CN217085377U - 成像镜头、遮光片及电子装置 - Google Patents
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Abstract
一种成像镜头,具有光轴且包含镜片、遮光片及镜筒。镜片与遮光片容置于镜筒。光轴通过镜片。遮光片包含第一物侧面、第一像侧面、第一内环面、第一微米结构及第一纳米结构层。第一物侧面与第一像侧面相对设置。第一内环面连接第一物侧面与第一像侧面,且第一内环面围绕光轴并定义出第一通光孔。第一微米结构至少设置于第一物侧面或第一像侧面。第一微米结构具有多个凸起。第一纳米结构层至少设置于第一内环面。第一纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起。本实用新型还公开适用于上述成像镜头的遮光片及具有上述成像镜头与上述遮光片的电子装置。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种成像镜头、遮光片与电子装置,特别是一种适用于电子装置的成像镜头与遮光片。
背景技术
随着科技日新月异,具有高光学品质的镜头俨然成为不可或缺的一环。并且,配备光学镜头的电子装置的应用范围更加广泛,对于光学镜头的要求也是更加多样化。
然而,近年来传统的光学镜头已难以满足多元化发展下的电子产品的高光学品质需求,特别是非成像光线容易在成像镜头内反射而影响成像品质。因此,如何改良成像镜头内部零件的结构来减弱非成像光线的反射强度,以满足现今对电子装置高规格的需求,已成为目前相关领域的重要议题。
实用新型内容
鉴于以上提到的问题,本实用新型揭露一种成像镜头、遮光片与电子装置,有助于减少非成像光线的反射,借此提升总体的光学品质。
本实用新型的一实施例所揭露的成像镜头具有一光轴并包含一镜片、一遮光片以及一镜筒。光轴通过镜片。遮光片包含一第一物侧面、一第一像侧面、一第一内环面、一第一微米结构以及一第一纳米结构层。第一物侧面与第一像侧面相对设置。第一像侧面与镜片实体接触。第一内环面连接第一物侧面与第一像侧面,且第一内环面围绕光轴并定义出一第一通光孔。第一微米结构至少设置于第一物侧面与第一像侧面两者之中的其中一者。第一微米结构具有多个凸起,且第一微米结构的平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。第一纳米结构层至少设置于第一内环面。镜筒容置镜片与遮光片。镜筒包含一第二物侧面、一第二像侧面、一第二内环面以及一第二纳米结构层。第二物侧面与第二像侧面相对设置。第二内环面连接第二物侧面与第二像侧面,且第二内环面围绕光轴并定义出一第二通光孔。第二纳米结构层至少设置于第二内环面。第一纳米结构层与第二纳米结构层的材料包含氧化铝。第一纳米结构层与第二纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起,且第一纳米结构层与第二纳米结构层的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
第一纳米结构层与第二纳米结构层两者之间沿光轴的方向的最短距离为Dbs,镜筒的最物侧与镜筒的最像侧两者之间沿光轴的方向的距离为Doi,第一内环面与光轴的夹角为θ1,第二内环面与光轴的夹角为θ2,其满足下列条件:
0≤Dbs/Doi≤0.94;
0[度]≤|θ1|≤79[度];以及
0[度]≤|θ2|≤82[度]。
本实用新型的另一实施例所揭露的成像镜头具有一光轴并包含一镜片、一遮光片、一间隔元件以及一镜筒。第一物侧面与第一像侧面相对设置。第一像侧面与镜片实体接触。第一内环面连接第一物侧面与第一像侧面,且第一内环面围绕光轴并定义出一第一通光孔。第一微米结构至少设置于第一物侧面与第一像侧面两者之中的其中一者。第一微米结构具有多个凸起,且第一微米结构的平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。第一纳米结构层至少设置于第一内环面。间隔元件与遮光片沿光轴设置。间隔元件包含一第二物侧面、一第二像侧面、一第二内环面以及一第二纳米结构层。第二物侧面与第二像侧面相对设置。第二内环面连接第二物侧面与第二像侧面,且第二内环面围绕光轴并定义出一第二通光孔。第二纳米结构层至少设置于第二内环面。镜筒容置镜片、遮光片与间隔元件。第一纳米结构层与第二纳米结构层的材料包含氧化铝。第一纳米结构层与第二纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起,且第一纳米结构层与第二纳米结构层的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
第一纳米结构层与间隔元件的第二纳米结构层两者之间沿光轴的方向的最短距离为Dss,镜筒的最物侧与镜筒的最像侧两者之间沿光轴的方向的距离为Doi,第一内环面与光轴的夹角为θ1,第二内环面与光轴的夹角为θ2,其满足下列条件:
0≤Dss/Doi≤0.62;
0[度]≤|θ1|≤79[度];以及
0[度]≤|θ2|≤82[度]。
本实用新型的再一实施例所揭露的成像镜头具有一光轴并包含至少一反射元件、一镜片、一遮光片以及一镜筒。所述至少一反射元件具有至少一反射面。所述至少一反射面用以转折光线的传递方向。光轴通过镜片。遮光片包含一第一物侧面、一第一像侧面、一第一内环面、一第一微米结构以及一第一纳米结构层。第一物侧面与第一像侧面相对设置。第一像侧面与镜片实体接触。第一内环面连接第一物侧面与第一像侧面,且第一内环面围绕光轴并定义出一第一通光孔。第一微米结构至少设置于第一物侧面与第一像侧面两者之中的其中一者。第一微米结构具有多个凸起,且第一微米结构的平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。第一纳米结构层至少设置于第一内环面。镜筒容置镜片与遮光片。第一纳米结构层的材料包含氧化铝。第一纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起,且第一纳米结构层的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
第一内环面与光轴的夹角为θ1,其满足下列条件:
0[度]≤|θ1|≤79[度]。
本实用新型的又一实施例所揭露的遮光片包含一第一物侧面、一第一像侧面、一第一内环面、一第一微米结构以及一第一纳米结构层。第一物侧面与第一像侧面两者之中其中一者用以与一镜片实体接触。第一内环面连接第一物侧面与第一像侧面,且第一内环面围绕光轴并定义出一第一通光孔。第一微米结构至少设置于第一物侧面与第一像侧面两者之中的其中一者。第一微米结构具有多个凸起,且第一微米结构的平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。第一纳米结构层至少设置于第一内环面。第一纳米结构层的材料包含氧化铝。第一纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起,且第一纳米结构层的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
第一内环面与光轴的夹角为θ1,第一内环面沿光轴的方向的厚度为T,其满足下列条件:
0[度]≤|θ1|≤79[度];以及
2[微米]≤T≤88[微米]。
