CN216670121U - 一种受电端设备的检测电路 - Google Patents

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CN216670121U CN202122984685.6U CN202122984685U CN216670121U CN 216670121 U CN216670121 U CN 216670121U CN 202122984685 U CN202122984685 U CN 202122984685U CN 216670121 U CN216670121 U CN 216670121U
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Abstract

本实用新型的实施例提供一种受电端设备的检测电路，所述电路包括：主控控制电路；与所述主控控制电路电连接的供电设备识别电路；与所述供电设备识别电路电连接的电压采集电路；其中，所述主控控制电路控制所述供电设备识别电路的供电电压为供电状态时，通过所述电压采集电路采集所述供电设备识别电路的目标测点的电压，得到检测结果，并将所述检测结果发送至与所述电压采集电路电连接的管理芯片，由所述管理芯片对受电端设备状态进行实时监控。本实用新型的实施例实现了可实时检测受电端设备PD的功耗，可方便地控制管理PD设备。

Description

一种受电端设备的检测电路
技术领域
本实用新型涉及以太网供电技术领域，特别是指一种受电端设备的检测电路。
背景技术
随着物联网技术飞速发展，需要提供网络服务的终端越来越丰富，使用传统强电的方式为多种多样的智能终端供电变得越来越困难，以太网供电(PoweroverEthernet，简称PoE)技术的普及，正逐一解决各类智能终端的供电问题。目前PoE技术已经从传统的无线局域网(WirelessLocalAreaNetwork，简称WLAN)、网络监控、IP电话等应用场景延伸到新零售、物联网(InternetofThings，简称IoT)、智慧城市等多种场景被广泛应用，具有成本低、施工方便、供电稳定、运维效率高等特点。
PoE技术在现有的以太网布线结构不做任何改动的情况下，可以实现为基于IP的终端(如IP电话、无线AP、网络监控等)传输数据信号和提供直流供电，并保持了与现存以太网和用户的兼容性。这样不必在施工环境增加开槽、铺管、穿线、调试、墙体和地面美化等工序，大幅缩短了施工周期，降低了成本。
但是，目前PSE(PowerSourcingEquipment，供电设备)技术的协议芯片进行协议，普遍成本较高、***电路复杂，且控制检测、控制方式复杂。
实用新型内容
本实用新型提供了一种受电端设备的检测电路。电路结构简单，便于印制电路板PCB的布局，电路的成本低，实现可实时检测受电端设备PD的功耗，可方便地控制管理PD设备。为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供以下方案：
一种受电端设备的检测电路，包括：
主控控制电路；
与所述主控控制电路电连接的供电设备识别电路；
与所述供电设备识别电路电连接的电压采集电路；
其中，所述主控控制电路控制所述供电设备识别电路的供电电压为供电状态时，通过所述电压采集电路采集所述供电设备识别电路的目标测点的电压，得到检测结果，并将所述检测结果发送至与所述电压采集电路电连接的管理芯片，由所述管理芯片对受电端设备状态进行实时监控。
可选的，所述主控控制电路包括：
主控芯片；
与所述主控芯片电连接的第一电阻；
基极与所述第一电阻电连接的第一三极管，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极与所述供电设备识别电路电连接；
两端分别连接在所述第一三极管的基极和发射极的第二电阻；
