CN212933054U - 光模块 - Google Patents

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CN212933054U
CN212933054U CN201890001306.0U CN201890001306U CN212933054U CN 212933054 U CN212933054 U CN 212933054U CN 201890001306 U CN201890001306 U CN 201890001306U CN 212933054 U CN212933054 U CN 212933054U
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吴东勋
朴相勇
李俊奎
金建旴
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Abstract

本实用新型的技术思想是提供一种光模块,其包括:半导体封装件,其包括光元件、半导体芯片以及将所述光元件和所述半导体芯片电连接的布线图案;以及引导结构体,其设置于所述光元件的设置有所述光元件的衬垫的第一表面,并包括引导图案,所述引导图案引导用于与所述光元件收发光信号的光纤。

Description

光模块
技术领域
本实用新型的技术思想涉及光模块。
背景技术
最近,在设备内部或者在设备之间高速传输诸如高画质、3D图像内容的大容量数据的技术正在受到关注。通常,在设备内部或者在设备之间传输数据的过程中,即在设备内使用基于铜布线的电导线,而在设备之间使用利用所述电导线的电缆,但是铜布线无法满足高速传输大容量数据的要求。为了解决上述问题,最近正在研发光连接技术。由于光模块是利用光学现象传输信号,因此可实现高速传输大容量数据,进而还可以解决噪声、EMI/EMC、阻抗匹配、串扰、连接结构的小型化等技术问题。
实用新型内容
技术问题
本实用新型的技术思想旨在解决的问题是提供一种能够利用光纤传输数据的光模块。
技术方案
为了解决上述问题,本实用新型的技术思想提供一种光模块,其中该光模块包括:光元件,其上表面设置有第一衬垫;半导体芯片,其上表面设置有第二衬垫;塑封部,其覆盖所述光元件的侧表面和所述半导体芯片的侧表面;绝缘图案,其位于所述光元件的所述上表面、所述半导体芯片的所述上表面以及所述塑封部的一表面上;布线图案,其在所述绝缘图案上延伸且电连接所述光元件与所述半导体芯片;以及引导结构体,其设置于所述光元件的所述上表面、所述半导体芯片的所述上表面,以及所述塑封部的所述第一表面上,并包括引导图案,所述引导图案引导用于与所述光元件收发光信号的光纤,其中,所述引导结构体包括绝缘性物质且覆盖所述布线图案。
在示例性的实施例中,所述引导图案包括用于容纳所述光纤的导槽(guidegroove),所述导槽沿着与所述光元件的所述第一表面平行的第一方向延伸且沿着所述第一方向引导所述光纤。
在示例性的实施例中,所述引导图案包括用于容纳所述光纤的导孔(guidehole),所述导孔沿着与所述光元件的所述第一表面垂直的第二方向延伸且沿着所述第二方向引导所述光纤。
在示例性的实施例中,所述引导图案包括用于接触并支撑所述光纤的一端的阶梯部。
在示例性的实施例中,所述引导结构体还包括:加固层,其设置于所述引导结构体的表面上,用于与容纳于所述引导图案中的所述光纤接触;屏蔽层,其设置于所述加固层与所述引导结构体的表面之间。
在示例性的实施例中,还包括:透镜层,其设置于所述光元件的上方;以及透镜保护层,其覆盖所述透镜层且包括透明物质。
在示例性的实施例中,所述半导体封装件还包括:塑封部,其用于塑封所述半导体芯片和所述光元件;贯通电极结构,其包括设置于所述塑封部内的框架及垂直贯通所述框架且连接于所述布线图案的贯通布线。
在示例性的实施例中,所述半导体封装件还包括与所述光元件及所述半导体芯片接触的散热器。
在示例性的实施例中,所述引导结构体还包括***到所述引导图案内且用于支撑所述光纤的夹持器。
在示例性的实施例中,所述夹持器还包括阻挡器,所述阻挡器设置于所述夹持器的内侧壁,用于接触并支撑所述光纤的一端。
有益效果
根据本实用新型的技术思想的光模块包括封装有光元件的半导体封装件及布置于所述半导体封装件上的引导结构体,而且利用引导结构体能够稳定地支撑并引导光纤。
附图说明
图1是图示根据本实用新型的技术思想的部分实施例的光模块的剖面图。
图2和图3是概略地图示图1中示出的光纤与光元件之间传输光信号的状态的示图。
图4是沿着图2的Ⅳ-Ⅳ'线的剖面图。