本实用新型的再另一实施例所揭露的电子装置包含上述的成像镜头或上述的遮光片。
根据上述实施例所揭露的成像镜头、遮光片与电子装置,通过设置第一微米结构,可将非成像光线散射,以减弱非成像光线的反射强度。并且,由于加工工艺等因素,较不易在第一内环面设置微米尺度的结构,因此使用结构尺度较小的第一纳米结构层进行补强,可突破现有工艺的限制,并借以减少非成像光线于第一内环面的反射,而且还可与第一微米结构搭配,使成像镜头内部的抗反射性能进一步提升,相较于习知的成像镜头可一定程度地降低鬼影产生的机会,从而提升成像品质。
再者,通过设置脊状凸起,可使第一纳米结构层的等效折射率自底部向顶部渐减,并可破坏反射,以减少反射光的产生。
当θ1或θ2满足上述条件时,可与其上所设置的纳米结构层相互搭配来降低非成像光线在成像镜头内的反射率,以避免影响成像品质。
当Dbs/Doi或Dss/Doi满足上述条件时,可形成光陷阱结构,使非成像光线在两个纳米结构层之间反射。
当T满足上述条件时,可在遮光片保有轻薄厚度的前提下,通过设置纳米尺度的第一纳米结构层来降低面反射。
以上关于本实用新型内容的说明及以下实施方式的说明是用以示范与解释本实用新型的原理,并且提供本实用新型的专利申请范围更进一步的解释。
附图说明
图1是根据本实用新型的第一实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图2是图1的成像镜头的遮光片的立体示意图。
图3是图2的遮光片的AA区域依实际比例放大3000倍的示意图。
图4是图3的AA区域的BB区域依实际比例放大5000倍的示意图。
图5是图4的BB区域的CC区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图6是图4的BB区域的DD区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图7是图4的BB区域的EE区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图8是图7的EE区域的FF区域依实际比例放大100000倍的示意图。
图9是图1的成像镜头的遮光片的上视示意图。
图10是图9的遮光片的GG区域依实际比例放大3000倍的示意图。
图11是图10的GG区域的HH区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图12是图9的遮光片沿12-12’线段剖切的侧视剖面图。
图13是图1的成像镜头的镜筒经剖切的立体示意图。
图14是图13的经剖切镜筒的II区域依实际比例放大3000倍的示意图。
图15是图14的II区域的JJ区域依实际比例放大10000倍的示意图。
图16是图15的JJ区域的KK区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图17是图1的成像镜头的镜筒的上视示意图。
图18是图17的镜筒沿18-18’线段剖切的侧视剖面图。
图19是根据本实用新型的第二实施例所绘示的成像镜头的遮光片的上视示意图。
图20是图19的遮光片沿20-20’线段剖切的侧视剖面图。
图21是根据本实用新型的第三实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图22是图21的成像镜头的间隔元件的上视示意图。
图23是图22的间隔元件沿23-23’线段剖切的侧视剖面图。
图24是图21的成像镜头的间隔元件的立体示意图。
图25是根据本实用新型的第四实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图26是根据本实用新型的第五实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图27是根据本实用新型的第六实施例所绘示的一种电子装置的分解示意图。
图28是根据本实用新型绘示两个参考片当中设置有纳米结构层的表面对各个波长的光的反射率实验数据。
【符号说明】
1、3、4、5、60a、60b、60c、60d:成像镜头
101、201、301、401、501:光轴
10、30a、30b、40、50:镜片
11、21、31a、31b、41、51:遮光片
111、211、311a、311b、411、511:第一物侧面
112、212、312a、312b、412、512:第一像侧面
113、213、313a、313b、413、513:第一内环面
114、214:第一微米结构
115、215、315a、315b、415、515:第一纳米结构层
12、32、42、52:镜筒
121、321:第二物侧面
122、322:第二像侧面
123、323:第二内环面
124:第二微米结构
125、325:第二纳米结构层
33:间隔元件
331:第三物侧面
332:第三像侧面
333:第三内环面
334:第三微米结构
335:第三纳米结构层
44、54:反射元件
441、541:反射面
6:电子装置
A1:第一通光孔
A2:第二通光孔
A3:第三通光孔
H1、H2:高度
L1:基底层
L2:包覆层
R、R’:曲率半径
AA、BB、CC、DD、EE、FF、GG、HH、II、JJ、KK、W1、W2、X、Y1、Y2、Z:区域
θ1:第一内环面与光轴的夹角
θ2:第二内环面与光轴的夹角
θ3:第三内环面与光轴的夹角
Dbs:第一纳米结构层与第二纳米结构层两者之间沿光轴的方向的最短距离
Dss:第一纳米结构层与第三纳米结构层(间隔元件的第二纳米结构层)两者之间沿光轴的方向的最短距离
Doi:镜筒的最物侧与镜筒的最像侧两者之间沿光轴的方向的距离
T:第一内环面沿光轴的方向的厚度
具体实施方式
以下在实施方式中详细叙述本实用新型的详细特征以及优点,其内容足以使任何本领域技术人员了解本实用新型的技术内容并据以实施,且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及附图,任何本领域技术人员可轻易地理解本实用新型相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本实用新型的观点,但非以任何观点限制本实用新型的范畴。
本实用新型提供一种成像镜头,成像镜头具有一光轴并包含一镜片、一遮光片以及一镜筒。光轴通过镜片。镜片与遮光片容置于镜筒内。
遮光片包含一第一物侧面、一第一像侧面、一第一内环面、一第一微米结构以及一第一纳米结构层。第一物侧面与第一像侧面相对设置。第一像侧面与镜片实体接触。第一内环面连接第一物侧面与第一像侧面,且第一内环面围绕光轴并定义出一第一通光孔。具体来说,第一通光孔可为遮光片的最小孔径所形成的通孔。并且,当第一内环面不与光轴平行而形成为锥面时,第一通光孔可由第一内环面所形成的尖端来定义。请参照图20的Y1区域,绘示有依照本实用新型第二实施例的形成为锥面的第一内环面213。
遮光片可为塑胶材质的基底层被两个包覆层包覆,其中塑胶材质可为聚酰亚胺(polyimide,PI)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)。请参照图20的Y1区域,绘示有依照本实用新型第二实施例的由基底层L1被两个包覆层L2包覆的多层结构的遮光片21。或者,遮光片也可为金属材质的基底层并在其表面设置有黑色颜料,其中金属材质可为快削黄铜或铜合金。然而,本实用新型的遮光片不以上述结构为限。
