CN216434612U - 阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种阵列基板及液晶显示面板。该液晶显示面板包括显示区和围绕显示区的边框区，阵列基板包括第一衬底基板、位于第一衬底基板上的器件层，边框区包括封装区和抗静电区，抗静电区位于封装区远离显示区的一侧，阵列基板还包括位于器件层背离第一衬底基板一侧的框胶和抗静电墙，框胶位于封装区，抗静电墙位于抗静电区，且抗静电墙远离第一衬底基板的一侧与框胶远离第一衬底基板的一侧平齐设置；其中，抗静电墙包括支撑墙体和覆盖于支撑墙体上的导电金属层。该阵列基板可以将阵列基板一侧产生的静电荷导通到对置基板一侧的整面公共电极上并分散开，防止因大量静电荷累积放电产生大电流而炸伤电路。

Description

阵列基板及液晶显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

COA(Color-filter on Array，彩色滤光片位于阵列基板侧)技术是将彩色滤光片直接制作于阵列基板上的集成技术，可以降低彩膜基板与阵列基板的对位误差。另外，相邻的彩色滤光片之间设置有数据线，彩膜基板侧对应于相邻的彩色滤光片之间设置有BM(Black Matrix，黑矩阵)，用于对数据线进行遮光，以提高液晶显示面板的对比度。

然而，彩色滤光片铺满阵列基板的整个显示区，作为绝缘材料覆盖于金属层之上，容易累积大量静电荷无法释放出去，导致过多的静电荷放电产生大电流而炸伤电路。

实用新型内容

本申请旨在提供一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板通过在框胶的外周侧设置抗静电墙，且抗静电墙能够与对置基板整面铺设的公共电极电连接，从而可以将阵列基板一侧产生的静电荷导通到对置基板一侧的整面公共电极上并分散开，防止因大量静电荷放电产生大电流而炸伤电路。

第一方面，本申请实施例提出了一种阵列基板，用于液晶显示面板，液晶显示面板包括显示区和围绕显示区的边框区，阵列基板包括第一衬底基板、位于第一衬底基板上的器件层，边框区包括封装区和抗静电区，抗静电区位于封装区远离显示区的一侧，阵列基板还包括位于器件层背离第一衬底基板一侧的框胶和抗静电墙，框胶位于封装区，抗静电墙位于抗静电区，且抗静电墙远离第一衬底基板的一侧与框胶远离第一衬底基板的一侧平齐设置；其中，抗静电墙包括支撑墙体和覆盖于支撑墙体上的导电金属层。

在一种可能的实施方式中，器件层包括位于显示区和封装区的第一金属层，抗静电墙的导电金属层与位于封装区的第一金属层之间的最小距离为100μm～200μm。

在一种可能的实施方式中，抗静电墙围绕框胶的整个外周设置。

在一种可能的实施方式中，抗静电墙包括沿框胶的外周侧分段设置的多个子抗静电墙。

在一种可能的实施方式中，框胶为矩形环状结构，子抗静电墙位于框胶的四周。

在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括依次形成于第一金属层上的栅极绝缘层、第二金属层、层间绝缘层和色阻层，第一金属层形成有多条扫描线，第二金属层形成有多条数据线，多条扫描线和多条数据线相互交叉，以限定多个子像素；色阻层包括与多个子像素一一对应的多个色阻单元。

在一种可能的实施方式中，色阻单元为平行于数据线设置的条状结构，相邻的两个色阻单元的交叠区域在第一衬底基板上的正投影覆盖数据线在第一衬底基板上的正投影。

在一种可能的实施方式中，支撑墙体内设置有多个导电颗粒。

第二方面，本申请实施例还提供了一种液晶显示面板，包括：如前所述的阵列基板；对置基板，与阵列基板相对设置，且阵列基板与对置基板之间形成有液晶层；对置基板包括依次形成于第二衬底基板上的遮光层和公共电极层，阵列基板的抗静电墙通过导电金属层与公共电极层电连接。