图5是图示图1的Ⅴ区域的示图。
图6是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块的剖面图。
图7是图示将根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块设置于基板上的状态的示图。
图8是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块的剖面图。
图9是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块的剖面图。
图10是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块的剖面图。
图11是更加详细地图示图10的引导图案的示图。
图12是用于说明根据本实用新型技术思想的部分实施例的引导结构体的示图。
图13是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块的剖面图。
图14是用于说明将图13中图示的引导结构体结合到半导体封装件的方法的示图。
具体实施方式
最佳模式
根据本实用新型的光模块包括半导体封装件,其包括光元件、半导体芯片以及电连接所述光元件和所述半导体芯片的布线图案;以及引导结构体,其设置在所述光元件的设置有所述光元件的衬垫的第一表面上,且包括引导用于与所述光元件收发光信号的光纤的引导图案。
具体实施方式
以下参照附图对本实用新型概念的优选实施例进行详细说明。但是,本实用新型概念的实施例可改变为各种其他形式,本实用新型概念的范围不应解释为受以下详细说明的实施例的限制。本实用新型概念的实施例应理解为是为了向本技术领域具有一般知识的技术人员更加完整地说明本实用新型概念而提供的。相同的附图标记始终表示相同的要素。进一步地,附图中的各种要素和区域是概略绘制的。因此,本实用新型概念不限于附图中绘制的相对大小或者间隔。
第二等术语可用于各种组成元素的说明,但是所述组成元素不受所述术语的限制。使用所述术语的目的仅是为了将一个组成元素与另一组成元素区分开。例如,在不超出本实用新型概念的权利范围的情况下,第一组成元素可命名为第二组成元素,相反地,第二组成元素也可命名为第一组成元素。
本申请中使用的术语只是用于说明特定的实施例,而非用于限定本实用新型概念。如果单数表述在前后文中没有其他含义则可包括复数表述。在本申请中,“包括”或者“具有”等表述应理解为是指说明书记载的特征、数量、步骤、动作、组成元素、部件或者其组合的存在,而且不事先排除一个或者一个以上的其他的特征、数量、动作、组成元素、部件或者其组合的存在或者附加可能性。
除非另外定义,否则包括技术术语和科学术语的这里使用的所有术语具有与本实用新型概念所属的技术领域中具有常识的技术人员所共同理解的含义相同的含义。此外,常用的如词典中定义的术语应解释为在相关技术脉络中其一贯所指的含义,其中如果没有明确地定义,则不应过度以字面上的含义进行解释。
图1是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块10的剖面图。图 2和图3是概略地图示在图1中示出的光纤400与光元件110之间传输光信号的状态的示图。
参照图1至图3,光模块10可包括半导体封装件100、引导结构体200、透镜部300、光纤400(optical fiber)。
半导体封装件100包括子封装件101、子封装件101上的重布线结构体140以及用于电连接到外部装置的外部连接端子150,子封装件101可包括光元件110、半导体芯片120及塑封部130。所述半导体封装件100例如可以是扇出(fan-out) 型半导体封装件100。在部分实施例中,半导体封装件100可具有***级封装 (system in package)结构,所述***级封装结构封装有光元件110、半导体芯片 120以及执行信号处理等功能的各种电路元件、无源元件等。
光元件110可接收光信号并生成与所接收的光信号对应的电信号或者可接收电信号并生成与所接收的电信号对应的光信号。例如,当光元件110是用于生成与所接收的光信号对应的电信号的受光元件时,光元件110可包括光电二极管。例如,当光元件110是用于生成与所接收的电信号对应的光信号的发光元件时,光元件110可包括发光二极管和垂直腔表面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)中的至少一个。
