CN214477461U - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括：多个像素单元，每个像素单元包括像素电路和发光元件，像素电路被配置为驱动发光元件，像素电路包括驱动晶体管，多个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元，第一像素单元被配置为发第一颜色光，第二像素单元被配置为发第二颜色光，第一像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第一沟道，第二像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第二沟道，第一沟道的宽长比大于第二沟道的宽长比，第一沟道的形状与第二沟道的形状不同。该显示面板可补偿发不同颜色光的像素单元的发光效率与寿命的差异，有效提高显示均一性和器件的使用寿命。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本实用新型至少一实施例涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
通常，发不同颜色光的像素单元的驱动电路中的驱动晶体管的沟道宽长比均相同。
发明内容
本实用新型的至少一实施例涉及一种显示面板和显示装置。该显示面板可补偿发不同颜色光的像素单元的发光效率与寿命的差异，有效提高显示均一性和器件的使用寿命。
本实用新型的至少一实施例提供一种显示面板，包括：多个像素单元，每个像素单元包括像素电路和发光元件，所述像素电路被配置为驱动所述发光元件，所述像素电路包括驱动晶体管，所述多个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元被配置为发第一颜色光，所述第二像素单元被配置为发第二颜色光，所述第一像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第一沟道，所述第二像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第二沟道，所述第一沟道的宽长比大于所述第二沟道的宽长比，所述第一沟道的形状与所述第二沟道的形状不同。
例如，所述第一沟道的宽度与所述第二沟道的宽度相同，所述第一沟道的长度小于所述第二沟道的长度。
例如，所述第一沟道的形状包括U型。
例如，所述第二沟道的形状包括镜像S型、蛇形、方波形、Z字形、或双U型。
例如，所述第二沟道的形状包括双U型，所述双U型包括第一U型部和第二U型部，所述第一U型部和所述第二U型部共用同一条边，且所述第一U型部和所述第二U型部的开口方向不同。
例如，所述第二沟道包括依次相连的第一部分、第二部分、第三部分、第四部分、以及第五部分，所述第一部分、所述第三部分、以及所述第五部分均沿第一方向X延伸，所述第二部分和所述第四部分均沿第二方向Y延伸，所述第一方向X和所述第二方向Y相交。
例如，所述多个像素单元还包括第三像素单元，所述第三像素单元被配置为发第三颜色光，所述第三像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第三沟道，所述第一沟道的宽长比与所述第三沟道的宽长比不同。
例如，所述第一沟道的宽长比、所述第二沟道的宽长比、以及所述第三沟道的宽长比均不相同。
例如，所述第二沟道的宽长比大于或等于所述第三沟道的宽长比。
例如，所述第三沟道的形状与所述第二沟道的形状相同。
例如，所述第三沟道的形状包括镜像S型、蛇形、方波形、Z字形、或双U型。
例如，所述第三沟道和所述第二沟道的宽度相同，所述第三沟道的长度大于或等于所述第二沟道的长度。
例如，所述像素电路还包括存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极相连，所述存储电容的第二极板与第一电源线相连，所述驱动晶体管的第一极与第一电源线相连，所述第一晶体管的栅极与栅线相连，所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极相连，所述第一晶体管的第二极与数据线相连，所述第二晶体管的栅极与所述栅线相连，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极相连，所述第三晶体管的栅极与发光控制信号线相连，所述第三晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述第三晶体管的第二极与所述发光元件的第一极相连，所述发光元件的第二极与第二电源线相连，所述第四晶体管的栅极与复位控制信号线相连，所述第四晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极相连，所述第四晶体管的第二极与初始化信号线相连。
