CN215343883U - 一种自动恢复的过压保护电路及手机充电电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种自动恢复的过压保护电路及手机充电电路，所述自动恢复的过压保护电路分别连接电源的输入端V+、输出端out和接地线SGND，包括稳压管ZD2和三极管Q5，电源的输入端V+与接地线SGND之间设有三极管Q5，所述三极管Q5的基极和集电极与电源的输入端V+连接，所述三极管Q5的发射极与接地线SGND之间连接；其中，三极管Q5为NPN型三极管，所述稳压管ZD2用于控制三极管Q5的基极的电平。此电路可简单可靠地解决需要用到过压保护开关且可自恢复电路的应用，通过多个三极管和MOS管的配合，可以迅速且稳定的实现电路断开或接通，实现过压关断、电压恢复后又自动恢复开启的电路，且不需要单独的电源供电，简洁经济适应。
Description
技术领域
本实用新型属于过压保护领域，涉及一种自动恢复的过压保护电路及手机充电电路。
背景技术
压保护是指被保护线路电压超过预定的最大值时，使电源断开或使受控设备电压降低的一种保护方式。
现有的过压保护电路大多采用比较器，需要单独稳定的电压供电，结构复杂，生产成本较高；且大多都目前市面上的过压保护电路过压后直接整机保护锁死起来，无法在电压正常后自行恢复。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种结构简单可靠、成本较低的自动恢复的过压保护电路及手机充电电路。
为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：
一种自动恢复的过压保护电路，分别连接电源的输入端V+、输出端out和接地线SGND，包括稳压管ZD2和三极管Q5，电源的输入端V+与接地线SGND之间设有三极管Q5，所述三极管Q5的基极和集电极与电源的输入端V+连接，所述三极管Q5的发射极与接地线SGND之间连接；
其中，三极管Q5为NPN型三极管，所述稳压管ZD2用于控制三极管Q5的基极的电平。
进一步的，还包括PMOS型的MOS管Q3；
所述MOS管Q3位于电源的输入端V+和输出端out之间，所述 MOS管Q3的栅极和源极与电源的输入端V+连接，所述MOS管Q3 的漏极与输出端out连接；
所述MOS管Q3用于截止或者导通电路。
进一步的，还包括NPN型的三极管Q4；
所述三极管Q4的基极与三极管Q5的集电极连接，三极管Q4 的集电极与
MOS管Q5的栅极连接，所述三极管Q4的发射极与接地线SGND 之间连接；
所述三极管Q4用于控制MOS管Q3的栅极的电平。
进一步的，所述输出端out和接地线SGND之间设有电容C9连接。
进一步的，所述三极管Q5的基极与发射极之间设有电阻R24连接。
进一步的，所述MOS管Q3与电源的输入端V+之间设有电阻 R20。
进一步的，所述三极管Q4的基极与发射极之间设有电容C11连接。
一种手机充电电路，包括上述自动恢复的过压保护电路。
应用本实用新型的技术方案，通过稳压管，当电压正常时稳压管不会反向击穿，电路接通，若电压过高稳压管击穿，从而控制三极管与接地线的导通，进而实现接地，断开电路，通过多个三极管和MOS 管的配合，可以迅速且稳定的实现电路断开或接通，实现过压关断、电压恢复后又自动恢复开启的电路，且不需要单独的电源供电，简洁经济适应。
附图说明
附图1是本实用新型一种自动恢复的过压保护电路的电路图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本实用新型实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
如图1所示，一种自动恢复的过压保护电路，分别连接电源的输入端V+、输出端out和接地线SGND，包括稳压管ZD2和三极管Q5，电源的输入端V+与接地线SGND之间设有三极管Q5，所述三极管 Q5的基极和集电极与电源的输入端V+连接，所述三极管Q5的发射极与接地线SGND之间连接；
其中，三极管Q5为NPN型三极管，所述稳压管ZD2用于控制三极管Q5的基极的电平。通过稳压管，当电压正常时稳压管不会反向击穿，电路接通，若电压过高稳压管击穿，从而控制三极管与接地线的导通，进而实现接地，断开电路。
本实施案例中，还包括PMOS型的MOS管Q3；
所述MOS管Q3位于电源的输入端V+和输出端out之间，所述 MOS管Q3的栅极和源极与电源的输入端V+连接，所述MOS管Q3 的漏极与输出端out连接；
所述MOS管Q3用于截止或者导通电路。
本实施案例中，还包括NPN型的三极管Q4；
所述三极管Q4的基极与三极管Q5的集电极连接，三极管Q4 的集电极与
MOS管Q5的栅极连接，所述三极管Q4的发射极与接地线SGND 之间连接；
所述三极管Q4用于控制MOS管Q3的栅极的电平。
本实施案例中，所述输出端out和接地线SGND之间设有电容 C9连接。用于储能、稳定电路。
本实施案例中，所述三极管Q5的基极与发射极之间设有电阻 R24连接。基-射级电阻和基极与VCC之间的电阻形成电阻分压，提供三极管基极的静态工作点。断电时基极能量消耗在电阻上，保证三极管可靠关断。
本实施案例中，所述MOS管Q3与电源的输入端V+之间设有电阻R20。若不加R20电阻，高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。
本实施案例中，所述三极管Q4的基极与发射极之间设有电容 C11连接。用于滤波。
工作时原理：
1.当电源的输入端V+电压正常时，以正常电压为5V为例，稳压管ZD2不会反向击穿，没有电流流过稳压管ZD2,也没有电流经过R22 和R24，Q5三极管基极为低电平，三极管Q5发射极截止不导通，由于三极管Q5不导通，电压VIN经过R19给C11充电，三极管Q4基极为高电平，三极管Q4发射极正偏，三极管Q4导通，电压VIN经过R20和三极管Q4流至地，MOS管Q3栅极被拉到地为低电平， MOS管Q3导通，电流经过MOS管Q3流至输出端out。
2.当电源的输入端V+电压过压时，稳压管ZD2稳压管击穿，电流经稳压管ZD2、R22、R24流至接地线SGND，
三极管Q5基极电压为高电平，三极管Q5导通，电压VIN经过 R19,发射极Q5导通到地，三极管Q4基极电压被拉到地，三极管Q4 基极为低电平，三极管Q4发射极反偏截止，电压VIN经过R20，由于三极管Q4截止，MOS管Q3栅极为高电平，MOS管Q3截止关断，电路断开，断开后级电路及负载。
3.当电源的输入端V+电压恢复后，稳压管ZD2稳压管不会反向击穿，没有电流流过稳压管ZD2,也没有电流经过R22和R24，三极管Q5基极为低电平，三极管Q5三极管发射极截止不导通，由于三极管Q5不导通，电压VIN经过R19给C11充电，三极管Q4基极为高电平，三极管Q4发射极正偏，三极管Q4导通，电压VIN经过R20 和三极管Q4(导通)流至地，MOS管Q3栅极被拉到地为低电平， MOS管Q3导通，V+电流经过MOS管Q3流至输出端out。
又一实施案例中，一种手机充电电路，包括上述自动恢复的过压保护电路。例如快充电路2种输出接口的应用，5V磁吸接口输出和 TYPE-C快充接口5V/3A.9V/2A.12V/1.5A输出，为避免输出电压过高而损坏另一个接口的充电电路，可在5V磁吸充电接口中加入这个过压保护开关且可自动恢复电路。
又一实施案例中，过压保护开关且自恢复型应用于应急电源中电路。
以上所述的实施例，只是本实用新型的较优选的具体方式之一，本领域的技术员在本实用新型技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (8)
1.一种自动恢复的过压保护电路，分别连接电源的输入端V+、输出端out和接地线SGND，其特征在于，包括稳压管ZD2和三极管Q5，电源的输入端V+与接地线SGND之间设有三极管Q5，所述三极管Q5的基极和集电极与电源的输入端V+连接，所述三极管Q5的发射极与接地线SGND之间连接；
其中，三极管Q5为NPN型三极管，所述稳压管ZD2用于控制三极管Q5的基极的电平。
2.根据权利要求1所述自动恢复的过压保护电路，其特征在于，还包括PMOS型的MOS管Q3；
所述MOS管Q3位于电源的输入端V+和输出端out之间，所述MOS管Q3的栅极和源极与电源的输入端V+连接，所述MOS管Q3的漏极与输出端out连接；
所述MOS管Q3用于截止或者导通电路。
3.根据权利要求2所述自动恢复的过压保护电路，其特征在于，还包括NPN型的三极管Q4；
所述三极管Q4的基极与三极管Q5的集电极连接，三极管Q4的集电极与
MOS管Q5的栅极连接，所述三极管Q4的发射极与接地线SGND之间连接；
所述三极管Q4用于控制MOS管Q3的栅极的电平。
4.根据权利要求1所述自动恢复的过压保护电路，其特征在于，所述输出端out和接地线SGND之间设有电容C9连接。
5.根据权利要求1所述自动恢复的过压保护电路，其特征在于，所述三极管Q5的基极与发射极之间设有电阻R24连接。
6.根据权利要求2所述自动恢复的过压保护电路，其特征在于，所述MOS管Q3与电源的输入端V+之间设有电阻R20。
7.根据权利要求3所述自动恢复的过压保护电路，其特征在于，所述三极管Q4的基极与发射极之间设有电容C11连接。
8.一种手机充电电路，其特征在于，包括权利要求1-7任一所述自动恢复的过压保护电路。
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