光元件110可具有至少一个第一衬垫111。设置有第一衬垫111的光元件110 的上表面113可与布置于子封装件101上的重布线结构体140接触。光元件110 的第一衬垫111可电连接到重布线结构体140的布线图案141。此外,光元件110 的上表面113可设置有光传感器阵列部。
半导体芯片120可生成驱动光元件110所需的信号或者可接收由光元件110 生成的电信号。当光元件110由受光元件构成时,半导体芯片120可构造为能够接收由光元件110生成的电信号,并处理所述接收的电信号。例如,半导体芯片 120可包括用于放大由光元件110提供的电信号的放大电路。此外,当光元件110 由发光元件构成时,半导体芯片120可构造为将用于驱动光元件110的电信号提供给光元件110。例如,半导体芯片120可包括将电信号提供给光元件110的驱动电路。
半导体芯片120可具有至少一个第二衬垫121。设置有第二衬垫121的半导体芯片120的上表面123可与布置于子封装件101上的重布线结构体140接触。半导体芯片120的第二衬垫121可电连接到重布线结构体140的布线图案141。
如图1所示,光元件110与半导体芯片120可被布置成水平地间隔开。然而,与图1所示不同,光元件110与半导体芯片120也可被布置成垂直地层叠布置。例如,光元件110布置为使其上表面113与重布线结构体140接触,半导体芯片 120可布置于光元件110的下表面。此外,半导体芯片120布置为使其上表面123 与重布线结构体140接触,光元件110可布置于半导体芯片120的下表面。
塑封部130可对半导体芯片120和光元件110进行塑封。塑封部130可包覆半导体芯片120及光元件110的至少一部分。例如,塑封部130可覆盖半导体芯片120的侧壁及下表面,而且可覆盖光元件110的侧壁及下表面。塑封部130的上表面、光元件110的上表面113及半导体芯片120的上表面123可处于同一平面(coplanar)。例如,塑封部130可由环氧树脂构成,但不限于此。
重布线结构体140可布置于子封装件101上,而且可包括布线图案141及绝缘图案143。
绝缘图案143可形成于子封装件101的上表面,而且可具有将光元件110的第一衬垫111和半导体芯片120的第二衬垫121连接到布线图案141的开口部。例如,绝缘图案143可由钝化(passivation)物质例如聚酰亚胺构成。此外,绝缘图案143可由环氧树脂、氧化硅、氮化硅或者其组合物构成。
布线图案141可形成于绝缘图案143上,而且可与光元件110的第一衬垫111 及半导体芯片120的第二衬垫121连接。布线图案141的至少一部分可在光元件 110与半导体芯片120之间延伸,而且可电连接光元件110与半导体芯片120。布线图案141可由导电物质,例如W、Cu、Zr、Ti、Ta、Al、Ru、Pd、Pt、Co、Ni 或者其组合构成。
引导结构体200可用于支撑并引导光纤400。引导结构体200可与半导体封装件100结合,而且与半导体封装件100形成一体(one body)。引导结构体200可具有引导本体部210及形成于所述引导本体部210的引导图案220。
引导本体部210可形成于半导体封装件100上。引导本体部210可设置于光元件110的上表面113及半导体芯片120的上表面,而且可覆盖重布线结构体140。例如,引导本体部210可覆盖并保护布线图案141。
引导本体部210可由如聚酰亚胺的绝缘膜构成。在部分实施例中,引导本体部210可由绝缘薄膜构成,而且可通过层压方法形成。
此外,引导本体部210可由环氧树脂构成,也可通过塑封工艺形成。
在部分实施例中,引导本体部210可形成为具有约50微米至300微米的厚度。
引导图案220形成于引导本体部210上,而且可提供用于容纳光纤400的空间。在示例性实施例中,如图2所示,引导图案220可包括沿着水平方向延伸的导槽(guide groove),从而朝所述水平方向(例如,与光元件110的上表面113 平行的方向或者与半导体封装件100的上表面平行的方向)引导光纤400。
此时,引导图案220可具有近似于光纤400直径的宽度W,而且可通过由引导图案220形成的侧壁及底壁接触并支撑容纳于引导图案220的光纤400。
所述引导图案220可通过对引导本体部210进行图案工艺而形成。在部分实施例中,为了形成引导结构体200,可在基于层压方法形成用于覆盖重布线结构体 140的干式感光膜后,通过曝光和显影工艺去除所述干式感光膜的一部分。
为了在光纤400与光元件110之间有效地传递光信号,可具有透镜部300。透镜部300可布置于光元件110的上方,而且布置于在引导本体部210内形成的空间内。此外,透镜部300还可布置为能够直接接触半导体封装件100。如图1所示,透镜部300可具有凸面,但不限于此。例如,透镜部300可具有凹面或者还可具有组合了凹面和凸面的表面。
