CN217158628U - 射频装置以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种射频装置以及电子设备,射频装置包括:第一枝节、第二枝节、第一馈电点、第二馈电点、第一馈地点、第二馈地点、第一馈电源、第二馈电源、第一选频电路以及第二选频电路;第一枝节与第二枝节之间设有缝隙;第一馈电点以及第一馈地点分别设置于第一枝节上,第二馈电点以及第二馈地点分别设置于第二枝节上;第一选频电路为低阻高通电路,第一选频电路的一端与第一馈电点连接,另一端接地,第一选频电路用于基于第一枝节耦合的信号使第一枝节产生第一寄生谐振;第二选频电路为低阻高通电路,第二选频电路的一端与第二馈电点连接,另一端接地,第二选频电路用于基于第二枝节耦合的信号使第二枝节产生第二寄生谐振。
Description
技术领域
本申请涉及通信技术领域,更具体地,涉及一种射频装置以及电子设备。
背景技术
随着无线通信技术的飞速发展,人们在日常生活中更广泛的使用手机、平板电脑等移动电子设备。射频装置是实现电子设备的通信功能的主要电子元件,也是不可或缺的电子元件之一。然而,由于电子设备中如屏幕、摄像头等模块需要占用越来越多的体积空间,射频装置的布局空间被进一步压缩,导致现有电子设备中,一些频段的总效率(totalefficiency)较低。
实用新型内容
本申请提出了一种射频装置以及电子设备,以改善上述缺陷。
第一方面,本申请实施例提供了一种射频装置,所述射频装置包括:第一枝节、第二枝节、第一馈电点、第二馈电点、第一馈地点、第二馈地点、第一馈电源、第二馈电源、第一选频电路以及第二选频电路;所述第一枝节与所述第二枝节之间设有缝隙;所述第一馈电点以及所述第一馈地点分别设置于所述第一枝节上,所述第二馈电点以及所述第二馈地点分别设置于所述第二枝节上;所述第一选频电路为低阻高通电路,所述第一选频电路的一端与所述第一馈电点连接,另一端接地,所述第一选频电路用于基于所述第一枝节耦合的信号使所述第一枝节产生第一寄生谐振,所述低阻高通电路的通带频率与所述第一枝节耦合的信号的频率相关;所述第二选频电路为低阻高通电路,所述第二选频电路的一端与所述第二馈电点连接,另一端接地,所述第二选频电路用于基于所述第二枝节耦合的信号使所述第二枝节产生第二寄生谐振,所述低阻高通电路的阻带频率与所述第二枝节耦合的信号的频率相关。
进一步的,根据第一方面提供的射频装置,所述第二选频电路包括:第一电感以及第一电容;所述第一电感的一端与所述第二馈电点连接,另一端接地;所述第一电容的一端与所述第二馈电点连接,另一端接地。
进一步的,根据第一方面提供的射频装置,所述第二选频电路还包括:第二电感;所述第二电感的一端与所述第一电感的另一端连接,所述第二电感的另一端接地;所述第一电感、所述第一电容以及所述第二电感构成低阻高通电路。
进一步的,根据第一方面提供的射频装置,所述第二选频电路还包括:开关;所述开关导通时,所述第二选频电路产生所述第二寄生谐振。
进一步的,根据第一方面提供的射频装置,所述第一选频电路包括:第三电感以及第二电容;所述第三电感的一端与所述第一馈电点连接,另一端接地;所述第二电容的一端与所述第一馈电点连接,另一端接地。
进一步的,根据第一方面提供的射频装置,所述第一选频电路还包括:第四电感;所述第四电感的一端与所述第三电感的另一端连接,所述第四电感的另一端接地;所述第三电感、所述第二电容以及所述第四电感构成低阻高通电路。
进一步的,根据第一方面提供的射频装置,所述射频装置还包括:第五电感、第三电容、第四电容、第五电容以及第六电容;所述第五电感的一端与所述第二馈电点连接,所述第五电感的另一端与所述第三电容的一端连接,所述第三电容的另一端与所述第四电容的一端连接,所述第四电容的另一端与所述第二馈电源连接,所述第五电容的一端与所述第三电容的另一端连接,所述第五电容的另一端接地,所述第六电容的一端与所述第四电容的另一端连接,所述第六电容的另一端接地。
进一步的,根据第一方面提供的射频装置,所述射频装置还包括:第七电容、第六电感以及第七电感;所述第七电容的一端与所述第一馈电点连接,所述第七电容的另一端与所述第六电感连接,所述第六电感的另一端与所述第一馈电源连接,所述第七电感的一端与所述第六电感的另一端连接,所述第七电感的另一端接地。
进一步的,根据第一方面提供的射频装置,所述低阻高通电路在L5频段为阻带,在大于或等于B1频段为带通。