第一微米结构至少设置于第一物侧面与第一像侧面两者之中的其中一者。第一微米结构具有多个凸起,且第一微米结构的平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。借此,可将非成像光线散射,以减弱非成像光线的反射强度。其中,从第一微米结构的横剖面观察,第一微米结构的所述多个凸起可呈弧形。换句话说,第一微米结构可为多个球状微粒埋入遮光片的表面,并自遮光片表面露出部分球状微粒,使得遮光片表面上形成有多个弧形凸起。请参照图3、图10与图12的W1区域,绘示有依照本实用新型第一实施例的设置于第一物侧面111与第一像侧面112并具有多个凸起的第一微米结构114。
第一纳米结构层至少设置于第一内环面。除此之外,第一纳米结构层还可设置于第一物侧面与第一像侧面两者之中设置有第一微米结构的表面。第一纳米结构层可覆盖第一微米结构,且第一纳米结构层可与第一微米结构实体接触。由于第一微米结构可使光线发生散射,而将第一纳米结构层覆盖于第一微米结构可使散射光的强度进一步降低,通过搭配两种不同尺度的抗反射结构,可进一步提升遮光片的抗反射性能。请参照图3、图5至图7,绘示有依照本实用新型第一实施例的设置于第一物侧面111、第一像侧面112与第一内环面113并在第一物侧面111与第一像侧面112上覆盖并实体接触于第一微米结构114的第一纳米结构层115。
镜筒可包含一第二物侧面、一第二像侧面、一第二内环面、一第二微米结构以及一第二纳米结构层。第二物侧面可与第二像侧面相对设置。第二内环面可连接第二物侧面与第二像侧面,且第二内环面可围绕光轴并可定义出一第二通光孔。具体来说,第二通光孔可为镜筒的最小孔径所形成的通孔。并且,当第二内环面不与光轴平行而形成为锥面时,第二通光孔可由第二内环面所形成的尖端来定义。请参照图18,绘示有依照本实用新型第一实施例的形成为锥面的第二内环面123。
第二微米结构可至少设置于第二内环面,并可与镜筒的其余部分一体成形。第二微米结构可具有多个凸起,且第二微米结构的平均高度可大于等于0.32微米且可小于等于22微米。借此,可将非成像光线散射,以减弱非成像光线的反射强度。请参照图18,绘示有依照本实用新型第一实施例的设置于第二内环面123并具有多个凸起的第二微米结构124。
第二纳米结构层可至少设置于第二内环面。第二纳米结构层可覆盖第二微米结构,且第二纳米结构层可与第二微米结构实体接触。通过微米结构与纳米结构层的搭配设置,可进一步提升抗反射性能。其中,第二微米结构与第二纳米结构层还可设置于第二物侧面。借此,可使镜筒的外观品质获得提升。请参照图17与图18,绘示有依照本实用新型第一实施例的设置于第二物侧面121、第二像侧面122与第二内环面123并在第二物侧面121与第二内环面123上覆盖并实体接触于第二微米结构124的第二纳米结构层125。
成像镜头还可包含一间隔元件。间隔元件可与遮光片沿光轴设置,且间隔元件可容置于镜筒内。间隔元件可包含一第三物侧面、一第三像侧面、一第三内环面、一第三微米结构以及一第三纳米结构层。第三物侧面可与第三像侧面相对设置。第三内环面可连接第三物侧面与第三像侧面,且第三内环面可围绕光轴并可定义出一第三通光孔。具体来说,第三通光孔可为间隔元件的最小孔径所形成的通孔。并且,当第三内环面不与光轴平行而形成为锥面时,第三通光孔可由第三内环面所形成的尖端来定义。请参照图23,绘示有依照本实用新型第三实施例的形成为锥面的第三内环面333。
第三微米结构可至少设置于第三内环面。第三微米结构可具有多个凸起,且第三微米结构的凸起可以光轴为中心周期性地设置。第三微米结构的平均高度可大于等于3微米且可小于等于182微米。借此,可将非成像光线散射,以减弱非成像光线的反射强度。请参照图22与图24,绘示有依照本实用新型第三实施例的设置于第三内环面333并具有以光轴301为中心周期性地设置的多个凸起的第三微米结构334。
第三纳米结构层可至少设置于第三内环面。第三纳米结构层可覆盖第三微米结构,且第三纳米结构层可与第三微米结构实体接触。通过微米结构与纳米结构层的搭配设置,可进一步提升抗反射性能。请参照图23,绘示有依照本实用新型第三实施例的设置于第三内环面333并在第三内环面333上覆盖并实体接触于第三微米结构334的第三纳米结构层335。
第一纳米结构层、第二纳米结构层与第三纳米结构层可分别均匀分布在第一微米结构、第二微米结构与第三微米结构的表面上并保留微米结构的形状,使微米结构仍具有将光线散射的功效。
第一纳米结构层、第二纳米结构层与第三纳米结构层的材料可包含氧化铝。第一纳米结构层、第二纳米结构层与第三纳米结构层各自可具有朝非定向延伸的多个脊状凸起,且第一纳米结构层、第二纳米结构层与第三纳米结构层各自的平均高度可大于等于98纳米且可小于等于350纳米。从脊状凸起的横剖面观察时,脊状凸起会如山脊般呈现下宽上窄的结构,这样的结构可使纳米结构层的等效折射率自底部向顶部渐减,并可破坏反射,以减少反射光的产生。请参照图12的W2区域与图20的Y2区域,是分别绘示有依照本实用新型第一与第二实施例的朝非定向延伸且呈现下宽上窄结构的脊状凸起。
由于加工工艺等因素,较不易在第一内环面设置微米尺度的结构,因此使用结构尺度较小的第一纳米结构层进行补强,可突破现有工艺的限制,并借以减少非成像光线于第一内环面的反射,相较于习知的成像镜头可一定程度地降低鬼影产生的机会,从而提升成像品质。
第一纳米结构层、第二纳米结构层与第三纳米结构层更可于各自的表面具有多个孔洞。借此,可使纳米结构层自底部向顶部的等效折射率变化更加线性。请参照图8与图16,分别绘示有依照本实用新型第一实施例的第一纳米结构层115与第二纳米结构层125所具有的孔洞。
成像镜头还可包含至少一反射元件。所述至少一反射元件具有至少一反射面。所述至少一反射面用以转折光线的传递方向。借此,可使成像镜头满足不同需求。其中,所述至少一反射面的数量可为至少两个。请参照图25,绘示有依照本实用新型第四实施例的至少两个(四个)反射面441。其中,所述至少一反射元件的数量可为至少两个。请参照图26,绘示有依照本实用新型第五实施例的至少两个反射元件54。
第一内环面与光轴的夹角为θ1,其满足下列条件:0[度]≤|θ1|≤79[度]。借此,可与其上所设置的纳米结构层相互搭配来降低非成像光线在成像镜头内的反射率,以避免影响成像品质。请参照图20与图26,分别绘示有依照本实用新型第二与第五实施例的θ1。
第二内环面与光轴的夹角为θ2,其可满足下列条件:0[度]≤|θ2|≤82[度]。借此,可与其上所设置的纳米结构层相互搭配来降低非成像光线在成像镜头内的反射率,以避免影响成像品质。请参照图18,绘示有依照本实用新型第一实施例的θ2。
第三内环面与光轴的夹角为θ3,其可满足下列条件:0[度]≤|θ3|≤82[度]。借此,可与其上所设置的纳米结构层相互搭配来降低非成像光线在成像镜头内的反射率,以避免影响成像品质。请参照图23,绘示有依照本实用新型第三实施例的θ3。
第一纳米结构层与第二纳米结构层两者之间沿光轴的方向的最短距离为Dbs,镜筒的最物侧与镜筒的最像侧两者之间沿光轴的方向的距离为Doi,其可满足下列条件:0≤Dbs/Doi≤0.94。借此,可形成光陷阱结构,使非成像光线在两个纳米结构层之间反射。请参照图1,绘示有依照本实用新型第一实施例的Dbs与Doi。