光纤400可传递光信号,而且可包括芯410及包覆所述芯的金属保护层420。光纤400可向光元件110提供光信号或者可接收光元件110中生成的光信号。光纤400与光元件110间的信号传输路径中可设置有反射部211和透镜部300。此时,所述反射部211可置于透镜部300的上方且构造为能够改变光信号的行进方向。反射部211可设置于引导本体部210上,而且包括适用于光反射的物质。
如图2和图3所示,光纤400由引导图案220引导,而且***引导图案220 的光纤400的一端可位于透镜部300附近。从光纤400的一端发射的光信号可被透镜部300上方的反射部211反射,再经过透镜部300传输至光元件110。此外,光元件110中生成的光信号可经透镜部300和反射部211传输至光纤400。
图4是沿着图2的Ⅳ-Ⅳ'线的剖面图。
参照图4,引导结构体200可包括基于引导图案220提供的表面上形成的加固层230和屏蔽层240。
加固层230可接触容纳于引导图案220的光纤400。加固层230可用于强化由引导图案220提供的引导结构体200的表面强度。
在部分实施例中,加固层230可包括金属物质或者塑料物质。例如,可通过电镀方法形成加固层230。此外,在部分实施例中,加固层230还可以包括用于弹性支撑光纤400的具有一定弹性的物质。
屏蔽层240可***在加固层230与由引导图案220提供的引导结构体200的表面之间。屏蔽层240可通过阻断电磁波,来保护***到在引导图案220的光纤 400免受电磁波影响。
例如,屏蔽层240可包括铜(Cu)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)。
图5是图示图1的Ⅴ区域的示图。
参照图5,光模块10可包括覆盖并保护透镜部300的透镜保护层310。在部分实施例中,透镜保护层310可由透明物质构成。例如,透镜保护层310可由氧化铟锡(indium tinoxide,ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO)、氧化铟锌锡(indium zinc tin oxide,IZTO)、氧化铟铝锌(indium aluminum zinc oxide, IAZO)、氧化铟镓锌(indium galliumzinc oxide,IGZO)、氧化铟镓锡(indium gallium tin oxide,IGTO)、氧化铝锌(aluminumzinc oxide,AZO)、氧化锑铟(antimony tin oxide,ATO)、氧化镓锌(gallium zinc oxide,GZO)或者其组合构成。在部分实施例中,透镜保护层310可通过溅镀工艺形成。
图6是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块10a的剖面图。图6中图示的光模块10a除包括贯通电极结构160以外,具有与图1至图3中图示的光模块10大体相同的构造。
参照图6,半导体封装件100可包括贯通电极结构160。贯通电极结构160可置于塑封部130内,而且可提供重布线结构体140的布线图案141与布置于半导体封装件100的下表面上的外部连接端子150之间的电连接路径。
例如,贯通电极结构160可包括框架161及置于框架161的贯通孔内的贯通布线163。贯通布线163在塑封部130内垂直延伸,而且塑封部130的上部可与布线图案141连接,贯通布线163的下部可与外部连接端子150连接。
图7是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块10a安装于基板 500的状态的示图。
参照图7,光模块10a可安装在基板500上。外部连接端子150可***在光模块10a与基板500之间,而且可将半导体封装件100的贯通电极结构160与基板 500的基板衬垫510电连接。所述基板500通过外部连接端子150、贯通电极结构 160及布线图案141可与光元件110和/或半导体芯片120收发电信号。所述基板 500例如可以是印刷电路板(PrintedCircuit Board,PCB)、金属芯印刷电路板(Metal Core PCB,MCPCB)、金属印刷电路板(Metal PCB,MPCB)、柔性印刷电路板 (Flexible PCB,FPCB)等电路基板。