其中，当所述主控芯片发送高电平时，所述第一三极管处于饱和工作状态，通过所述第一三极管的集电极向所述供电设备识别电路提供低电平的供电电压；
当所述主控芯片发送低电平时，所述第一三极管处于截止工作状态，通过所述第一三极管的集电极停止控制所述供电设备识别电路中的开关电路。
可选的，所述供电设备识别电路包括：
受电端设备连接电路；
与所述受电端设备连接电路电连接的第二三极管；
与所述受电端设备连接电路和所述第二三极管电连接的开关电路；
与所述第二三极管和所述开关电路电连接的镜像电流源电路；所述开关电路和所述镜像电流源电路与所述电压采集电路电连接。
可选的，所述受电端设备连接电路包括：
第一端口；所述第一端口用于与受电端设备的一端连通或断开；所述第一端口与第一电容的一端电连接，所述第一电容的另一端与镜像电流源电路电连接；
第二端口；所述第二端口用于与受电端设备的另一端连通或断开；所述第二端口与第一二极管的一端电连接，所述第一二极管的另一端与镜像电流源电路电连接；所述第二端口与第一瞬态抑制二极管的一端电连接，所述第一瞬态抑制二极管的另一端与电压采集电路电连接；
与所述第一端口或第二端口电连接的至少一个双向瞬变抑制二极管。
可选的，所述第二三极管的发射极与所述受电端设备连接电路电连接，所述第二三极管的基极与所述镜像电流源电路电连接，所述第二三极管的集电极与所述开关电路电连接。
可选的，所述第二三极管的基极和发射极之间还包括：
一端与所述第二三极管的基极电连接，另一端与所述第二三极管的发射极电连接的第二电容。
可选的，所述开关电路包括：
场效应晶体管；
与所述场效应晶体管的第三端口电连接的第三电阻和第四电阻；所述第三电阻的另一端与所述第二三极管的集电极电连接；所述第四电阻的另一端与所述镜像电流源电路电连接；
一端与所述场效应晶体管的第四端口和第六端口电连接，另一端与所述场效应晶体管的第五端口电连接的第五电阻；
一端与所述场效应晶体管的第三端口电连接，另一端与所述场效应晶体管的第五端口电连接第三电容和第二瞬态抑制二极管。
可选的，所述镜像电流源电路包括：
第三三极管；所述第三三极管的集电极通过至少三个电阻与电源电连接；所述第三三极管的发射极与第六电阻的一端电连接；
基极与所述第三三极管的基极电连接的第四三极管；所述第四三极管的集电极与第七电阻的一端电连接，所述第七电阻的另一端与所述电源电连接；所述第四三极管的发射极与第八电阻的一端电连接，所述第四三极管的发射极与第二二极管的一端电连接；所述第八电阻的另一端和所述第二二极管的另一端与所述第六电阻的另一端电连接。
可选的，电压采集电路包括：
一端与所述镜像电流源电路电连接，另一端与接地端电连接的第九电阻；
设置在所述第九电阻的一端的电压采集正端口；
设置在所述第九电阻的另一端的电压采集负端口；
所述电压采集正端口和所述电压采集负端口设置在所述管理芯片上。
本实用新型的上述方案至少包括以下有益效果：
本实用新型的上述方案，通过主控控制电路；与所述主控控制电路电连接的供电设备识别电路；与所述供电设备识别电路电连接的电压采集电路；其中，所述主控控制电路控制所述供电设备识别电路的供电电压为供电状态时，通过所述电压采集电路采集所述供电设备识别电路的目标测点的电压，得到检测结果，并将所述检测结果发送至与所述电压采集电路电连接的管理芯片，由所述管理芯片对受电端设备状态进行实时监控。本申请中的电路结构简单，便于PCB(PrintedCircuitBoard，印制电路板)的布局，电路的成本低，实现可实时检测PD(PoweredDevice，受电端设备)设备的功耗，可方便地控制管理PD设备。
附图说明
图1为本实用新型实施例的受电端设备的检测电路的结构示意图；
图2为本实用新型实施例的受电端设备的检测电路中供电设备识别电路的结构示意图；
图3为本实用新型实施例的受电端设备的检测工作原理的流程示意图；
附图标记说明：