第一纳米结构层与第三纳米结构层两者之间沿光轴的方向的最短距离为Dss,镜筒的最物侧与镜筒的最像侧两者之间沿光轴的方向的距离为Doi,其可满足下列条件:0≤Dss/Doi≤0.62。借此,可形成光陷阱结构,使非成像光线在两个纳米结构层之间反射。请参照图21,绘示有依照本实用新型第三实施例的Dss与Doi。
第一内环面沿光轴的方向的厚度为T,其可满足下列条件:2[微米]≤T≤88[微米]。借此,可在遮光片保有轻薄厚度的前提下,通过设置纳米尺度的第一纳米结构层来降低面反射。请参照图12的W1区域,绘示有依照本实用新型第一实施例的T。
第一物侧面与第一像侧面两者之中设置有第一纳米结构层的其中一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其可满足下列条件:R7590≤0.65%。借此,可使第一纳米结构层相较于***均反射率为R3740,其可满足下列条件:R3740≤0.75%。通过在此波段维持低反射率,可提升成像品质。其中,第一物侧面与第一像侧面两者之中设置有第一纳米结构层的其中一者的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070,其可满足下列条件:R4070≤0.5%。通过在此波段维持低反射率,可提升成像品质。请参照图28,根据本实用新型绘示两个参考片当中设置有纳米结构层的表面对各个波长的光的反射率实验数据,其中参考片各自为一塑胶基板,并于塑胶基板的表面设置有纳米结构层。由图28的实验数据可得知,其中一个参考片(参考片-1)满足下列条件:R7590=0.14%;R3840=0.08%;以及R4070=0.03%,而另外一个参考片(参考片-2)满足下列条件:R7590=0.14%;R3840=0.07%;以及R4070=0.03%。图28中对于参考片的反射率实验数据可作为纳米结构层设置于各种光学元件表面的反射率参考。值得注意的是,上述的R3840定义为光学元件设置有纳米结构层的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率,为R3740的下位特征;此外,在本实用新型中,上述的R3740、R3840、R4070与R7590不仅适用于设置有第一纳米结构层的表面,也可适用于设置有第二纳米结构层或第三纳米结构层的表面。
上述本实用新型成像镜头或遮光片中的各技术特征皆可组合配置,而达到对应的功效。
根据上述实施方式,以下提出具体实施例并配合附图予以详细说明。
<第一实施例>
请参照图1至图18,其中图1是根据本实用新型的第一实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图,图2是图1的成像镜头的遮光片的立体示意图,图3是图2的遮光片的AA区域依实际比例放大3000倍的示意图,图4是图3的AA区域的BB区域依实际比例放大5000倍的示意图,图5是图4的BB区域的CC区域依实际比例放大30000倍的示意图,图6是图4的BB区域的DD区域依实际比例放大30000倍的示意图,图7是图4的BB区域的EE区域依实际比例放大30000倍的示意图,图8是图7的EE区域的FF区域依实际比例放大100000倍的示意图,图9是图1的成像镜头的遮光片的上视示意图,图10是图9的遮光片的GG区域依实际比例放大3000倍的示意图,图11是图10的GG区域的HH区域依实际比例放大30000倍的示意图,图12是图9的遮光片沿12-12’线段剖切的侧视剖面图,图13是图1的成像镜头的镜筒经剖切的立体示意图,图14是图13的经剖切镜筒的II区域依实际比例放大3000倍的示意图,图15是图14的II区域的JJ区域依实际比例放大10000倍的示意图,图16是图15的JJ区域的KK区域依实际比例放大30000倍的示意图,图17是图1的成像镜头的镜筒的上视示意图,且图18是图17的镜筒沿18-18’线段剖切的侧视剖面图。
在本实施例中,成像镜头1具有一光轴101并包含有一镜片10以及一遮光片11的一光学元件组(未另标号)以及一镜筒12。光轴101通过镜片10。镜片10与遮光片11容置于镜筒12内。值得注意的是,光学元件组除了包含镜片10与遮光片11外,还包含其他镜片、其他一般遮光片与固定环等光学元件(未另标号),且光学元件组中的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片11包含一第一物侧面111、一第一像侧面112、一第一内环面113、一第一微米结构114以及一第一纳米结构层115。第一物侧面111与第一像侧面112相对设置。第一像侧面112与镜片10实体接触。第一内环面113连接第一物侧面111与第一像侧面112,且第一内环面113围绕光轴101并作为遮光片11的最小孔径的侧面来定义出一第一通光孔A1。
第一微米结构114设置于第一物侧面111与第一像侧面112。如图10与图12的W1区域所示,第一微米结构114具有多个凸起(未另标号),且第一微米结构114的平均高度(如图12的W1区域中所标示的高度H1)大于等于0.25微米且小于等于19微米。如图12的W1区域所示,从第一微米结构114的横剖面观察,第一微米结构114的凸起呈弧形,使得遮光片11表面上形成弧形凸起。
第一纳米结构层115除了设置于第一内环面113之外,还设置于第一物侧面111与第一像侧面112以覆盖并实体接触于第一物侧面111与第一像侧面112上的第一微米结构114。
如图3与图10所示,第一纳米结构层115均匀地分布在第一微米结构114的表面上并保留第一微米结构114的形状。
如图5到图7、图11与图12的W2区域所示,第一纳米结构层115具有朝非定向延伸的多个脊状凸起(未另标号),且第一纳米结构层115的平均高度(如图12的W2区域中所标示的高度H2)大于等于98纳米且小于等于350纳米。如图12的W2区域所示,从第一纳米结构层115的脊状凸起的横剖面观察时,脊状凸起会如山脊般呈现下宽上窄的结构。并且,如图8所示,第一纳米结构层115更于其表面具有多个孔洞(未另标号)。
镜筒12包含一第二物侧面121、一第二像侧面122、一第二内环面123、一第二微米结构124以及一第二纳米结构层125。第二物侧面121与第二像侧面122相对设置。第二内环面123连接第二物侧面121与第二像侧面122,且第二内环面123围绕光轴101并作为镜筒12的最小孔径的侧边来定义出一第二通光孔A2。
第二微米结构124设置于第二物侧面121与第二内环面123,并与镜筒12的其余部分一体成形。如图14与图18的X区域所示,第二微米结构124具有多个凸起(未另标号),且第二微米结构124的平均高度(如图18的X区域中所标示的高度H1)大于等于0.32微米且小于等于22微米。
第二纳米结构层125除了设置于第二像侧面122之外,还设置于第二物侧面121与第二内环面123以覆盖并实体接触于第二物侧面121与第二内环面123上的第二微米结构124。
如图14与图18所示,第二纳米结构层125均匀地分布在第二微米结构124的表面上并保留第二微米结构124的形状。
如图15所示,第二纳米结构层125具有朝非定向延伸的多个脊状凸起(未另标号),且第二纳米结构层125的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。并且,如图16所示,第二纳米结构层125更于其表面具有多个孔洞(未另标号)。
第一内环面113与光轴101的夹角为θ1,其满足下列条件:|θ1|=0[度]。
