CN217240590U - 一种供电电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种供电电路，包括：线性稳压电路、恒流电路和滞回比较开关电路；所述线性稳压电路的一端用于与高压输入电源连接，另一端分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接，用于对所述高压输入电源输入的高压信号进行第一次降压，得到第一降压信号；所述恒流电路的另一端与所述滞回比较开关电路的一端连接，用于将所述第一降压信号转换成低压恒流信号；所述滞回比较开关电路的另一端用于与负载连接，用于根据所述低压恒流信号控制输出至所述负载的输出电压的大小。本实用新型提供一个较低且较恒定的供电电路，能防止冲击电路过大导致器件损坏且满足高低压下保持相同的启动时间。

Description

一种供电电路

技术领域

本实用新型涉及开关电源领域，特别涉及一种供电电路。

背景技术

开关电源的启动需要给控制芯片提供一个合适的电压，控制芯片才能工作，从而实现开关电源的启动。启动电路有芯片外部供电和芯片内部供电，外部供电又有线性供电、RC供电、BUCK、RCC、PSR等多种供电方式，芯片内部供电一般是线性供电和芯片自带的恒流供电电路实现启动。在高压和超宽电压输入的开关电源场合，一般芯片都自带恒流供电电路，或者采用外置的RC电路启动供电，或者是外置的恒流供电芯片，但是这些供电方式会存在一定的缺陷：

芯片自带的恒流供电电路一般电流都比较小，启动时间比较长，时间无法调节，另外RC电路供电也是存在启动时间比较长，输入电压范围比较宽的情况下启动时间还存在差异大的问题，外置恒流供电芯片是一个很好的选择，但也存在供电电流和输出电压无法调节的问题，因此很难适应各种不同的应用场合。

实用新型内容

本实用新型旨在克服上述现有技术中至少一种缺陷，提供一种供电电路，用于提供一个较低且较恒定的供电电路，能防止冲击电路过大导致器件损坏且满足高低压下保持相同的启动时间。

本实用新型采取的方案为：

一方面，提供一种供电电路，包括：线性稳压电路、恒流电路和滞回比较开关电路；所述线性稳压电路的一端用于与高压输入电源连接，另一端分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接，用于对所述高压输入电源输入的高压信号进行第一次降压，得到第一降压信号；

所述恒流电路的另一端与所述滞回比较开关电路的一端连接，用于将所述第一降压信号转换成低压恒流信号；

所述滞回比较开关电路的另一端用于与负载连接，用于根据所述低压恒流信号控制输出至所述负载的输出电压的大小。

线性稳压电路对高压输入电源输入的高压信号进行第一次降压，为恒流电路提供合适的电压，从而恒流电路将第一降压信号转换成低压恒流信号，滞回比较开关电路根据低压恒流信号对输出电压进行控制，从而可以为负载提供一个可调的供电电流，实现输出不同的输出电压。

优选地，所述滞回比较开关电路包括滞回比较电路、开关电路和电容C1，所述开关电路的第一端与所述恒流电路连接，第二端与所述滞回比较电路的第一端连接，第三端分别与所述电容C1、所述滞回比较电路的第三端连接和用于与所述负载连接；所述滞回比较电路的第二端还分别与所述恒流电路和所述线性稳压电路连接，第三端还与所述电容C1连接和用于与所述负载连接。

滞回比较电路通过线性稳压电路进行供电，根据采样输出至负载的输出电压并将输出电压与自身基准进行比较，当输出电压高于设定上限电压时，第二端输出低电平，控制开关电路断开，从而电容C1放电；当输出电压低于设定下限电压时，第二端输出高电平，控制电容C1充电，从而实现输出不同的输出电压。

优选地，所述滞回比较电路包括基准电压单元U1、电阻R5、电阻R8、电阻R9、电阻R6、电阻R7、电阻R10和三极管Q4，所述基准电压单元U1的阴极通过所述电阻R5分别与所述恒流电路和所述线性稳压电路连接、通过所述电阻R9与所述三极管Q4的基极连接，阳极接地，基准端通过所述电阻R10与所述三极管Q4的集电极连接、通过所述电阻R6分别与所述三极管Q4的发射极、所述电阻R8的一端、所述电容C1连接和用于与所述负载连接、通过所述电阻 R7接地；所述三极管Q4的基极还与所述电阻R8的另一端连接、还通过所述电阻R9分别与所述开关电路的第二端、所述电阻R5连接。