进一步的,根据第一方面提供的射频装置,所述第一馈电源产生的第一工作信号包括B1、40、41、N41以及N78频段中的至少一个,所述第二寄生谐振对应的第四工作信号包括B1、40、41、N41以及N78频段中的至少一个;所述第二馈电源产生的第三工作信号包括L5频段,所述第一寄生谐振对应的第二工作信号包括L5频段。
第二方面,本申请实施例还提供了一种电子设备,包括:中框以及第一方面所述的射频装置;所述中框接地,所述射频装置的第一馈地点与第二馈地点分别与所述中框连接。
本申请提供的射频装置以及电子设备,通过利用第一选频电路,基于所述第一枝节耦合的信号使所述第一枝节产生第一寄生谐振,以及利用第二选频电路,基于所述第二枝节耦合的信号使所述第二枝节产生第二寄生谐振。由于第一选频电路以及第二选频电路不会对射频装置中第一馈电源以及第二馈电源产生的频段形成干扰,因此本申请可以在不影响第一枝节或第二枝节本身谐振的情况下,通过第一寄生谐振,提升了该第一寄生谐振对应的频段的总效率,以及通过第二寄生谐振,提升了该第二寄生谐振对应的频段的总效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本申请实施例提供的电子设备的结构图;
图2示出了本申请实施例提供的射频装置的结构示意图;
图3示出了本申请实施例提供的又一射频装置的结构示意图;
图4示出了本申请实施例提供的射频装置中第二选频电路的结构图;
图5示出了本申请实施例提供的射频装置中又一第二选频电路的结构图;
图6示出了本申请实施例提供的射频装置中还一第二选频电路的结构图;
图7示出了本申请又一实施例提供的射频装置的结构示意图;
图8示出了本申请实施例提供的射频装置中第一选频电路的结构图;
图9示出了本申请实施例提供的射频装置中又一第一选频电路的结构图;
图10示出了本申请实施例提供的射频装置中S参数的示意图;
图11示出了本申请实施例提供的射频装置中又一S参数的示意图;
图12示出了本申请还一实施例提供的射频装置的结构示意图;
图13示出了本申请实施例提供的射频装置的总效率示意图;
图14示出了本申请又一实施例提供的电子设备的结构图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
随着无线通信技术的飞速发展,人们在日常生活中更广泛的使用手机、平板电脑等移动电子设备。射频装置是实现电子设备的通信功能的主要电子元件,也是不可或缺的电子元件之一。然而,由于电子设备中如屏幕、摄像头等模块需要占用越来越多的体积空间,射频装置的布局空间被进一步压缩,导致现有电子设备中,一些频段的总效率较低。因此,如何提高电子设备中一些频段的总效率,成为亟待解决的问题。
对于一些电子设备,该电子设备上的某一枝节可以谐振产生第一频率的信号,然后通过预先设计的电路,使该枝节上产生该第一频率的寄生谐振,其中该谐振以及该寄生谐振共用该枝节,可以提高该第一频率的总效率。其中,总效率可以用于表征电子设备将输入功率转换为辐射功率的效率。
然而,发明人在研究中发现,对于上述电子设备,虽然能一定程度上提高第一频率的总效率,但是由于电子设备中该枝节本身产生的谐振以及寄生谐振共用该枝节,导致枝节长度偏短,提高第一频率总效率的效果较弱。
因此,本申请提供了一种射频装置以及电子设备,用以解决或部分解决上述问题。下面将结合附图具体描述本申请的各实施例。
请参阅图1,图1示出了一种电子设备,电子设备包括中框150、一前壳110和一后盖120,中框150包括中板(如图2中220)以及边框(如图2中230),其中边框230围设于中板220并连接于中板220。中板220包括相背的第一侧和第二侧,后盖120装配于中板的第一侧,前壳110装配于中板的第二侧,具体而言前壳110和后盖120均装配于边框230,并形成封闭的壳体,前壳110可以包括显示屏160。前壳110和后盖120共同围设成一收容空间以收容其他组成元件,例如,主板240和电池250等。
在一些实施例中,前壳110和后盖120可以为金属壳体。需要说明的是,本申请实施例前壳110和后盖120的材料并不限于此,还可以采用其它方式,比如:前壳110和后盖120可以包括塑胶部分和金属部分。再比如:前壳110和后盖120可以为塑胶壳体、陶瓷壳体等。
保护盖板可以为玻璃盖板、蓝宝石盖板、塑料盖板等,提供对显示屏160的保护作用,以防止灰尘、水气或油渍等附着于显示屏,避免外界环境对显示屏160的腐蚀,同时防止外界环境对显示屏160的冲击力,避免显示屏160的破碎。