第二内环面123与光轴101的夹角为θ2,其满足下列条件:|θ2|=40[度](物侧);以及|θ2|=70[度](像侧),如图18所示。
第一纳米结构层115与第二纳米结构层125两者之间沿光轴101的方向的最短距离为Dbs,镜筒12的最物侧与镜筒12的最像侧两者之间沿光轴101的方向的距离为Doi,其满足下列条件:Dbs=0.855[毫米];Doi=3.395[毫米];以及Dbs/Doi=0.252。
第一内环面113沿光轴101的方向的厚度为T,其满足下列条件:T=16[微米],如图12的W1区域所示。
设置有第一纳米结构层115的第一物侧面111与第一像侧面112的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:R7590≤0.65%。设置有第一纳米结构层115的第一物侧面111与第一像侧面112的表面对波长为370纳米至400纳米的光的平均反射率为R3740,其满足下列条件:R3740≤0.75%。设置有第一纳米结构层115的第一物侧面111与第一像侧面112的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070,其满足下列条件:R4070≤0.5%。
<第二实施例>
请参照图19至图20,其中图19是根据本实用新型的第二实施例所绘示的成像镜头的遮光片的上视示意图,且图20是图19的遮光片沿20-20’线段剖切的侧视剖面图。以下仅针对本实施例与第一实施例中相异之处进行说明,其余部分将被省略。
在本实施例中,成像镜头(未另标号)具有一光轴201并至少包含一遮光片21。遮光片21包含一第一物侧面211、一第一像侧面212、一第一内环面213、一第一微米结构214以及一第一纳米结构层215。第一物侧面211与第一像侧面212相对设置。第一内环面213连接第一物侧面211与第一像侧面212,且第一内环面213围绕光轴201并作为遮光片21的最小孔径的侧边来定义出一第一通光孔A1。
如图19所示,遮光片21的第一内环面213所定义出的第一通光孔A1其内缘具有多个曲率半径R、R’,以使第一通光孔A1的边缘呈波浪状。然而,本实用新型不以此为限。在部分实施例中,第一通光孔的边缘也可为任意形状。
如图20的Y1区域所示,遮光片21的第一内环面213不与光轴201平行而形成为锥面形状,但本实用新型不以锥面形状的第一内环面213为限。并且,遮光片21为多层结构。具体来说,遮光片21为塑胶材质的基底层L1在其物侧与其像侧被两个包覆层L2包覆,其中塑胶材质可为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二酯。然而,本实用新型不以此为限。在部分实施例中,遮光片也可为金属材质的基底层并在其物侧与其像侧设置有黑色颜料,其中金属材质可为快削黄铜或铜合金。
第一微米结构214设置于第一物侧面211与第一像侧面212。第一纳米结构层215除了设置于第一内环面213之外,还设置于第一物侧面211与第一像侧面212以覆盖并实体接触于第一物侧面211与第一像侧面212上的第一微米结构214。如图20的Y2区域所示,第一纳米结构层215具有朝非定向延伸的多个脊状凸起(未另标号)。
第一内环面213与光轴201的夹角为θ1,其满足下列条件:|θ1|=45[度],如图20所示。
<第三实施例>
请参照图21至图24,其中图21是根据本实用新型的第三实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图,图22是图21的成像镜头的间隔元件的上视示意图,图23是图22的间隔元件沿23-23’线段剖切的侧视剖面图,且图24是图21的成像镜头的间隔元件的立体示意图。
在本实施例中,成像镜头3具有一光轴301并包含有两个镜片30a、30b、两个遮光片31a、31b以及一间隔元件33的一光学元件组(未另标号)以及一镜筒32。光轴301通过镜片30a、30b。镜片30a、30b、遮光片31a、31b与间隔元件33容置于镜筒32内。值得注意的是,光学元件组除了包含镜片30a、30b、遮光片31a、31b与间隔元件33外,还包含其他镜片、其他一般遮光片、其他一般间隔元件与固定环等光学元件(未另标号),且光学元件组中的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片31a包含一第一物侧面311a、一第一像侧面312a、一第一内环面313a以及一第一纳米结构层315a。第一物侧面311a与第一像侧面312a相对设置。第一像侧面312a与镜片30a实体接触。第一内环面313a连接第一物侧面311a与第一像侧面312a,且第一内环面313a围绕光轴301。
遮光片31a可如第一实施例的遮光片11般在第一物侧面311a与第一像侧面312a上设置第一微米结构(未绘示)。
第一纳米结构层315a除了设置于第一内环面313a之外,还设置于第一物侧面311a与第一像侧面312a以覆盖并实体接触于第一物侧面311a与第一像侧面312a上的第一微米结构。
遮光片31b包含一第一物侧面311b、一第一像侧面312b、一第一内环面313b以及一第一纳米结构层315b。第一物侧面311b与第一像侧面312b相对设置。第一像侧面312b与镜片30b实体接触。第一内环面313b连接第一物侧面311b与第一像侧面312b,且第一内环面313b围绕光轴301。
遮光片31b可如第一实施例的遮光片11般在第一物侧面311b与第一像侧面312b上设置第一微米结构(未绘示)。
第一纳米结构层315b除了设置于第一内环面313b之外,还设置于第一物侧面311b与第一像侧面312b以覆盖并实体接触于第一物侧面311b与第一像侧面312b上的第一微米结构。
镜筒32包含一第二物侧面321、一第二像侧面322、一第二内环面323以及一第二纳米结构层325。第二物侧面321与第二像侧面322相对设置。第二内环面323连接第二物侧面321与第二像侧面322,且第二内环面323围绕光轴301并作为镜筒32的最小孔径的侧边来定义出成像镜头3的光圈值为1.4。
镜筒32可如第一实施例的镜筒12般在第二物侧面321与第二内环面323上设置有一体成形的第二微米结构(未绘示)。
第二纳米结构层325除了设置于第二像侧面322之外,还设置于第二物侧面321与第二内环面323以覆盖并实体接触于第二物侧面321与第二内环面323上的第二微米结构。
间隔元件33与遮光片31b沿光轴301相接触地设置。间隔元件33包含一第三物侧面331、一第三像侧面332、一第三内环面333、一第三微米结构334以及一第三纳米结构层335。第三物侧面331与第三像侧面332相对设置。第三内环面333连接第三物侧面331与第三像侧面332,且第三内环面333围绕光轴301并作为间隔元件33的最小孔径的侧边来定义出一第三通光孔A3。
第三微米结构334设置于第三内环面333。如图22与图24所示,第三微米结构334具有多个三角柱状凸起(未另标号),且第三微米结构334的三角柱状凸起以光轴301为中心沿圆周方向周期性地设置。第三微米结构334的平均高度(如图23的Z区域中所标示的高度H1)大于等于3微米且小于等于182微米。
第三纳米结构层335设置于第三内环面333以覆盖并实体接触于第三内环面333上的第三微米结构334。
如图23与图24所示,第三纳米结构层335均匀地分布在第三微米结构334的表面上并保留第三微米结构334的形状。
