CN213782477U - 一种光器件射频柱焊接结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种光器件射频柱连接结构，包括TO底座，还包括环形陶瓷基板，TO底座上设置有第一射频柱和第二射频柱，环形陶瓷基板上设置有第一镀条和第二镀条，第一镀条一端设置有第一焊接块，第一镀条另一端设置有LD负电极，第二镀条一端设置有第二焊接块，第二镀条另一端设置有LD正电极，LD负电极和LD正电极分别与LD芯片的负极和正极电性连接，第一射频柱和第二射频柱分别与第一焊接块和第二焊接块电性连接。本实用新型一方面更优改善LD芯片连接通道、更优降低阻抗，增强了金丝键合的可靠性；另一方面避免了LD芯片直接与射频柱电连接，以免TO底座外界温度变化快速传导至LD芯片上，影响LD芯片稳定性。

Description

一种光器件射频柱焊接结构

技术领域

本实用新型属于光通信技术领域，具体涉及一种光器件射频柱连接结构。

背景技术

目前常见的光器件TO封装结构包括，TO管座、贯穿并凸出于TO管座上表面的射频柱、LD芯片、透镜、TO管帽等；射频柱，主要为连接光芯片正负极，给光芯片提供高频信号，一般射频柱通过金丝键合连通至光芯片或其光芯片基板上，以实现电气连通。

目前，随着社会发展，用户对通信的速度、稳定性以及可靠性等各方面性能都有了更高的要求。光器件作为通讯网络中不可缺少的一环，对其性能同样关注。在优化光器件性能过程中，会相应在其TO封装中增加功能结构，比如，为保障光器件中LD芯片稳定性，在TO底座上增设TEC制冷器，来对激光器进行温度控制。

在TO底座上增加TEC制冷器，需要相应抬高LD芯片位置。也就是LD芯片位置会距离待电连接的TO管座射频柱较远；直接采用金线键合将LD芯片电连接至射频柱，会导致芯片连接通道落差过大、连接路径过长，不仅增加了金丝键合的加工难度，也会产生较大的传输损耗传输阻抗，以及降低键合可靠性，进而影响光芯片的工作特性。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术存在的上述缺陷，提供一种光器件射频柱焊接结构，解决了LD芯片位置距离射频柱较远时导致LD芯片电连接至射频柱的连接通路存在的连通通道长、落差大、传输损耗大、传输速率慢的问题。

本实用新型的上述目的通过以下技术方案实现：

一种光器件射频柱连接结构，包括TO底座，还包括环形陶瓷基板，TO底座上设置有第一射频柱和第二射频柱，环形陶瓷基板上设置有第一镀条和第二镀条，第一镀条一端设置有第一焊接块，第一镀条另一端设置有LD负电极，第二镀条一端设置有第二焊接块，第二镀条另一端设置有LD正电极，LD负电极和LD正电极分别与LD芯片的负极和正极电性连接，第一射频柱和第二射频柱分别与第一焊接块和第二焊接块电性连接。

如上所述的LD负电极和LD正电极之间的间距小于第一焊接块和第二焊接块之间的间距。

如上所述的第一焊接块与第二焊接块通过金锡共晶焊接固定至第一射频柱和第二射频柱上。

如上所述的第一焊接块与第二焊接块分别通过导电银胶电固定至第一射频柱和第二射频柱上。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：

1、LD芯片通过环形陶瓷基板跳接射频柱，一方面更优改善LD芯片连接通道、更优降低阻抗，增强了金丝键合的可靠性；另一方面避免了LD芯片直接与射频柱电连接，以免TO底座外界温度变化快速传导至LD芯片上，影响LD芯片稳定性。

2、提升产品高频性能，能支持更高频连接、性能更优。

3、环形陶瓷基板通过金锡共晶焊接至射频柱上，具有非常强的粘接力，焊接牢固性强可靠性高，连接电阻传输损耗小。

附图说明

图1是环形陶瓷基板上第一焊接块和第二焊接块的分布示意图；

图2是环形陶瓷基板熔锡后示意图；

图3是第一射频柱、第二射频柱与环形陶瓷基板焊接的示意图。

图中：1、环形陶瓷基板；101-第一焊接块；102-第二焊接块；201-第一共晶焊接部位；202-第二共晶焊接部位；203-LD负电极；204-LD正电极；3、TO底座；301-第一射频柱；302-第二射频柱；4-第一镀条；5-第二镀条。