R7-第一电阻；R2-第二电阻；R191-第三电阻；R178-第四电阻；R194-第五电阻；R179-第六电阻；R193-第七电阻；R180-第八电阻；R785-第九电阻；11-镜像电流源电路；12-开关电路；13-受电端设备连接电路；Q16-第一三极管；Q11-第二三极管；Q13-第三三极管；Q14-第四三极管；DX12-第一二极管；DX13-第二二极管；N12-场效应晶体管；D59-第一瞬态抑制二极管；D58-第二瞬态抑制二极管；A-第一端口；B-第二端口；a-第三端口；b-第四端口；c-第五端口；d-第六端口；C86-第一电容；C85-第二电容；C87-第三电容；PSE1_ADCin+-电压采集正端口；PSE1_ADCin--电压采集负端口；V_IN-电源。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本实用新型的示例性实施例。虽然附图中显示了本实用新型的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本实用新型而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本实用新型，并且能够将本实用新型的范围完整的传达给本领域的技术人员。
如图1所示，本实用新型提供一种受电端设备的检测电路，包括：
主控控制电路；
与所述主控控制电路电连接的供电设备识别电路；
与所述供电设备识别电路电连接的电压采集电路；
其中，所述主控控制电路控制所述供电设备识别电路的供电电压为供电状态时，通过所述电压采集电路采集所述供电设备识别电路的目标测点的电压，得到检测结果，并将所述检测结果发送至与所述电压采集电路电连接的管理芯片，由所述管理芯片对受电端设备状态进行实时监控。
该实施例中，由主控控制电路控制供电设备识别电路中的开关电路12从而控制供电，当处于供电状态时，电压采集电路采集供电设备识别电路的目标测点的电压，得到检测结果，并将该检测结果发送至管理芯片，该管理芯片可对供电设备识别电路进行实时监控，这里的实时监控包括实时检测受电端设备的功耗以及控制受电端设备的接入与断开，通过结构简单的电路，实现了便于PCB(PrintedCircuitBoard，印制电路板)的布局，电路的成本低，可实时检测PD(PoweredDevice，受电端设备)设备的功耗，可方便地控制管理PD设备。
本实用新型一可选的实施例中，所述主控控制电路包括：
主控芯片；
与所述主控芯片电连接的第一电阻R7；
基极与所述第一电阻R7电连接的第一三极管Q16，所述第一三极管R16的发射极接地，所述第一三极管R16的集电极与所述供电设备识别电路电连接；
两端分别连接在所述第一三极管Q16的基极和发射极的第二电阻R2；
其中，当所述主控芯片发送高电平时，所述第一三极管Q16处于饱和工作状态，通过所述第一三极管Q16的集电极向所述供电设备识别电路提供低电平的供电电压；
当所述主控芯片发送低电平时，所述第一三极管Q16处于截止工作状态，通过所述第一三极管Q16的集电极停止控制所述供电设备识别电路中的开关电路12。
如图2所示，本实施例中，主控芯片通过第一三极管Q6控制向供电设备识别电路的PSE1_EN提供高电平/低电平，主控芯片和第一三极管Q6的基极之间电连接有第一电阻R7，该第一电阻R7的一端与第一三极管Q6的基极电连接，另一端与主控芯片电连接，第一三极管Q6的发射极接地，集电极向供电设备识别电路提供高电平/低电平，优选的，在第一电阻R7的一端和第一三极管Q6的发射极之间还电连接有第十电阻R2，第十电阻R2用于保证第一三极管Q6的可靠截止；
当主控芯片通过第一电阻R7向第一三极管Q6发送高电平时，第一三极管Q16处于饱和工作状态，通过第一三极管Q16的集电极向供电设备识别电路提供低电平的供电电压；反之，当主控芯片通过第一电阻R7向第一三极管Q6发送低电平时，第一三极管Q16处于截止工作状态，第一三极管Q16的集电极不向供电设备识别电路提供供电电压，即第一三极管Q16停止控制所述供电设备识别电路中的开关电路12；