优选地，所述滞回比较电路设有运算放大器或比较器；所述运算放大器或比较器的输出端与所述开关电路的第二端连接，第一输入端分别与所述恒流电路和所述线性稳压电路连接，第二输入端分别与所述电容C1、所述开关电路的第三端连接和用于与所述负载连接。

优选地，所述开关电路为N型MOS管Q3，所述N型MOS管Q3的漏极作为第一端，栅极作为第二端，源极作为第三端分别与所述电容C1、所述滞回比较电路的第三端连接和用于与所述负载连接。

优选地，所述恒流电路包括电阻R3、电阻R4、三极管Q2和稳压管Z2；所述三极管Q2为PNP型三极管，所述三极管Q2的发射极通过所述电阻R3分别与所述线性稳压电路、所述滞回比较开关电路连接，集电极与所述滞回比较开关电路连接，基极通过所述稳压管Z2分别与所述线性稳压电路、所述滞回比较开关电路连接、通过所述限流电阻R4接地，

或者，所述三极管Q2为NPN型三极管，所述三极管Q2的发射极通过所述电阻R3与所述滞回比较开关电路连接，集电极分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接，基极通过所述电阻R4分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接、通过所述稳压管Z2与所述滞回比较开关电路连接。

优选地，所述线性稳压电路包括稳压管Z1，一个或多个电阻R1，一个或多个电阻R2，MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极通过所述电阻R2用于与所述高压输入电源连接，源极分别与所述恒流电路、所述滞回比较开关电路连接，栅极通过电阻R1用于与所述高压输入电源连接、通过所述稳压管Z1接地。

优选地，当所述电阻R1的个数为多个时，多个所述电阻R1并联连接和/或串联连接。

优选地，当所述电阻R2的个数为多个时，多个所述电阻R2并联连接和/或串联连接。

另一方面，提供一种供电电路，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻 R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、稳压管Z1、 MOS管Q1、三极管Q2、稳压管Z2、N型MOS管Q3、三极管Q4、基准电压单元U1、电容C1；所述MOS管Q1的漏极通过所述电阻R2用于与所述高压输入电源连接，源极与所述稳压管Z2的阴极连接和通过所述电阻R3与所述三极管Q2的发射极连接，源极还通过电阻R5分别与所述N型MOS管Q3的栅极、所述电阻R9的一端、所述基准电压单元U1的阴极连接；所述三极管Q2的基极分别与所述稳压管Z2的阳极连接和通过所述电阻R4接地，集电极与所述N 型MOS管Q3的漏极连接；所述N型MOS管Q3的源极分别与所述电容C1的一端连接和用于与负载连接，栅极还通过所述电阻R9分别与所述三极管Q4的基极和所述电阻R8的一端连接；所述三极管Q4的发射极分别通过所述电阻R8 与所述电阻R9的一端连接、通过所述电阻R6与所述基准电压单元U1的基准端连接和用于与负载连接，集电极通过所述电阻R10与所述基准电压单元U1的基准端连接；所述基准电压单元U1的基准端还分别通过所述电阻R6用于与负载连接、通过所述电阻R7接地，阳极接地；所述稳压管Z1的阳极、所述电容C1 的另一端均接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：本实用新型在高压输入下能提供一个可调的供电电流，防止产生较大的冲击电流从而导致器件损坏，同时在不同输入电压下能提供一个充电时间较为固定的供电电流，实现高低输入电压下都具有相同的启动时间；本实用新型具有可设置的输出电压回差，可实现不同的输出启动电压，可试用不同的供电场合。

附图说明

图1为实施例一所述供电电路的模块示意图；

图2为实施例一所述供电电路的电路示意图；

图3为实施例二所述供电电路的电路示意图；

图4为实施例三所述供电电路的电路示意图；

图5为实施例三所述供电电路的详细电路图。

具体实施方式

本实用新型附图仅用于示例性说明，不能理解为对本实用新型的限制，为了更好地说明以下实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不能代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。

