极G1、第一电容器极板CE1和分支线BL的平面形状基本上相同的平面形状。例如，栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。
底部金属层BML可以设置在基底100与第一薄膜晶体管T1的第一半导体层A1之间。例如，底部金属层BML可以直接布置在基底100的上表面上。底部金属层BML可以包括从Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、Mo和Cu之中的一种或多种材料。在一些实施例中，底部金属层BML可以包括遮光材料。底部金属层BML可以与第一薄膜晶体管T1重叠。在一些实施例中，可以将恒定电压或信号施加到底部金属层BML。底部金属层BML可以改善和/或稳定第一薄膜晶体管T1的特性。
在实施例中，底部金属层BML可以包括存储电容器Cst的第三电容器极板CE3。换言之，存储电容器Cst的第三电容器极板CE3可以被提供为(或可以包括)底部金属层BML的一部分。因此，可以有效地利用空间，并且可以改善显示装置1的集成度。
在实施例中，数据线DL和初始化电压线INL可以布置在基底100上。数据线DL和初始化电压线INL可以在与底部金属层BML的工艺相同的工艺中形成，并且可以包括与底部金属层BML的材料相同的材料。另外，尽管在图6中未示出，但是驱动电压线VDL(参见图5)和公共电压线VSL(参见图5)还可以在与底部金属层BML的工艺相同的工艺中形成，并且可以包括与底部金属层BML的材料相同的材料。
缓冲层111可以布置在底部金属层BML、数据线DL和初始化电压线INL上。换言之，缓冲层111可以设置在底部金属层BML与第一薄膜晶体管T1之间，并且可以覆盖底部金属层BML、数据线DL和初始化电压线INL。缓冲层111可以改善基底100的上表面的平坦度，并且可以防止来自基底100等的杂质渗透到第一半导体层A1中。例如，缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。
层间绝缘层113可以布置在缓冲层111上。层间绝缘层113可以覆盖第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极G1、存储电容器Cst的第一电容器极板CE1以及分支线BL。例如，层间绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。
节点连接线NCL可以布置在层间绝缘层113上。例如，节点连接线NCL可以包括Cu、Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和/或Mo。节点连接线NCL可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
如上所述，节点连接线NCL可以将第一薄膜晶体管T1与稍后将描述的像素电极210电连接。为此，节点连接线NCL可以通过限定在层间绝缘层113中的第二接触孔CNT2连接到第一薄膜晶体管T1的第一半导体层A1的源极区域或漏极区域，并且可以通过接触金属CM电连接到位于节点连接线NCL上方的像素电极210。
在实施例中，节点连接线NCL可以包括存储电容器Cst的第二电容器极板CE2。换言之，第二电容器极板CE2可以被提供为(或可以包括)节点连接线NCL的一部分。因此，可以有效地利用空间，并且可以改善显示装置1的集成度。
节点连接线NCL可以通过限定在层间绝缘层113和缓冲层111中的第十接触孔CNT10连接到存储电容器Cst的第三电容器极板CE3。因此，存储电容器Cst的与节点连接线NCL一体地提供为单个整体的第二电容器极板CE2可以具有与第三电容器极板CE3的电位相同的电位。结果，设置在第一电容器极板CE1与第二电容器极板CE2之间的层间绝缘层113以及设置在第二电容器极板CE2与第三电容器极板CE3之间的栅极绝缘层112和缓冲层111可以用作存储电容器Cst的介电层。通过这种结构，存储电容器Cst的电容可以增大。
在实施例中，节点连接线NCL可以包括与初始化电压线INL重叠的修复部分RP。其中布置有修复部分RP和初始化电压线INL的区域可以被限定为修复区域RA。
钝化层114可以布置在层间绝缘层113上。钝化层114可以覆盖节点连接线NCL。例如，钝化层114可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。
接触金属CM可以布置在钝化层114上。接触金属CM可以通过提供在钝化层114中的接触孔连接到节点连接线NCL。接触金属CM可以将节点连接线NCL和像素电极210彼此电连接。例如，考虑到导电性，接触金属CM可以包括Cu、Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和/或Mo。
平坦化绝缘层115可以布置在钝化层114上。平坦化绝缘层115可以覆盖接触金属CM并且为像素电极210提供平坦的上表面。平坦化绝缘层115可以包括有机绝缘材料，并且例如，有机绝缘材料可以包括诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)和聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯醛基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或它们的任何共混物。
有机发光二极管OLED可以布置在平坦化绝缘层115上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、发射层220和相对电极230的堆叠结构。换言之，有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、布置在像素电极210上的发射层220和布置在发射层220上的相对电极230。
