CN214480523U

CN214480523U - 脉冲宽度调制信号产生电路

Info

Publication number: CN214480523U
Application number: CN202022997123.0U
Authority: CN
Inventors: 罗震周
Original assignee: Shenzhen H&T Intelligent Control Co Ltd
Current assignee: Shenzhen H&T Intelligent Control Co Ltd
Priority date: 2020-12-14
Filing date: 2020-12-14
Publication date: 2021-10-22
Anticipated expiration: 2030-12-14

Abstract

本实用新型实施例公开了一脉冲宽度调制信号产生电路，包括开关模块和充放电切换模块。在第一PWM信号为低电平的情况下，导通所述开关模块的第三端与所述开关模块的第二端之间的连接，以输出正电压信号，以及导通所述开关模块的第三端与所述开关模块的第四端之间的连接，以给所述充放电切换模块充。在所述第一PWM信号为高电平信号的情况下，导通所述放电开关支路的第三端与所述放电开关支路的第四端的连接，并导通所述放电开关支路的第三端与所述放电开关支路的第二端之间的连接，以输出负电压信号。从而获得低电平为负电压的PWM信号。本实用新型提供的脉冲宽度调制信号产生电路，不会对***内部其他器件造成电磁干扰，成本较低。

Description

脉冲宽度调制信号产生电路

技术领域

本实用新型涉及信号处理技术领域，尤其涉及一种脉宽度调制信号产生电路。

背景技术

脉冲宽度调制(PWM)是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。

目前的单片机供电都是+5V或者+3.3V，在需要使用高电平为正电压，低电平为负电压的PWM信号时，往往需要使用电平转换芯片，将正电压转换为负电压，但是电平转换芯片内部的工作频率较高，对单片机***的电磁干扰较大，另外，电平转换芯片的成本高。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提出一种脉宽度调制信号产生电路。

本实用新型采用的一种技术手段为：提供一种脉冲宽度调制信号产生电路，所述电路包括开关模块和充放电切换模块，其中：

所述开关模块的第一端用于接收输入的第一PWM信号，所述开关模块的第二端用于输出第二PWM信号，所述开关模块的第三端与电源端连接，所述开关模块的第四端与所述充放电切换模块连接；所述开关模块用于在所述第一PWM信号为低电平的情况下，导通所述开关模块的第三端与所述开关模块的第二端之间的连接，以输出正电压信号，以及导通所述开关模块的第三端与所述开关模块的第四端之间的连接，以给所述充放电切换模块充电；

所述充放电切换模块包括共用储能电容的充电开关支路和放电开关支路；

所述充电开关支路的第一端为所述储能电容的正极，与所述开关模块的第四端连接，所述充电开关的第二端接地；所述充电开关支路用于在接收到所述电源端输出的电压时导通，以给所述储能电容充电；

所述放电开关支路的第一端与所述开关模块的第一端连接，所述放电开关支路的第二端与所述开关模块的第二端连接，所述放电开关支路的第三端为所述储能电容的正极，所述放电开关支路的第四端接地；所述放电开关支路用于在所述第一PWM信号为高电平信号的情况下，导通所述放电开关支路的第三端与所述放电开关支路的第四端的连接，并导通所述放电开关支路的第三端与所述放电开关支路的第二端之间的连接，以输出负电压信号。

采用本实用新型实施例，具有如下有益效果：

本实用新型实施例提供的一种脉冲宽度调制信号产生电路，在第一PWM信号为低电平的情况下，导通所述开关模块的第三端与所述开关模块的第二端之间的连接，以输出正电压信号，以及导通所述开关模块的第三端与所述开关模块的第四端之间的连接，以给所述充放电切换模块充。在所述第一PWM信号为高电平信号的情况下，导通所述放电开关支路的第三端与所述放电开关支路的第四端的连接，并导通所述放电开关支路的第三端与所述放电开关支路的第二端之间的连接，以输出负电压信号。采用本实用新型提供的脉冲宽度调制信号产生电路，通过设置开关模块、共用储能电容的充电开关支路和放电开关支路，就可以将第一PWM信号转换为低电平为负电压的第二PWM信号输出，无需使用电平转换芯片，节省电路成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：