保护盖板可以包括显示区和非显示区。显示区为透明,以对应显示屏160的出光面。非显示区为非透明,以遮蔽电子设备的内部结构。非显示区可以开设供声音、及光线传导的开孔等。
需要说明的是,本申请实施例的电子设备100也可以全面屏设计,而不保留非显示区。电子设备100可以在其周缘设置有耳机孔、麦克风孔、扬声器孔、通用串行总线接口孔。该耳机孔、麦克风孔、扬声器孔、通用串行总线接口孔均为通孔,并形成于边框上,并可以与收容空间内的主板240电性连接。
请参阅图2,图2示出了一种射频装置200,所述射频装置200可以应用于图1示出的电子设备100。所述射频装置200包括第一枝节201、第二枝节202、第一馈电点203、第二馈电点204、第一馈地点205、第二馈地点206、第一馈电源209、第二馈电源210、第一选频电路207以及第二选频电路208。该射频装置200可以置于前壳110和后盖120共同围设成的收容空间中,中框150可以接地,第一馈地点205和第二馈地点206可以通过中框150相连接,从而实现接地。请一并参阅图3中示出的射频装置200的结构图,所述第一枝节201与所述第二枝节202之间设有缝隙211;所述第一馈电点203以及所述第一馈地点205分别设置于所述第一枝节201上,所述第二馈电点204以及所述第二馈地点206分别设置于所述第二枝节202上;第一馈电源209与第一馈电点203连接,第一馈电点203连接至第一枝节201,第一枝节上还连接有第一馈地点205。其中,第一馈电源209产生的射频信号,通过第一馈电点203馈入第一枝节201,通过和第一枝节201连接的第一馈地点205接地构成回路,第一枝节201对第一馈电源209产生的射频信号产生谐振,通过第一枝节发射该射频信号。第二馈电源210与第二馈电点204连接,第二馈电点204连接至第二枝节202,第二枝节上还连接有第二馈地点206。其中,第二馈电源210产生的射频信号,通过第二馈电点204馈入第二枝节202,通过和第二枝节202连接的第二馈地点206接地构成回路,第二枝节202对第二馈电源210产生的射频信号产生谐振,通过第二枝节发射该射频信号。
由于电子设备一般具有一个以上的枝节,仅通过单个枝节发射的射频信号效率较低。因此可以在其中一个枝节发射射频信号的时候,另一个枝节可以作为该枝节的寄生枝节,以产生可以提高该射频信号的效率的寄生射频信号。具体地,可以通过第一选频电路207以及第二选频电路208来实现射频信号的寄生。
所述第一选频电路207的一端与所述第一馈电点203连接,另一端接地;所述第二选频电路208的一端与所述第二馈电点204连接,另一端接地。
通过第一选频电路207,可以获取该选第一选频电路207对应的第一频率,从而可以基于该第一频率使所述第一枝节201产生第一寄生谐振。通过第二选频电路208,可以获取该第二选频电路208对应的第二频率,从而可以基于该第一频率使所述第一枝节201产生第一寄生谐振。
对于一些实施方式,所述第一选频电路207为低阻高通电路。当第一选频电路207基于所述第一枝节201耦合到第一信号时,若该第一信号满足第一选频电路207通带对应的频段,即第一信号无法从第一选频电路207接地形成回路,此时该第一信号可以通过第一馈地点205接地形成回路,此时该第一枝节201可以产生第一寄生谐振。
对于一些实施方式,所述第二选频电路208为低阻高通电路。当第二选频电路208基于所述第二枝节202耦合到第二信号时,若该第二信号满足第二选频电路208通带对应的频段,即第二信号可以从第二选频电路208接地形成回路,此时该第二信号可以通过第二馈电点204通过第二选频电路208接地形成回路,此时该第二枝节202可以产生第二寄生谐振。
对于一些实施方式,所述第一馈电点203以及所述第一馈地点205分别设置于所述第一枝节201上,所述第二馈电点204以及所述第二馈地点206分别设置于所述第二枝节202上。第一枝节201和第二枝节202之间可以设置缝隙211,该缝隙211的宽度可以根据需要具体设定,在此不做限定。一种示例性的,第一枝节201上的第一馈电点203与所述缝隙211的距离可以小于第一枝节201上第一馈地点205与缝隙211的距离;第二枝节202上的第二馈电点204与所述缝隙211的距离可以小于第二枝节202上第二馈地点206与缝隙211的距离。