第一实施例

如图1所示，在本实施例中，提供一种供电电路，包括：线性稳压电路、恒流电路和滞回比较开关电路；所述线性稳压电路的一端用于与高压输入电源连接，另一端分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接，用于对所述高压输入电源输入的高压信号进行第一次降压，得到第一降压信号；

所述恒流电路的另一端与所述滞回比较开关电路的一端连接，用于将所述第一降压信号转换成低压恒流信号；

所述滞回比较开关电路的另一端用于与负载连接，用于根据所述低压恒流信号控制输出至所述负载的输出电压的大小。

线性稳压电路对高压输入电源输入的高压信号进行第一次降压，为恒流电路提供合适的电压，实现在高压输入下能提供一个可调的供电电流，防止产生较大的冲击电流从而导致器件损坏；恒流电路将第一降压信号转换成低压恒流信号，滞回比较开关电路根据低压恒流信号对输出电压进行控制，实现在不同输入电压下能提供一个充电时间较为固定的供电电流，实现高低输入电压下都具有相同的启动时间，从而可以为负载提供一个可调的供电电流，实现输出不同的输出电压。

在一个实施例中，所述滞回比较开关电路包括滞回比较电路、开关电路和电容C1，所述开关电路的第一端与所述恒流电路连接，第二端与所述滞回比较电路的第一端连接，第三端分别与所述电容C1、所述滞回比较电路的第三端连接和用于与所述负载连接；所述滞回比较电路的第二端还分别与所述恒流电路和所述线性稳压电路连接，第三端还与所述电容C1连接和用于与所述负载连接。

滞回比较电路通过线性稳压电路进行供电，根据采样输出至负载的输出电压并将输出电压与自身基准进行比较，当输出电压高于设定上限电压时，第二端输出低电平，控制开关电路断开，从而电容C1放电；当输出电压低于设定下限电压时，第二端输出高电平，控制电容C1充电，从而实现输出不同的输出电压。

如图2所示，作为滞回比较电路的一个具体实施例，所述滞回比较电路包括基准电压单元U1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10 和三极管Q4，所述基准电压单元U1的阴极通过所述电阻R5分别与所述恒流电路和所述线性稳压电路连接、通过所述电阻R9与所述三极管Q4的基极连接，阳极接地，基准端通过所述电阻R10与所述三极管Q4的集电极连接、通过所述电阻R6分别与所述三极管Q4的发射极、所述电阻R8的一端、所述电容C1连接和用于与所述负载连接、通过所述电阻R7接地；所述三极管Q4的基极还与所述电阻R8的另一端连接、还通过所述电阻R9分别与所述开关电路的第二端、所述电阻R5连接。

作为开关电路的一个具体实施例，所述开关电路为N型MOS管Q3，所述 N型MOS管Q3的漏极作为第一端，栅极作为第二端，源极作为第三端分别与所述电容C1、所述滞回比较电路的第三端连接和用于与所述负载连接。

作为恒流电路的一个具体实施例，所述恒流电路包括电阻R3、电阻R4、三极管Q2和稳压管Z2；所述三极管Q2为PNP型三极管，所述三极管Q2的发射极通过所述电阻R3分别与所述线性稳压电路、所述滞回比较开关电路连接，集电极与所述滞回比较开关电路连接，基极通过所述稳压管Z2分别与所述线性稳压电路、所述滞回比较开关电路连接、通过所述电阻R4接地。

作为线性稳压电路的一个具体实施例，所述线性稳压电路包括稳压管Z1，一个或多个电阻R1，一个或多个电阻R2，MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极通过所述电阻R2用于与所述高压输入电源连接，源极分别与所述恒流电路、所述滞回比较开关电路连接，栅极通过电阻R1用于与所述高压输入电源连接、通过所述稳压管Z1接地。

具体的，所述基准电压单元U1的阴极通过所述电阻R5分别与所述电阻R3、所述MOS管Q1的源极连接、通过所述电阻R9与所述三极管Q4的基极连接，阳极接地，基准端通过所述电阻R10与所述三极管Q4的集电极连接、通过所述电阻R6分别与所述三极管Q4的发射极、所述电阻R8的一端、所述电容C1连接和用于与所述负载连接、通过所述电阻R7接地；所述三极管Q4的基极还与所述电阻R8的另一端连接、还通过所述电阻R9分别与所述N型MOS管Q3的第二端、所述电阻R5连接，N型MOS管Q3的漏极与三极管Q2的集电极连接， N型MOS管Q3的发射极通过所述电阻R3与MOS管Q1的源极连接。

