CN216389361U - Led芯片封装结构及led显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及LED封装领域，具体涉及一种LED芯片封装结构及LED显示装置，本实用新型的封装结构包括基板，基板包括相对的两面，相对的两面分别设有第一电路与第二电路，第一电路与第二电路通过基板上的通孔连接；芯片阵列，芯片阵列设置在基板上，芯片阵列包括一个或多个蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片，红光芯片包括发光芯片和覆盖在发光芯片上的色转换层；封装层，覆盖在芯片阵列上，本实用新型通过色转换层将发光芯片发出的光进行转换，得到红光，在与蓝光芯片及绿光芯片相同设计尺寸条件下，使得到的红光亮度能够满足使用要求，从而能够得到尺寸更小的混光LED芯片封装体；本申请的显示装置，其发光效果好，封装成本低，可更好地满足应用需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种LED芯片封装结构及LED显示装置。
背景技术
发光二极管(英文简称LED)，是一种固体半导体发光装置。现有的全倒装LED显示装置普遍采用倒装蓝光LED、倒装绿光LED和倒装红光LED，以获得优异的显示效果，但由于倒装红光LED为AlInGaP四元发光系，技术不够成熟，良率低，倒装红光LED成本非常高。
实用新型内容
为解决上述问题，本实用新型提供一种LED芯片封装结构及LED显示装置，其结构简单，设计合理，发光亮度好。
本实用新型采用的技术方案是：
一种LED芯片封装结构，包括：
基板，包括相对的两面，所述相对的两面分别设有第一电路与第二电路，所述第一电路与所述第二电路通过所述基板上的通孔连接；
芯片阵列，设置在所述基板上，所述芯片阵列包括一个或多个蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片，所述红光芯片包括发光芯片和覆盖在所述发光芯片上的色转换层，所述色转换层用于将所述发光芯片发出的光转换为红光；
封装层，覆盖在所述芯片阵列上，以将所述芯片阵列进行封装。
在一些实施例中，所述色转换层在所述发光芯片的各侧面的厚度与所述色转换层在所述发光芯片的顶面的厚度相同。
在一些实施例中，所述发光芯片与所述蓝光芯片之间的距离，大于所述蓝光芯片与所述绿光芯片之间的距离；
所述发光芯片与所述绿光芯片之间的距离，大于所述蓝光芯片与所述绿光芯片之间的距离。
在一些实施例中，所述发光芯片为紫外发光芯片，所述紫外发光芯片发光波长为100-450nm；或所述蓝光芯片发光波长为450-470nm。
在一些实施例中，所述色转换层为覆盖在所述发光芯片表面的荧光层，所述荧光层包括黄色荧光胶层和红色滤光膜层，所述红色滤光膜层比所述黄色荧光胶层更远离所述发光芯片，或所述荧光层包括红色荧光胶层。
在一些实施例中，所述色转换层为覆盖于所述发光芯片表面的量子点层，所述量子点层中设置有红色量子点。
在一些实施例中，所述红光芯片还包括：隔热层，设置在所述发光芯片与所述色转换层之间。
在一些实施例中，所述封装层设为凸透镜或平面形状。
在一些实施例中，所述蓝光芯片为蓝光倒装芯片；所述绿光芯片为绿光倒装芯片；所述发光芯片为倒装发光芯片。
本实用新型还提供了一种LED显示装置，应用上述任一项LED芯片封装结构构成一个或多个像素点，或应用上述任一项LED芯片封装结构构成背光单元。
本实用新型的有益效果如下：
1、本实用新型提供的LED芯片封装结构，包括基板，包括相对的两面，相对的两面分别设有第一电路与第二电路，第一电路与第二电路通过基板上的通孔连接；芯片阵列，设置在基板上，芯片阵列包括一个或多个蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片，红光芯片包括发光芯片和覆盖在发光芯片上的色转换层，色转换层用于将发光芯片发出的光转换为红光；封装层，覆盖在芯片阵列上，以将芯片阵列进行封装，本实用新型通过色转换层将发光芯片发出的光进行转换，得到红光，得到低成本的红光芯片，可应用于LED显示领域，如LED显示屏、LCD(Liquid crystal display)背光源；
2、本实用新型提供的LED显示装置，其成本低，发光效果好，可更好地满足使用需求。
附图说明
图1为本实用新型的一个实施例的LED芯片封装结构的结构示意图；
图2为本实用新型中图1作为主视图时的俯视图结构示意图；
图3为本实用新型的另一个实施例的LED芯片封装结构的结构示意图；
图4为本实用新型中图3作为主视图时的俯视图结构示意图。
附图标记说明：1.基板、2.芯片阵列、21.蓝光芯片、22.绿光芯片、23.红光芯片、231.发光芯片、232.色转换层、3.封装层。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步的说明。
如图1和图2所示，本实施例的LED芯片封装结构，包括基板1，基板1包括相对的两面，相对的两面分别设有第一电路与第二电路，第一电路与第二电路通过基板上的通孔连接；基板1上间隔设置有若干芯片阵列2，芯片阵列2包括蓝光芯片21、绿光芯片22和红光芯片23，红光芯片23包括发光芯片231和覆盖在发光芯片231上的色转换层232，更具体地，蓝光芯片21为蓝光LED芯片，绿光芯片22为绿光LED芯片，本实施例中通过设置色转换层232将发光芯片231发出的光进行转换，得到红光，得到低成本的红光芯片，可应用于LED显示领域，如LED显示屏、LCD(Liquid crystal display)背光源。