图8是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块10b的剖面图。图8中图示的光模块10b除了还包括下部重布线结构体180以外,可具有与图6 中图示的光模块10a大体相同的构造。
参照图8,半导体封装件100a可包括形成于子封装件101的下表面的下部重布线结构体180。下部重布线结构体180可包括置于子封装件101的下表面的下部绝缘图案183及下部布线图案181。下部重布线结构体180的下部布线图案181通过贯通布线163可电连接到置于子封装件101的上表面上的布线图案141。这种情况下,可利用下部重布线结构体180来实现光元件110和半导体芯片120以及半导体封装件100a中包括的各种电路间的内部连接。
例如,下部绝缘图案183可具有多个绝缘膜层叠的结构,例如可包括依次层叠的第一下部绝缘图案183a和第二下部绝缘图案183b。下部布线图案181可电连接贯通电极结构160的贯通布线163。下部布线图案181可具有多层结构,例如,可包括通过第一下部绝缘图案183a的开口部与贯通布线163连接的第一下部布线图案181a及通过第二下部绝缘图案183b的开口部与第一下部布线图案181a连接的第二下部布线图案181b。
图9是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块10c的剖面图。图9中图示的光模块10c除了还包括散热器170以外,可以具有与图1至图3中图示的光模块10大体相同的构造。
参照图9,半导体封装件100b可包括便于释放光模块10c的热的散热器170 (heatsink)。例如,散热器170可置于子封装件101的下表面。
在部分实施例中,塑封部130可形成为使光元件110的下表面和半导体芯片 120的下表面露出,散热器170可与光元件110的所述下表面和半导体芯片120的所述下表面接触。此外,在部分实施例中,塑封部130可形成为覆盖光元件110 的下表面和半导体芯片120的下表面,散热器170也可与覆盖光元件110和半导体芯片120的塑封部130接触。
图10是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块10d的剖面图。图11是更详细地图示图10的引导图案220a的示图。
参照图10和图11,引导结构体200a可引导光纤400以使光纤400的一端面对光元件110。被引导图案220a引导的光纤400可垂直地排列于光元件110的上表面113。
例如,引导图案220a可包括沿着垂直方向(例如,垂直于光元件110的上表面113的方向或者垂直于半导体封装件100的上表面的方向)延伸的导孔(guide hole),从而沿着所述垂直方向引导光纤400。光纤400可垂直***到引导图案220a 中,而且光纤400可与光元件110垂直对准。这种情况下,由于光纤400可以在不使用反射光信号的手段,例如棱镜或者反射镜(mirror)的情况下,与光元件110 收发光信号,因此可减少光信号的损失。
更具体地,引导图案220a可包括用于容纳光纤400的上部空间223U及与所述上部空间223U连接且置有透镜部300的下部空间223L。此时,上部空间223U形成为具有近似于光纤400的直径的第一宽度W1,下部空间223L可以形成为具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。光纤400的芯410暴露于所述下部空间223L,暴露于下部空间223L的光纤400的芯410可面对所述下部空间223L内提供的透镜部300。
由于上部空间223U的宽度大于下部空间223L的宽度,因此引导图案220a可包括在上部空间223U与下部空间223L之间形成的阶梯部221(stepped portion)。阶梯部221可用作能够接触并支撑上部空间223U中容纳的光纤400的一端的阻挡器(stopper)。
图12是用于说明根据本实用新型技术思想的部分实施例的引导结构体200b 的示图。
参照图12,引导结构体200b可包括夹持器260,所述夹持器260构造为***到引导图案220a并支撑光纤400。夹持器260可提供用于容纳光纤400的空间263,而且可支撑并引导光纤400。
如图12所示,夹持器260可***到沿着垂直方向延伸的导孔形状的引导图案 220a中且沿着垂直方向引导并支撑光纤400。即,夹持器260可沿着垂直方向引导光纤400以使光纤400的一端面对透镜部300,而且可将光纤400与光元件(图 1的110)垂直对准。