在具体实施方式中，基准电压单元U1为TL431基准芯片，本实施例的工作原理如下：以MOS管Q1为核心的线性稳压电路用于对输入的高压信号进行降压，得到第一降压信号，其输出最大电压由稳压管Z1决定，为以三极管Q2为核心组成的恒流电路提供合适的电压，电阻R1用于对稳压管Z1进行电流限制，其中，电路R1的个数可以为1个亦可以为多个，多个电阻R1的阻值可以均相同，亦可以均不相同，多个电阻R1的连接方式可以为串联，也可以为并联，亦可以为串联和并联的结合，具体可以根据不同的恒流电流选择不同的阻值、封装和数量，在此不做限定；MOS管Q1为高耐压的MOS管，可工作于较高的输入电压下，电阻R2用于实现功耗转移，防止MOS管Q1承受较大的功耗而导致过热损坏，实现在高压输入下能提供一个可调的供电电流，防止产生较大的冲击电流从而导致器件损坏，电阻R2的个数可以为1个亦可以为多个，多个电阻R2 的阻值可以均相同，亦可以均不相同，多个电阻R2的连接方式可以为串联，也可以为并联，亦可以为串联和并联的结合，具体可以根据不同的恒流电流选择不同的阻值、封装和数量，在此不做限定；由三极管Q2为核心组成的恒流电路，用于给负载提供合适的恒流电流(也可称为低压恒流信号)，其恒流大小由稳压管Z2和电阻R3共同决定，其中，三极管Q2的恒流电流计算公式如公式(1) 所示：

其中，Vbe为三极管Q2的基极与发射极之间的电压；电阻R4用于对稳压管Z2的电流限制；由基准电压单元U1为核心的滞回比较电路用于对N型MOS 管Q3的导通关闭进行控制，基准电压单元U1通过电阻R6和电阻R7采样电容 C1的输出电压V，由于电容C1一开始没有电压，因此基准电压单元U1基准端的电压很低，此时基准电压单元U1处于关断状态，那么电阻R5通过N型MOS 管Q1端S极(源极)的输出电压给N型MOS管Q3的G极(栅极)充电，由于N型MOS管Q3接恒流源的输出端，那么N型MOS管Q3随即导通并通过恒流的方式给电容C1充电，输出电压V将会到达根据电阻R6、电阻R7设定的上限电压值，上限电压计算方式如公式(2)：

其中，Vomax表示上限电压，Vref表示基准电压；

当输出电压V到达根据电阻R6、电阻R7设定的上限电压值时，基准电压单元U1导通并使阴极拉低，N型MOS管Q3随之关闭，另一方面，由于基准电压单元U1的阴极拉低，电阻R8和电阻R9将有电流流通，三极管Q4随之饱和导通，此时电阻R10和电阻R6将成为一种并联关系,相当于两个电阻采样输出电压，那么此时输出电压V的下限值的计算方式如公式(3)所示：

其中Vomin表示下限电压，由于N型MOS管Q3关闭，电容C1给负载进行供电，那么电压降会下降，当输出电压V低于下限值时，基准电压单元U1重新变回截止状态，N型MOS管Q3随即导通，重新给电容C1充电，当输出电压 V高于上限值时，停止充电，如此反复，实现在不同输入电压下能提供一个充电时间较为固定的供电电流，实现高低输入电压下都具有相同的启动时间，从而可以为负载提供一个可调的供电电流，实现输出不同的输出电压V。

第二实施例

与实施例1不同的是，在本实施例中，请参阅图3，图3为本实施例所述供电电路的电路示意图，所述恒流电路包括电阻R3、电阻R4、三极管Q2和稳压管Z2；所述三极管Q2为NPN型三极管，所述三极管Q2的发射极通过所述电阻R3与所述滞回比较开关电路连接，集电极分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接，基极通过所述电阻R4分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接、通过所述稳压管Z2与所述滞回比较开关电路连接。

