CN212936189U - 磁路***及电子装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种磁路***,包括导磁轭、支撑结构以及通过支撑结构嵌设在导磁轭内的磁铁;其中,导磁轭的纵截面为中空且具有一个缺口的环形结构;支撑结构固定在导磁轭的中空结构内,磁铁固定在支撑结构上并位于导磁轭的缺口结构内;并且,导磁轭的上端面与磁铁的上端面位于同一平面内。利用上述实用新型能够简化磁路***的生产工艺,降低磁路***的整体质量,并实现辐射式磁场分布。
Description
技术领域
本实用新型涉及声学电子装置技术领域,更为具体地,涉及一种磁路***及设置有该磁路***的电子装置。
背景技术
随着科技的快速发展,音频设备的普及率越来越高,人们对音频设备的要求不仅仅局限于音频的播放,对音频设备的可靠性也提出了更多更高的要求。在音频设备中,扬声器或喇叭是一种常用的电子元器件,其主要用于音频信号的播放,其可靠性直接影响了带有扬声器或喇叭的音频设备的功能。
目前的扬声器作为将电能转变为声能的常用电声换能器件,主要由振动***、磁路***和辅助***三部分组成。
现有的磁路***主要包括径向磁路***和轴向磁路***,其中轴向磁路***主要通过导磁元件,例如华司,提供线圈上下运动需要的磁场,此方案会增加扬声器的零件数量、重量和粘接工艺,并且磁场的均匀性与磁场强度均会受到限制;而径向磁路***需要对磁铁进行磁化处理后再进行加工,需要配备专用夹具组装,工艺复杂,导致成品率不高,整体成本高。
实用新型内容
鉴于上述问题,本实用新型的目的是提供一种磁路***及电子装置,以解决目前的磁路***存在的加工工艺复杂、零件数量多、重量大、成品率低等多种问题。
本实用新型提供的磁路***,包括导磁轭、支撑结构以及通过支撑结构嵌设在导磁轭内的磁铁;其中,导磁轭的纵截面为中空且具有一个缺口的环形结构;支撑结构固定在导磁轭的中空结构内,磁铁固定在支撑结构上并位于导磁轭的缺口结构内;并且,导磁轭的上端面与磁铁的上端面位于同一平面内。
此外,优选的结构是,导磁轭的在沿所述磁路***中轴线方向上纵截面为“U”型结构或者“G”型结构。
此外,优选的结构是,导磁轭包括外侧壁、内侧壁、连接外侧壁与内侧壁的底部,以及由内侧壁向外侧壁延伸的第一延伸部;第一延伸部的端部与外侧壁之间形成缺口结构;磁铁与外侧壁的内表面相贴合并位于缺口结构内,磁铁与第一延伸部的端部之间形成磁间隙。
此外,优选的结构是,导磁轭包括外侧壁、内侧壁、连接外侧壁与内侧壁的底部,以及由外侧壁向内侧壁延伸的第二延伸部;第二延伸部的端部与内侧壁之间形成缺口结构;磁铁与内侧壁的外表面相贴合并位于缺口结构内,磁铁与第二延伸部的端部之间形成磁间隙。
此外,优选的结构是,磁铁的在沿所述磁路***中轴线方向上纵截面的高宽比范围为:1.5:1~3:1。
此外,优选的结构是,导磁轭、磁铁与支撑结构均为圆形结构;并且,导磁轭、磁铁与支撑结构的中轴线相重合。
此外,优选的结构是,支撑结构与导磁轭为一体成型结构。
此外,优选的结构是,支撑结构为塑料件或者塑胶件;支撑结构通过胶水粘贴在中空结构的底部。
此外,本实用新型还提供一种电子装置,包括振动***、如上所述的磁路***;其中,振动***包括振膜以及贴设在振膜一侧的线圈;线圈悬设在磁路***内。
此外,优选的结构是,线圈的卷幅与磁路***的磁铁的高度比范围为0.6:1~1.2:1。
从上面的技术方案可知,本实用新型的磁路***及电子装置,磁路***由导磁轭、支撑结构以及磁铁组成,支撑结构固定在导磁轭的中空结构内,并将磁铁支撑在导磁轭的缺口结构内,不仅能够减少导磁元件,还能够实现工作磁场方向与磁铁磁化方向一致的均匀磁场,装置整体结构简单、重量轻,且合格率高。
附图说明
通过参考以下结合附图的说明,并且随着对本实用新型的更全面理解,本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中:
图1为根据本实用新型实施例的磁路***的剖面图;
图2为根据本实用新型实施例的磁路***的俯视图;
图3为根据本实用新型实施例的导磁轭的剖面图;
图4为根据本实用新型实施例二的磁路***的剖面图;
图5为根据本实用新型实施例三的磁路***的剖面图;
图6为根据本实用新型实施例四的磁路***的剖面图;
图7为根据本实用新型实施例五的磁路***的剖面图;
图8为根据本实用新型实施例的磁铁在磁化后的磁力线分布图。
其中的附图标记包括:导磁轭1、外侧壁11、内侧壁12、底部13、第一延伸部14、缺口结构15、中空结构16、磁铁2、线圈3、支撑结构4、预留空间5、磁间隙6。
