CN217386689U - 一种低反射ito膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低反射ITO膜，包括基材层，所述基材层的上表面镀有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层的上表面镀有第一氧化铟锡层，所述第一氧化铟锡层的上表面镀有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的上表面镀有第二氧化铟锡层。本实用新型通过在原来的导电膜结构上增设一层额外的二氧化硅层和氧化铟锡层，形成二氧化硅+氧化铟锡+二氧化硅+氧化铟锡的四层结构，有效降低了导电膜的反射率，减少了色差，提高了人们的视觉体验；不同镀膜厚度有不同方阻，通过控制二氧化硅层和氧化铟锡层的厚度，可以满足不同的方阻需求。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及导电膜的技术领域，特别是低反射ITO膜的技术领域。
【背景技术】
ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。
现有的ITO薄膜采用的是二氧化硅+氧化铟锡的结构，这种结构色差较高，即使增加二氧化硅的厚度也不能达到理想的色差效果，降低了人们的视觉体验。
【实用新型内容】
本实用新型的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种低反射ITO膜，能降低ITO膜的反射率，减少色差，提高人们的视觉体验。
为实现上述目的，本实用新型提出了一种低反射ITO膜，包括基材层，所述基材层的上表面镀有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层的上表面镀有第一氧化铟锡层，所述第一氧化铟锡层的上表面镀有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的上表面镀有第二氧化铟锡层。
作为优选，所述基材层为PET层或COP层或透明PI层或PC层。
作为优选，所述第一氧化铟锡层的厚度小于第一二氧化硅层的厚度，所述第二氧化铟锡层的厚度大于第二二氧化硅层的厚度，所述第一二氧化硅层的厚度大于第二二氧化硅层的厚度。
作为优选，所述基材层的厚度为5.7-188μm，第一二氧化硅层厚度为10-15nm，第一氧化铟锡层的厚度为5-25nm，第二二氧化硅层的厚度为5-12nm，第二氧化铟锡层的厚度为5-28nm。
作为优选，所述第一二氧化硅层厚度为12nm，第一氧化铟锡层的厚度为11nm，第二二氧化硅层的厚度为8nm，第二氧化铟锡层的厚度为11nm。
本实用新型的有益效果：本实用新型通过在原来的导电膜结构上增设一层额外的二氧化硅层和氧化铟锡层，形成二氧化硅+氧化铟锡+二氧化硅+氧化铟锡的四层结构，有效降低了导电膜的反射率，减少了色差，提高了人们的视觉体验；不同镀膜厚度有不同方阻，通过控制二氧化硅层和氧化铟锡层的厚度，可以满足不同的方阻需求。
本实用新型的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。
【附图说明】
图1是本实用新型一种低反射ITO膜的结构示意图。
图中：1-基材层、2-第一二氧化硅层、3-第一氧化铟锡层、4-第二二氧化硅层、5-第二氧化铟锡层。
【具体实施方式】
参阅图1，本实用新型一种低反射ITO膜，包括基材层1，所述基材层1的上表面镀有第一二氧化硅层2，所述第一二氧化硅层2的上表面镀有第一氧化铟锡层3，所述第一氧化铟锡层3的上表面镀有第二二氧化硅层4，所述第二二氧化硅层4的上表面镀有第二氧化铟锡层5，所述基材层1为PET层或COP层或透明PI层或PC层，所述第一氧化铟锡层3的厚度小于第一二氧化硅层2的厚度，所述第二氧化铟锡层5的厚度大于第二二氧化硅层4的厚度，所述第一二氧化硅层2的厚度大于第二二氧化硅层4的厚度，所述基材层1的厚度为5.7-188μm，第一二氧化硅层2厚度为10-15nm，第一氧化铟锡层3的厚度为5-25nm，第二二氧化硅层4的厚度为5-12nm，第二氧化铟锡层5的厚度为5-28nm，所述第一二氧化硅层2厚度为12nm，第一氧化铟锡层3的厚度为11nm，第二二氧化硅层4的厚度为8nm，第二氧化铟锡层5的厚度为11nm。
本实用新型工作过程：
本实用新型一种低反射ITO膜的制造过程中，首先通过磁控溅射工艺在所述基材层一面上镀第一二氧化硅层，接着在第一二氧化硅层的表面上镀第一氧化铟锡层，再在第一氧化铟锡层上镀第二二氧化硅层，最后在第二二氧化硅层上镀第二氧化铟锡层，镀膜后老化温度120-150℃，老化时间20-40min，得到低反射ITO膜。
本实用新型通过在原来的导电膜结构上增设一层额外的二氧化硅层和氧化铟锡层，形成二氧化硅+氧化铟锡+二氧化硅+氧化铟锡的四层结构，测得此结构的ITO膜在380-780nm波段反射率低至1.4％，有效降低了导电膜的反射率，减少了色差，提高了人们的视觉体验；不同镀膜厚度有不同方阻，通过控制二氧化硅层和氧化铟锡层的厚度，可以满足不同的方阻需求。
上述实施例是对本实用新型的说明，不是对本实用新型的限定，任何对本实用新型简单变换后的方案均属于本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种低反射ITO膜，其特征在于：包括基材层(1)，所述基材层(1)的上表面镀有第一二氧化硅层(2)，所述第一二氧化硅层(2)的上表面镀有第一氧化铟锡层(3)，所述第一氧化铟锡层(3)的上表面镀有第二二氧化硅层(4)，所述第二二氧化硅层(4)的上表面镀有第二氧化铟锡层(5)。
2.如权利要求1所述的低反射ITO膜，其特征在于：所述基材层(1)为PET层或COP层或透明PI层或PC层。
3.如权利要求1所述的低反射ITO膜，其特征在于：所述第一氧化铟锡层(3)的厚度小于第一二氧化硅层(2)的厚度，所述第二氧化铟锡层(5)的厚度大于第二二氧化硅层(4)的厚度，所述第一二氧化硅层(2)的厚度大于第二二氧化硅层(4)的厚度。
4.如权利要求1所述的低反射ITO膜，其特征在于：所述基材层(1)的厚度为5.7-188μm，第一二氧化硅层(2)厚度为10-15nm，第一氧化铟锡层(3)的厚度为5-25nm，第二二氧化硅层(4)的厚度为5-12nm，第二氧化铟锡层(5)的厚度为5-28nm。
5.如权利要求1所述的低反射ITO膜，其特征在于：所述第一二氧化硅层(2)厚度为12nm，第一氧化铟锡层(3)的厚度为11nm，第二二氧化硅层(4)的厚度为8nm，第二氧化铟锡层(5)的厚度为11nm。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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| CN217386689U true CN217386689U (zh) | 2022-09-06 |
Family
ID=83084669
Family Applications (1)
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| CN202122484683.0U Active CN217386689U (zh) | 2021-10-15 | 2021-10-15 | 一种低反射ito膜 |
Country Status (1)
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2021
- 2021-10-15 CN CN202122484683.0U patent/CN217386689U/zh active Active
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