第三实施例

与实施例1不同的是，在本实施例中，请参阅图4，图4为本实施例所述供电电路的电路示意图，所述滞回比较电路设有运算放大器或比较器；所述运算放大器或比较器的输出端与所述开关电路的第二端连接，第一输入端分别与所述恒流电路和所述线性稳压电路连接，第二输入端分别与所述电容C1、所述开关电路的第三端连接和用于与所述负载连接。

具体的，由运算放大器或比较器为核心组成的滞回比较电路，其第一输入端为VCC端，VCC端分别与MOS管Q1的源极、电阻R3的一端、稳压管Z2的阴极连接，第二输入端为FB端，FB端分别与N型MOS管Q3的源极、电容 C1连接，输出端为OUT端，OUT端与所述N型MOS管Q3的栅极连接；VCC 端通过线性稳压电路进行供电，FB端用于采样输出电压并将输出电压与滞回比较电路基准进行比较，当输出电压高于设定电压时，OUT端输出低电平，N型 MOS管Q3关闭，电容C1放电；当输出电压V低于设定下限电压时，OUT端输出高电平，N型MOS管Q3导通给电容C1充电。

具体的，如图5所示为本实施例所述供电电路的具体电路图，由运算放大器为核心组成的滞回比较电路为例，所述滞回比较电路包括运算放大器U2、电阻 R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电容C2；运算放大器的输出端2与所述N型MOS管Q3的栅极连接，并通过电阻R11与第一输入端1连接，第一输入端1还通过电阻R13分别与所述MOS管Q1的源极、电阻R3和稳压管Z2的阴极连接、通过电阻R14接地，第二输入端3通过电阻R12分别与电容 C1、所述N型MOS管Q3的源极连接和用于与所述负载连接、通过电阻R14接地，负电源端2接地，正电源端5通过电容C2接地。

经过线性稳压电路降压以后的电压给运算放大器U2提供一个合适的工作电压，经过电阻R13和电阻R14分压后提供给运算放大器U2的正相输入端(第一输入端1)，输出电压V经过电阻R12和电阻R15分压后提供给运算放大器U2 的反相输入端(第二输入端3)，由于输出电压V一开始电压没建立，因此正相输入端电压比反相输入端高，运算放大器U2的输出端4输出高电平驱动N型 MOS管Q3，N型MOS管Q3导通后输出电压V电压开始建立并迅速上升，由于运算放大器U2输出高电平，通过电阻R11提供电流到运算放大器U2的正相输入端，使正相输入端电压进一步抬升，当输出电压V达到设定的值后，输出电压V经过电阻R12和电阻R15分压后提供给运算放大器U2的反相输入端的电压比正相输入端电压高，运算放大器U2的输出端4迅速变为低电平，从而停止给输出电压V供电，防止充电电压过高；另一方面运算放大器U2的输出端4 变为低电平后，正电源端5的一端拉低，因此正电源端5将正相输入端的电流进行分流，将正相输入端电压稍微拉低，从而保证反相输入端比正相输入端电压高，使输出端4输出维持在低电平，当输出电压V下降到一定值后，经过电阻R12 和电阻R15分压后提供给运算放大器U2的反相输入端比正相输入端电压低，运算放大器U2的输出端4输出高电平，再次驱动N型MOS管Q3，如此反复，实现在不同输入电压V下能提供一个充电时间较为固定的供电电流，实现高低输入电压下都具有相同的启动时间，从而可以为负载提供一个可调的供电电流，实现输出不同的输出电压V。

第四实施例

在本实施例中，提供一种供电电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、稳压管Z1、 MOS管Q1、三极管Q2、稳压管Z2、N型MOS管Q3、三极管Q4、基准电压单元U1、电容C1；所述MOS管Q1的漏极通过所述电阻R2用于与所述高压输入电源连接，源极与所述稳压管Z2的阴极连接和通过所述电阻R3与所述三极管Q2的发射极连接，源极还通过电阻R5分别与所述N型MOS管Q3的栅极、所述电阻R9的一端、所述基准电压单元U1的阴极连接；所述三极管Q2的基极分别与所述稳压管Z2的阳极连接和通过所述电阻R4接地，集电极与所述N 型MOS管Q3的漏极连接；所述N型MOS管Q3的源极分别与所述电容C1的一端连接和用于与负载连接，栅极还通过所述电阻R9分别与所述三极管Q4的基极和所述电阻R8的一端连接；所述三极管Q4的发射极分别通过所述电阻R8 与所述电阻R9的一端连接、通过所述电阻R6与所述基准电压单元U1的基准端连接和用于与负载连接，集电极通过所述电阻R10与所述基准电压单元U1的基准端连接；所述基准电压单元U1的基准端还分别通过所述电阻R6用于与负载连接、通过所述电阻R7接地，阳极接地；所述稳压管Z1的阳极、所述电容C1 的另一端均接地。