像素电极210可以包括透明导电氧化物，诸如ITO、氧化铟锌(IZO)、ZnO、In2O3、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一实施例中，像素电极210可以包括反射层，所述反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的任何化合物。在另一实施例中，像素电极210还可以包括位于上述反射层上或下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。例如，像素电极210可以具有其中堆叠有ITO层、Ag层和另一ITO层的三层结构。
上绝缘膜117可以布置在平坦化绝缘层115上。上绝缘膜117可以包括与像素电极210的一部分相对应的开口117OP。上绝缘膜117的开口117OP可以暴露像素电极210的中央部分。上绝缘膜117可以通过增加像素电极210的边缘与相对电极230之间的距离防止在像素电极210的边缘处发生电弧等。例如，如上所述的绝缘膜117可以包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)等的有机材料。
发射层220可以布置在像素电极210和上绝缘膜117上。发射层220可以包括发射一颜色的光的聚合物材料或低分子量有机材料。在一些实施例中，如图6中所示，发射层220可以被图案化以与像素电极210中的每一个相对应，但是发射层220可以根据需要跨越多个像素电极210一体地提供为单个整体。
尽管在图6中未示出，但是可以进一步包括布置在发射层220下方的第一功能层和/或布置在发射层220上方的第二功能层。第一功能层和第二功能层可以与发射层220一起被包括在中间层中，并且可以在像素电极210与相对电极230之间。第一功能层可以包括单层或多层。例如，当第一功能层包括聚合物材料时，第一功能层可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在第一功能层包括低分子量有机材料的情况下，第一功能层可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
相对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可以包括(半)透明层，所述(半)透明层包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的任何合金。在一些实施例中，相对电极230还可以包括位于包含上述材料的(半)透明层上的包含IZO、ZnO或In2O3的层。
有机发光二极管OLED可能易于被来自外部的湿气或氧损坏，并且因此可以通过覆盖有封装层300而被保护。封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在实施例中，封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括一种或多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括Al2O3、氧化钽、氧化铪、ZnOx(ZnOx可以是ZnO或ZnO2)、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层320可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料可以包括丙烯醛基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。丙烯醛基树脂可以包括例如PMMA和聚丙烯酸等。
尽管图6中未示出，但是以上参照图2描述的颜色转换透射层400(参见图2)可以布置在有机发光二极管OLED的相对电极230上。另外，滤色器层500(参见图2)可以布置在颜色转换透射层400上。
图7A和图7B是示意性地示出根据实施例的修复显示装置1的方法的操作的截面图。
图7A示出了修复工艺期间的显示装置1，并且图7B示出了修复工艺之后的显示装置1。在图7A和图7B中，与图6的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略其冗余描述。
参照图7A，当在像素电路PC(参见图5)中发生缺陷时，对应的像素电路PC的节点连接线NCL的修复部分RP和初始化电压线INL可能彼此短路。为此，在实施例中，可以将激光束照射到修复部分RP的其中修复部分RP和初始化电压线INL彼此重叠的部分。
例如，所使用的激光器的类型可以是准分子激光器。例如，准分子激光器可以具有大约308nm的短波长。在另一示例中，激光器的类型可以包括CO2激光器、YAG激光器、纳秒激光器、飞秒激光器、贝塞尔光束或高斯光束。
在图7A中，激光束从基底100的下表面朝向面对节点连接线NCL的方向(例如，沿着+z方向)照射，但是本公开不限于此。例如，在形成有机发光二极管OLED之前，也可以将激光束从节点连接线NCL朝向面对基底100的上表面的方向(例如，沿着-z方向)照射。
参照图7B，节点连接线NCL的修复部分RP和初始化电压线INL可以在修复区域RA中彼此短路。例如，由于缓冲层111和层间绝缘层113吸收激光束，因此形成穿透缓冲层111和层间绝缘层113的孔(或接触孔)，并且节点连接线NCL的修复部分RP可以通过所述孔(或所述接触孔)连接到位于修复部分RP下方的初始化电压线INL。在这种情况下，初始化电压线INL不经过薄膜晶体管(例如，第三薄膜晶体管T3(参见图4B))，但是可以将初始化电压通过节点连接线NCL施加到有机发光二极管OLED的像素电极210。因此，有机发光二极管OLED可能不始终发光，并且对应的像素PX可能包括暗斑。因此，可以解决亮斑缺陷。
图8是示意性地示出根据另一实施例的显示装置1的一部分的平面图，图9是示意性地示出沿着图8中的线IX-IX'截取的图8中的显示装置1的截面的截面图，并且图10是示意性地示出在显示装置1的修复工艺之后的图9中的显示装置1的截面的截面图。将省略上面参照图5、图6、图7A和图7B先前描述的元件的冗余描述，并且下面将主要描述不同之处。
参照图8和图9，显示装置1还可以包括在与初始化电压线INL的延伸方向相同的方向上(例如，沿着y方向)延伸的辅助线AL。在实施例中，辅助线AL可以布置为在平面图中与初始化电压线INL重叠。在截面图中，辅助线AL可以在节点连接线NCL的修复部分RP与初始化电压线INL之间。辅助线AL可以在与第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极G1的工艺相同的工艺中形成，并且可以包括与第一栅极电极G1的材料相同的材料。