这里，主控芯片提供的高电平/低电平可控制供电设备识别电路场效应晶体管的第三端口a，从而控制向供电设备识别电路的供电启停，实现了受电端设备的检测电路的供电可控，以便于受电端设备的检测电路的管理。
本实用新型一可选的实施例中，所述供电设备识别电路包括：
受电端设备连接电路13；
与所述受电端设备连接电路13电连接的第二三极管Q11；
与所述受电端设备连接电路13和所述第二三极管Q11电连接的开关电路12；
与所述第二三极管Q11和所述开关电路12电连接的镜像电流源电路11；所述开关电路12和所述镜像电流源电路11与所述电压采集电路电连接。
本实施例中，供电设备识别电路包括受电端设备连接电路13、第二三极管Q11、开关电路12以及镜像电流源电路11，其中，第二三极管Q11与受电端设备连接电路13电连接，开关电路12分别与第二三极管Q11和受电端设备连接电路13电连接，镜像电流源电路11分别与第二三极管Q11和开关电路12电连接；
开关电路12的一端与主控控制电路电连接，由主控控制电路向开关电路12进行供电，通过镜像电流源电路11和第二三极管Q11对受电端设备连接电路13中连接的受电端设备进行检测，镜像电流源电路11上还设有目标测点，该目标测点与电压采集电路电连接，用于电压采集电路对受电端设备连接电路13中的受电端设备进行检测和/或控制。
具体地，本实用新型一可选的实施例中，所述受电端设备连接电路13包括：
第一端口A；所述第一端口A用于与受电端设备的一端连通或断开；所述第一端口A与第一电容C86的一端电连接，所述第一电容C86的另一端与镜像电流源电路11电连接；
第二端口B；所述第二端口B用于与受电端设备的另一端连通或断开；所述第二端口B与第一二极管DX12的一端电连接，所述第一二极管DX12的另一端与镜像电流源电路11电连接；所述第二端口B与第一瞬态抑制二极管D59的一端电连接，所述第一瞬态抑制二极管D59的另一端与电压采集电路电连接；
与所述第一端口A或第二端口B电连接的至少一个双向瞬变抑制二极管。
本实施例中，受电端设备连接电路13包括第一端口A、第二端口B以及至少一个双向瞬变抑制二极管，其中，第一端口A可用于连接受电端设备的一段，第二端口B可用于连接受电端设备的另一端，需要说明的是，当第一端口A和第二端口B不与受电端设备连接时，不会影响受电端设备的检测电路的正常运行，当第一端口A和第二端口B不与受电端设备连接时，主控控制电路向供电设备识别电路供电，电压采集电路的管理芯片可检测到供电设备识别电路中的受电端设备处于断开状态，其功耗为0，在第一端口A与接地端之间电连接有至少一个双向瞬变抑制二极管，在第二端口B与接地端之间电连接有至少一个双向瞬变抑制二极管，在第一端口A和第二端口B之间电连接有至少一个双向瞬变抑制二极管，这里的双向瞬变抑制二极管用于对受电端设备的检测电路提供稳压和保护的作用；
进一步的，第一端口A与第一电容C86的一端电连接，第一电容C86的另一端与镜像电流源电路11电连接；第二端口B与第一二极管DX12的一端电连接，第一二极管DX12的另一端与镜像电流源电路11电连接；第二端口B与第一瞬态抑制二极管D59的一端电连接，第一瞬态抑制二极管D59的另一端与电压采集电路电连接；这里的第一瞬态抑制二极管D59的另一端优选与电压采集电路的目标测点位置电连接；
另外，这里与第一端口A和第二端口B电连接的受电端设备，根据IEEE802.3中标准受电端设备PD定义，直流阻抗优选为19k欧姆至26.5k欧姆之间，其容值不超过150nF，当电压采集电路对供电设备识别电路中的受电端设备进行检测和/或控制时，优选用2.8V至10V的探测电压检测电源输出线受电端设备的直流阻抗和容值。