具体的，MOS管Q1、电阻R1、电阻R2和稳压管Z1组成线性稳压电路，用于对输入的高压信号进行降压，其输出最大电压由稳压管Z1决定，电阻R1 用于对稳压管Z1进行电流限制，电阻R2用于实现功耗转移，防止MOS管Q1 承受较大的功耗而导致过热损坏，实现在高压输入下能提供一个可调的供电电流，防止产生较大的冲击电流从而导致器件损坏；电阻R3、电阻R4、三极管Q2和稳压管Z2组成恒流电路，用于给负载提供合适的恒流电流，其恒流大小由稳压管Z2和电阻R3共同决定，电阻R4用于对稳压管Z2的电流限制；电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、N型MOS管Q3、三极管Q4、基准电压单元U1、电容C1组成滞回比较开关电路，用于根据恒流电路提供的恒流电流控制输出至负载的输出电压的大小，基准电压单元U1通过电阻R6和电阻R7采样电容C1的输出电压V，由于电容C1一开始没有电压，因此基准电压单元U1基准端的电压很低，此时基准电压单元U1处于关断状态，那么电阻 R5通过N型MOS管Q1端S极的输出电压给N型MOS管Q3的G极充电，由于N型MOS管Q3接恒流源的输出端，那么N型MOS管Q3随即导通并通过恒流的方式给电容C1充电，输出电压V将会到达根据电阻R6、电阻R7设定的上限电压值，当输出电压V到达根据电阻R6、电阻R7设定的上限电压值时，基准电压单元U1导通并使阴极拉低，N型MOS管Q3随之关闭，另一方面，由于基准电压单元U1的阴极拉低，电阻R8和电阻R9将有电流流通，三极管Q4 随之饱和导通，此时电阻R10和电阻R6将成为一种并联关系,相当于两个电阻采样输出电压，由于N型MOS管Q3关闭，电容C1给负载进行供电，那么电压降会下降，当输出电压V低于下限值时，基准电压单元U1重新变回截止状态， N型MOS管Q3随即导通，重新给电容C1充电，当输出电压V高于上限值时，停止充电，如此反复，实现在不同输入电压下能提供一个充电时间较为固定的供电电流，实现高低输入电压下都具有相同的启动时间，从而可以为负载提供一个可调的供电电流，实现输出不同的输出电压V。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为了清楚地说明本实用新型技术方案所作的举例，而并非是对本实用新型的具体实施方式的限定。凡在本实用新型权利要求书的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种供电电路，其特征在于，包括：线性稳压电路、恒流电路和滞回比较开关电路；所述线性稳压电路的一端用于与高压输入电源连接，另一端分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接，用于对所述高压输入电源输入的高压信号进行第一次降压，得到第一降压信号；

所述恒流电路的另一端与所述滞回比较开关电路的一端连接，用于将所述第一降压信号转换成低压恒流信号；

所述滞回比较开关电路的另一端用于与负载连接，用于根据所述低压恒流信号控制输出至所述负载的输出电压的大小。

2.根据权利要求1所述的一种供电电路，其特征在于，所述滞回比较开关电路包括滞回比较电路、开关电路和电容C1，所述开关电路的第一端与所述恒流电路连接，第二端与所述滞回比较电路的第一端连接，第三端分别与所述电容C1、所述滞回比较电路的第三端连接和用于与所述负载连接；所述滞回比较电路的第二端还分别与所述恒流电路和所述线性稳压电路连接，第三端还与所述电容C1连接和用于与所述负载连接。