例如，辅助线AL可以通过提供在缓冲层111和栅极绝缘层112中的第十一接触孔CNT11电连接到初始化电压线INL。辅助线AL可以与初始化电压线INL一起执行传送初始化电压的功能。通过辅助线AL，可以减小初始化电压线INL的总电阻，并且因此可以减小RC延迟。
参照图10，通过将激光束照射到修复区域RA，节点连接线NCL的修复部分RP和初始化电压线INL可以彼此短路，但是修复部分RP可以通过位于修复部分RP下方的辅助线AL电连接到初始化电压线INL。换言之，辅助线AL的位于修复区域RA中的部分可以用作修复部分RP和初始化电压线INL的连接构件。在这种情况下，例如，可以仅在层间绝缘层113中形成用于短路的孔，并且因此可以执行更快速和更容易的修复。
图11是示意性地示出根据另一实施例的沿着图5中的线VI-VI'截取的图5中的显示装置1的截面的截面图。图12是示意性地示出根据另一实施例的在显示装置1的修复工艺之后的图11中的显示装置1的截面的截面图。将省略上面参照图6、图7A和图7B先前描述的元件的冗余描述，下面将主要描述不同之处。
参照图11，像素电极210可以包括在平面图中与初始化电压线INL重叠的修复部分RP'，但是修复部分RP'可以与上绝缘膜117的开口117OP不重叠。例如，修复部分RP'可以被覆盖有上绝缘膜117。作为其中像素电极210的修复部分RP'与初始化电压线INL彼此重叠的区域的至少修复区域RA可以与上绝缘膜117的开口117OP不重叠。
参照图12，像素电极210的修复部分RP'和初始化电压线INL可以彼此短路。例如，可以将激光束照射到修复区域RA，从而将像素电极210的修复部分RP'和初始化电压线INL彼此连接。换言之，在实施例中，像素电极210的修复部分RP'可以通过接触孔连接到初始化电压线INL。在这种情况下，初始化电压线INL不经过薄膜晶体管(例如，第三薄膜晶体管T3(参见图4B))，而是可以将初始化电压直接施加到有机发光二极管OLED的像素电极210。因此，有机发光二极管OLED可能不始终发光，并且对应的像素PX可能包括暗斑。因此，可以解决亮斑缺陷。
尽管已经主要描述了显示装置和修复显示装置的方法，但是本公开不限于此。例如，可以理解，用于制造这种显示装置的显示装置制造方法也落入本公开的范围内。
根据如上所述地配置的实施例，可以实现由于有缺陷的像素电路而发生的亮斑可以被修复为暗斑的显示装置以及修复显示装置的方法。根据实施例，可以执行更简单和更快速的修复，并且因此可以改善显示装置的生产率和良率。另外，可以最小化对用于修复的显示装置的设计限制，从而实现高分辨率的显示装置。然而，本公开的范围不受该效果限制。
应当理解，本文中描述的实施例应当仅在描述性的意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底；
薄膜晶体管，布置在所述基底上；
像素电极，布置在所述基底上；
节点连接线，配置为将所述薄膜晶体管和所述像素电极彼此连接；以及
初始化电压线，布置在所述基底上，
其中，所述节点连接线包括在平面图中与所述初始化电压线重叠的修复部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述初始化电压线在第一方向上延伸，并且所述显示装置还包括：数据线，布置在所述基底上并且在所述第一方向上延伸，
其中，在平面图中，所述初始化电压线布置为比所述数据线更靠近所述薄膜晶体管，并且
其中，在平面图中，所述节点连接线与所述数据线不重叠。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：存储电容器，包括彼此重叠的第一电容器极板和第二电容器极板，
其中，所述第二电容器极板包括所述节点连接线的一部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括半导体层和与所述半导体层的至少一部分重叠的栅极电极，并且所述显示装置还包括：底部金属层，布置在所述基底与所述薄膜晶体管的所述半导体层之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：存储电容器，包括彼此重叠的第一电容器极板和第三电容器极板，
其中，所述第三电容器极板包括所述底部金属层的一部分。
6.根据权利要求1或2或4所述的显示装置，其特征在于，所述节点连接线的所述修复部分通过接触孔连接到所述初始化电压线。
7.根据权利要求1或2或4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
发射层，布置在所述像素电极上；
相对电极，布置在所述发射层上；
颜色转换透射层，布置在所述相对电极上；以及
滤色器层，布置在所述颜色转换透射层上，
其中，所述颜色转换透射层将从所述发射层发射的第一颜色的光转换为与所述第一颜色不同的第二颜色的光，或者在没有颜色转换的情况下透射所述第一颜色的所述光。
8.根据权利要求1或2或4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：辅助线，设置在所述节点连接线的所述修复部分与所述初始化电压线之间，并且电连接到所述初始化电压线，并且
其中，所述节点连接线的所述修复部分通过所述辅助线电连接到所述初始化电压线。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底；
薄膜晶体管，布置在所述基底上；
初始化电压线，布置在所述基底上；
像素电极，布置在所述基底上并且电连接到所述薄膜晶体管；以及
上绝缘膜，布置在所述像素电极上，并且包括与所述像素电极的一部分相对应的开口，
其中，所述像素电极包括在平面图中与所述初始化电压线重叠的修复部分，并且所述修复部分与所述上绝缘膜的所述开口不重叠。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述像素电极的所述修复部分通过接触孔连接到所述初始化电压线。
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