在一种可能的实施方式中，阵列基板的色阻层包括与多个子像素一一对应的多个色阻单元；遮光层在阵列基板的第一衬底基板上的正投影覆盖相邻的两个色阻单元的交叠区域在第一衬底基板上的正投影。

本申请实施例提供的一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板通过在框胶的外周侧设置抗静电墙，且抗静电墙能够与对置基板整面铺设的公共电极层电连接，从而可以将阵列基板一侧产生的静电荷导通到对置基板一侧的整面公共电极层上并分散开，防止因大量静电荷累积放电产生大电流而炸伤电路，提高阵列基板的可靠性及液晶显示面板的显示效果。

附图说明

下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。

图1示出本申请实施例提供的液晶显示面板的俯视结构示意图；

图2示出图1沿B-B方向的剖面图；

图3示出本申请一实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图；

图4示出本申请另一实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图。

附图标记说明：

1、阵列基板；AA、像素区；NA、边框区；S、封装区；E、抗静电区；

11、第一衬底基板；12、器件层；

121、第一金属层；

122、栅极绝缘层；

123、第二金属层；

124、层间绝缘层；

13、色阻层；131、色阻单元；

14、框胶；

15、抗静电墙；151、支撑墙体；152、导电金属层；15a、子抗静电墙；

16、透明导电层；

2、对置基板；21、第二衬底基板；22、遮光层；23、公共电极层；

3、液晶层。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

图1示出本申请实施例提供的液晶显示面板的俯视结构示意图，图2示出图1沿B-B方向的剖面图。

参阅图1和图2，本申请实施例提供了一种液晶显示面板，包括：阵列基板1、与阵列基板1相对设置的对置基板2和设置于阵列基板1与对置基板2之间的液晶层3。液晶层3包括多个液晶分子，液晶分子通常为棒状，既可以像液体一样流动，又具有某些晶体特征。当液晶分子处于电场中时，其排列方向会根据电场的变化而改变。

由于液晶显示面板为非发射型光接收元件，需要通过设置于其背光面一侧的背光模组提供光源。液晶显示面板通过在阵列基板1和对置基板2上施加驱动电压来控制液晶层3的液晶分子的旋转，以将背光模组提供的光线折射出来产生画面。为了显示彩色画面，通常在阵列基板1上制备出薄膜晶体管阵列，用于驱动液晶分子的旋转，控制每个子像素的显示。

在一些实施例中，阵列基板1采用COA(Color-filter on Array，彩色滤光片位于阵列基板侧)架构，即色阻层13设置于阵列基板1的第一衬底基板11上，用于形成每个子像素的色彩。由于阵列基板1与对置基板2之间通过框胶14对接，色阻层13设置于阵列基板1一侧，可以降低对置基板2与阵列基板1的对位误差。

相应地，对置基板2包括依次形成于第二衬底基板21上的遮光层22和公共电极层23。遮光层22用于防止不同颜色的光线从相邻的色阻单元131之间的缝隙中漏出而产生混光。

进一步地，阵列基板1的色阻层13包括与多个子像素一一对应的多个色阻单元131；遮光层22在阵列基板1的第一衬底基板11上的正投影覆盖相邻的两个色阻单元131的交叠区域在第一衬底基板11上的正投影。遮光层22可以为黑矩阵(Black Matrix，简称BM)，对应于相邻的色阻单元131之间的交叠区域设置，用于对数据线进行遮光，以提高液晶显示面板的对比度。

由于色阻层13铺满阵列基板1的整个显示区AA，作为绝缘材料覆盖于数据线之上，容易累积大量静电荷无法释放出去，导致过多的静电荷放电产生大电流而炸伤电路。

为此，本申请实施例提供的阵列基板1，通过在框胶14的外周侧设置抗静电墙15，且抗静电墙15能够与对置基板2整面铺设的公共电极层23电连接，从而可以将阵列基板1一侧产生的静电荷导通到对置基板2一侧的整面公共电极层23上并分散开，防止因大量静电荷放电产生大电流而炸伤电路。