本实用新型一可选的实施例中，所述第二三极管Q11的发射极与所述受电端设备连接电路13电连接，所述第二三极管Q11的基极与所述镜像电流源电路11电连接，所述第二三极管Q11的集电极与所述开关电路12电连接。
所述第二三极管Q11的基极和发射极之间还包括：
一端与所述第二三极管Q11的基极电连接，另一端与所述第二三极管Q11的发射极电连接的第二电容C85。
本实施例中，第二三极管Q11的发射极分别与受电端设备连接电路13和镜像电流源电路11电连接，第二三极管Q11的基极与镜像电流源电路11电连接，第二三极管Q11的集电极与开关电路12电连接，在第二三极管Q11的基极和发射极之间还设置有第二电容C85；
当受电端设备连接电路13中接入受电端设备时，提供电压为48V，电压被分压，使得第一端口A和第二端口B之间的电压VAB大于图一中F端口和D端口之间的电压VFD，即VAB＞VFD，从而F端口和C端口之间的电压VFC升高，使得第二三极管Q11处于饱和工作状态，进而使得E端口的电压VE为高电平状态，场效应晶体管N12处于导通状态，为第一端口A和第二端口B之间供电48V电压。
本实用新型一可选的实施例中，所述开关电路12包括：
场效应晶体管N12；
与所述场效应晶体管N12的第三端口a电连接的第三电阻R191和第四电阻R178；所述第三电阻R191的另一端与所述第二三极管Q11的集电极电连接；所述第四电阻R178的另一端与所述镜像电流源电路11电连接；
一端与所述场效应晶体管N12的第四端口b和第六端口d电连接，另一端与所述场效应晶体管N12的第五端口c电连接的第五电阻R194；
一端与所述场效应晶体管N12的第三端口a电连接，另一端与所述场效应晶体管N12的第五端口c电连接第三电容C87和第二瞬态抑制二极管D58。
本实施例中，场效应晶体管N12为N型MOS管(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N沟道-金属-氧化物-半导体)；
开关电路12包括场效应晶体管N12、第三电阻R191、第四电阻R178、第五电阻R194、第三电容C87以及第二瞬态抑制二极管D58，其中场效应晶体管N12的第三端口a与主控控制电路电连接，由主控控制电路通过向场效应晶体管N12的第三端口a提供高电平或低电平来控制开关电路12的供电状态，场效应晶体管N12的第三端口a还连接有第三电阻R191和第四电阻R178，第三电阻R191远离场效应晶体管N12的第三端口a的一端与第二三极管Q11的集电极电连接，第四电阻R178远离场效应晶体管N12的第三端口a的一端与镜像电流源电路11电连接；
第五电阻R194的一端与场效应晶体管N12的第四端口b和第六端口d电连接，另一端与场效应晶体管N12的第五端口c电连接；第三电容C87和第二瞬态抑制二极管D58的一端与场效应晶体管N12的第三端口a电连接，另一端与场效应晶体管N12的第五端口c电连接；
当受电端设备连接电路13，连接有受电端设备时，电压在第一端口A和第二端口B之间、第五电阻R194以及第八电阻R180进行分压，使得VAB＞VFD，进而使得VFC升高，第二三极管Q11处于饱和工作状态，场效应晶体管N12的第三端口c处的VE处于高电平状态，场效应晶体管N12的第三端口a和第五端口c之间处于截止状态，第四端口b、第五端口c以及第六端口d之间处于导通状态，此时给受电端设备连接电路13中的第一端口A和第二端口B之间供电。
本实用新型一可选的实施例中，所述镜像电流源电路11包括：
第三三极管Q13；所述第三三极管Q13的集电极通过至少三个电阻与电源V_IN电连接；所述第三三极管Q13的发射极与第六电阻R179的一端电连接；
基极与所述第三三极管Q13的基极电连接的第四三极管Q14；所述第四三极管Q14的集电极与第七电阻R193的一端电连接，所述第七电阻R193的另一端与所述电源V_IN电连接；所述第四三极管Q14的发射极与第八电阻R180的一端电连接，所述第四三极管Q14的发射极与第二二极管DX13的一端电连接；所述第八电阻R180的另一端和所述第二二极管DX13的另一端与所述第六电阻R179的另一端电连接。