具体实施方式

为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型，下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细描述，应当理解，此处所描述的实施示例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

一种光器件射频柱连接结构，包括TO底座3和环形陶瓷基板1，

TO底座3上设置有第一射频柱301和第二射频柱302，

环形陶瓷基板1上设置有第一镀条4和第二镀条5，第一镀条4一端设置有第一焊接块101，第一镀条4另一端设置有LD负电极203，第二镀条5一端设置有第二焊接块102，第二镀条5另一端设置有LD正电极204，LD负电极203和LD正电极204分别与LD芯片的负极和正极电性连接，第一射频柱301和第二射频柱302分别与第一焊接块101和第二焊接块102电性连接。

LD负电极203和LD正电极204之间的间距小于第一焊接块101和第二焊接块102之间的间距。

优选的，第一镀条4和第二镀条5为第一铜箔条和第二铜箔条。

优选的，LD芯片的正极和负极分别通过金丝键合连接至LD正电极204和LD负电极203处。

具体的，第一焊接块101与第二焊接块102可分别通过金锡共晶焊接固定至第一射频柱301和第二射频柱302上。采用金锡共晶焊接方式，焊接牢固性强，连接电阻传输损耗小。

另一种实施方式中，第一焊接块101与第二焊接块102可以分别通过导电银胶电连接并固定至第一射频柱301和第二射频柱302上。直接采用导电银胶粘接方式，加工简单方便，生产效率高。

LD芯片的正极和负极分别通过金丝键合连接至LD正电极204和LD负电极203处，再通过第二镀条5、第一镀条4分别与第二射频柱302和第一射频柱301导通，降低了金丝键合的高度落差、缩短了金丝连接路径，一方面是降低了金丝键合加工难度；另外，也能降低传输阻抗，增强了金丝键合的可靠性，以及改善高频性能。

本方案采用的光器件射频柱焊接结构，生产流程如下：

步骤1、在环形陶瓷基板1上的第一焊接块101放置金锡焊料，在环形陶瓷基板1上的第二焊接块102放置金锡焊料。

步骤2、将放置有金锡焊料的环形陶瓷基板1进行金锡高温加热融化。

步骤3、将制成预制焊料的环形陶瓷基板1的第一焊接块101的第一共晶焊接部位201和第二焊接块102的第二共晶焊接部位202分别放置于第一射频柱301和第二射频柱302处贴合，进行金锡高温加热熔锡于射频柱进行焊接共晶。

步骤4、将LD芯片的正极和负极分别通过金丝键合连接至LD正电极204和LD负电极203处。

需要指出的是，本实用新型中所描述的具体实施例仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例作各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (4)

1.一种光器件射频柱连接结构，包括TO底座(3)，其特征在于，还包括环形陶瓷基板(1)，TO底座(3)上设置有第一射频柱(301)和第二射频柱(302)，环形陶瓷基板(1)上设置有第一镀条(4)和第二镀条(5)，第一镀条(4)一端设置有第一焊接块(101)，第一镀条(4)另一端设置有LD负电极(203)，第二镀条(5)一端设置有第二焊接块(102)，第二镀条(5)另一端设置有LD正电极(204)，LD负电极(203)和LD正电极(204)分别与LD芯片的负极和正极电性连接，第一射频柱(301)和第二射频柱(302)分别与第一焊接块(101)和第二焊接块(102)电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种光器件射频柱连接结构，其特征在于，所述的LD负电极(203)和LD正电极(204)之间的间距小于第一焊接块(101)和第二焊接块(102)之间的间距。

3.根据权利要求1所述的一种光器件射频柱连接结构，其特征在于，所述的第一焊接块(101)与第二焊接块(102)通过金锡共晶焊接固定至第一射频柱(301)和第二射频柱(302)上。

4.根据权利要求1所述的一种光器件射频柱连接结构，其特征在于，所述的第一焊接块(101)与第二焊接块(102)分别通过导电银胶电固定至第一射频柱(301)和第二射频柱(302)上。

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