下面结合附图详细描述本申请各实施例提供的阵列基板的具体结构。

图3示出本申请一实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图。

如图2和图3所示，本申请实施例提供了一种阵列基板1，用于液晶显示面板，液晶显示面板包括显示区AA和围绕显示区AA的边框区NA，阵列基板1包括第一衬底基板11、位于第一衬底基板11上的器件层12。边框区NA包括封装区S和抗静电区E，抗静电区E位于封装区S远离显示区AA的一侧。

阵列基板1还包括位于器件层12背离第一衬底基板11一侧的框胶14和抗静电墙15，框胶14位于封装区S，抗静电墙15位于抗静电区E，且抗静电墙15远离第一衬底基板11的一侧与框胶14远离第一衬底基板11的一侧平齐设置；其中，抗静电墙15包括支撑墙体151和覆盖于支撑墙体151上的导电金属层152。

可选地，导电金属层152通过物理气相沉积或者溅射沉积的方法覆盖于支撑墙体151上。可选地，导电金属层152的材质为氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)，具有较好的电学传导性，以提高抗静电墙15的导电能力。

框胶14用于将阵列基板1与对置基板2对位连接，以形成容纳液晶层3的盒体。抗静电墙15位于框胶14远离显示区AA的一侧，且抗静电墙15远离第一衬底基板11的一侧与框胶14远离第一衬底基板11的一侧平齐设置，由此，抗静电墙15可以通过导电金属层152与对置基板2一侧的公共电极层23电连接，从而可以将阵列基板1一侧产生的静电荷导通到对置基板2一侧的整面公共电极层23上并分散开，防止因大量静电荷放电产生大电流而炸伤电路。

本申请实施例提供的一种阵列基板1，通过在框胶14的外周侧设置抗静电墙15，且抗静电墙15能够与对置基板2整面铺设的公共电极层23电连接，从而可以将阵列基板1一侧产生的静电荷导通到对置基板2一侧的整面公共电极层23上并分散开，防止因大量静电荷累积放电产生大电流而炸伤电路，提高阵列基板1的可靠性及液晶显示面板的显示效果。

在一些实施例中，器件层12包括位于显示区AA和封装区S的第一金属层121，抗静电墙15的导电金属层152与位于封装区S的第一金属层121之间的最小距离为100μm～200μm。

如图2所示，第一金属层121位于显示区AA和封装区S，为了减小液晶显示面板的边框区NA的宽度尺寸，位于封装区S内的第一金属层121与抗静电墙15的导电金属层152之间的最小距离L越近越好。同时为了防止边框区NA内产生的静电荷与第一金属层121内的金属走线之间形成电场，该最小距离L不能太近。由此，为了平衡窄边框化和抗静电性能，该最小距离L的取值范围为100μm～200μm。

在一些实施例中，抗静电墙15围绕框胶14的整个外周设置。由于阵列基板1的框胶14内部的显示区AA设置有像素电路，抗静电墙15围绕框胶14的整个外周设置，可以将框胶14内的整个显示区AA完全保护起来，从而将边框区NA产生的静电荷完全被隔离至显示区AA之外，并通过抗静电墙15的导电金属层152将静电荷导通至对置基板2一侧的公共电极层23，提高了阵列基板1的抗静电性能。

在一个示例中，如图3所示，阵列基板1为矩形结构，框胶14为矩形环状结构，此时抗静电墙15围绕框胶14的整个外周设置为矩形环状结构。在另一个示例中，阵列基板1为圆形结构，框胶14的形状也为圆环形结构，抗静电墙15围绕框胶14的整个外周设置为圆环形结构。在其它示例中，阵列基板1为异形结构，类似地，框胶14和抗静电墙15随形设计，不再赘述。