在本申请的一个实施例中，蓝光芯片可以为蓝光正装芯片或蓝光倒装芯片；绿光芯片可以为绿光正装芯片或绿光倒装芯片；发光芯片可以为正装发光芯片或倒装发光芯片。
在本申请的一个实施例中，发光芯片231可以为蓝光芯片，其发光波长为450-470nm，色转换层232为覆盖在发光芯片231表面的、能够被蓝光激发的荧光层，具体地，荧光层包括黄色荧光胶层和红色滤光膜层，红色滤光膜层比黄色荧光胶层更远离发光芯片231，在本实施例中，是通过蓝光芯片激发色转换层232，发出满足亮度的红光，具体地，黄色荧光胶层内的黄色荧光粉将蓝光转换为白光，再由红色滤光膜层将白光转换为红光，其结构设计简单合理，发光效果好。
在本申请的一个实施例中，发光芯片231可以为蓝光芯片，其发光波长为450-470nm，色转换层232为覆盖在发光芯片231表面的、能够被蓝光激发的荧光层，具体地，荧光层包括红色荧光胶层。在本实施例中，是通过蓝光芯片激发色转换层232，发出满足亮度的红光，具体地，红色荧光胶层内的红色荧光粉将蓝光转换为红光，其结构设计简单合理，发光效果好。在本实施例中，所述红色荧光胶层包括K2SiF6:Mn(KSF)红色荧光粉。
在本申请的一个实施例中的荧光层可以采用点胶方式设置，当然，本实施例中的荧光层还可采用喷涂方式设置，相比于点胶设置，喷涂方式设置需要更小的空间，便于整体封装结构的设置。
在本申请的一个实施例中，发光芯片231为蓝光芯片时，色转换层232可以是量子点层或能将蓝光转换成红光的其他结构，在此不做限定。
在本申请的一个实施例中，所述量子点层中设置有红色量子点，所述色量子点的组分为InP、CdTe或钙钛矿等。
在本申请的一个实施例中，发光芯片231可以为紫外发光芯片，其发光波长为100-450nm，与蓝光芯片发光波长不同，以适应激发波长较短的色转换层232。色转换层232可以为覆盖于发光芯片231表面的量子点层，具体地，量子点层中设置有红色量子点，在本实施例中，是通过紫外发光芯片激发色转换层232，发出满足亮度的红光其结构设计简单合理，发光效果好。
在本申请的一个实施例中，发光芯片231为紫外发光芯片时，色转换层232可以是能够被紫外发光芯片激发发出红光的荧光层或能将紫外光转换成红光的其他结构，在此不做限定。
在上述实施例中，使用蓝光芯片或紫外发光芯片进行光转换得到的红光芯片，相比于直接应用四元AlInGaP红光芯片，成本更低。
在本申请的一个实施例中，红光芯片还可以包括隔热层，设置在发光芯片与色转换层之间，以避免芯片发热对色转换层的影响，比如，当色转换层是量子点层时，隔热层可以避免芯片发光后产生的热量使量子点猝灭。
在该实施例中，隔热层可以是隔热涂层、隔热粉或隔热胶。
在本申请的一个实施例中，LED芯片封装结构，包括基板1，设置在基板1上的芯片阵列2，还包括封装层3，封装层3覆盖在芯片阵列2上，并与基板1连接，以将芯片阵列2进行封装，具体地，封装层3可设为凸透镜形状，以对芯片阵列2发出的光进行聚光，从而达到更好的光学效果。封装层3可以是透明的热固性材料或半透明的热固性材料，可以将热固性材料覆盖在芯片阵列2后进行固化，以使封装层3填充在芯片阵列2中并覆盖芯片阵列2，从而对芯片阵列2进行固定。在本申请的其他实施例中，封装层3可以是凸透镜形状的罩体，直接将罩体罩设在芯片阵列上即可，结构简单，简化制作流程。本实施例中，通过封装层3的设置，不仅可以保护色转换层232，而且可以将芯片阵列2全部封装或罩住，以得到更好的光学效果。
在本申请的其他实施例中，封装层3可设为平面形状，以使封装结构的体积更小。
在本申请的一个实施例中，色转换层232在发光芯片231的各侧面的厚度与色转换层232在发光芯片231的顶面的厚度相同，通过这样的设置，可以使发光芯片231从各个角度发出的光都穿过同样厚度的色转换层231，可以使得到的红光芯片23具有良好的色温一致性，有利于使最终LED芯片封装结构发光效果好。
在本申请的一个实施例中，发光芯片23与蓝光芯片21之间的距离大于蓝光芯片21与绿光芯片22之间的距离，且发光芯片23与绿光芯片22之间的距离，大于蓝光芯片21与绿光芯片22之间的距离，通过这样的设置，可以为设置色转换层232预留空间，其结构简单，封装方便。
图3和图4为本实用新型的另一个实施例的LED芯片封装结构的结构示意图，图3中封装了多个蓝光芯片21、绿光芯片22和红光芯片23。对于该实施例中未披露的细节，请参照上述LED芯片封装结构的实施例。
在本申请的一个实施例中，提供了一种LED显示装置，该LED显示装置可以应用上述任一项LED芯片封装结构构成一个或多个像素点，或应用上述任一项LED芯片封装结构构成背光单元。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种LED芯片封装结构，其特征在于，包括：
基板，包括相对的两面，所述相对的两面分别设有第一电路与第二电路，所述第一电路与所述第二电路通过所述基板上的通孔连接；
芯片阵列，设置在所述基板上，所述芯片阵列包括一个或多个蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片，所述红光芯片包括发光芯片和覆盖在所述发光芯片上的色转换层，所述色转换层用于将所述发光芯片发出的光转换为红光；
封装层，覆盖在所述芯片阵列上，以将所述芯片阵列进行封装。
2.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述色转换层在所述发光芯片的各侧面的厚度与所述色转换层在所述发光芯片的顶面的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，
所述发光芯片与所述蓝光芯片之间的距离，大于所述蓝光芯片与所述绿光芯片之间的距离；
所述发光芯片与所述绿光芯片之间的距离，大于所述蓝光芯片与所述绿光芯片之间的距离。
4.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述发光芯片为紫外发光芯片，所述紫外发光芯片发光波长为100-450nm；或所述发光芯片为蓝光芯片，所述蓝光芯片发光波长为450-470nm。
5.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，
所述色转换层为覆盖在所述发光芯片表面的荧光层，所述荧光层包括黄色荧光胶层和红色滤光膜层，所述红色滤光膜层比所述黄色荧光胶层更远离所述发光芯片，或所述荧光层包括红色荧光胶层。
6.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述色转换层为覆盖于所述发光芯片表面的量子点层，所述量子点层中设置有红色量子点。
7.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述红光芯片还包括：
隔热层，设置在所述发光芯片与所述色转换层之间。
8.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述封装层设为凸透镜或平面形状。
9.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述蓝光芯片为蓝光倒装芯片；
所述绿光芯片为绿光倒装芯片；
所述发光芯片为倒装发光芯片。
10.一种LED显示装置，其特征在于，应用权利要求1-9任一项所述的LED芯片封装结构构成一个或多个像素点，或应用权利要求1-9任一项所述的LED芯片封装结构构成背光单元。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122753610.7U CN216389361U (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | Led芯片封装结构及led显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202122753610.7U CN216389361U (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | Led芯片封装结构及led显示装置 |
Publications (1)
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| CN216389361U true CN216389361U (zh) | 2022-04-26 |
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Family Applications (1)
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| CN202122753610.7U Active CN216389361U (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | Led芯片封装结构及led显示装置 |
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| CN (1) | CN216389361U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115498092A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-20 | 利亚德光电股份有限公司 | 量子点色转换结构的制作方法以及量子点色转换结构 |
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2021
- 2021-11-10 CN CN202122753610.7U patent/CN216389361U/zh active Active
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| CN115498092A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-20 | 利亚德光电股份有限公司 | 量子点色转换结构的制作方法以及量子点色转换结构 |
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