进一步的,该缝隙211在射频信号下具有一定容性,即可以等效为电容。通过该缝隙211,可以在第一枝节201谐振时,第二枝节202会产生一定的感应电动势,即所述第二枝节202可以耦合进与第一枝节201相同频段的射频;或在第二枝节202谐振时,第一枝节201会产生一定的感应电动势,即所述第一枝节201可以耦合进与第二枝节202相同频段的射频。
对于一些实施方式,第一枝节201和第二枝节202可以共用天线,其中,共用天线是指第一枝节201和第二枝节202共用同一金属辐射体,二者的区别在于金属辐射体的长度不同。通过共用辐射体,可以在有限的射频装置200净空下尽量少缝隙211,实现能够覆盖更多频段的射频装置200的设计。
对于一些实施方式,所述第一馈电源209产生的信号可以经所述第一馈电点203传输至第一枝节201,或者所述第一枝节201接收的信号经所述第一馈电点203传输至所述第一馈电源209。所述第二馈电源210产生的信号可以经所述第二馈电点204传输至第二枝节202,或者所述第二枝节202接收的信号经所述第二馈电点204传输至所述第二馈电源210。
容易理解的是,一个枝节发送的某个频段的射频信号频段带宽有限,或效率较低,此时可以通过另外枝节补充这个射频信号的某些频段,或发射相同频段的射频信号以提高该频段的射频信号的效率。所以,该寄生是其中一个枝节基于另一个枝节发射的信号的频段去寄生的。因此,本申请实施例中,第一枝节201可以用于发送第一馈电源209产生的频段的信号,第二枝节202可以用于发送第二馈源210产生的频段的信号。其中,第一馈电源209产生的射频信号,通过第一馈电点203馈入第一枝节201,通过和第一枝节201连接的第一馈地点205接地构成回路,第一枝节201对第一馈电源209产生的射频信号产生谐振,通过第一枝节发射该射频信号。第二馈电源210与第二馈电点204连接,第二馈电点204连接至第二枝节202,第二枝节202上还连接有第二馈地点206。其中,第二馈电源210产生的射频信号,通过第二馈电点204馈入第二枝节202,通过和第二枝节202连接的第二馈地点206接地构成回路,第二枝节202对第二馈电源210产生的射频信号产生谐振,通过第二枝节202发射该射频信号。进一步的,第一枝节201还可以用于发射第一枝节201耦合的射频信号,第二枝节202还可以用于发射第二枝节202耦合到的射频信号。具体的,可以基于第一选频电路207选择第一枝节201耦合到的射频信号的频率,使第一枝节201发射通过第一选频电路选择的频率的信号。可以基于第二选频电路选208择第二枝节202耦合到的射频信号的频率,使第二枝节202发射通过第二选频电路选择的频率的信号。
对于本申请提供的实施方式,第一馈电源209可以产生B1(1920-1980MHz)、N40(2300-2400MHz)、N41(2515MHz-2675MHz)以及N78(3400Mhz-3500Mhz)频段信号中的至少一个信号,第二馈电源210可以产生L5(1176.45±1.023MHz)频段的信号。
对于一些实施方式,为了使第一枝节201实现对某一频率的寄生谐振,第一选频电路207需要能够对频率具有选择的能力,即第一选频电路207可以为滤波电路。该滤波电路可以阻止需要实现寄生谐振的频率信号通过,而通过其他频率的信号,即可以将该频率选择出来。在本申请提供的实施方式中,第二馈电源可以产生L5频段的信号,因此第一选频电路207需要能够将L5频段的信号选择出来,即第一选频电路207需要具有低频带阻的特性。又由于第一选频电路207需要使除了L5频段之外的信号通过,因此第一选频电路207可以为带阻电路,其中阻带对应的频率为L5频段。第一选频电路207还可以为低阻高通电路,其中低阻带对应的频率为L5频段。
对于一些实施方式,所述第一选频电路207为低阻高通电路,所述低阻高通电路的通带频率与所述第一枝201节耦合的信号的频率相关,所述第一选频电路207的一端与所述第一馈电点203连接,另一端接地,所述第一选频电路207用于基于所述第一枝节201耦合的信号使所述第一枝节201产生第一寄生谐振。一种示例性的,若第二枝节202发出的信号为L5频段,第一枝节201可以耦合该L5频段的信号,第一选频电路207可以基于所述第一枝节201耦合的该L5频段的信号,使第一枝节201产生第一寄生谐振,其中该第一寄生谐振对应的频率即为该L5频段。