图4示出本申请另一实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图。

在一些实施例中，抗静电墙15包括沿框胶14的外周侧分段设置的多个子抗静电墙15a。

由于抗静电墙15的作用是将边框区NA产生的静电荷导通至对置基板2的公共电极层23上，抗静电墙15分段设置，可以将边框区NA产生的静电荷吸附到分段的多个子抗静电墙15a上，并通过导电金属层152导通至公共电极层23，同时可以减少抗静电墙15的材料用量，减轻阵列基板1的重量。

在一些实施例中，框胶14为矩形环状结构，子抗静电墙15a位于框胶14的四周。

在一个示例中，如图4所示，当阵列基板1为矩形结构时，框胶14为矩形环状结构，此时抗静电墙15可以位于框胶14的四周。在另一个示例中，阵列基板1为圆形结构，框胶14的形状也为圆环形结构，抗静电墙15沿框胶14的周向分段且间隔设置。在其它示例中，阵列基板1为异形结构，类似地，框胶14和抗静电墙15随形设计，不再赘述。

在一些实施例中，如图2所示，阵列基板1还包括依次形成于第一金属层121上的栅极绝缘层123、第二金属层122、层间绝缘层124和色阻层13，第一金属层121形成有多条扫描线，第二金属层122形成有多条数据线，多条扫描线和多条数据线相互交叉，以限定多个子像素；色阻层13包括与多个子像素一一对应的多个色阻单元131。

进一步地，第一金属层121还形成有公共电极线及薄膜晶体管的栅极，第二金属层122还形成有薄膜晶体管的源极和漏极，源极和漏极中的任一者与数据线电连接。

进一步地，阵列基板1还包括形成于色阻层13背离第一衬底基板11一侧的透明导电层16，透明导电层16包括位于显示区AA且间隔分布的多个像素电极。当阵列基板1的薄膜晶体管通过施加于栅极的信号而导通时，施加于数据线的信号被施加于像素电极。由此在像素电极与对置基板2的公共电极层23之间生成预定强度的电场，施加不同的电压可以改变液晶分子的取向，从而调节光的透射率并显示图像。

在一些实施例中，色阻单元131为平行于数据线设置的条状结构，相邻的两个色阻单元131的交叠区域在第一衬底基板11上的正投影覆盖数据线在第一衬底基板11上的正投影。

可选地，多个色阻单元131包括红色色阻单元、绿色色阻单元和蓝色色阻单元。如图2所示，不同阴影代表不同颜色的色阻单元131，不同颜色的多个色阻单元131阵列排布，每行或者每列包括交替分布的红色色阻单元、绿色色阻单元和蓝色色阻单元。另一些实施例中，多个色阻单元131还可以包括其他颜色的色阻单元，例如黄色色阻单元或者白色色阻单元，根据具体的设计需求而定，不再赘述。

不同颜色的色阻单元131的制作方法为：首先在阵列基板1上涂布一层对应颜色的色阻材料，固化后形成该颜色的色阻薄膜，再经过曝光和显影制程形成对应颜色的图案化色阻层13。

如前所述，导电金属层152通过物理气相沉积或者溅射沉积的方法覆盖于支撑墙体151上。支撑墙体151的材料可以为有机材料或者无机材料，只要能沉积ITO等导电金属层152即可。

在一些实施例中，抗静电墙15的支撑墙体151的材质与色阻单元131的材质相同。例如支撑墙体151的材质可以与红色色阻单元、绿色色阻单元和蓝色色阻单元中任一者或者至少两者的材质相同。支撑墙体151的材料为色阻单元131的材料时，可以就地取材，不需要另外购置材料。另外，在制作色阻单元131时，可以一并制作支撑墙体151，简化制作工序。然后再将导电金属层152通过物理气相沉积或者溅射沉积的方法覆盖于支撑墙体151上。

在一些实施例中，抗静电墙15的支撑墙体151内设置有多个导电颗粒。导电颗粒可以为纳米级尺寸大小的颗粒，进一步提高抗静电墙15的导电性能，便于快速将阵列基板1一侧产生的静电荷导通至对置基板2的公共电极层23上，防止因大量静电荷累积放电产生大电流而炸伤电路，进一步提高阵列基板1的可靠性及液晶显示面板的显示效果。

