CN214203677U - 一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架 - Google Patents
一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,包括型材,其特征在于:在所述的型材上间隔均布有若干个二极管框架单元,在各所述的二极管框架单元内均设置有一个或两个二极管成型本体,各所述的二极管成型本体均由第一引脚、第二引脚、芯片支撑片及引线极片构成。本实用新型设计科学合理,具有排布密度高、节省型材、降低二极管加工成本、方便操作、易于实现的优点,是一种具有较高创新性的高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种二极管,特别是一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架。
背景技术
随着电子半导体技术的进步,二极管从轴向的插件型二极管发展到弯脚型贴片二极管,再到平脚型贴片二极管。电子产品逐渐向小型化发展,近几年来超薄平脚型贴片二极管爆发式增长,逐渐取代传统型二极管。
目前市场上销售的平脚型二极管主要有三种封装焊接结构,分别为连接片焊接结构(clip bonding)、打线焊接结构(wire bonding)以及双引线框架焊接结构(double leadframe),其中连接片焊接结构的应用最为广泛。
就连接片焊接结构的二极管而言,其加工需要在两片型材框架上完成,即在一片型材上加工出具有连接片的引线框架以及在另一片型材上加工出芯片引线框架,加工时,需要先制造带连接片的引线框架,然后每次一个或数个将连接片从引线框架型材上冲切下来,再将冲切的连接片吸取放置到芯片引线框架上进行焊接;为了方便后续封装外壳的注塑,一般会在引线框架上预留出专用的区域,作为环氧树脂注塑的专用通道,由此便会增加单个芯片引线单元所需的面积,从而使得一片框架型材上排布的单个芯片引线单元的数量减少,造成型材的出料率低,为企业增加了成本。
综上,提供一种能够节省框架型材的加工、出料率高,同时还能保证封装外壳正常封装的框架是十分有必要的。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种设计科学合理、排布密度高、节省型材、降低二极管加工成本、方便操作、易于实现的高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架。
本实用新型解决其技术问题是采取以下技术方案实现的:
一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,包括型材,其特征在于:在所述的型材上间隔均布有若干个二极管框架单元,在各所述的二极管框架单元内均设置有一个或两个二极管成型本体,各所述的二极管成型本体均由第一引脚、第二引脚、芯片支撑片及引线极片构成,在所述二极管框架单元的框架内左右两侧均相对设置有与型材一体的第一引脚及第二引脚,在第一引脚的下侧靠右的位置一体成型有L型的引线极片,该L型引线极片由与第一引脚垂直设置的连接片部以及在连接片部根部垂直设置的引线极片部构成,所述的第一引脚、连接片部及引线极片部均在同一水平面上;在所述第二引脚的左端一体成型有与其在同一水平面上的芯片支撑片。
而且,所述引线极片的厚度小于第一引脚的厚度。
而且,在所述第一引脚及第二引脚相对一侧的端面底部均设有抓胶缺口,该抓胶缺口所成的角为尖角结构。
本实用新型的优点和积极效果是:
1.本高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,通过将带连接片(引线极片)的引线框架与芯片引线框架的功能集成为一体,首先省去了加工芯片引线框架的步骤与加工型材的使用;再通过二极管框架单元内的合理布局,使其在满足引线极片成型的同时还能预留出后续注塑封装罩的空间,充分利用型材的空间,增加二极管框架单元在型材上的密度,降低产品原材料的成本。本实用新型将引线极片设计整合到芯片引线框架里,不需要额外的连接片,或金属线,或第二个引线框架,具有很好的成本优势。
2.本高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,通过连接片部的设计,一方面其可起到过渡连接引线极片部的目的,方便加工;另一方面,从该连接片部处折弯后,可形成一个防溢胶断面,该防溢胶断面使得在后续的环氧树脂注塑工艺中,此断面能阻挡环氧树脂的流动渗透,阻止产品引脚区产生溢胶,防止产品的不良。
3.本高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,通过通过将抓胶缺口设计为尖角结构,其可以与注塑模具表面贴实,减少溢胶缝隙,避免注塑时胶的冲入。
4.本高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,通过将引线极片的厚度设计为小于第一引脚的厚度,厚度小的引线极片可减少二极管内部的应力,提高二极管的品质,同时也减少了二极管封装体的厚度。
5.本实用新型设计科学合理,具有排布密度高、节省型材、降低二极管加工成本、方便操作、易于实现的优点,是一种具有较高创新性的高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的局部放大图;
图3为本实用新型二极管成型本体成型后的结构示意图;
图4为图3的仰视图;
图5为本实用新型二极管成型本体在框架处呈轴对称排布的结构示意图;
图6为本实用新型二极管成型本体在框架处呈中心对称排布的结构示意图;
图7为本实用新型第一引脚与引线极片的剖视图;