例如，显示面板还包括第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极，所述第一连接电极的一端与所述发光元件的第一极相连，所述第一连接电极的另一端与所述第三晶体管的第二极相连；所述存储电容的第二极板具有开口，所述第二连接电极的一端穿过所述开口与所述驱动晶体管的栅极相连，所述第二连接电极的另一端与所述第四晶体管的第一极相连，并与所述第二晶体管的第二极相连；所述第三连接电极的一端与所述第四晶体管的第二极相连，所述第三连接电极的另一端与所述初始化信号线相连。
例如，显示面板还包括衬底基板，所述像素单元位于衬底基板上，所述第一像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第一栅极，所述第二像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第二栅极，所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影与所述第一沟道在衬底基板上的正投影部分交叠，所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影与所述第二沟道在衬底基板上的正投影部分交叠。
例如，显示面板还包括衬底基板，所述像素单元位于所述衬底基板上，所述第三像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第三栅极，所述第三栅极在衬底基板上的正投影与所述第三沟道在衬底基板上的正投影部分交叠。
例如，所述第一像素单元包括发蓝光的像素单元，所述第二像素单元包括发红光的像素单元，所述第三像素单元包括发绿光的像素单元。
例如，所述发光元件包括有机发光二极管，所述显示面板包括有机发光二极管显示面板。
本实用新型的至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。
图1为本实用新型一实施例提供的一种显示面板的像素电路的原理图。
图2为本实用新型一实施例提供的一种显示面板的像素布局图。
图3A为本实用新型的实施例提供的显示面板中的有源层的平面图。
图3B为本实用新型的实施例提供的显示面板中的有源层的平面图。
图3C为本实用新型的实施例提供的显示面板中的第一导电层的平面图。
图3D为本实用新型的实施例提供的显示面板中的有源层和第一导电层的平面图。
图3E为本实用新型的实施例提供的显示面板中的第二导电层的平面图。
图3F为本实用新型的实施例提供的显示面板中的贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层至少之一的过孔的平面图。
图3G为本实用新型的实施例提供的显示面板中的第三导电层的平面图。
图3H为本实用新型的实施例提供的显示面板中的贯穿第四绝缘层的过孔的平面图。
图3I为本实用新型的实施例提供的显示面板中的第一电极层的平面图。
图4为图2的沿A-B线的剖视图。
图5为图2的沿E-F线的剖视图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
除非另外定义，本实用新型使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
对于电致发光显示装置，像素单元包括驱动电路和发光元件，像素电路被配置为驱动发光元件。例如，像素电路被配置为驱动发光元件发光。例如，像素电路被配置为提供驱动电流以驱动发光元件发光。
例如，发光元件包括第一电极、第二电极和位于第一电极和第二电极之间的发光层。由于发不同颜色光的像素单元中发光层的效率和寿命不相同，采用相同宽长比的驱动晶体管会导致显示均一性差，显示寿命短的问题。
图1为本实用新型一实施例提供的一种显示面板的像素电路的原理图。图2为本实用新型一实施例提供的一种显示面板的像素布局图。请一并参阅图1和图2，显示面板100包括多个像素单元101。例如，多个像素单元101呈矩阵排布，但不限于此。例如，每个像素单元101包括像素电路10和发光元件20，像素电路10被配置为驱动发光元件20。例如，每个像素单元101包括像素电路10、发光元件20以及栅线GL、数据线DL及电压信号线(包括后续提及的第一电源线PL1、第二电源线PL2、发光控制信号线EML、初始化信号线INL、复位控制信号线Rst等中的至少之一)。
例如，发光元件20为有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管(QLED)，发光元件20在其对应的像素电路10的驱动下发出红光、绿光、蓝光，或者白光等。该电压信号线可以是一条也可以包括多条。例如，如图1所示，该电压信号线包括第一电源线PL1、第二电源线PL2、发光控制信号线EML、初始化信号线INL、复位控制信号线Rst等中的至少之一。栅线GL配置为向像素电路10提供扫描信号SCAN。数据线DL配置为向像素电路10提供数据信号DATA。例如，一个像素PX包括多个像素单元101。一个像素可包括发不同颜色光的多个像素单元。例如，一个像素包括发红光的像素单元，发绿光的像素单元和发蓝光的像素单元，但不限于此。一个像素包括的像素单元的个数以及每个像素单元的发光颜色情况可根据需要而定。