在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。
具体实施方式
为详细描述本实用新型的磁路***及电子装置的结构,以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。
图1和图2分别从不同角度示出了根据本实用新型实施例的磁路***的示意结构。
如图1和图2共同所示,本实用新型实施例的磁路***,包括导磁轭1、支撑结构4以及通过支撑结构4嵌设在导磁轭1内的磁铁2;其中,导磁轭1的纵截面为中空且具有一个缺口的环形结构;支撑结构4固定在导磁轭1的中空结构16内,用于支撑固定磁铁2,磁铁2固定在支撑结构4上并位于导磁轭1的缺口结构15内,以使得导磁轭1的上端面与磁铁2的上端面位于同一平面内,通过磁铁2和导磁轭1配合形成与磁铁2的磁化方向相一致的均匀磁场。
其中,导磁轭1主要包括缺口结构15和中空结构16,其存在多种变形结构,例如附图所示导磁轭1的纵截面可以为“C”型结构、“G”型结构或者“U”型结构等类似形状的结构,磁铁2通过支撑结构4支撑固定在缺口结构15中,磁铁2与导磁轭1之间形成收容线圈3的磁间隙6。其中,导磁轭1或磁铁2的纵截面主要指经过磁路***的中心轴线,且垂直于导磁轭1的上端面及下端面的截面。
具体地,图3示出了根据本实用新型实施例的导磁轭的剖面结构。
如图3所示,在该实施中导磁轭1包括外侧壁11、内侧壁12、连接外侧壁11与内侧壁12的底部13,以及由内侧壁12向外侧壁11延伸的第一延伸部14;其中,第一延伸部14的端部与外侧壁11之间形成缺口结构15,磁铁2与外侧壁11的内表面相贴合并位于缺口结构15内,磁铁2与第一延伸部14的端部之间形成磁间隙6,该磁间隙6位于磁铁2的内侧。
另外,中空结构16的纵截面尺寸大于支撑结构4的纵截面尺寸,当支撑结构4固定在中空结构16内时,中空结构16中还预留有额外的预留空间16,该空间可用于缓冲在磁间隙6中振动的线圈3引起的气流波动;此外,该中空结构16也可根据产品的尺寸或生产要求进行调整。
在本实用新型的一个具体实施方式中,支撑结构4可以是垫圈或者与导磁轭1一体成型的台阶状结构,即直接在导磁轭1的内部设置一体的支撑结构4,通过支撑结构4将磁铁2固定在缺口结构15内,以形成磁间隙6。此外,该支撑结构4也可设置为塑料件或者塑胶件等不具有磁性或导电性的结构件,并通过胶水粘贴固定在中空结构16的底部13上,为线圈3提供冲程空间,同时使得线圈3和磁铁保持合适的相对位置。
具体地,图4示出了根据本实用新型实施例二的磁路***的剖面结构。
如图4所示,在该实施例二中,可通过改变导磁轭1的形状,使导磁轭1本身具有支撑定位磁铁2的功能,进而省去支撑结构4的设置,进一步减少磁路***的结构件数及组装工艺;其中,导磁轭1的形状可采用图4中所示结构,也可采用其他能够形成支撑磁铁2的变形结构。
需要说明的是,导磁轭1可以是一体结构,也可以是由两部分或者更多部分的组合结构,导磁轭1存在多种类似的变形结构。具体地,图5示出了根据本实用新型实施例三的磁路***的剖面结构。
如图5所示,在该实施例三中,导磁轭1还可设置为包括外侧壁、内侧壁、连接外侧壁与内侧壁的底部,以及由外侧壁向内侧壁延伸的第二延伸部;第二延伸部的端部与内侧壁之间形成缺口结构;磁铁2与内侧壁的外表面相贴合并位于缺口结构内,磁铁2与第二延伸部的端部之间形成磁间隙,该磁间隙位于磁铁2的外侧。
为提高磁场的分布效果,为线圈3提供最佳的磁场分布,在本实用新型的磁路***中,磁铁2可采用软磁铁件,磁铁2的纵截面的高宽比范围可设置为1.5:1~3:1;此外,线圈3的卷幅与磁铁2的高度比范围可设置为0.6:1~1.2:1,在具体的应用场景中或者不同的生产要求中,可调节磁铁2的尺寸比例以及音圈与磁铁2的高度比等参数。
例如,图5中所示,线圈3的卷幅尺寸要大于磁铁2的高度,高出线圈卷幅的部分可向上延伸至导磁轭1外部,向下可延伸至中空结构内。
另外,图6示出了根据本实用新型实施例四的磁路***的剖面结构。
如图6所示,在该实施例四中,磁路***的导磁轭1仅包括相互平行的内侧壁、外侧壁以及连接内侧壁和外侧壁的底部,缺口结构和中空结构为相互导通的规则结构,磁铁2通过支撑结构4支撑固定在导磁轭1的内侧壁上,并位于缺口结构中,磁铁2与导磁轭1的外侧壁之间形成磁间隙。
同理,图7示出了根据本实用新型实施例五的磁路***的剖面结构。