图8为图7引线极片向上180°折弯后的结构示意图。
附图标记说明
1-型材、2-二极管框架单元、3-第一引脚、4-折弯线、5-连接片部、6-引线极片部、7-芯片支撑片、8-第二引脚、9-第一水平段、10-第一倾斜段、11-第二水平段、 12-二极管芯片、13-第二倾斜段、14-第三水平段、15-防溢胶断面、16-抓胶缺口。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例做进一步详述:
一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,包括型材1,其创新之处在于:在所述的型材上间隔均布有若干个二极管框架单元2,在各所述的二极管框架单元均设置有一个或两个二极管成型本体,如图2所示,在二极管框架内设置有一个二极管成型本体,各所述的二极管成型本体均由第一引脚3、第二引脚8、芯片支撑片7及引线极片构成,在所述二极管框架单元的框架内左右两侧均相对设置有与型材一体的第一引脚及第二引脚,在第一引脚的下侧靠右的位置一体成型有L型的引线极片,该 L型引线极片由与第一引脚垂直设置的连接片部5以及在连接片部根部垂直设置的引线极片部6构成,所述的第一引脚、连接片部及引线极片部均在同一水平面上,在所述的连接片部上设置有折弯线4;在所述第二引脚的左端一体成型有与其在同一水平面上的芯片支撑片。通过连接片部的设计,一方面其可起到过渡连接引线极片部的目的,方便加工;另一方面,从该连接片部处折弯后,可形成一个防溢胶断面15,该防溢胶断面使得在后续的环氧树脂注塑工艺中,此断面能阻挡环氧树脂的流动渗透,阻止产品引脚区产生溢胶,防止产品的不良。
所述引线极片的厚度小于第一引脚的厚度。
在所述第一引脚及第二引脚相对一侧的端面底部均设有抓胶缺口16,该抓胶缺口所成的角为直角结构。
如图5及图6所示,本实用新型还提供了两种二极管框架单元内二极管成型本体的排布方式,即轴对称分布与中心对称分布。轴对称分布方式使制造工艺步骤减少,流程简化;中心对称的分布方式使左右引线极片的成型容易分步进行,提高弯折成型的精度与质量。
成型加工时,首先在芯片支撑片处放置二极管芯片12,通过焊料将二极管芯片与芯片支撑片粘结或焊接在一起;也可以用其它方式,比如共晶焊,将芯片与支撑区焊接在一起;然后在二极管芯片上表面设置焊料(锡膏);
其次,将引线极片依次进行折弯,形成第一水平段9、第一倾斜段10、第二水平段11、第二倾斜段13及第三水平段14,即在第一水平段的右侧向上倾斜折弯有第一倾斜段,在第一倾斜段的右侧水平折弯有第二水平段,在第二水平段的右侧向下倾斜折弯有第二倾斜段,在第二倾斜段的右侧水平折弯有第三水平段;
然后,将引线极片沿着连接片部处的弯折线向上进行180°的折弯,使其置于第一引脚的上端面上,引线极片的头部即第三水平段接触到二极管芯片的上表面,此时,第二水平段高于第一水平段及第三水平段,符合二极管引线极片的焊接条件;
再然后,通过焊接炉,将第三水平段与二极管芯片上表面焊接在一起,芯片支撑片与芯片下表面焊接在一起;
然后,第一引脚与二极管芯片上表面连接,第二引脚与二极管芯片下表面连接,完成二极管的焊接工艺;
最后,在成型的二极管本体上注塑成型封装体。
现有技术中,在注塑时,会出现溢胶的问题,溢出的胶流到引脚处,会影响导电效果,传统的方法会采用喷砂机进行清除,但是由于料过小,在清除的过程中会造成料片的变形,导致废品率的上升。本实用新型通过防溢胶断面以及抓胶缺口的设置,很好的解决了该问题。
尽管为说明目的公开了本实用新型的实施例和附图,但是本领域的技术人员可以理解:在不脱离本实用新型及所附权利要求的精神和范围内,各种替换、变化和修改都是可能的,因此,本实用新型的范围不局限于实施例和附图所公开的内容。
Claims (3)
1.一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,包括型材,其特征在于:在所述的型材上间隔均布有若干个二极管框架单元,在各所述的二极管框架单元内均设置有一个或两个二极管成型本体,各所述的二极管成型本体均由第一引脚、第二引脚、芯片支撑片及引线极片构成,在所述二极管框架单元的框架内左右两侧均相对设置有与型材一体的第一引脚及第二引脚,在第一引脚的下侧靠右的位置一体成型有L型的引线极片,该L型引线极片由与第一引脚垂直设置的连接片部以及在连接片部根部垂直设置的引线极片部构成,所述的第一引脚、连接片部及引线极片部均在同一水平面上;在所述第二引脚的左端一体成型有与其在同一水平面上的芯片支撑片。
2.根据权利要求1所述的一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,其特征在于:所述引线极片的厚度小于第一引脚的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架,其特征在于:在所述第一引脚及第二引脚相对一侧的端面底部均设有抓胶缺口,该抓胶缺口所成的角为尖角结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202120520185.4U CN214203677U (zh) | 2021-03-12 | 2021-03-12 | 一种高密度节材型弯折引线式二极管用引线框架 |
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Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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