例如，第一电源线PL1配置为向像素电路10提供恒定的第一电压信号ELVDD，第二电源线PL2配置为向像素电路10提供恒定的第二电压信号ELVSS，并且第一电压信号ELVDD大于第二电压信号ELVSS。发光控制信号线EML配置为向像素电路10提供发光控制信号EM。初始化信号线INL配置为向像素电路10提供初始化信号Vint，复位控制信号线Rst配置为向像素电路10提供复位控制信号RESET。例如，初始化信号Vint为恒定的电压信号，其大小例如可以介于第一电压信号ELVDD和第二电压信号ELVSS之间，但不限于此，例如，初始化信号Vint可小于或等于第二电压信号ELVSS。
如图1和图2所示，该像素电路10包括驱动晶体管Td、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四制晶体管T4、以及存储电容Cst。如图1和图2所示，驱动晶体管Td与发光元件20电连接，并在扫描信号SCAN、数据信号DATA、第一电压信号ELVDD、第二电压信号ELVSS等信号的控制下输出驱动电流以驱动发光元件20发光。例如，第一晶体管T1为数据写入晶体管，第二晶体管T2为阈值补偿晶体管，第三晶体管T3为发光控制晶体管，第四制晶体管T4为复位晶体管。
例如，如图1所示，存储电容Cst的第一极板Ca与驱动晶体管Td的栅极Td0相连，存储电容Cst的第二极板Cb与第一电源线PL1相连，驱动晶体管Td的第一极Td1与第一电源线PL1相连。
例如，如图1所示，第一晶体管T1的栅极T10与栅线GL相连，第一晶体管T1的第一极T11与驱动晶体管Td的第一极Td1相连，第一晶体管T1的第二极T12与数据线DL相连。
例如，如图1所示，第二晶体管T2的栅极T20与栅线GL相连，第二晶体管T2的第一极T21与驱动晶体管Td的第二极Td2相连，第二晶体管T2的第二极T22与驱动晶体管Td的栅极Td0相连。
例如，如图1所示，第三晶体管T3的栅极T30与发光控制信号线EML相连，第三晶体管T3的第一极T31与驱动晶体管Td的第二极Td2相连，第三晶体管T3的第二极T32与发光元件20的第一极201相连。
例如，如图1所示，发光元件20的第二极202与第二电源线PL2相连。
例如，如图1所示，第四晶体管T4的栅极T40与复位控制信号线Rst相连，第四晶体管T4的第一极T41与驱动晶体管Td的栅极Td0相连，第四晶体管T4的第二极T42与初始化信号线INL相连。
例如，发光元件20的第一极201为阳极，发光元件20的第二极202阴极，但不限于此。
需要说明的是，本公开一实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。在本公开一实施例中，为了区分晶体管除栅极之外的两极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极，所以本公开实施例中全部或部分晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。例如，本公开实施例所述的晶体管的第一极可以为源极，第二极可以为漏极；或者，晶体管的第一极为漏极，第二极为源极。
此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型晶体管。本公开实施例以晶体管均采用P型晶体管为例进行说明。基于本公开对该实现方式的描述和教导，本领域普通技术人员在无需做出创造性劳动前提下，能够容易想到将本公开实施例的像素电路结构中至少部分晶体管采用N型晶体管，即采用N型晶体管或N型晶体管和P型晶体管组合的实现方式，因此，这些实现方式也是在本公开的保护范围内的。
例如，如图2所示，显示面板包括：多个像素单元101。图2示出了三个像素单元101。显示面板包括的像素单元101的个数不限于图中所示，可根据需要进行设置。例如，如图2所示，多个像素单元101包括第一像素单元1011、第二像素单元1012和第三像素单元1013。
例如，第一像素单元1011被配置为发第一颜色光，第二像素单元1012被配置为发第二颜色光，第三像素单元1013被配置为发第三颜色光。例如，第一像素单元1011包括发蓝光的像素单元101，第二像素单元1012包括发红光的像素单元101，第三像素单元1013包括发绿光的像素单元101，本实用新型的实施例以此为例进行说明。例如，如图2所示，像素PX包括第一像素单元1011、第二像素单元1012和第三像素单元1013，但不限于此。
图3A至图3I为本实用新型的实施例提供的显示面板中的单层或叠层的图形的平面图。图3A为本实用新型的实施例提供的显示面板中的有源层的平面图。图3B为本实用新型的实施例提供的显示面板中的有源层的平面图。图3C为本实用新型的实施例提供的显示面板中的第一导电层的平面图。图3D为本实用新型的实施例提供的显示面板中的有源层和第一导电层的平面图。图3E为本实用新型的实施例提供的显示面板中的第二导电层的平面图。图3F为本实用新型的实施例提供的显示面板中的贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层至少之一的过孔的平面图。图3G为本实用新型的实施例提供的显示面板中的第三导电层的平面图。图3H为本实用新型的实施例提供的显示面板中的贯穿第四绝缘层的过孔的平面图。图3I为本实用新型的实施例提供的显示面板中的第一电极层的平面图。图4为图2的沿A-B线的剖视图。图5为图2的沿E-F线的剖视图。图2中省略了第一电极层LY5(如图3I所示)以上的膜层。以下结合图2至图5对本实用新型的实施例提供的显示面板进行详细描述。