在一些实施例中，阵列基板1还包括平坦化层(图中未示出)和配向膜(图中未示出)，平坦化层形成于薄膜晶体管和数据线之上并覆盖薄膜晶体管和数据线，配向膜覆盖于透明导电层16上。对置基板2的公共电极层23背离第二衬底基板21的一侧也形成有配向膜，配向膜的材质可以为聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)，配向膜的表面形成一定纹路的沟槽，从而使液晶层3的液晶分子进行有序排列，形成良好的配向能力。

本申请实施例提供的一种阵列基板1及液晶显示面板，该阵列基板1通过在框胶14的外周侧设置抗静电墙15，且抗静电墙15能够与对置基板2整面铺设的公共电极层23电连接，从而可以将阵列基板1一侧产生的静电荷导通到对置基板2一侧的整面公共电极层23上并分散开，防止因大量静电荷放电产生大电流而炸伤电路，提高阵列基板1的可靠性及液晶显示面板的显示效果。

可以理解的是，本申请各实施例提供的阵列基板1的技术方案可以广泛用于各种液晶显示面板，如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示面板、IPS(In-PlaneSwitching，平面转换型)显示面板、VA(VerticalAlignment，垂直配向型)显示面板、MVA(Multi-DomainVertical Alignment，多象限垂直配向型)显示面板。

应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。

文中使用的术语“衬底基板”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底基板本身可以被图案化。添加到衬底基板顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底基板可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底基板可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。

文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底基板可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，用于液晶显示面板，所述液晶显示面板包括显示区和围绕所述显示区的边框区，所述阵列基板包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板上的器件层，其特征在于：

所述边框区包括封装区和抗静电区，所述抗静电区位于所述封装区远离所述显示区的一侧，所述阵列基板还包括位于所述器件层背离所述第一衬底基板一侧的框胶和抗静电墙，所述框胶位于所述封装区，所述抗静电墙位于所述抗静电区，且所述抗静电墙远离所述第一衬底基板的一侧与所述框胶远离所述第一衬底基板的一侧平齐设置；其中，所述抗静电墙包括支撑墙体和覆盖于所述支撑墙体上的导电金属层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述器件层包括位于所述显示区和所述封装区的第一金属层，所述抗静电墙的所述导电金属层与位于所述封装区的所述第一金属层之间的最小距离为100μm～200μm。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述抗静电墙围绕所述框胶的整个外周设置。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述抗静电墙包括沿所述框胶的外周侧分段设置的多个子抗静电墙。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述框胶为矩形环状结构，所述子抗静电墙位于所述框胶的四周。

6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次形成于所述第一金属层上的栅极绝缘层、第二金属层、层间绝缘层和色阻层，所述第一金属层形成有多条扫描线，所述第二金属层形成有多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线相互交叉，以限定多个子像素，所述色阻层包括与所述多个子像素一一对应的多个色阻单元。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻单元为平行于所述数据线设置的条状结构，相邻的两个所述色阻单元的交叠区域在所述第一衬底基板上的正投影覆盖所述数据线在所述第一衬底基板上的正投影。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述支撑墙体内设置有多个导电颗粒。

9.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：

如权利要求1至8任一项所述的阵列基板；

对置基板，与所述阵列基板相对设置，且所述阵列基板与所述对置基板之间形成有液晶层；所述对置基板包括依次形成于第二衬底基板上的遮光层和公共电极层，所述阵列基板的抗静电墙通过导电金属层与所述公共电极层电连接。

10.根据权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板的色阻层包括与多个子像素一一对应的多个色阻单元；

所述遮光层在所述阵列基板的第一衬底基板上的正投影覆盖相邻的两个所述色阻单元的交叠区域在所述第一衬底基板上的正投影。

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