其中,所述第一选频电路207为低阻高通电路,即所述第一选频电路207可以实现低阻高通的滤波效果。一种示例性的,所述第一选频电路207可以对低频(Low Band,LB)信号呈现阻带的效果,对中高频信号(Middle High Band,MHB)呈现通带的效果。例如,该低阻高通电路可以阻止L5频段的信号通过,可以使大于或等于B1频段的信号通过。需要说明的是,由于低阻高通电路的特性,该电路若对B1频段是通带,则对大于B1频段的N40、N41、N78频段也可以看作通带。
对于一些实施方式,为了使第二枝节202实现对某一频率的寄生谐振,第二选频电路208需要能够对频率具有选择的能力,即第二选频电路208可以为滤波电路。该滤波电路可以通过需要实现寄生谐振的频率信号,而阻止其他频率的信号,即可以将该频率选择出来。在本申请提供的实施方式中,第一馈电源可以产生B1、N40、N41及N78频段信号中的至少一个信号频段的信号,因此第二选频电路208需要能够将B1、N40、N41及N78频段信号中的至少一个信号频段的信号选择出来,即第二选频电路208需要具有中高频带通的特性。又由于第二选频电路208需要阻止除了B1、N40、N41及N78频段信号之外的信号通过,因此第二选频电路208可以为带通,其中阻通对应的频率包括B1、N40、N41及N78频段。第二选频电路208还可以为低阻高通电路,其中高通带对应的频率包括B1、N40、N41及N78频段。
对于一些实施方式,所述第二选频电路208为低阻高通电路,所述低阻高通电路的阻带频率与所述第二枝节202耦合的信号的频率相关,所述第二选频电路208的一端与所述第二馈电点204连接,另一端接地,所述第二选频电路208用于基于所述第二枝节202耦合的信号使所述第二枝节202产生第二寄生谐振。其中,低阻高通可以参阅前述描述,此处就不再赘述。其中,第二寄生谐振对应的频率即为第二枝节202耦合到的信号的频率。
本申请提供的射频装置200、电子设备100,通过利用第一选频电路207,基于所述第一枝节201耦合的信号使所述第一枝节201产生第一寄生谐振,以及利用第二选频电路208,基于所述第二枝节202耦合的信号使所述第二枝节202产生第二寄生谐振。由于第一选频电路207以及第二选频电路208不会对射频装置200中第一馈电源209以及第二馈电源210产生的频段形成干扰,因此本申请可以在不影响第一枝节201或第二枝节202本身谐振的情况下,通过第一寄生谐振,提升了该第一寄生谐振对应的频段的总效率,以及通过第二寄生谐振,提升了该第二寄生谐振对应的频段的总效率。
请参阅图4,对于一些实施方式,所述第二选频电路208包括:第一电感L1以及第一电容C1;所述第一电感L1的一端与所述第二馈电点204连接,另一端接地;所述第一电容C1的一端与所述第二馈电点204连接,另一端接地。
请参阅图5,对于另一些实施方式,所述第二选频电路208还包括:第二电感L2;所述第二电感L2的一端与所述第一电感L1的另一端连接,所述第二电感L2的另一端接地;所述第一电感L1、所述第一电容C1以及所述第二电感L2构成低阻高通电路。
进一步的,第一电感L1或第二电感L2可以为固定电感,第一电容C1可以为固定电容,可以通过预先设定第一电感L1、第二电感L2以及第一电容C1的参数大小,实现对特定频率信号的通过或阻止的效果。例如,设定第一电感L1为x nh,第一电容C1为y pf,第二电感L2为z nh,则可以阻止A Mhz频段的信号通过,可以使大于或等于B Mhz频段的信号通过。具体的,对于本申请提供的一种实施方式,第一电感L1可以为30nh,第一电容C1可以为0.8pf,第二电感L2可以为3.3nh。此时通过第一电感L1、第二电感L2以及第一电容C1构成的第二选频电路208,可以使大于或等于B1频段的信号通过。其中,nh为电感单位纳亨,pf为电容单位皮法,Mhz为频率单位兆赫。
进一步的,第一电感L1或第二电感L2还可以为可调电感,第一电容C1还可以为可调电容,从而可以方便实现对第一电感L1、第二电感L2以及第一电容C1参数的调节,以此获得需要的低阻高通电路。通过该低阻高通电路,可以实现对所述第二枝节202耦合的信号产生第一寄生谐振,提高该信号的总效率。对于本申请提供的实施方式,第二枝节202可以耦合B1、N40、N41及N78段中的至少一个信号,通过第二选频电路208,在第二枝节202产生第二寄生谐振,然后通过第二枝节202发射与第二枝节202耦合到的频段相同频段的信号。其中,第二枝节202耦合的频段的信号,可以由第一枝节201发射。具体的,第一馈电源209可以产生B1、N40、N41以及N78频段中的至少一个信号,通过第一枝节201谐振然后发射。
请参阅图6,对于一些实施方式,所述第二选频电路208还包括:开关;所述开关导通时,所述第二选频电路208产生所述第二寄生谐振。具体的,所述开关的一端和所述第二电感L2的另一端相连,所述开关的另一端接地。在所述开关导通时,由所述第一电感L1、所述第一电容C1以及所述第二电感L2构成的低阻高通电路可以通过开关接地形成回路,从而实现阻止低频信号通过,使中高频信号通过。在所述开关断开时,由所述第一电感L1、所述第一电容C1以及所述第二电感L2构成的低阻高通电路无法通过开关接地,因此无法实现对信号低阻高通的效果。此时第一枝节201仅对第一馈电源209产生的信号产生谐振。通过该开关以及第二选频电路208,该射频装置200可以同时实现对低频信号的带阻以及中高频信号的带通或带阻效果,其中对低频信号的带阻效果以及对中高频信号的带通效果可以在开关导通时通过该第二选频电路208实现,对中高频信号的带阻效果可以在开关断开时通过该第二选频电路208实现。
请参阅图7,所述射频装置200还包括:第五电感L5、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第六电容C6。对于一些实施方式,所述第五电感L5的一端与所述第二馈电点204连接,所述第五电感L5的另一端与所述第三电容C3的一端连接,所述第三电容C3的另一端与所述第四电容C4的一端连接,所述第四电容C4的另一端与所述第二馈电源210连接,所述第五电容C5的一端与所述第三电容C3的另一端连接,所述第五电容C5的另一端接地,所述第六电容C6的一端与所述第四电容C4的另一端连接,所述第六电容C6的另一端接地。
其中,第五电感L5、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第六电容C6可以用于匹配第二馈电源210产生的信号,使第二枝节202可以基于所述第二馈电源210产生的信号产生谐振。一种示例性的,第二馈电源210可以产生L5频段的信号。对于本申请提供的一种实施方式,所述第五电感L5可以为5.6nh,所述第三电容C3可以为3.9pf,所述第四电容C4可以为1pf,所述第五电容C5可以为2.7pf,所述第六电容C6可以为1pf。
请参阅图8,对于一些实施方式,所述第一选频电路207包括:第三电感L3以及第二电容C2;所述第三电感L3的一端与所述第一馈电点203连接,另一端接地;所述第二电容C2的一端与所述第一馈电点203连接,另一端接地。
请参阅图9,对于另一些实施方式,所述第一选频电路207还包括:第四电感L4;所述第四电感L4的一端与所述第三电感L3的另一端连接,所述第四电感L4的另一端接地;所述第三电感L3、所述第二电容C2以及所述第四电感L4构成低阻高通电路。
进一步的,第三电感L3或第四电感L4可以为固定电感,第二电容C2可以为固定电容,可以通过预先设定第三电感L3、第四电感L4以及第二电容C2的参数大小,实现对特定频率信号的通过或阻止的效果。例如,设定第三电感L3为x nh,第二电容C2为y pf,第四电感L4为z nh,则可以阻止A Mhz频段的信号通过,可以使大于或等于B Mhz频段的信号通过。具体的,对于本申请提供的一种实施方式,第三电感L3可以为5.1nh,第二电容C2可以为3.9pf,第四电感L4可以为6.2nh。此时通过第三电感L3、第四电感L4以及第二电容C2构成的第一选频电路207,可以阻止L5频段的信号通过,可以使大于或等于B1频段的信号通过。
进一步的,第三电感L3或第四电感L4还可以为可调电感,第二电容C2还可以为可调电容,从而可以方便实现对第三电感L3、第四电感L4以及第二电容C2参数的调节,以此获得需要的低阻高通电路。通过该低阻高通电路,可以实现对所述第一枝节201耦合的信号产生第一寄生谐振,提高该信号的总效率。对于本申请提供的实施方式,第一枝节201可以耦合L5频段的信号,通过第一选频电路207,在第一枝节201产生第一寄生谐振,然后通过第一枝节201发射L5频段的信号。其中,第一枝节201耦合的L5频段的信号,可以由第二枝节202发射。具体的,第二馈电源210可以产生L5频段的信号,通过第二枝节202谐振然后发射。
本申请通过使用第一选频电路207构成低阻高通电路,在第二枝节202发射L5频段的信号时,通过第一枝节201耦合L5频段的信号,产生第一寄生谐振后再通过第一枝节201发射L5频段的信号,可以提高该射频装置200发射L5频段信号的总效率。
请一并参阅图10和图11,其中图10示出的L5频段的总效率示意图中,射频装置200仅通过第二馈电源210产生L5频段的信号,通过第二枝节202谐振发射信号;图11示出的L5频段的总效率示意图中,射频装置200中的第一枝节201耦合第二枝节202发射的信号,通过第一选频电路207使第一枝节201对L5频段产生第一寄生谐振,并通过第一枝节201发射L5频段的信号。其中,图10以及图11中坐标横轴为频率,单位为Ghz,坐标纵轴为总效率,单位为dB。通过图10中的A点可以获知此时L5频段的总效率最高为-10.979Db;通过图11中的B点可以获知此时L5频段的总效率最高为-12.614dB。由-10.979Db-(-12.614dB)=1.635dB可知,本申请提供的实施方式在第二枝节202发射L5频段的信号时,通过第一枝节201耦合L5频段的信号,产生第一寄生谐振后再通过第一枝节201发射L5频段的信号,可以提高该射频装置200发射L5频段信号的约1.635dB的总效率。
请参阅图12,对于一些实施方式,所述射频装置200还包括:第七电容C7、第六电感L6以及第七电感L7;所述第七电容C7的一端与所述第一馈电点203连接,所述第七电容C7的另一端与所述第六电感L6连接,所述第六电感L6的另一端与所述第一馈电源209连接,所述第七电感L7的一端与所述第六电感L6的另一端连接,所述第七电感L7的另一端接地。
其中,第七电容C7、第六电感L6以及第七电感L7可以用于匹配第一馈电源209产生的信号,使第一枝节201可以基于所述第一馈电源209产生的信号产生谐振。一种示例性的,第一馈电源209可以产生B1、40、41、N41以及N78频段的信号中的至少一种。对于本申请提供的一种实施方式,所述第七电容C7为0.8pf,所述第六电感L6为1.5nh,所述第七电感L7为4.7nh。
容易理解的是,枝节是否能够对某一频段产生谐振,可以由上述第五电感L5、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第六电容C6或第七电容C7、第六电感L6以及第七电感L7决定。具体的,可以通过第五电感L5、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第六电容C6决定第二枝节202产生谐振的频率;可以通过第七电容C7、第六电感L6以及第七电感L7决定第一枝节201产生谐振的频率。
请参阅图13,对于本申请提供的实施方式,图13示出了一种S参数的曲线图。其中,图13中的坐标横轴为频率,单位为Ghz,坐标纵轴为S参数,单位为dB。其中,实线代表第二枝节202对应的S参数曲线,点画线代表第一枝节201对应的S参数曲线。图13中,某一点的纵坐标的值越小,代表当前枝节对该点对应的频率能够谐振的能力就越强。从图13中可知,对于本申请实施例,第二枝节202在L频段的谐振能力较好,第一枝节201在生B1、40、41、N41以及N78频段的谐振能力较好。
请参阅图14,图14示出了本申请实施例提供的一种电子设备300的结构框图。该电子设备300包括中框310以及前述实施例中任一项所述的射频装置320,该中框310接地,其中该射频装置320的第一馈地点321以及第二馈地点322分别与所述中框310连接,以实现第一馈地点321以及第二馈地点322的接地。
对于一些实施方式,该电子设备300可以为移动电话或智能电话,便携式游戏设备、膝上型电脑、PDA、便携式互联网设备、音乐播放器以及数据存储设备,其他手持设备以及诸如手表、耳机、吊坠、耳机等,电子设备300还可以为其他的可穿戴设备(例如,诸如电子眼镜、电子衣服、电子手镯、电子项链、电子纹身、智能手表的头戴式设备(HMD))。
本申请提供的射频装置以及电子设备,通过利用第一选频电路,基于所述第一枝节耦合的信号使所述第一枝节产生第一寄生谐振,以及利用第二选频电路,基于所述第二枝节耦合的信号使所述第二枝节产生第二寄生谐振。由于第一选频电路以及第二选频电路不会对射频装置中第一馈电源以及第二馈电源产生的频段形成干扰,因此本申请可以在不影响第一枝节或第二枝节本身谐振的情况下,通过第一寄生谐振,提升了该第一寄生谐振对应的频段的总效率,以及通过第二寄生谐振,提升了该第二寄生谐振对应的频段的总效率。
以上所述,仅是本申请的具体实施例而已,并非对本申请作任何形式上的限制,虽然本申请已以较佳实施例揭示如上,然而并非用以限定本申请,任何本领域技术人员,在不脱离本申请技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本申请技术方案内容,依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简介修改、等同变化与修饰,均仍属于本申请技术方案的范围内。
Claims (11)
1.一种射频装置,其特征在于,包括:第一枝节、第二枝节、第一馈电点、第二馈电点、第一馈地点、第二馈地点、第一馈电源、第二馈电源、第一选频电路以及第二选频电路;
所述第一枝节与所述第二枝节之间设有缝隙;
所述第一馈电点以及所述第一馈地点分别设置于所述第一枝节上,所述第二馈电点以及所述第二馈地点分别设置于所述第二枝节上;
所述第一选频电路为低阻高通电路,所述第一选频电路的一端与所述第一馈电点连接,另一端接地,所述第一选频电路用于基于所述第一枝节耦合的信号使所述第一枝节产生第一寄生谐振,所述低阻高通电路的通带频率与所述第一枝节耦合的信号的频率相关;
所述第二选频电路为低阻高通电路,所述第二选频电路的一端与所述第二馈电点连接,另一端接地,所述第二选频电路用于基于所述第二枝节耦合的信号使所述第二枝节产生第二寄生谐振,所述低阻高通电路的阻带频率与所述第二枝节耦合的信号的频率相关。
2.根据权利要求1所述的射频装置,其特征在于,所述第二选频电路包括:第一电感以及第一电容;
所述第一电感的一端与所述第二馈电点连接,另一端接地;
所述第一电容的一端与所述第二馈电点连接,另一端接地。
3.根据权利要求2所述的射频装置,其特征在于,所述第二选频电路还包括:第二电感;
所述第二电感的一端与所述第一电感的另一端连接,所述第二电感的另一端接地;
所述第一电感、所述第一电容以及所述第二电感构成低阻高通电路。
4.根据权利要求3所述的射频装置,其特征在于,所述第二选频电路还包括:开关;
所述开关导通时,所述第二选频电路产生所述第二寄生谐振。
5.根据权利要求1所述的射频装置,其特征在于,所述第一选频电路包括:第三电感以及第二电容;
所述第三电感的一端与所述第一馈电点连接,另一端接地;
所述第二电容的一端与所述第一馈电点连接,另一端接地。
6.根据权利要求5所述的射频装置,其特征在于,所述第一选频电路还包括:第四电感;
所述第四电感的一端与所述第三电感的另一端连接,所述第四电感的另一端接地;
所述第三电感、所述第二电容以及所述第四电感构成低阻高通电路。
7.根据权利要求1所述的射频装置,其特征在于,所述射频装置还包括:第五电感、第三电容、第四电容、第五电容以及第六电容;
所述第五电感的一端与所述第二馈电点连接,所述第五电感的另一端与所述第三电容的一端连接,所述第三电容的另一端与所述第四电容的一端连接,所述第四电容的另一端与所述第二馈电源连接,所述第五电容的一端与所述第三电容的另一端连接,所述第五电容的另一端接地,所述第六电容的一端与所述第四电容的另一端连接,所述第六电容的另一端接地。
8.根据权利要求1所述的射频装置,其特征在于,所述射频装置还包括:第七电容、第六电感以及第七电感;
所述第七电容的一端与所述第一馈电点连接,所述第七电容的另一端与所述第六电感连接,所述第六电感的另一端与所述第一馈电源连接,所述第七电感的一端与所述第六电感的另一端连接,所述第七电感的另一端接地。
9.根据权利要求1、3或6所述的射频装置,其特征在于,所述低阻高通电路在L5频段为阻带,在大于或等于B1频段为带通。
10.根据权利要求1所述的射频装置,其特征在于,所述第一馈电源产生的第一工作信号包括B1、N40、N41以及N78频段中的至少一个,所述第二寄生谐振对应的第四工作信号包括B1、40、41、N41以及N78频段中的至少一个;
所述第二馈电源产生的第三工作信号包括L5频段,所述第一寄生谐振对应的第二工作信号包括L5频段。
11.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:中框以及如权利要求1-10任一项所述的射频装置,所述中框接地,所述射频装置的第一馈地点与第二馈地点分别与所述中框连接。
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