图2至图3I示出了第一方向X和第二方向Y，第一方向X和第二方向Y相交。例如，第一方向X垂直于第二方向Y。图4至图5示出了第三方向Z，第三方向Z垂直于第一方向X并垂直于第二方向Y。例如，第一方向X和第二方向Y均为平行于衬底基板BS(如图2、图4至图5所示)的主表面，衬底基板BS的主表面为制作各膜层的表面。第三方向Z可为垂直于主表面的方向。例如，第三方向Z为衬底基板BS的厚度方向。
图3A示出了有源层LY0。如图3A所示，有源层LY0包括第一晶体管T1的沟道T13、第二晶体管T2的沟道T23、第三晶体管T3的沟道T33、以及第四晶体管T4的沟道T14。
例如，如图3A所示，第一像素单元1011的像素电路10的驱动晶体管Td包括第一沟道CNL1，第二像素单元1012的像素电路10的驱动晶体管Td包括第二沟道CNL2。
例如，如图3A所示，第三像素单元1013的像素电路10的驱动晶体管Td包括第三沟道CNL3。
例如，各晶体管的有源层可包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道。例如，沟道具有半导体特性；源极区域和漏极区域在沟道的两侧，并且可掺杂有杂质，并因此具有导电性，可分别作为晶体管的第一极和第二极，晶体管的第一极和第二极之一为源极，晶体管的第一极和第二极之另一为漏极。
例如，半导体层LY0的材料可以包括氧化物半导体、有机半导体或非晶硅、多晶硅等，例如，氧化物半导体包括金属氧化物半导体(例如氧化铟镓锌(IGZO))，多晶硅包括低温多晶硅或者高温多晶硅等，本公开的实施例对此不作限定。需要说明的是，上述的源极区域和漏极区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域，本公开的实施例对此不作限制。
例如，如图2和图3A所示，第一沟道CNL1的宽长比大于第二沟道CNL2的宽长比，第一沟道CNL1的形状与第二沟道CNL2的形状不同。
在本实用新型提供的显示面板中，发不同颜色光的像素单元的驱动晶体管的沟道采用不同形状且采用不同宽长比，可补偿发不同颜色光的像素单元的发光效率与寿命的差异，有效提高显示均一性和器件的使用寿命。
在本实用新型提供的显示面板中，像素电路的驱动晶体管设置不同形状的沟道，驱动晶体管采用不同的宽长比，以补偿发不同颜色光的像素单元的发光效率差的问题，提高显示均一性和显示器件的寿命。
例如，在一些实施例中，第一沟道CNL1的宽度与第二沟道CNL2的宽度相同，第一沟道CNL1的长度小于第二沟道CNL2的长度。
例如，如图2和图3A所示，第一沟道CNL1的形状包括U型。例如，如图3B所示，U型的第一沟道CNL1的开口朝上。
例如，如图3A所示，第一沟道CNL1包括第一部分P11、第二部分P12、以及第三部分P13。第一部分P11、第二部分P12、以及第三部分P13依次相连以构成U型结构。如图3A所示，第一沟道CNL1还包括第四部分P14和第五部分P15，第四部分P14与第一部分P11相连，第五部分P15与第三部分P13相连。如图3A所示，第一部分P11以及第三部分P13沿第二方向Y延伸，第二部分P12沿第一方向X延伸。如图3A所示，第四部分P14和第五部分P15均沿第一方向X延伸。
例如，第二沟道CNL2的形状包括镜像S型、蛇形、方波形、Z字形、或双U型。
例如，如图3B所示，第二沟道CNL2的形状包括双U型，双U型包括第一U型部021和第二U型部022，第一U型部021和第二U型部022共用同一条边S2，且第一U型部021和第二U型部022的开口方向不同。如图3A所示，第一U型部021的开口方向朝左，第二U型部022的开口方向朝右。例如，如图3B所示，第二沟道CNL2的第一U型部021和第二U型部022的开口与U型的第一沟道CNL1的开口的朝向不同。
例如，如图3A所示，第二沟道CNL2包括依次相连的第一部分P21、第二部分P22、第三部分P23、第四部分P24、以及第五部分P25；第一部分P21、第三部分P23、以及第五部分P25均沿第一方向X延伸；第二部分P22和第四部分P24均沿第二方向Y延伸。
例如，在一些实施例中，第一沟道CNL1的宽长比与第三沟道CNL3的宽长比不同。
例如，在一些实施例中，第一沟道CNL1的宽长比、第二沟道CNL2的宽长比、以及第三沟道CNL3的宽长比均不相同。
例如，在一些实施例中，第二沟道CNL2的宽长比大于或等于第三沟道CNL3的宽长比。
例如，如图3A所示，第三沟道CNL3的形状与第二沟道CNL2的形状相同。例如，第三沟道CNL3的形状也包括镜像S型、蛇形、方波形、Z字形、或双U型。
