CN213043595U - 一种用于减小负载电流变化影响的电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于减小负载电流变化影响的电路，包括Sense接线端、第一晶体管、第二晶体管以及VO端；所述Sense接线端用于连接负载；所述第一晶体管的基极连接VO端，所述第一晶体管的集电极连接Sense接线端以及第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极连接VO端。本实用新型通过设置第一晶体管和第二晶体管，能够使得在SENSE接线端大于VO端的电压值超过晶体管电压时，SENSE接线端与VO端之间形成低阻通路，可抵消SENSE电压的变化。降低由电流突变引起的电压突变，从而减小负载电流变化的影响。
Description
技术领域
本实用新型属于集成电子电路技术领域，具体涉及一种用于减小负载电流变化影响的电路。
背景技术
电流源用于向负载提供电流，因此电流源的应用范围广泛。相关技术中，很多芯片需要输出信号经过调制后反馈回芯片，当输出信号的负载功率变化时会产生抖动影响反馈电路，进而会影响整体芯片的性能。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用于减小负载电流变化影响的电路以解决现有的负载电流变化对反馈电路产生影响进而影响整体芯片的性能的问题。
为实现以上目的，实用新型采用如下技术方案：一种用于减小负载电流变化影响的电路，包括：Sense接线端、第一晶体管、第二晶体管以及VO端；
所述Sense接线端用于连接负载；
所述第一晶体管的基极连接VO端，所述第一晶体管的集电极连接Sense 接线端以及第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极连接VO端。
进一步的，还包括：
电感，所述电感与所述Sense接线端连接。
进一步的，所述第一晶体管、第二晶体管均采用：
三极管。
进一步的，所述第一晶体管采用PNP三极管，所述第二晶体管采用NPN 型三极管。
进一步的，所述第一晶体管、第二晶体管采用：
场效应管或MOS管。
本实用新型采用以上技术方案，所能达到的有益效果包括：
本申请实施例提供的一种用于减小负载电流变化影响的电路，通过设置第一晶体管和第二晶体管，能够使得在SENSE接线端大于VO端的电压值超过晶体管电压时，SENSE接线端与VO端之间形成低阻通路，可抵消SENSE电压的变化。降低由电流突变引起的电压突变，从而减小负载电流变化的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一种用于减小负载电流变化影响的电路的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本实用新型的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本实用新型所保护的范围。
下面结合附图介绍本申请实施例中提供的一个具体的用于减小负载电流变化影响的电路。
如图1所示，本实用新型提供一种用于减小负载电流变化影响的电路，包括：Sense接线端、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及VO端；
所述Sense接线端用于连接负载；
所述第一晶体管Q1的基极连接VO端，所述第一晶体管Q1的集电极连接 Sense接线端以及第二晶体管Q2的基极，所述第一晶体管Q1的发射极连接所述第二晶体管Q2的集电极，所述第二晶体管Q2的发射极连接VO端。
优选的，本申请实施例提供的用于减小负载电流变化影响的电路，还包括：
电感(图中未示出)，所述电感与所述Sense接线端连接。
本申请提供的一种用于减小负载电流变化影响的电路的工作原理是，当 SENSE接线端电流由大到小跳变时，由于SENSE所接电感的作用，SENSE可能被抬高，加入本申请用于减小负载电流变化影响的电路后，当SENSE大于 VO差值超过Vbe时，第一晶体管Q1首先导通，导通后瞬间抬高VO电压使得第二晶体管Q2导通，此时SENSE接线端与VO端之间形成低阻通路，可抵消 SENSE接线端的电压的变化。降低由电流突变引起的电压突变，从而减小负载电流变化的影响，本申请能够应用于高精度电路。
优选的，所述第一晶体管Q1、第二晶体管Q2均采用：三极管。
优选的，所述第一晶体管Q1采用PNP三极管，所述第二晶体管采用NPN 型三极管。
优选的，所述第一晶体管Q1、第二晶体管Q2采用：
场效应管或MOS管。
可以理解的是，本申请中第一晶体管、第二晶体管还可以采用其他元件，本申请在此不做限定。
综上所述，本实用新型提供的用于减小负载电流变化影响的电路，包括 Sense接线端、第一晶体管、第二晶体管以及VO端；所述Sense接线端用于连接负载；所述第一晶体管的基极连接VO端，所述第一晶体管的集电极连接 Sense接线端以及第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极连接VO端。本实用新型通过设置第一晶体管和第二晶体管，能够使得在SENSE接线端大于VO端的电压值超过晶体管电压时，SENSE接线端与VO端之间形成低阻通路，可抵消SENSE电压的变化。降低由电流突变引起的电压突变，从而减小负载电流变化的影响。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (5)
1.一种用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，包括：Sense接线端、第一晶体管、第二晶体管以及VO端；
所述Sense接线端用于连接负载；
所述第一晶体管的基极连接VO端，所述第一晶体管的集电极连接Sense接线端以及第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极连接VO端。
2.根据权利要求1所述的用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，还包括：
电感，所述电感与所述Sense接线端连接。
3.根据权利要求1所述的用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管均采用：
三极管。
4.根据权利要求3所述的用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，
所述第一晶体管采用PNP三极管，所述第二晶体管采用NPN型三极管。
5.根据权利要求1所述的用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管采用：
场效应管或MOS管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022410662.XU CN213043595U (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 一种用于减小负载电流变化影响的电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN213043595U true CN213043595U (zh) | 2021-04-23 |
Family
ID=75536494
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202022410662.XU Active CN213043595U (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 一种用于减小负载电流变化影响的电路 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN213043595U (zh) |
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2020
- 2020-10-27 CN CN202022410662.XU patent/CN213043595U/zh active Active
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