3.根据权利要求2所述的一种供电电路，其特征在于，所述滞回比较电路包括基准电压单元U1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和三极管Q4，所述基准电压单元U1的阴极通过所述电阻R5分别与所述恒流电路和所述线性稳压电路连接、通过所述电阻R9与所述三极管Q4的基极连接，阳极接地，基准端通过所述电阻R10与所述三极管Q4的集电极连接、通过所述电阻R6分别与所述三极管Q4的发射极、所述电阻R8的一端、所述电容C1连接和用于与所述负载连接、通过所述电阻R7接地；所述三极管Q4的基极还与所述电阻R8的另一端连接、还通过所述电阻R9分别与所述开关电路的第二端、所述电阻R5连接。

4.根据权利要求2所述的一种供电电路，其特征在于，所述滞回比较电路设有运算放大器或比较器；所述运算放大器或比较器的输出端与所述开关电路的第二端连接，第一输入端分别与所述恒流电路和所述线性稳压电路连接，第二输入端分别与所述电容C1、所述开关电路的第三端连接和用于与所述负载连接。

5.根据权利要求2-4任一项所述的一种供电电路，其特征在于，所述开关电路为N型MOS管Q3，所述N型MOS管Q3的漏极作为第一端，栅极作为第二端，源极作为第三端分别与所述电容C1、所述滞回比较电路的第三端连接和用于与所述负载连接。

6.根据权利要求1所述的一种供电电路，其特征在于，所述恒流电路包括电阻R3、电阻R4、三极管Q2和稳压管Z2；所述三极管Q2为PNP型三极管，所述三极管Q2的发射极通过所述电阻R3分别与所述线性稳压电路、所述滞回比较开关电路连接，集电极与所述滞回比较开关电路连接，基极通过所述稳压管Z2分别与所述线性稳压电路、所述滞回比较开关电路连接、通过所述电阻R4接地，

或者，所述三极管Q2为NPN型三极管，所述三极管Q2的发射极通过所述电阻R3与所述滞回比较开关电路连接，集电极分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接，基极通过所述电阻R4分别与所述恒流电路和所述滞回比较开关电路连接、通过所述稳压管Z2与所述滞回比较开关电路连接。

7.根据权利要求1所述的一种供电电路，其特征在于，所述线性稳压电路包括稳压管Z1，一个或多个电阻R1，一个或多个上电阻R2，MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极通过所述电阻R2用于与所述高压输入电源连接，源极分别与所述恒流电路、所述滞回比较开关电路连接，栅极通过电阻R1用于与所述高压输入电源连接、通过所述稳压管Z1接地。

8.根据权利要求7所述的一种供电电路，其特征在于，当所述电阻R1的个数为多个时，多个所述电阻R1并联连接和/或串联连接。

9.根据权利要求7所述的一种供电电路，其特征在于，当所述电阻R2的个数为多个时，多个所述电阻R2并联连接和/或串联连接。

10.一种供电电路，其特征在于，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、稳压管Z1、MOS管Q1、三极管Q2、稳压管Z2、N型MOS管Q3、三极管Q4、基准电压单元U1、电容C1；所述MOS管Q1的漏极通过所述电阻R2用于与高压输入电源连接，源极与所述稳压管Z2的阴极连接和通过所述电阻R3与所述三极管Q2的发射极连接，源极还通过电阻R5分别与所述N型MOS管Q3的栅极、所述电阻R9的一端、所述基准电压单元U1的阴极连接；所述三极管Q2的基极分别与所述稳压管Z2的阳极连接和通过所述电阻R4接地，集电极与所述N型MOS管Q3的漏极连接；所述N型MOS管Q3的源极分别与所述电容C1的一端连接和用于与负载连接，栅极还通过所述电阻R9分别与所述三极管Q4的基极和所述电阻R8的一端连接；所述三极管Q4的发射极分别通过所述电阻R8与所述电阻R9的一端连接、通过所述电阻R6与所述基准电压单元U1的基准端连接和用于与负载连接，集电极通过所述电阻R10与所述基准电压单元U1的基准端连接；所述基准电压单元U1的基准端还分别通过所述电阻R6用于与负载连接、通过所述电阻R7接地，阳极接地；所述稳压管Z1的阳极、所述电容C1的另一端均接地。

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