例如，如图3B所示，第三沟道CNL3的形状包括双U型，双U型包括第一U型部031和第二U型部032，第一U型部031和第二U型部032共用同一条边S3，且第一U型部031和第二U型部032的开口方向不同。如图3A所示，第一U型部031的开口方向朝左，第二U型部032的开口方向朝右。例如，如图3B所示，第三沟道CNL3的第一U型部031和第二U型部032的开口与U型的第一沟道CNL1的开口的朝向不同。例如，如图3B所示，第二沟道CNL2的第一U型部021和第三沟道CNL3的第一U型部031的开口朝向相同，第二沟道CNL2的第二U型部022的开口和第三沟道CNL3的第二U型部032的开口朝向相同。
例如，如图3A所示，第三沟道CNL3包括依次相连的第一部分P31、第二部分P32、第三部分P33、第四部分P34、以及第五部分P35；第一部分P31、第三部分P33、以及第五部分P35均沿第一方向X延伸；第二部分P32和第四部分P34均沿第二方向Y延伸。
例如，在一些实施例中，第三沟道CNL3和第二沟道CNL2的宽度相同，第三沟道CNL3的长度大于或等于第二沟道CNL2的长度。从而，第二沟道CNL2的宽长比大于或等于第三沟道CNL3的宽长比。
如图3D所示，第一沟道CNL1的宽度为w1，第二沟道CNL2的宽度为w2，第三沟道CNL3的宽度为w3。在一些实施例中，w1＝w2＝w3，但不限于此。在另一些实施例中，w1、w2、w3各不相同。在一些实施例中，w1大于w2并且大于w3。在另一些实施例中，w1大于w2，w2＝w3。
如图3A和图3D所示，第一沟道CNL1的第一部分P11的长度为L11，第一沟道CNL1的第二部分P12的长度为L12，第一沟道CNL1的第三部分P13的长度为L13，则，第一沟道CNL1的长度L1＝L11+L12+L13+L14+L15。从而，第一沟道CNL1的宽长比为w1/L1。
如图3A和图3D所示，第二沟道CNL2的第一部分P21的长度为L21，第二沟道CNL2的第二部分P22的长度为L22，第二沟道CNL2的第三部分P23的长度为L23，第二沟道CNL2的第四部分P24的长度为L24，第二沟道CNL2的第五部分P25的长度为L25，则，第二沟道CNL2的长度L2＝L21+L22+L23+L24+L25。从而，第二沟道CNL2的宽长比为w2/L2。
如图3A和图3D所示，第三沟道CNL3的第一部分P31的长度为L31，第三沟道CNL3的第二部分P32的长度为L32，第三沟道CNL3的第三部分P33的长度为L33，第三沟道CNL3的第四部分P34的长度为L34，第三沟道CNL3的第五部分P35的长度为L35，则，第三沟道CNL3的长度L3＝L31+L32+L33+L34+L35。从而，第三沟道CNL3的宽长比为w2/L3。
例如，在一些实施例中，L2＝L3，进一步例如，L21＝L31，L22＝L32，L23＝L33，L24＝L34，L25＝L35。
例如，如图3A和图3D所示，第二沟道CNL2的第一部分P21的长度L21、第二沟道CNL2的第三部分P23的长度L23、以及第二沟道CNL2的第五部分P25的长度L25均大于第一沟道CNL1的第一部分P11的长度L11，并且均大于第一沟道CNL1的第三部分P13的长度L13。例如，长度L21、长度L23、以及长度L25均大于或等于长度L11的两倍，并且均大于或等于长度L13的两倍。
例如，如图3A和图3D所示，第三沟道CNL3的第一部分P31的长度L31，第三沟道CNL3的第三部分P33的长度L33，第三沟道CNL3的第五部分P35的长度L35均大于第一沟道CNL1的第三部分P13的长度L13。例如，长度L31、长度L33、以及长度L35均大于或等于长度L11的两倍，并且均大于或等于长度L13的两倍。
例如，在一些实施例中，w1＝w2＝w3，L1<L2，且L1<L3，并且L2＝L3。
例如，在一些实施例中，w1＝w2＝w3，L1<L2，且L1<L3，并且L2<L3。
例如，在一些实施例中，w1>w2＝w3，L1<L2＝L3。
例如，在一些实施例中，w1>w2＝w3，L1<L2<L3。
例如，如图2、图4和图5所示，显示面板还包括衬底基板BS，像素单元101位于衬底基板BS上，如图3D所示，第一像素单元1011的像素电路10的驱动晶体管Td包括第一栅极Td01，第二像素单元1012的像素电路10的驱动晶体管Td包括第二栅极Td02，第一栅极Td01在衬底基板上的正投影与第一沟道CNL1在衬底基板上的正投影部分交叠，第二栅极Td02在衬底基板上的正投影与第二沟道CNL2在衬底基板上的正投影部分交叠。
例如，如图3D所示，第三像素单元1013的像素电路10的驱动晶体管Td包括第三栅极Td03，第三栅极Td03在衬底基板上的正投影与第三沟道CNL3在衬底基板上的正投影部分交叠。
例如，在一些实施例中，第一栅极Td01在第一方向X上的尺寸、第二栅极Td02在第一方向X上的尺寸、以及第三栅极Td03在第一方向X上的尺寸相同。例如，在一些实施例中，第一栅极Td01在第二方向Y上的尺寸、第二栅极Td02在第二方向Y上的尺寸、以及第三栅极Td03在第二方向Y上的尺寸相同。