如图7所示,在该实施例四中,磁路***的导磁轭1仅包括相互平行的内侧壁、外侧壁以及连接内侧壁和外侧壁的底部,缺口结构和中空结构为相互导通的规则结构,磁铁2通过支撑结构4支撑固定在导磁轭1的外侧壁上,并位于缺口结构中,磁铁2与导磁轭1的内侧壁之间形成磁间隙。
需要说明的是,本实用新型提供的磁路***的结构,可参基于上述各实施例进行相互组合或调整,此处不一一列举。
在本实用新型的另一具体实施方式中,导磁轭1、磁铁2以及支撑结构4均可设置为圆形结构,并且,导磁轭1、磁铁2和支撑结构4的中轴线相重合;此外,导磁轭1、磁铁2以及支撑结构4的形状也可设置为长方形或者其他多种形状的结构形式。
在本实用新型的磁路***中,对磁铁2进行磁化处理后,磁铁2的磁力线分布如图8所示,磁力线的分布呈规则散射状向外或向内分布,通过改变对磁铁的磁化方向,可实现磁力线的N极和S极的位置调整;可知,这种磁力线分布的磁场比较均匀,进而提供给线圈的磁场也会比价稳定,可有效降低磁路***对扬声器产生的非线性失真。
与上述磁路***相对应,本实用新型还提供一种电子装置,包括振动***以及上述磁路***;其中,振动***包括振膜以及贴设在振膜一侧的线圈,线圈悬设在磁路***内。
具体地,电子装置可以为扬声器或者喇叭等声学器件,线圈可采用音圈或者其他结构,音圈的卷幅与磁路***的磁铁的高度比范围可设置为0.6:1~1.2:1。
需要说明的是,电子装置的实施例可参考磁路***的实施例阐述,此处不再一一赘述。
通过上述实施方式可以看出,本实用新型提供的磁路***及电子装置,可实现辐射式磁场分布,直接提供通电线圈运动时所需要切割磁力线的磁场,能够减少导磁元件的使用且无需专用夹具与复杂的生产工艺,与传统扬声器产品相比质量低,便于轻量化和薄型化的发展;此外,还能够有效降低磁路***对扬声器产品产生的非线性失真。
如上参照附图以示例的方式描述了根据本实用新型提出的磁路***及电子装置。但是,本领域技术人员应当理解,对于上述本实用新型所提出的磁路***及电子装置,还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此,本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。
Claims (10)
1.一种磁路***,其特征在于,包括导磁轭、支撑结构以及通过所述支撑结构嵌设在所述导磁轭内的磁铁;其中,
所述导磁轭的纵截面为中空且具有一个缺口的环形结构;
所述支撑结构固定在所述导磁轭的中空结构内,所述磁铁固定在所述支撑结构上并位于所述导磁轭的缺口结构内;并且,
所述导磁轭的上端面与所述磁铁的上端面位于同一平面内。
2.如权利要求1所述的磁路***,其特征在于,
所述导磁轭在沿所述磁路***中轴线方向上的纵截面为“U”型结构或者“G”型结构。
3.如权利要求1所述的磁路***,其特征在于,
所述导磁轭包括外侧壁、内侧壁、连接所述外侧壁与所述内侧壁的底部,以及由所述内侧壁向所述外侧壁延伸的第一延伸部;
所述第一延伸部的端部与所述外侧壁之间形成所述缺口结构;
所述磁铁与所述外侧壁的内表面相贴合并位于所述缺口结构内,所述磁铁与所述第一延伸部的端部之间形成磁间隙。
4.如权利要求1所述的磁路***,其特征在于,
所述导磁轭包括外侧壁、内侧壁、连接所述外侧壁与所述内侧壁的底部,以及由所述外侧壁向所述内侧壁延伸的第二延伸部;
所述第二延伸部的端部与所述内侧壁之间形成所述缺口结构;
所述磁铁与所述内侧壁的外表面相贴合并位于所述缺口结构内,所述磁铁与所述第二延伸部的端部之间形成磁间隙。
5.如权利要求1所述的磁路***,其特征在于,
所述磁铁的在沿所述磁路***中轴线方向上纵截面的高宽比范围为:1.5:1~3:1。
6.如权利要求1所述的磁路***,其特征在于,
所述导磁轭、所述磁铁与所述支撑结构均为圆形结构;并且,
所述导磁轭、所述磁铁与所述支撑结构的中轴线相重合。
7.如权利要求1所述的磁路***,其特征在于,
所述支撑结构与所述导磁轭为一体成型结构。
8.如权利要求1所述的磁路***,其特征在于,
所述支撑结构为塑料件或者塑胶件;
所述支撑结构通过胶水粘贴在所述中空结构的底部。
9.一种电子装置,其特征在于,包括振动***、如权利要求1至8任一项所述的磁路***;其中,
所述振动***包括振膜以及贴设在所述振膜一侧的线圈;
所述线圈悬设在所述磁路***内。
10.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,
所述线圈的卷幅与所述磁路***的磁铁的高度比范围为0.6:1~1.2:1。
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