本实施例中，由第三三极管Q13和第四三极管Q14构成了镜像电流源，第三三极管Q13的集电极通过至少三个电阻与电源V_IN电连接，电源V_IN用于向受电端设备供电，第三三极管Q13的发射极与第六电阻R179的一端电连接，第六电阻R179的另一端电连接分别与第八电阻R180的另一端和第二二极管DX13的另一端电连接；第三三极管Q13的基极和第四三极管Q14的基极电连接；
第四三极管Q14的集电极与第七电阻R193的一端电连接，第七电阻R193的另一端与所述电源V_IN电连接；第四三极管Q14的发射极分别与第八电阻R180和第二二极管DX13的一端电连接；
目标测点优选为第六电阻R179的另一端，即第八电阻R180和第二二极管DX13的另一端；
需要说明的是，这里优选的将与第三三极管Q13的集电极电连接的第十一电阻R192经过的电流记作IC2，将经过第七电阻R193的电流记作IC1，将经过第六电阻R179的电流记作IE2；
当场效应晶体管N12的第三端口a和第四端口b之间处于导通状态时，第四三极管Q14的集电极VG由70mV升为第二二极管DX13的正向压降1V，即VG＝1V，使得第三三极管Q13的集电极处的电压升为1V，进而经过第六电阻R179的电流IE2增大，经过第十一电阻R192的电流IC2增大，F端口和C端口之间的电压VFC增大至第二三极管Q11处于饱和工作状态，为电路稳定的输出供电；
当第一端口A和第二端口B之间的受电端设备处于断开状态，第四三极管Q14的集电极VG由第二二极管DX13正向压降1V降为70mV，经过第六电阻R179的电流IE2趋近0A，即IE2≈IC2≈0A，VFC≈0V，第二三极管Q11处于截止工作状态，场效应晶体管N12的第五端口c与第四端口b和第六端口d之间处于断开状态，从而停止供电。
本实用新型一可选的实施例中，电压采集电路包括：
一端与所述镜像电流源电路11电连接，另一端与接地端电连接的第九电阻R785；
设置在所述第九电阻R785的一端的电压采集正端口PSE1_ADCin+；
设置在所述第九电阻R785的另一端的电压采集负端口PSE1_ADCin-；
所述电压采集正端口PSE1_ADCin+和所述电压采集负端口PSE1_ADCin-设置在所述管理芯片上。
本实施例中，电压采集电路设置于目标测点上，第九电阻R785的一端与镜像电流源电路11上的目标测点电连接，另一端与接地端电连接，第九电阻R785的一端设置有电压采集正端口PSE1_ADCin+，另一端设置有电压采集负端口PSE1_ADCin-，其中，电压采集正端口PSE1_ADCin+和电压采集负端口PSE1_ADCin-设置在所述管理芯片上，管理芯片用于对受电端设备状态进行实时监控；第九电阻R785作为电流检测电阻，当负载电流IE2发生变化时电压同时变化，通过ADC(Analog-to-DigitalConverter，模数转换)功能反馈给管理芯片，可达到实时监控的目的。
本实用新型通过主控控制电路；与所述主控控制电路电连接的供电设备识别电路；与所述供电设备识别电路电连接的电压采集电路；其中，所述主控控制电路控制所述供电设备识别电路的供电电压为供电状态时，通过所述电压采集电路采集所述供电设备识别电路的目标测点的电压，得到检测结果，并将所述检测结果发送至与所述电压采集电路电连接的管理芯片，由所述管理芯片对受电端设备状态进行实时监控；实现了可实时检测受电端设备PD的功耗，可方便地控制管理PD设备。
如图3所示，本实用新型的工作原理为：
步骤31，获取供电设备识别电路的供电电压的供电状态；
步骤32，根据所述供电电压的供电状态，通过所述电压采集电路采集所述供电设备识别电路的目标测点的电压，得到检测结果，并将所述检测结果发送至与所述电压采集电路电连接的管理芯片，由所述管理芯片对受电端设备状态进行实时监控。