图1为一个实施例提供的脉冲宽度调制信号产生电路的结构框图；

图2为一个实施例提供的脉冲宽度调制信号产生电路的结构框图；

图3为一个实施例提供的脉冲宽度调制信号产生电路的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等(如果存在)是用于区别类似的部分，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示的以外的顺序实施。

本实用新型实施例公开了一种脉冲宽度调制信号产生电路，如图1所示，一种脉冲宽度调制信号产生电路，其特征在于，包括开关模块10和充放电切换模块20，其中：

开关模块10的第一端用于接收输入的第一PWM信号，开关模块10的第二端用于输出第二PWM信号，开关模块10的第三端与电源端1连接，开关模块10的第四端与充放电切换模块20连接；开关模块10用于在第一PWM信号为低电平的情况下，导通开关模块10的第三端与开关模块10的第二端之间的连接，以输出正电压信号，以及导通开关模块10的第三端与开关模块10的第四端之间的连接，以给充放电切换模块20充电，并在第一PWM信号为高电平的情况下，关断开关模块10的第三端与开关模块10的第二端之间的连接，以停止输出正电压信号，以及关断开关模块10的第三端与开关模块10的第四端之间的连接，以停止给充放电切换模块20充电。

充放电切换模块20包括共用储能电容23的充电开关支路21和放电开关支路22。

充电开关支路21的第一端为储能电容23的正极，与开关模块10的第四端连接，充电开关支路21的第二端接地；充电开关支路21用于在接收到电源端1输出的电压时导通，以给储能电容23充电，并在未接收到电源端1输出的电压时断开，以停止给储能电容23充电。

放电开关支路22的第一端与开关模块10的第一端连接，放电开关支路22的第二端与开关模块10的第二端连接，放电开关支路22的第三端为储能电容23的正极，放电开关支路22的第四端接地；放电开关支路22用于在第一PWM信号为低电平信号的情况下，关断放电开关支路22的第三端与放电开关支路22的第四端的连接，并关断放电开关支路22的第三端与放电开关支路22的第二端之间的连接，并在第一PWM信号为高电平信号的情况下，导通放电开关支路22的第三端与放电开关支路22的第四端的连接，并导通放电开关支路22的第三端与放电开关支路22的第二端之间的连接，以输出负电压信号。

本实用新型实施例提供的一种脉冲宽度调制信号产生电路，在第一PWM信号为低电平的情况下，开关模块10的第三端与开关模块10的第二端之间的连接导通，放电开关支路22的第三端与放电开关支路22的第四端的连接关断，关断放电开关支路22的第三端与放电开关支路22的第二端之间的连接关断，放电开关支路22的第二端无输出，开关模块10的第二端输出电源端的正电压信号，所以第二PWM为正电压信号；开关模块10的第三端与开关模块10的第四端之间的连接导通，充电开关支路21接收到电源端1输出的电压导通，给储能电容23充电。在第一PWM信号为高电平信号的情况下，开关模块10的第三端与开关模块10的第四端之间的连接关断，充电开关支路21接收不到电源端1输出的电压，停止给储能电容充电；开关模块10的第三端与开关模块10的第二端之间的连接关断，开关模块10的第二端无输出，放电开关支路22的第三端与放电开关支路22的第四端的连接导通，使得储能电容接地，放电开关支路22的第三端与放电开关支路22的第二端之间的连接导通，放电开关支路的第二端输出负电压信号，所以第二PWM信号为负电压信号。因此，通过简单的电路模块即实现了PWM信号的转换，成本较低。

进一步地，如图2所示，脉冲宽度调制信号产生电路包括：第一可控开关100、第二可控开关200、第三可控开关300、第四可控开关400、第五可控开关500。其中，第一可控开关100和第二可控开关200构成了开关模块10，第三可控开关300和储能电容23构成了充电开关支路21，第四可控开关400、第五可控开关500和储能电容23构成了放电开关支路22。

第一可控开关100用于接收第一PWM信号，并在第一PWM信号为低电平的情况下处于导通状态，在第一PWM信号为高电平的情况下处于关断状态；第一可控开关100的第一开关端与电源端1连接。