图3C示出了第一导电层LY1。第一导电层LY1包括发光控制信号线EML、栅线GL、复位控制信号线Rst、初始化信号线INL以及存储电容Cst的第一极板Ca(驱动晶体管Td的栅极Td0)。例如，如图3C所示，发光控制信号线EML、栅线GL、复位控制信号线Rst、初始化信号线INL均沿第一方向X延伸，并沿第二方向Y排列。如图3D所示，第二晶体管T2和第四晶体管T4均为双栅晶体管。
例如，发光元件20包括有机发光二极管或量子点发光二极管，显示面板包括有机发光二极管显示面板或量子点发光二极管显示面板。在显示面板的像素单元中，驱动晶体管与发光元件连接，在数据信号、扫描信号等信号的控制下向发光元件输出驱动电流，从而驱动有机发光元件发光。
需要说明的是，在本实用新型的实施例提供的显示面板中，像素PX也可以不设置第三像素单元1013。
图3E示出了第二导电层LY2。第二导电层LY2包括存储电容Cst的第二极板Cb。如图2、图3E和图4所示，存储电容Cst的第二极板Cb包括开口OPN。
图3G示出了第三导电层LY3。第三导电层LY3包括数据线DL、第一电源线PL1、连接电极CE1、连接电极CE2、以及连接电极CE3。连接电极CE1可称作第一连接电极，连接电极CE2可称作第二连接电极，连接电极CE3可称作第三连接电极。
如图4和图5所示，显示面板包括位于衬底基板BS上的缓冲层BL、有源层LY0、第一绝缘层ISL1、第一导电层LY1、第二绝缘层ISL2、第二导电层LY2、第三绝缘层ISL3、第三导电层LY3。第四绝缘层ISL4位于第三导电层LY3上，发光元件20的第一极201通过贯穿第四绝缘层ISL4的过孔V9与连接电极CE1相连。连接电极CE1通过过孔V5与第三晶体管T 3的第二极T32相连，过孔V5贯穿第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、以及第三绝缘层ISL3。如图3H所示，过孔V9贯穿第四绝缘层ISL4。
图3F示出了贯穿第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、以及第三绝缘层ISL3至少之一的过孔。图3F示出了过孔V1、过孔V2、过孔V3、过孔V4、过孔V5、过孔V6、过孔V7、以及过孔V8。
参考图2、图3F和图3G，连接电极CE2的一端通过过孔V1与存储电容Cst的第一极板Ca(驱动晶体管Td的栅极Td0)相连，连接电极CE2的另一端通过过孔V2与第四晶体管T4的第一极T41相连。
如图2和图4所示，第一电源线PL1通过贯穿第三绝缘层ISL3的过孔V7与存储电容Cst的第二极板Cb相连，存储电容Cst的第一极板Ca与驱动晶体管Td的栅极Td0一体形成，且通过过孔V1与连接电极CE2(如图2和图3G所示)的一端相连，连接电极CE2(如图2和图3G所示)的另一端通过过孔V2与第二晶体管T2的第二极T22相连。例如，过孔V1贯穿第二绝缘层ISL2和第三绝缘层ISL3，过孔V2贯穿第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、以及第三绝缘层ISL3。
如图2所示，连接电极CE2穿过开口OPN与驱动晶体管Td的栅极Td0相连。
如图2所示，连接电极CE3的一端通过过孔V3与第四晶体管T4的第二极T42相连，连接电极CE3的另一端通过过孔V4与初始化信号线INL相连。例如，过孔V3贯穿第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、以及第三绝缘层ISL3。例如，过孔V4贯穿第二绝缘层ISL2、以及第三绝缘层ISL3。
如图2所示，数据线DL通过过孔V8与第一晶体管T1的第二极T12相连。例如，过孔V8贯穿第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、以及第三绝缘层ISL3。
如图2所示，第一电源线PL通过过孔V7与存储电容Cst的第二极板Cb相连。过孔V7贯穿第三绝缘层ISL3。
如图2所示，第一电源线PL通过过孔V6与驱动晶体管Td的第一极Td1相连。过孔V6贯穿第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、以及第三绝缘层ISL3。
如图5所示，发光元件20还包括第二极202以及位于第一极201和第二极202之间的发光层203。在发不同颜色光的像素单元中，发光层203的材料不同。
图3B示出了贯穿第一绝缘层ISL1的过孔V11、过孔V12、过孔V13、以及过孔V14。图3F示出了贯穿第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、第三绝缘层ISL3至少之一的过孔V5、过孔V7、过孔V23、过孔V24、以及过孔V25。图3H示出了贯穿第四绝缘层ISL4的过孔V9。
如图2所示，发光控制信号线EML的一部分作为第三晶体管T3的栅极，栅线GL的一部分作为第一晶体管T1的栅极，栅线GL的一部分作为第二晶体管T2的栅极，复位控制信号线Rst的一部分作为第四晶体管T4的栅极。