如图1和图2所示，一个具体的实施例中，主控控制电路控制供电识别电路的供电状态，具体地，当主控芯片通过第一电阻R7向第一三极管Q6发送高电平时，第一三极管Q16处于饱和工作状态，通过第一三极管Q16的集电极向供电设备识别电路提供低电平的供电电压；反之，当主控芯片通过第一电阻R7向第一三极管Q6发送低电平时，第一三极管Q16处于截止工作状态，通过第一三极管Q16的集电极向供电设备识别电路提供高电平的供电电压；
获取供电设备识别电路的供电电压的供电状态，供电设备识别电路的供电电压的供电状态由供电设备识别电路中的场效应晶体管N12的第三端口a的高电平或低电平状态提供；
当受电端设备连接电路13中接入了受电端设备时，电源V_IN提供的电压在第一端口A和第二端口B之间、第五电阻R194以及第八电阻R180进行分压，使得VAB＞VFD，进而使得VFC升高，第二三极管Q11处于饱和工作状态，场效应晶体管N12的第三端口c处的VE处于高电平状态，场效应晶体管N12的第三端口a和第五端口c之间处于截止状态，场效应晶体管N12的第五端口c与第四端口b和第六端口d之间处于导通状态，给受电端设备连接电路13中的第一端口A和第二端口B之间供电；
当场效应晶体管N12的第三端口a和第四端口b之间处于导通状态时，第四三极管Q14的集电极VG由70mV升为第二二极管DX13的正向压降1V，即VG＝1V，使得第三三极管Q13的集电极处的电压升为1V，进而经过第六电阻R179的电流IE2增大，经过第十一电阻R192的电流IC2增大，F端口和C端口之间的电压VFC增大至第二三极管Q11处于饱和工作状态，为电路稳定的输出供电；
当第一端口A和第二端口B之间的受电端设备处于断开状态，第四三极管Q14的集电极VG由第二二极管DX13正向压降1V降为70mV，经过第六电阻R179的电流IE2趋近0A，即IE2≈IC2≈0A，VFC≈0V，第二三极管Q11处于截止工作状态，场效应晶体管N12的第五端口c与第四端口b和第六端口d之间处于断开状态，从而停止供电；
第九电阻R785作为电流检测电阻，当负载电流IE2发生变化时电压同时变化，通过ADC功能反馈给管理芯片，可达到实时监控的目的。
以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种受电端设备的检测电路，其特征在于，包括：
主控控制电路；
与所述主控控制电路电连接的供电设备识别电路；
与所述供电设备识别电路电连接的电压采集电路；
其中，所述主控控制电路控制所述供电设备识别电路的供电电压为供电状态时，通过所述电压采集电路采集所述供电设备识别电路的目标测点的电压，得到检测结果，并将所述检测结果发送至与所述电压采集电路电连接的管理芯片，由所述管理芯片对受电端设备状态进行实时监控。
2.根据权利要求1所述的受电端设备的检测电路，其特征在于，所述主控控制电路包括：
主控芯片；
与所述主控芯片电连接的第一电阻(R7)；
基极与所述第一电阻(R7)电连接的第一三极管(Q16)，所述第一三极管(Q16)的发射极接地，所述第一三极管(Q16)的集电极与所述供电设备识别电路电连接；
两端分别连接在所述第一三极管(Q16)的基极和发射极的第二电阻(R2)；
其中，当所述主控芯片发送高电平时，所述第一三极管(Q16)处于饱和工作状态，通过所述第一三极管(Q16)的集电极向所述供电设备识别电路提供低电平的供电电压；
当所述主控芯片发送低电平时，所述第一三极管(Q16)处于截止工作状态，通过所述第一三极管(Q16)的集电极停止控制所述供电设备识别电路中的开关电路(12)。
3.根据权利要求1所述的受电端设备的检测电路，其特征在于，所述供电设备识别电路包括：
受电端设备连接电路(13)；
与所述受电端设备连接电路(13)电连接的第二三极管(Q11)；