第四可控开关400用于接收第一PWM信号，并在第一PWM信号为低电平的情况下处于关断状态，在第一PWM信号为高电平的情况下处于导通状态；第四可控开关400的第一开关端与接地端2连接；第四可控开关400的第二开关端与第一可控开关100的第二开关端连接，并形成第一共有端3。

第二可控开关200用于接收第一PWM信号，并在第一PWM信号为低电平的情况下处于导通状态，在第一PWM信号为高电平的情况下处于关断状态；第二可控开关200的第一开关端与第一共有端3连接。

第三可控开关300用于接收第一共有端3传输的信号，并在第一共有端3传输的信号为高电平的情况下处于导通状态，在第一共有端3传输的信号为低电平的情况下处于关断状态；第三可控开关300的第一开关端与接地端2连接。

第五可控开关500用于接收接地端2传输的信号；第五可控开关500的第一开关端与第三可控开关300的第二开关端连接，并形成第二共有端4；第五可控开关500在第二共有端4传输的电压小于0V的情况下处于导通状态，在第二共有端4传输的电压大于等于0V的情况下处于关断状态；第五可控开关500的第二开关端与第二可控开关200的第二开关端连接，并形成第三共有端5；第三共有端5输出第二PWM信号。储能电容23用于在第一PWM信号为低电平的情况下，进行储能；在PWM信号为高电平的情况下，进行释能；储能电容23串接在第一共有端3和第二共有端4之间。

可以理解的是，第一可控开关100的控制端、第四可控开关400的控制端以及第二可控开关200的控制端均接收第一PWM信号。第一可控开关100的第一开关端与电源端1连接。第四可控开关400的第一开关端、第四可控开关40的第一开关端以及第五可控开关500的控制端均与接地端2连接。第二可控开关200的第一开关端、第四可控开关40的控制端均与第一共有端3连接。储能电容23的正极及与第一共有端3连接，储能电容23的负极与第二共有端4连接。

本实用新型实施例提供的一种脉冲宽度调制信号产生电路，在第一PWM信号为低电平的情况下，第一可控开关100、第二可控开关200和第三可控开关300均导通，第四可控开关400和第五可控开关500断开，储能电容23充电，此时，第三共有端5输出正电压，即第三共有端5输出的第二PWM信号的高电平为正电压。在第一PWM信号为高电平的情况下，第一可控开关100、第二可控开关200和第三可控开关300均断开，第四可控开关400和第五可控开关500导通，储能电容23的正极通过第四可控开关400与接地端2连接，储能电容23的负极通过第五可控开关500与第三共有端5连接，储能电容23由于存储了电能，在电路中起到钳位的作用，因此，储能电容23的负极为负电压，此时，第三共有端5被钳位为负电压，即第三共有端5输出的第二PWM信号的低电平为负电压。本实用新型提供的脉冲宽度调制信号产生电路，通过第一可控开关100、第四可控开关400、第二可控开关200、第四可控开关40、第五可控开关500和储能电容23将第一PWM信号转换为第二PWM信号输出其中，第二PWM信号的高电平为正电压，第二PWM信号的低电平为负电压。从而获得低电平为负电压的PWM信号。另外，本实用新型提供的脉冲宽度调制信号产生电路，不会对***内部其他器件造成电磁干扰，成本较低。

在一实施例中，如图3所示，开关模块10包括第一三极管Q1和第二三极管Q2，第一三极管Q1和第二三极管Q2均为PNP型三极管。第一三极管Q1的基极与第二三极管Q2的基极均连接至开关模块10的第一端；第二三极管Q2的集电极为开关模块10的第二端；第一三极管Q1的发射极为开关模块10的第三端；第一三极管Q1的集电极与第二三极管Q2的发射极连接，为开关模块10的第四端。

进一步地，开关模块10还包括第一电阻R1和第二电阻R2，第一三极管Q1的基极通过第一电阻R1连接至开关模块10的第一端，第二三极管Q2的基极通过第二电阻R2连接至开关模块10的第二端。第一PWM信号为低电平的情况下，第一三极管Q1、第二三极管Q2以及第三三极管Q3均导通，并从第二三极管Q2的集电极输出正电压信号，此时，第一三极管Q1导通，电源端1的电压通过第一三极管Q1给充放电切换模块20充电。