此时,夹持器260可包括置于夹持器260的内侧壁上以接触并支撑光纤400 的一端的阻挡器261。在所述光纤400的一端露出的芯410可面对透镜部300。
然而,虽然图12中图示了夹持器260沿着垂直方向引导并支撑光纤400,但是与图12不同的是,夹持器260还可以***到图1至图3中图示的沿着水平方向延伸的导槽形状的引导图案(图1的220)中,从而能够在水平方向引导并支撑光纤400。
夹持器260可包括金属物质或者塑料物质。此外,在部分实施例中,所述夹持器260的表面上还可以形成有前面参照图4说明的加固层(参照图4的230)和 /或屏蔽层(参照图4的240)。
在示例性的实施例中,为了制造包括所述夹持器260的光模块,可依次执行:在半导体封装件100上布置夹持器260的步骤,形成用于覆盖所述夹持器260的引导结构体200b的步骤,用于去除所述引导结构体200b的一部分及所述夹持器 260的一部分直至露出所述夹持器260的空间263的磨削步骤。
图13是图示根据本实用新型技术思想的部分实施例的光模块10e的剖面图。图14是用于说明结合图13中图示的引导结构体200c与半导体封装件100b的方法的示图。
参照图13,引导结构体200c可固定光纤400。如图13所示,光纤400的至少一部分可***并固定于引导结构体200c。即,光纤400可由引导图案220c引导,且光纤400的一部分可插在并固定于引导结构体200c的固定部229中。所述引导结构体200c也可称为套管(ferrule)或者光学引擎(optical engine)。
如图14所示,引导结构体200c可在被制造成单独的模块后,与半导体封装件100b结合。在部分实施例中,引导结构体200c通过表面安装技术(surface mountingtechnology,SMT)可安装在半导体封装件100b上。
如上所述,公开了附图及说明书的示例性的实施例。本说明书中虽然使用特定的术语对实施例进行说明,但是这只是用于说明本公开的技术思想,而非用于限定含义或者限制权利要求书中记载的本公开的范围。因此,本技术领域的具有通常知识的技术人员应当理解基于此能够进行各种变形及等同的其他实施例。因此,本公开的真正的技术保护范围应基于所附权利要求书的技术思想来限定。

Claims (10)

1.一种光模块,其特征在于,包括:
光元件,其上表面设置有第一衬垫;
半导体芯片,其上表面设置有第二衬垫;
塑封部,其覆盖所述光元件的侧表面和所述半导体芯片的侧表面;
绝缘图案,其位于所述光元件的所述上表面、所述半导体芯片的所述上表面以及所述塑封部的一表面上;
布线图案,其在所述绝缘图案上延伸且电连接所述光元件与所述半导体芯片;以及
引导结构体,其设置于所述光元件的所述上表面、所述半导体芯片的所述上表面,以及所述塑封部的所述一表面上,并包括引导图案,所述引导图案引导用于与所述光元件收发光信号的光纤,
其中,所述引导结构体包括绝缘性物质且覆盖所述布线图案。
2.如权利要求1所述的光模块,其特征在于,
所述引导图案包括用于容纳所述光纤的导槽,所述导槽沿着与所述光元件的所述上表面平行的第一方向延伸且沿着所述第一方向引导所述光纤。
3.如权利要求1所述的光模块,其特征在于,
所述引导图案包括用于容纳所述光纤的导孔,所述导孔沿着与所述光元件的所述上表面垂直的第二方向延伸且沿着所述第二方向引导所述光纤。
4.如权利要求3所述的光模块,其特征在于,所述引导图案包括用于接触并支撑所述光纤的一端的阶梯部。
5.如权利要求1所述的光模块,其特征在于,
所述引导结构体还包括:
加固层,其设置于所述引导结构体的表面上,用于接触容纳于所述引导图案中的所述光纤;
屏蔽层,其设置于所述加固层与所述引导结构体的表面之间。
6.如权利要求1所述的光模块,其特征在于
还包括:
透镜层,其设置于所述光元件的上方;以及
透镜保护层,其覆盖所述透镜层且包括透明物质。
7.如权利要求1所述的光模块,其特征在于,还包括:
贯通电极结构,其包括设置于所述塑封部内的框架及垂直贯通所述框架且连接于所述布线图案的贯通布线。
8.如权利要求1所述的光模块,其特征在于,还包括与所述光元件及所述半导体芯片接触的散热器。
9.如权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述引导结构体还包括***到所述引导图案内且用于支撑所述光纤的夹持器。
10.如权利要求9所述的光模块,其特征在于,
所述夹持器还包括阻挡器,所述阻挡器设置于所述夹持器的内侧壁上,用于接触并支撑所述光纤的一端。
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