例如，衬底基板BS、缓冲层BF、第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、第三绝缘层ISL3、第四绝缘层ISL4均采用绝缘材料制作。例如，衬底基板BS包括聚酰亚胺等柔性材料，但不限于此。缓冲层BF、第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、第三绝缘层ISL3、第四绝缘层ISL4至少之一采用无机绝缘材料或有机绝缘材料制作。例如，无机绝缘材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，有机绝缘材料包括树脂，但不限于此。
例如，第一导电层LY1、第二导电层LY2、以及第三导电层LY3均采用金属材料制作。第一导电层LY1、第二导电层LY2、以及第三导电层LY3可采用相同的材料制作，也可以采用不同的材料制作，可根据需要而定。
在本公开的实施例中，各个单层的图形以及过孔可采用构图工艺制作。例如，形成特定的图形包括形成薄膜，在薄膜上形成光刻胶图形，以光刻胶图形为掩膜版对薄膜进行构图以形成该特定的图形。第一导电层LY1、第二导电层LY2、第三导电层LY3以及绝缘层中的过孔等均可以采用该方法形成。而对于有源层LY0，可先形成半导体图形，在半导体图形上形成第一绝缘层ISL1，在第一绝缘层ISL1上形成第一导电层LY1，以第一导电层LY1为掩膜版对半导体图形进行掺杂以形成包括沟道和位于沟道两侧的源极区和漏极区的有源层LY0。
需要说明的是，本实用新型的实施例提供的显示面板的像素单元的布局不限于图2所示，可在图2的基础上进行变换以形成其他的布局图。以上以像素单元为5T1C为例进行说明，但本公开的实施例不限于此。例如，各个像素单元101可以包括本领域内的具有7T1C、8T2C或4T1C等电路结构的像素电路和发光元件，像素电路在通过数据线传输的数据信号和通过栅线传输的栅极扫描信号和发光控制信号线提供的发光控制信号的控制下工作，以驱动发光元件发光从而实现显示等操作。
本实用新型至少一实施例提供一种显示装置，包括上述任一显示面板。
例如，显示装置可为有机发光二极管显示装置。显示装置可以为包括有机发光二极管显示器件的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。
需要说明的是，为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在本公开的实施例中，构图或构图工艺可只包括光刻工艺，或包括光刻工艺以及刻蚀步骤，或者可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程，利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形。可根据本公开的实施例中所形成的结构选择相应的构图工艺。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：多个像素单元，其中，
每个像素单元包括像素电路和发光元件，所述像素电路被配置为驱动所述发光元件，
所述像素电路包括驱动晶体管，
所述多个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元被配置为发第一颜色光，所述第二像素单元被配置为发第二颜色光，
所述第一像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第一沟道，所述第二像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第二沟道，
所述第一沟道的宽长比大于所述第二沟道的宽长比，所述第一沟道的形状与所述第二沟道的形状不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道的宽度与所述第二沟道的宽度相同，所述第一沟道的长度小于所述第二沟道的长度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道的形状包括U型。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二沟道的形状包括镜像S型、蛇形、方波形、Z字形、或双U型。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二沟道的形状包括双U型，所述双U型包括第一U型部和第二U型部，所述第一U型部和所述第二U型部共用同一条边，且所述第一U型部和所述第二U型部的开口方向不同。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二沟道包括依次相连的第一部分、第二部分、第三部分、第四部分、以及第五部分，
所述第一部分、所述第三部分、以及所述第五部分均沿第一方向X延伸，
所述第二部分和所述第四部分均沿第二方向Y延伸，
所述第一方向X和所述第二方向Y相交。
7.根据权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述多个像素单元还包括第三像素单元，所述第三像素单元被配置为发第三颜色光，所述第三像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第三沟道，所述第一沟道的宽长比与所述第三沟道的宽长比不同。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道的宽长比、所述第二沟道的宽长比、以及所述第三沟道的宽长比均不相同。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二沟道的宽长比大于或等于所述第三沟道的宽长比。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第三沟道的形状与所述第二沟道的形状相同。
11.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第三沟道的形状包括镜像S型、蛇形、方波形、Z字形、或双U型。
12.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第三沟道和所述第二沟道的宽度相同，所述第三沟道的长度大于或等于所述第二沟道的长度。
13.根据权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，
所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极相连，所述存储电容的第二极板与第一电源线相连，所述驱动晶体管的第一极与第一电源线相连，
所述第一晶体管的栅极与栅线相连，所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极相连，所述第一晶体管的第二极与数据线相连，
所述第二晶体管的栅极与所述栅线相连，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极相连，
所述第三晶体管的栅极与发光控制信号线相连，所述第三晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述第三晶体管的第二极与所述发光元件的第一极相连，
所述发光元件的第二极与第二电源线相连，
所述第四晶体管的栅极与复位控制信号线相连，所述第四晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极相连，所述第四晶体管的第二极与初始化信号线相连。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，还包括第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极，
所述第一连接电极的一端与所述发光元件的第一极相连，所述第一连接电极的另一端与所述第三晶体管的第二极相连；
所述存储电容的第二极板具有开口，所述第二连接电极的一端穿过所述开口与所述驱动晶体管的栅极相连，所述第二连接电极的另一端与所述第四晶体管的第一极相连，并与所述第二晶体管的第二极相连；
所述第三连接电极的一端与所述第四晶体管的第二极相连，所述第三连接电极的另一端与所述初始化信号线相连。
15.根据权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括衬底基板，所述像素单元位于衬底基板上，所述第一像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第一栅极，所述第二像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第二栅极，
所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影与所述第一沟道在衬底基板上的正投影部分交叠，
所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影与所述第二沟道在衬底基板上的正投影部分交叠。
16.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括衬底基板，所述像素单元位于所述衬底基板上，所述第三像素单元的像素电路的驱动晶体管包括第三栅极，
所述第三栅极在衬底基板上的正投影与所述第三沟道在衬底基板上的正投影部分交叠。
17.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素单元包括发蓝光的像素单元，所述第二像素单元包括发红光的像素单元，所述第三像素单元包括发绿光的像素单元。
18.根据权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件包括有机发光二极管，所述显示面板包括有机发光二极管显示面板。
19.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求1-18任一项所述的显示面板。
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