在一实施例中，开关模块10包括第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管均为PMOS管。第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极均连接至开关模块10的第一端；第二MOS管的漏极为开关模块10的第二端；第一MOS管的源极为开关模块10的第三端；第一MOS管的漏极与第二MOS管的源极连接，为开关模块10的第四端。

在一实施例中，如图3所示，充电开关支路21包括储能电容23和第三三极管Q3，第三三极管Q3为NPN型三极管。第三三极管Q3的基极连接至储能电容23的正极，储能电容23的负极与第三三极管Q3的集电极连接，第三三极管Q3的发射极为充电开关支路21的第二端。

进一步地，充电开关支路21还包括第三电阻R3，第三三极管Q3的基极通过第三电阻R3连接至储能电容23的正极。

在一实施例中，充电开关支路21包括储能电容23和第三MOS管，第三三极管Q3为NMOS管；第三MOS管的栅极连接至储能电容23，储能电容23的负极与第三MOS管的漏极连接，第三MOS管的源极为充电开关支路21的第二端。

在一实施例中，如图3所示，放电开关支路22包括储能电容23、第四三极管Q4和第五三极管Q5，第四三极管Q4和第五三极管Q5均为NPN型三极管；第四三极管Q4的基极连接至放电开关支路22的第一端；第五三极管Q5的集电极为放电开关支路22的第二端；第四三极管Q4的集电极与储能电容23的正极连接；第四三极管Q4的发射极为放电开关支路22的第四端，第五三极管Q5的基极连接至第四三极管Q4的发射极；储能电容23的负极与第五三极管Q5的发射极连接。

进一步地，放电开关支路22还包括第四电阻R4和第五电阻R5；第四三极管Q4的基极通过第四电阻R4连接至放电开关支路22的第一端，第五三极管Q5的基极通过第五电阻R5连接至第四三极管Q4的发射极。第一PWM信号为高电平信号的情况下，第四三极管Q4和第五三极管Q5导通，导通储能电容23的正极通过第四三极管接地，储能电容23的负极通过第五三极管Q5，以输出负电压信号。

在一实施中，放电开关支路22包括储能电容23、第四MOS管和第五MOS管，第四MOS管和第五MOS管均为NMOS管；第四MOS管的栅极连接至放电开关支路22的第一端；第五MOS管的漏极为放电开关支路22的第二端；第四MOS管的漏极与储能电容23的正极连接；第四MOS管的源极为放电开关支路22的第四端，第五MOS管的栅极连接至第四MOS管的源极；储能电容23的负极与第五MOS管的源极连接。

在一实施例中，如图3所示，第一可控开关100为第一三极管Q1，第二可控开关200为第二三极管Q2；第三可控开关300为第三三极管Q3；第四可控开关400为第四三极管Q4；第五可控开关500均为第五三极管Q5。其中，第一三极管Q1和第二三极管Q2为PNP型三极管；第三三极管Q3、第四三极管Q4和第五三极管Q5为NPN型三极管。

可以理解的是，第一可控开关100的控制端为第一三极管Q1的基极，第一可控开关100的输入端为第一三极管Q1的发射极，第一可控开关100的输出端为第一三极管Q1的集电极。第二可控开关200的控制端为第二三极管Q2的基极，第二可控开关300的输入端为第二三极管Q2的发射极，第二可控开关200的输出端为第二三极管Q2的集电极。第三可控开关300的控制端为第三三极管Q3的基极，第三可控开关300的输入端为第三三极管Q3的发射极，第三可控开关300的输出端为三三极管Q3的集电极。第四可控开关400的控制端为第四三极管Q4的基极，第四可控开关400的输入端为第四极管Q4的发射极，第四可控开关400的输出端为第四三极管Q4的集电极。第五可控开关500的控制端为第五三极管Q5的基极，第五可控开关500的输入端为第五三极管Q5的发射极，第五可控开关500的输出端为第五三极管Q5的集电极。