第三纳米结构层335具有朝非定向延伸的多个脊状凸起(未绘示),且第三纳米结构层335的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。并且,第三纳米结构层335更于其表面具有多个孔洞(未绘示)。
第一内环面313与光轴301的夹角为θ1,其满足下列条件:|θ1|=0[度]。
第三内环面333与光轴301的夹角为θ3,其满足下列条件:|θ3|=15[度](物侧);以及|θ3|=57.59[度](像侧),如图23所示。
第一纳米结构层315与第二纳米结构层325两者之间沿光轴301的方向的最短距离为Dbs,镜筒32的最物侧与镜筒32的最像侧两者之间沿光轴301的方向的距离为Doi,其满足下列条件:Dbs=0[毫米];Doi=6.14[毫米];以及Dbs/Doi=0。(即,第一纳米结构层315与第二纳米结构层325相接触地邻近设置)
第一纳米结构层315与第三纳米结构层335两者之间沿光轴301的方向的最短距离为Dss,镜筒32的最物侧与镜筒32的最像侧两者之间沿光轴301的方向的距离为Doi,其满足下列条件:Dss=0.1[毫米];Doi=6.14[毫米];以及Dss/Doi=0.016。
设置有第一纳米结构层315的第一物侧面311与第一像侧面312的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:R7590≤0.65%。设置有第一纳米结构层315的第一物侧面311与第一像侧面312的表面对波长为370纳米至400纳米的光的平均反射率为R3740,其满足下列条件:R3740≤0.75%。设置有第一纳米结构层315的第一物侧面311与第一像侧面312的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070,其满足下列条件:R4070≤0.5%。
<第四实施例>
请参照图25,是根据本实用新型的第四实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
在本实施例中,成像镜头4具有一光轴401并包含有一镜片40以及一遮光片41的一光学元件组(未另标号)、一镜筒42以及一反射元件44。光轴401通过镜片40。镜片40与遮光片41容置于镜筒42内。值得注意的是,光学元件组除了包含镜片40与遮光片41外,还包含其他镜片、其他一般遮光片与固定环等光学元件(未另标号),且光学元件组中的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片41包含一第一物侧面411、一第一像侧面412、一第一内环面413以及一第一纳米结构层415。第一物侧面411与第一像侧面412相对设置。第一像侧面412与镜片40实体接触。第一内环面413连接第一物侧面411与第一像侧面412,且第一内环面413围绕光轴401。
遮光片41可如第一实施例的遮光片11般在第一物侧面411上设置第一微米结构(未绘示)。
第一纳米结构层415除了设置于第一内环面413之外,还设置于第一物侧面411以覆盖并实体接触于第一物侧面411上的第一微米结构。
反射元件44设置于镜筒42的像侧,并具有四个反射面441。如图25所示,反射面441将来自镜筒42的光线转折方向(即转折光轴401)。
第一内环面413与光轴401的夹角为θ1,其满足下列条件:|θ1|=0[度]。
<第五实施例>
请参照图26,是根据本实用新型的第五实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
在本实施例中,成像镜头5具有一光轴501并包含有一镜片50以及一遮光片51的一光学元件组(未另标号)、一镜筒52以及两个反射元件54。光轴501通过镜片50。镜片50与遮光片51容置于镜筒52内。值得注意的是,光学元件组除了包含镜片50与遮光片51外,还包含其他镜片、其他一般遮光片与固定环等光学元件(未另标号),且光学元件组中的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片51包含一第一物侧面511、一第一像侧面512、一第一内环面513以及一第一纳米结构层515。第一物侧面511与第一像侧面512相对设置。第一像侧面512与镜片50实体接触。第一内环面513连接第一物侧面511与第一像侧面512,且第一内环面513围绕光轴501。
遮光片51可如第一实施例的遮光片11般在第一物侧面511与第一像侧面512上设置第一微米结构(未绘示)。
第一纳米结构层515除了设置于第一内环面513之外,还设置于第一物侧面511与第一像侧面512以覆盖并实体接触于第一物侧面511与第一像侧面512上的第一微米结构。
反射元件54分别设置于镜筒52的物侧与像侧,并各自具有一反射面541。如图26所示,位于镜筒52物侧的反射面541将入射光线转折方向后射向镜筒52,并且位于镜筒52像侧的反射面541将来自镜筒52的光线转折方向(即转折光轴501)。
第一内环面513与光轴501的夹角为θ1,其满足下列条件:|θ1|=66.8[度](物侧);以及|θ1|=66.8[度](像侧),如图26所示。
<第六实施例>
请参照图27,是根据本实用新型的第六实施例所绘示的一种电子装置的分解示意图。
在本实施例中,电子装置6为一智能手机。电子装置6包含成像镜头60a、成像镜头60b、成像镜头60c、成像镜头60d、闪光灯模块、对焦辅助模块、影像信号处理器、显示装置以及影像软件处理器(未绘示)。成像镜头60a、成像镜头60b、成像镜头60c与成像镜头60d皆配置于电子装置6的同一侧,而显示装置则配置于电子装置6的另一侧。其中,成像镜头60a为第五实施例的成像镜头5,且成像镜头60b为第一实施例的成像镜头1,但本实用新型不以此为限,成像镜头60a或成像镜头60b也可例如为上述本实用新型其他实施例的成像镜头。
成像镜头60a为一超长焦望远镜头,成像镜头60b为一长焦望远镜头,成像镜头60c为一广角主镜头,且成像镜头60d为一超广角镜头。成像镜头60a的视角例如为5度至30度,成像镜头60b的视角例如为30度至60度,成像镜头60c的视角例如为65度至90度,且成像镜头60d的视角例如为93度至175度。本实施例的成像镜头60a、成像镜头60b、成像镜头60c与成像镜头60d具有相异的视角,使电子装置6可提供不同的放大倍率,以达到光学变焦的拍摄效果。此外,成像镜头60a为具有反射元件54配置的超长焦望远镜头,有利于电子装置6的薄型化。上述电子装置6以包含多个成像镜头60a、60b、60c、60d为例,但成像镜头的数量与配置并非用以限制本实用新型。当使用者拍摄被摄物时,电子装置6利用成像镜头60a、成像镜头60b、成像镜头60c或成像镜头60d聚光取像,启动闪光灯模块进行补光,并使用对焦辅助模块提供的被摄物的物距信息进行快速对焦,再加上影像信号处理器进行影像最佳化处理,来进一步提升成像镜头所产生的影像品质,同时提供变焦功能。对焦辅助模块可采用红外线或激光对焦辅助***来达到快速对焦。显示装置可采用触控屏幕或实体拍摄按钮,配合影像软件处理器的多样化功能进行影像拍摄以及影像处理。通过影像软件处理器处理后的影像可显示于显示装置。
特别说明的是,图27中的镜头盖板分离于主机本体仅是为了方便示意电子装置6内部的镜头模块,并不代表镜头盖板为可拆卸,本实用新型不以此为限。
