CN213012130U - 一种半导体废水处理***的混凝池 - Google Patents
一种半导体废水处理***的混凝池 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型是半导体废水处理***的混凝池，其结构是池体底部设进水管，进水管顶部设倒锥形进水口，池体侧面顶部设主进药管，主进药管连接表面均布有向下开口的出药口的环形进药管，环形进药管沿池体顶部内壁设置，池体侧面中部设曝气进管，曝气进管连接表面均布有水平设置的出气口的曝气盘管，曝气盘管沿池体内壁由环形进药管下方延伸至倒锥形进水口上方。本实用新型的优点：结构设计合理，倒锥形进水口可提高进水面积，提高与药剂接触充分性，药剂经环形进药管均匀进入池体内废水中，进一步提高互相接触充分性，曝气进气从曝气盘管均匀输入到池体内废水中，通过均匀的气流冲击更进一步提高药剂与污水混合充分性。改善了混凝效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及的是一种半导体废水处理***的混凝池，属于废水处理技术领域。
背景技术
随着半导体、光伏产业近年来迅速发展，这个行业高耗能、高污染的问题也日益凸显，在生产中会产生大量的工业废水，废水中含有较高浓度的H2O2以及一定量的氨、氮、氟等，以及酸碱废水。所以需要设置相应的废水处理***对废水进行处理，直到达标后进行排放。
混凝池是废水处理***的重要组成部分，在水中加入某些溶解盐类，使水中细小悬浮物或胶体微粒互相吸附结合成较大颗粒絮体，以便在后续的处理工艺中将其去除。现有技术的混凝池设置有底部进水管、在进药管设置多个进药口，以及在进水管和进药管之间设置曝气管的设计，然而其结构仍然设计不合理，导致药物与污水混合效果不佳，混凝效果一般。
实用新型内容
本实用新型提出的是一种半导体废水处理***的混凝池，其目的旨在克服现有技术存在的上述不足，实现合理化结构设计，在进药端、曝气管以及进水管都进行重新设计，有效提高混凝效果。
本实用新型的技术解决方案：一种半导体废水处理***的混凝池，其结构包括池体，池体底部设进水管，进水管顶部设倒锥形进水口，池体侧面顶部设主进药管，主进药管连接表面均布有向下开口的出药口的环形进药管，环形进药管沿池体顶部内壁设置，池体侧面中部设曝气进管，曝气进管连接表面均布有水平设置的出气口的曝气盘管，曝气盘管沿池体内壁由环形进药管下方延伸至倒锥形进水口上方。
优选的，所述的池体两侧壁连接有平行于池底的转轴，转轴中心对准倒锥形进水口设有受力叶片，转轴两侧上设有若干被动叶片。
本实用新型的优点：结构设计合理，工作时，废水从进水管经倒锥形进水口进入池体，倒锥形进水口可提高进水面积，提高与药剂接触充分性，药剂从主进药管经环形进药管均匀进入池体内废水中，进一步提高互相接触充分性，曝气进气从曝气进管经曝气盘管均匀输入到池体内废水中，通过均匀的气流冲击更进一步提高药剂与污水混合充分性。优选的受力叶片通过倒锥形进水口进水冲击通过转轴带动被动叶片转动，再进一步提高药剂与污水混合充分性，改善了混凝效果。
附图说明
图1是本实用新型半导体废水处理***的混凝池的结构示意图。
图中的1是池体、2是主进药管、3是曝气进管、4是进水管、5是倒锥形进水口、6是环形进药管、7是出药口、8是曝气盘管、9是出气口、10是转轴、11是受力叶片、12是被动叶片。
具体实施方式
下面结合实施例和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1所示，一种半导体废水处理***的混凝池，其结构包括池体1，池体1底部设进水管4，进水管4顶部设倒锥形进水口5，池体1侧面顶部设主进药管2，主进药管2连接表面均布有向下开口的出药口7的环形进药管6，环形进药管6沿池体1顶部内壁设置，池体1侧面中部设曝气进管3，曝气进管3连接表面均布有水平设置的出气口9的曝气盘管8，曝气盘管8沿池体1内壁由环形进药管6下方延伸至倒锥形进水口5上方。
所述的池体1两侧壁连接有平行于池底的转轴10，转轴10中心对准倒锥形进水口5设有受力叶片11，转轴10两侧上设有若干被动叶片12。
根据以上结构，工作时，废水从进水管4经倒锥形进水口5进入池体1，倒锥形进水口5可提高进水面积，提高与药剂接触充分性，药剂从主进药管2经环形进药管6均匀进入池体1内废水中，进一步提高互相接触充分性，曝气进气从曝气进管3经曝气盘管8均匀输入到池体1内废水中，通过均匀的气流冲击更进一步提高药剂与污水混合充分性。优选的受力叶片11通过倒锥形进水口5进水冲击通过转轴10带动被动叶片12转动，再进一步提高药剂与污水混合充分性，改善了混凝效果。
以上所述各部件均为现有技术，本领域技术人员可使用任意可实现其对应功能的型号和现有设计。
以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (2)
1.一种半导体废水处理***的混凝池，其特征包括池体，池体底部设进水管，进水管顶部设倒锥形进水口，池体侧面顶部设主进药管，主进药管连接表面均布有向下开口的出药口的环形进药管，环形进药管沿池体顶部内壁设置，池体侧面中部设曝气进管，曝气进管连接表面均布有水平设置的出气口的曝气盘管，曝气盘管沿池体内壁由环形进药管下方延伸至倒锥形进水口上方。
2.如权利要求1所述的一种半导体废水处理***的混凝池，其特征是所述的池体两侧壁连接有平行于池底的转轴，转轴中心对准倒锥形进水口设有受力叶片，转轴两侧上设有若干被动叶片。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202021234803.0U CN213012130U (zh) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 一种半导体废水处理***的混凝池 |
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Publications (1)
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| CN213012130U true CN213012130U (zh) | 2021-04-20 |
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ID=75498993
Family Applications (1)
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| CN202021234803.0U Active CN213012130U (zh) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 一种半导体废水处理***的混凝池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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2020
- 2020-06-29 CN CN202021234803.0U patent/CN213012130U/zh active Active
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