与所述受电端设备连接电路(13)和所述第二三极管(Q11)电连接的开关电路(12)；
与所述第二三极管(Q11)和所述开关电路(12)电连接的镜像电流源电路(11)；所述开关电路(12)和所述镜像电流源电路(11)与所述电压采集电路电连接。
4.根据权利要求3所述的受电端设备的检测电路，其特征在于，所述受电端设备连接电路(13)包括：
第一端口(A)；所述第一端口(A)用于与受电端设备的一端连通或断开；所述第一端口(A)与第一电容(C86)的一端电连接，所述第一电容(C86)的另一端与镜像电流源电路(11)电连接；
第二端口(B)；所述第二端口(B)用于与受电端设备的另一端连通或断开；所述第二端口(B)与第一二极管(DX12)的一端电连接，所述第一二极管(DX12)的另一端与镜像电流源电路(11)电连接；所述第二端口(B)与第一瞬态抑制二极管(D59)的一端电连接，所述第一瞬态抑制二极管(D59)的另一端与电压采集电路电连接；
与所述第一端口(A)或第二端口(B)电连接的至少一个双向瞬变抑制二极管。
5.根据权利要求3所述的受电端设备的检测电路，其特征在于，所述第二三极管(Q11)的发射极与所述受电端设备连接电路(13)电连接，所述第二三极管(Q11)的基极与所述镜像电流源电路(11)电连接，所述第二三极管(Q11)的集电极与所述开关电路(12)电连接。
6.根据权利要求5所述的受电端设备的检测电路，其特征在于，所述第二三极管(Q11)的基极和发射极之间还包括：
一端与所述第二三极管(Q11)的基极电连接，另一端与所述第二三极管(Q11)的发射极电连接的第二电容(C85)。
7.根据权利要求3所述的受电端设备的检测电路，其特征在于，所述开关电路(12)包括：
场效应晶体管(N12)；
与所述场效应晶体管(N12)的第三端口(a)电连接的第三电阻(R191)和第四电阻(R178)；所述第三电阻(R191)的另一端与所述第二三极管(Q11)的集电极电连接；所述第四电阻(R178)的另一端与所述镜像电流源电路(11)电连接；
一端与所述场效应晶体管(N12)的第四端口(b)和第六端口(d)电连接，另一端与所述场效应晶体管(N12)的第五端口(c)电连接的第五电阻(R194)；
一端与所述场效应晶体管(N12)的第三端口(a)电连接，另一端与所述场效应晶体管(N12)的第五端口(c)电连接第三电容(C87)和第二瞬态抑制二极管(D58)。
8.根据权利要求3所述的受电端设备的检测电路，其特征在于，所述镜像电流源电路(11)包括：
第三三极管(Q13)；所述第三三极管(Q13)的集电极通过至少三个电阻与电源(V_IN)电连接；所述第三三极管(Q13)的发射极与第六电阻(R179)的一端电连接；
基极与所述第三三极管(Q13)的基极电连接的第四三极管(Q14)；所述第四三极管(Q14)的集电极与第七电阻(R193)的一端电连接，所述第七电阻(R193)的另一端与所述电源(V_IN)电连接；所述第四三极管(Q14)的发射极与第八电阻(R180)的一端电连接，所述第四三极管(Q14)的发射极与第二二极管(DX13)的一端电连接；所述第八电阻(R180)的另一端和所述第二二极管(DX13)的另一端与所述第六电阻(R179)的另一端电连接。
9.根据权利要求3所述的受电端设备的检测电路，其特征在于，电压采集电路包括：
一端与所述镜像电流源电路(11)电连接，另一端与接地端电连接的第九电阻(R785)；
设置在所述第九电阻(R785)的一端的电压采集正端口(PSE1_ADCin+)；
设置在所述第九电阻(R785)的另一端的电压采集负端口(PSE1_ADCin-)；
所述电压采集正端口(PSE1_ADCin+)和所述电压采集负端口(PSE1_ADCin-)设置在所述管理芯片上。
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