本实用新型的成像镜头不以应用于智能手机为限。成像镜头更可视需求应用于移动对焦的***,并兼具优良像差修正与良好成像品质的特色。举例来说,成像镜头可多方面应用于三维(3D)影像撷取、数字相机、移动装置、平板计算机、智能电视、网络监控设备、行车记录仪、倒车显影装置、多镜头装置、辨识***、体感游戏机与穿戴式装置等电子装置中。前揭电子装置仅是示范性地说明本实用新型的实际运用例子,并非限制本实用新型的成像镜头的运用范围。
虽然本实用新型以前述的诸项实施例揭露如上,然其并非用以限定本实用新型,任何本领域技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本实用新型的专利保护范围须视本说明书所附的权利要求所界定者为准。
Claims (39)
1.一种成像镜头,具有一光轴,其特征在于,所述成像镜头包含:
一镜片,其中所述光轴通过所述镜片;
一遮光片,包含:
一第一物侧面;
一第一像侧面,其中所述第一像侧面与所述第一物侧面相对设置;
一第一内环面,连接所述第一物侧面与所述第一像侧面,其中所述第一内环面围绕所述光轴并定义出一第一通光孔;
一第一微米结构,至少设置于所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中的其中一者,其中所述第一微米结构具有多个凸起,且所述第一微米结构的平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米;以及
一第一纳米结构层,至少设置于所述第一内环面;以及
一镜筒,容置所述镜片与所述遮光片,且所述镜筒包含:
一第二物侧面;
一第二像侧面,其中所述第二像侧面与所述第二物侧面相对设置;
一第二内环面,连接所述第二物侧面与所述第二像侧面,其中所述第二内环面围绕所述光轴并定义出一第二通光孔;以及
一第二纳米结构层,至少设置于所述第二内环面;
其中,所述第一纳米结构层与所述第二纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起,且所述第一纳米结构层与所述第二纳米结构层的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米;
其中,所述第一纳米结构层与所述第二纳米结构层两者之间沿所述光轴的方向的最短距离为Dbs,所述镜筒的最物侧与所述镜筒的最像侧两者之间沿所述光轴的方向的距离为Doi,所述第一内环面与所述光轴的夹角为θ1,所述第二内环面与所述光轴的夹角为θ2,其满足下列条件:
0≤Dbs/Doi≤0.94;
0度≤|θ1|≤79度;以及
0度≤|θ2|≤82度。
2.根据权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,所述第一纳米结构层与所述第二纳米结构层的表面具有多个孔洞。
3.根据权利要求2所述的成像镜头,其特征在于,所述第一纳米结构层还设置于所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一微米结构的表面,所述第一纳米结构层覆盖所述第一微米结构,且所述第一纳米结构层与所述第一微米结构实体接触。
4.根据权利要求3所述的成像镜头,其特征在于,从所述第一微米结构的横剖面观察,所述第一微米结构的所述凸起呈弧形。
5.根据权利要求3所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:
R7590≤0.65%。
6.根据权利要求5所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:
R7590≤0.5%。
7.根据权利要求5所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为370纳米至400纳米的光的平均反射率为R3740,其满足下列条件:
R3740≤0.75%。
8.根据权利要求5所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070,其满足下列条件:
R4070≤0.5%。
9.根据权利要求2所述的成像镜头,其特征在于,所述第一内环面沿所述光轴的方向的厚度为T,其满足下列条件:
2微米≤T≤88微米。
10.根据权利要求2所述的成像镜头,其特征在于,所述镜筒还包含一第二微米结构,所述第二微米结构至少设置于所述第二内环面,所述第二微米结构被所述第二纳米结构层覆盖,且所述第二微米结构与所述第二纳米结构层实体接触;
其中,所述第二微米结构具有多个凸起,且所述第二微米结构的平均高度大于等于0.32微米且小于等于22微米。
11.根据权利要求10所述的成像镜头,其特征在于,所述第二纳米结构层与所述第二微米结构还设置于所述第二物侧面,所述第二纳米结构层于所述第二物侧面覆盖所述第二微米结构,且所述第二纳米结构层于所述第二物侧面与所述第二微米结构实体接触。
12.一种成像镜头,具有一光轴,其特征在于,所述成像镜头包含:
一镜片,其中所述光轴通过所述镜片;
一遮光片,包含:
一第一物侧面;
一第一像侧面,其中所述第一像侧面与所述第一物侧面相对设置;
一第一内环面,连接所述第一物侧面与所述第一像侧面,其中所述第一内环面围绕所述光轴并定义出一第一通光孔;
一第一微米结构,至少设置于所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中的其中一者,其中所述第一微米结构具有多个凸起,且所述第一微米结构的平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米;以及
一第一纳米结构层,至少设置于所述第一内环面;
一间隔元件,其中所述间隔元件与所述遮光片沿所述光轴设置,且所述间隔元件包含:
一第二物侧面;
一第二像侧面,其中所述第二像侧面与所述第二物侧面相对设置;
一第二内环面,连接所述第二物侧面与所述第二像侧面,其中所述第二内环面围绕所述光轴并定义出一第二通光孔;以及
一第二纳米结构层,至少设置于所述第二内环面;以及
一镜筒,容置所述镜片、所述遮光片与所述间隔元件;
其中,所述第一纳米结构层与所述第二纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起,且所述第一纳米结构层与所述第二纳米结构层的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米;
其中,所述第一纳米结构层与所述间隔元件的所述第二纳米结构层两者之间沿所述光轴的方向的最短距离为Dss,所述镜筒的最物侧与所述镜筒的最像侧两者之间沿所述光轴的方向的距离为Doi,所述第一内环面与所述光轴的夹角为θ1,所述第二内环面与所述光轴的夹角为θ2,其满足下列条件:
0≤Dss/Doi≤0.62;
0度≤|θ1|≤79度;以及
0度≤|θ2|≤82度。
13.根据权利要求12所述的成像镜头,其特征在于,所述第一纳米结构层与所述第二纳米结构层的表面具有多个孔洞。
14.根据权利要求13所述的成像镜头,其特征在于,所述第一纳米结构层还设置于所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一微米结构的表面,所述第一纳米结构层覆盖所述第一微米结构,且所述第一纳米结构层与所述第一微米结构实体接触。