进一步地，第一三极管Q1的基极输入第一PWM信号，第一三极管Q1的发射极与电源端1连接，第一三极管Q1的集电极与第一共有端3连接。第二三极管Q2的基极输入第一PWM信号，第二三极管Q2的发射极分别与第一共有端3连接，第二三极管Q2的集电极与第三共有端5连接。第三三极管Q3的基极与第一共有端3连接，第三三极管Q3的发射极与接地端2连接，第三三极管Q3的集电极分别与第二共有端4连接。第四三极管Q4的基极输入第一PWM信号，第四三极管Q4的发射极与接地端2连接，第四三极管Q4的集电极与第一共有端3连接。第五三极管Q5的基极与接地端2连接，第五三极管Q5的发射极与第二共有端4连接；第五三极管Q5的集电极与第三共有端5连接。

进一步地，一种脉冲宽度调制信号产生电路还包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电阻R3、第一电阻R4和第五电阻R5。第一PWM信号经过第一电阻R1输入至第一三极管Q1的基极。第一PWM信号经过第二电阻R2输入至第二三极管Q2的基极。第一PWM信号经过第四电阻R4输入至第四三极管Q4的基极。第三三极管Q3的基极通过第三电阻R3与第一共有端3连接。第五三极管Q4的基极通过第五电阻R5与接地端2连接。其中，第一电阻R1、第二电阻R2、第一电阻R3、第一电阻R4和第五电阻R5均为1kΩ。

进一步地，在第一PWM信号为低电平的情况下，第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3均导通，第四三极管Q4和第五三极管Q5断开，储能电容23充电，此时，电源端1的输入电压经过第一三极管Q1、第二三极管Q2输出至第三共有端5，因此，第三共有端输出正电压，即第三共有端5输出的第二PWM信号的高电平为正电压。在第一PWM信号为高电平的情况下，第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3均断开，第四三极管Q4和第五三极管Q5导通，储能电容23的正极通过第四三极管Q4与接地端2连接，储能电容23的负极通过第五三极管Q5与第三共有端5连接，此时，第三共有端5被钳位为负电压。从而获得低电平为负电压的PWM信号，即第二PWM信号。可以理解的是，储能电容23由于存储了电能，在电路中起到钳位的作用，因此，在储能电容23的正极接地时，储能电容23的负极为负电压，此时，第三共有端5被钳位为负电压,即第三共有端5输出的第二PWM信号的低电平为负电压。本实用新型提供的脉冲宽度调制信号产生电路，不会对***内部其他器件造成电磁干扰，成本较低。

在一实施例中，第一可控开关100、第二可控开关200、第三可控开关300、第四可控开关40以及第五可控开关500均为MOS管。具体地，第一可控开关100为第一MOS管；第二可控开关200为第二MOS管；第三可控开关300为第三MOS管；第四可控开关400为第四MOS管；第五可控开关500均为第五MOS管。其中，第一MOS管和第二MOS管为PMOS管；第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管为NMOS管。

可以理解的是，第一可控开关100的控制端为第一MOS管的栅极，第一可控开关100的输入端为第一MOS管的源极，第一可控开关100的输出端为第一MOS管的漏极。第二可控开关200的控制端为第二MOS管的栅极，第二可控开关200的输入端为第二MOS管的源极，第二可控开关200的输出端为第二MOS管的漏极。第三可控开关300的控制端为第三MOS管的栅极，第三可控开关300的输入端为第三MOS管的源极，第三可控开关300的输出端为三MOS管的漏极。第四可控开关400的控制端为第四MOS管的栅极，第四可控开关400的输入端为第一四极管的源极，第四可控开关400的输出端为第四MOS管的漏极。第五可控开关500的控制端为第五MOS管的栅极，第五可控开关500的输入端为第五MOS管的源极，第五可控开关500的输出端为第五MOS管的漏极。

进一步地，第一MOS管的栅极输入第一PWM信号，第一MOS管的源极与电源端1连接，第一MOS管的漏极与第一共有端3连接。第二MOS管的栅极输入第一PWM信号，第二MOS管的源极分别与第一共有端3连接，第二MOS管的漏极与第三共有端5连接。第三MOS管的栅极与第一共有端3连接，第三MOS管的源极与接地端2连接，第三MOS管的漏极分别与第二共有端4连接。第四MOS管的栅极输入第一PWM信号，第四MOS管的源极与接地端2连接，第四MOS管的漏极与第一共有端3连接。第五MOS管的栅极与接地端2连接，第五MOS管的源极与第二共有端4连接；第五MOS管的漏极与第三共有端5连接。

在一实施例中，储能电容23为电解电容。其中，电解电容是电容的一种，金属箔为正极(铝或钽)，与正极紧贴金属的氧化膜(氧化铝或五氧化二钽)是电介质，负极由导电材料、电解质(电解质可以是液体或固体)和其他材料共同组成。同时电解电容正负极不可接错。在本实施例中，电解电容起到充电储能的作用，在输入第一PWM信号为高电平的时，电解电容充电储能。在输入第一PWM信号为低电平的时，电解电容由于存储了电能，在电路中起到钳位的作用，由于电解电容的正极接地，电解电容的负极为负电压。

当然，在一些其他实施例中，储能电容23也可以为无极性电容，例如，贴片电容、薄膜电容等无极性电容。

在一实施例中，储能电容23为电容值可调节的电容。可以理解的是，储能电容23的电容值可以根据第三共有端5连接的负载的大小调节。负载值越大，所需储能电容23的电容值越大。优选地，在第三共有端5未接负载的情况下，储能电容23的电容值为470μf。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种脉冲宽度调制信号产生电路，其特征在于，包括开关模块和充放电切换模块，其中：

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关模块包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管和所述第二三极管均为PNP型三极管；

所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极均连接至所述开关模块的第一端；所述第二三极管的集电极为所述开关模块的第二端；所述第一三极管的发射极为所述开关模块的第三端；所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的发射极连接，为所述开关模块的第四端。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述开关模块还包括第一电阻和第二电阻，所述第一三极管的基极通过所述第一电阻连接至所述开关模块的第一端，所述第二三极管的基极通过所述第二电阻连接至所述开关模块的第二端。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关模块包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管均为PMOS管；

所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极均连接至所述开关模块的第一端；所述第二MOS管的漏极为所述开关模块的第二端；所述第一MOS管的源极为所述开关模块的第三端；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，为所述开关模块的第四端。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述充电开关支路包括所述储能电容和第三三极管，所述第三三极管为NPN型三极管；

所述第三三极管的基极连接至所述储能电容的正极，所述储能电容的负极与所述第三三极管的集电极连接，所述第三三极管的发射极为所述充电开关支路的第二端。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述充电开关支路还包括第三电阻，所述第三三极管的基极通过所述第三电阻连接至所述储能电容的正极。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述充电开关支路包括所述储能电容和第三MOS管，所述第三MOS管为NMOS管；

所述第三MOS管的栅极连接至所述储能电容，所述储能电容的负极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的源极为所述充电开关支路的第二端。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述放电开关支路包括所述储能电容、第四三极管和第五三极管，所述第四三极管和所述第五三极管均为NPN型三极管；

所述第四三极管的基极连接至所述放电开关支路的第一端；所述第五三极管的集电极为所述放电开关支路的第二端；所述第四三极管的集电极与所述储能电容的正极连接；所述第四三极管的发射极为所述放电开关支路的第四端，所述第五三极管的基极连接至所述第四三极管的发射极；所述储能电容的负极与所述第五三极管的发射极连接。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述放电开关支路还包括第四电阻和第五电阻；

所述第四三极管的基极通过所述第四电阻连接至所述放电开关支路的第一端，所述第五三极管的基极通过所述第五电阻连接至所述第四三极管的发射极。

10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述放电开关支路包括所述储能电容、第四MOS管和第五MOS管，所述第四MOS管和所述第五MOS管均为NMOS管；

所述第四MOS管的栅极连接至所述放电开关支路的第一端；所述第五MOS管的漏极为所述放电开关支路的第二端；所述第四MOS管的漏极与所述储能电容的正极连接；所述第四MOS管的源极为所述放电开关支路的第四端，所述第五MOS管的栅极连接至所述第四MOS管的源极；所述储能电容的负极与所述第五MOS管的源极连接。