15.根据权利要求14所述的成像镜头,其特征在于,从所述第一微米结构的横剖面观察,所述第一微米结构的所述凸起呈弧形。
16.根据权利要求14所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:
R7590≤0.65%。
17.根据权利要求16所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:
R7590≤0.5%。
18.根据权利要求16所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为370纳米至400纳米的光的平均反射率为R3740,其满足下列条件:
R3740≤0.75%。
19.根据权利要求16所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070,其满足下列条件:
R4070≤0.5%。
20.根据权利要求13所述的成像镜头,其特征在于,所述间隔元件还包含一第二微米结构,所述第二微米结构至少设置于所述第二内环面,所述第二微米结构被所述第二纳米结构层覆盖,且所述第二微米结构与所述第二纳米结构层实体接触;
其中,所述第二微米结构具有多个凸起,所述第二微米结构的所述凸起以所述光轴为中心周期性地设置,且所述第二微米结构的平均高度大于等于3微米且小于等于182微米。
21.一种成像镜头,具有一光轴,其特征在于,所述成像镜头包含:
至少一反射元件,具有至少一反射面,其中所述至少一反射面用以转折光线的传递方向;
一镜片,其中所述光轴通过所述镜片;
一遮光片,包含:
一第一物侧面;
一第一像侧面,其中所述第一像侧面与所述第一物侧面相对设置;
一第一内环面,连接所述第一物侧面与所述第一像侧面,其中所述第一内环面围绕所述光轴并定义出一第一通光孔;
一第一微米结构,至少设置于所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中的其中一者,其中所述第一微米结构具有多个凸起,且所述第一微米结构的平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米;以及
一第一纳米结构层,至少设置于所述第一内环面;以及
一镜筒,容置所述镜片与所述遮光片;
其中,所述第一纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起,且所述第一纳米结构层的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米;
其中,所述第一内环面与所述光轴的夹角为θ1,其满足下列条件:
0度≤|θ1|≤79度。
22.根据权利要求21所述的成像镜头,其特征在于,所述至少一反射面的数量为至少两个。
23.根据权利要求21所述的成像镜头,其特征在于,所述至少一反射元件的数量为至少两个。
24.根据权利要求21所述的成像镜头,其特征在于,所述第一纳米结构层的表面具有多个孔洞。
25.根据权利要求24所述的成像镜头,其特征在于,所述第一纳米结构层还设置于所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一微米结构的表面,所述第一纳米结构层覆盖所述第一微米结构,且所述第一纳米结构层与所述第一微米结构实体接触。
26.根据权利要求25所述的成像镜头,其特征在于,从所述第一微米结构的横剖面观察,所述第一微米结构的所述凸起呈弧形。
27.根据权利要求25所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:
R7590≤0.65%。
28.根据权利要求27所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:
R7590≤0.5%。
29.根据权利要求27所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为370纳米至400纳米的光的平均反射率为R3740,其满足下列条件:
R3740≤0.75%。
30.根据权利要求27所述的成像镜头,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070,其满足下列条件:
R4070≤0.5%。
31.一种遮光片,具有一光轴,其特征在于,所述遮光片包含:
一第一物侧面;
一第一像侧面,其中所述第一像侧面与所述第一物侧面相对设置;
一第一内环面,连接所述第一物侧面与所述第一像侧面,其中所述第一内环面围绕所述光轴并定义出一第一通光孔;
一第一微米结构,至少设置于所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中的其中一者,其中所述第一微米结构具有多个凸起,且所述第一微米结构的平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米;以及
一第一纳米结构层,至少设置于所述第一内环面;
其中,所述第一纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起,且所述第一纳米结构层的平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米;
其中,所述第一内环面与所述光轴的夹角为θ1,所述第一内环面沿所述光轴的方向的厚度为T,其满足下列条件:
0度≤|θ1|≤79度;以及
2微米≤T≤88微米。
32.根据权利要求31所述的遮光片,其特征在于,所述第一纳米结构层的表面具有多个孔洞。
33.根据权利要求32所述的遮光片,其特征在于,所述第一纳米结构层还设置于所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一微米结构的表面,所述第一纳米结构层覆盖所述第一微米结构,且所述第一纳米结构层与所述第一微米结构实体接触。
34.根据权利要求33所述的遮光片,其特征在于,从所述第一微米结构的横剖面观察,所述第一微米结构的所述凸起呈弧形。
35.根据权利要求33所述的遮光片,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:
R7590≤0.65%。
36.根据权利要求35所述的遮光片,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590,其满足下列条件:
R7590≤0.5%。
37.根据权利要求35所述的遮光片,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为370纳米至400纳米的光的平均反射率为R3740,其满足下列条件:
R3740≤0.75%。
38.根据权利要求35所述的遮光片,其特征在于,所述第一物侧面与所述第一像侧面两者之中设置有所述第一纳米结构层的所述其中一者的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070,其满足下列条件:
R4070≤0.5%。
39.一种电子装置,其特征在于,包含根据权利要求1、12或21所述的成像镜头或根据权利要求31所述的遮光片。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |