CN212779270U - 芯片封装结构 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种芯片封装结构，用于测量待测水体的参数，包括传感器芯片与底盘，所述传感器芯片包括：玻璃基底，所述玻璃基底上形成有若干个电极，用于测量待测水体的多项参数值；硅基底，与所述玻璃基底键合；及若干芯片焊点，形成在所述玻璃基底上；所述底盘与所述传感器芯片粘接，所述底盘设有若干电连接部，每一所述电连接部一端电性连接所述芯片焊点，另一端电性连接终端，通过所述传感器芯片测量待测水体的多项参数值，并将所述参数值通过所述电连接部传输至所述终端。通过本申请，能够提高传感器芯片的传输性能，并且延长使用寿命。

Description

芯片封装结构

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构。

背景技术

温度、电导率和pH参数是水环境的主要参数，温度/电导率/pH三参数集成传感器芯片是一种将温度、电导率、pH值信号转换成为电信号，再对电信号进一步处理后存储、显示的设备。该类传感器芯片广泛应用在海洋、地表水及饮用水监测和分析。目前，此类传感器芯片中用于感测pH值的氢离子选择电极主要由金属氧化物形成，其可以利用MEMS(微机电***)制造工艺中的金属溅射工艺完成，可以达到集成的效果，并降低传感器的成本与体积。

然而，随着海洋监测技术的日益发展，对传感器芯片的传输要求以及使用寿命的要求越来越高。在实现本实用新型过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于MEMS工艺制作出来的传感器芯片只适用于一些普通场合，在比较恶劣的水环境下容易受到腐蚀及污染物附着等影响；此外，现有传感器芯片的芯片焊点较小，若直接采用较小的芯片焊点与终端引脚焊接进行信息传输，存在传输性能不稳定的问题，使得传感器难以达到预期想要的效果。

实用新型内容

鉴于此，有必要提出一种芯片封装结构，能够提高传感器芯片的传输性能，并且延长使用寿命。

本申请实施例第一方面提供一种芯片封装结构，用于测量待测水体的参数，所述芯片封装结构包括：传感器芯片，所述传感器芯片包括：玻璃基底，所述玻璃基底上形成有若干个电极，用于测量待测水体的多项参数值；硅基底，与所述玻璃基底键合；及若干芯片焊点，形成在所述玻璃基底上；及底盘，与所述传感器芯片粘接，所述底盘设有若干电连接部，每一所述电连接部一端电性连接所述芯片焊点，另一端电性连接终端，通过所述传感器芯片测量待测水体的多项参数值，并将所述参数值通过所述电连接部传输至所述终端。

进一步地，在本申请实施例提供的上述芯片封装结构中，所述电连接部包括内底盘焊点、引线与外底盘焊点，所述引线用以连接所述内底盘焊点与所述外底盘焊点。

进一步地，在本申请实施例提供的上述芯片封装结构中，所述内底盘焊点用以与所述芯片焊点电性连接，所述外底盘焊点用以与终端电性连接。

进一步地，在本申请实施例提供的上述芯片封装结构中，所述底盘与所述传感器芯片通过连接层粘接。

进一步地，在本申请实施例提供的上述芯片封装结构中，所述连接层包括金层或硅金层。

进一步地，在本申请实施例提供的上述芯片封装结构中，所述若干个电极包括参比电极、工作电极与若干个预设参数电极，所述参比电极用作基准电极，所述工作电极用于测量水体的pH值，所述预设参数电极分别用于测量待测水体的除所述pH值之外的其他参数值。

进一步地，在本申请实施例提供的上述芯片封装结构中，所述参比电极包括氯化银参比电极，所述工作电极包括金属钛电极，所述预设参数电极包括金属铂温度电极与金属铂电导率电极。

进一步地，在本申请实施例提供的上述芯片封装结构中，所述金属铂温度电极表面覆盖有绝缘保护层，用于与待测水体绝缘隔离。

进一步地，在本申请实施例提供的上述芯片封装结构中，所述硅基底设置于所述玻璃基底上并盖住所述参比电极，且暴露出所述工作电极与所述预设参数电极。

进一步地，在本申请实施例提供的上述芯片封装结构中，所述硅基底形成有注液槽与纳米孔通道，所述注液槽用于存储预设溶液，所述纳米孔通道设于所述硅基底与所述玻璃基底连接处，用于为所述预设溶液与待测水体提供离子交换。

本申请实施例提供的芯片封装结构，通过将传感器芯片封装至底盘上，所述传感器芯片与所述底盘紧密贴合，无气泡，能够保护所述传感器芯片免受高深水压力影响，能够提高所述传感器芯片的耐压力；且所述底盘选取具备机械稳定性、极耐腐蚀性以及气密性好等特点的材质，通过底盘保护能够提高所述传感器芯片在环境恶劣的水质的耐腐蚀性，进而提高传感器芯片的使用寿命；此外，通过将传感器芯片的芯片焊点与底盘的内底盘焊点连接，所述内底盘焊点通过所述引线与所述外底盘焊点连接，所述外底盘焊点与终端的引脚连接，能够避免传感器芯片的芯片焊点过小导致的与终端的引脚焊接不精准的问题，进而提高了传感器芯片的传输性能。

附图说明

图1是本申请一实施例提供的芯片封装结构的立体结构示意图。

图2是本申请一实施例提供的芯片封装结构的剖视图。

图3是本申请一实施例提供的芯片封装方法的流程图。

图4是本申请一实施例提供的芯片封装方法的一个步骤完成后的玻璃基底的剖面示意图。

图5是本申请一实施例提供的芯片封装方法的另一个步骤完成后的玻璃基底的剖面示意图。

图6是本申请一实施例提供的芯片封装方法的再一个步骤完成后的玻璃基底的剖面示意图。

图7是本申请一实施例提供的芯片封装方法的一个步骤完成后的硅基底的剖面示意图。

图8是本申请一实施例提供的芯片封装方法完成后的传感器芯片的剖面示意图。

图9是本申请一实施例提供的芯片封装方法完成后的底盘的剖面示意图。

图10是本申请一实施例提供的芯片封装方法的一个步骤完成后的芯片封装结构的剖面示意图。

图11是本申请一实施例提供的芯片封装方法的另一个步骤完成后的芯片封装结构的剖面示意图。

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。

主要元件符号说明

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施例对本申请进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

本申请实施例提供一种芯片封装结构，用于测量待测水体的参数，包括传感器芯片与底盘，所述传感器芯片包括：玻璃基底，所述玻璃基底上形成有若干个电极，用于测量待测水体的多项参数值；硅基底，与所述玻璃基底键合；及若干芯片焊点，形成在所述玻璃基底上；所述底盘与所述传感器芯片粘接，所述底盘设有若干电连接部，每一所述电连接部一端电性连接所述芯片焊点，另一端电性连接终端，通过所述传感器芯片测量待测水体的多项参数值，并将所述参数值通过所述电连接部传输至所述终端。

本申请实施例提供的芯片封装结构，通过将传感器芯片封装至底盘上，所述传感器芯片与所述底盘紧密贴合，无气泡，能够保护所述传感器芯片免受高深水压力影响，能够提高所述传感器芯片的耐压力；且所述底盘采用机械稳定性、极耐腐蚀性以及气密性好等特点的材质，通过底盘保护能够提高所述传感器芯片在环境恶劣的水质的耐腐蚀性，进而提高传感器芯片的使用寿命；通过将传感器芯片的芯片焊点与底盘的内底盘焊点连接，所述内底盘焊点通过所述引线与所述外底盘焊点连接，所述外底盘焊点与终端的引脚连接，能够避免传感器芯片的芯片焊点过小导致的焊接不精准的问题，进而提高了传感器芯片的传输性能。

下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。

请一并参阅图1至图2，本申请的一实施例提供的芯片封装结构100，用于测量待测水体的参数，包括传感器芯片10与底盘20，所述传感器芯片10封装至所述底盘20上，所述底盘20与终端(图未示出)电性连接。通过所述传感器芯片10测量待测水体的多项参数值，并将所述多项参数值通过所述底盘20传输至所述终端。在一实施方式中，所述终端可以是计算机、平板电脑、个人数字助理等具有数据处理、分析、程序执行及显示等功能的电子设备。

所述传感器芯片10包括形成有若干个电极的玻璃基底11及与玻璃基底11通过键合形成在一起的硅基底12。在一实施方式中，键合的方式包括阳极键合、热键合或低温键合中一种。所述传感器芯片10还设若干个I/O接口(图未示出)与芯片焊点116，所述I/O接口与所述芯片焊点116对应。所述I/O接口可根据所述芯片封装结构100的电极的输入端、输出端以及所述芯片封装结构100的电源端确定，所述I/O接口的数量可根据实际兼容性的需求进行设置。在一实施方式中，所述I/O接口的数量可以为8个。

所述若干个电极包括参比电极111、工作电极112与若干个预设参数电极。所述参比电极111、工作电极112与若干个预设参数电极均绝缘间隔设于所述玻璃基底11的同一面，能够提高与底盘20等器件封装的兼容性。在一实施方式中，所述玻璃基底11与各个电极间还可镀覆有黏附层，所述黏附层可以为金属钛，所述黏附层的厚度可以为10nm。

所述参比电极111用作基准电极，在一实施方式中，所述参比电极可以为氯化银参比电极。所述工作电极112用于测量水体的pH值，在一实施方式中，所述工作电极可以包括金属钛电极。所述金属钛电极为与微纳制造工艺兼容的电极材料，通过选用金属钛电极作为氢离子敏感材料，能够简化工艺制备，提高成品率。所述预设参数电极分别用于测量待测水体的除所述pH值之外的其他参数值。所述预设参数电极可根据实际需求设置，在一实施方式中，所述预设参数电极包括温度电极113与电导率电极114，所述温度电极113与所述电导率电极114可以为金属铂电极，也即可通过金属铂电极既实现温度电极功能，又实现电导率电极的功能，所述电导率电极114可以为四电极电导率电极，采用四电极开口圆环结构(图未示出)，能够有效抑制电磁场边缘效应及极化效应的影响，提高测量的精度与使用寿命。所述温度电极113表面覆盖绝缘保护层(图未示出)，用于与待测水体绝缘隔离，防止温度电极113在待测水体中发生短路导致的测量不准确的问题。在一实施方式中，所述绝缘保护层可以为氮化硅层。

在本申请的至少一实施方式中，所述玻璃基底设有通孔115，用于注入预设溶液，所述通孔115处配置有用于封装所述通孔115的密封胶117。在一实施方式中，所述密封胶117可为环氧树脂胶。

所述硅基底12设置于所述玻璃基底11上并盖住所述参比电极111，且暴露出所述工作电极112与所述预设参数电极。所述硅基底12形成有注液槽121与纳米孔通道122，所述注液槽121用于存储预设溶液，所述注液槽121与所述通孔115连通，通过所述通孔115向所述注液槽121中注入预设溶液。所述纳米孔通道122设于所述硅基底12与所述玻璃基底11连接处，用于为所述预设溶液与待测水体提供离子交换。本申请采用截面积为纳米级的管道作为离子交换通道，能够提高离子交换的尺寸控制。在一实施方式中，所述预设溶液可以为氯化钾饱和溶液，通过将所述参比电极111置于所述氯化钾饱和溶液中，并通过所述纳米孔通道122实现所述氯化钾饱和溶液与所述待测水体的离子交换，能够显著提高参比电极111的使用寿命，进而提高所述芯片封装结构100的使用寿命。

所述底盘20采用具有较好的机械稳定性、耐腐蚀性与气密性的材质，在一实施方式中，所述底盘20可以为陶瓷底盘。

所述底盘20设有若干电连接部21，每一所述电连接部21一端电性连接所述芯片焊点116，另一端电性连接终端。在一实施方式中，所述电连接部21包括内底盘焊点211、引线212与外底盘焊点213。所述内底盘焊点211、引线212与外底盘焊点213通过沉金方式形成。通过沉金方式，能够使得焊点不易氧化、腐蚀，有效减少线路传输过程中的电阻。所述引线212一端与所述内底盘焊点211连接，另一端与所述外底盘焊点213连接。所述内底盘焊点211还与所述芯片焊点116连接，所述外底盘焊点213还与终端的引脚30连接。所述内底盘焊点211与所述芯片焊点116可通过金丝球焊的方式连接，在一实施方式中，所述内底盘焊点211与所述芯片焊点116通过铂金引线连接。

所述底盘20上还设有连接层(图未示出)，用于粘接所述传感器芯片10。在一实施方式中，所述连接层包括金层(包含金元素的连接层)或硅金层中的一种或多种。

本申请提供的芯片封装结构100，通过将传感器芯片10封装至陶瓷底盘上，所述传感器芯片10与所述陶瓷底盘紧密贴合，无气泡，能够保护所述传感器芯片10免受高深水压力影响，能够提高所述传感器芯片10的耐压力；且所述陶瓷底盘具备机械稳定性、极耐腐蚀性以及气密性好等特点，通过陶瓷底盘保护能够提高所述传感器芯片在环境恶劣的水质的耐腐蚀性，进而提高传感器芯片10的使用寿命。此外，本申请采用将传感器芯片10的芯片焊点116与底盘20的内底盘焊点211连接，所述内底盘焊点211通过所述引线212与所述外底盘焊点213连接，所述外底盘焊点213与终端的引脚30连接，实现所述传感器芯片测量的待测水体参数值传输至终端的方式，替代了现有的直接将传感器芯片的芯片焊点116与终端的引脚连接传输参数值的方式，能够避免传感器芯片10的芯片焊点116过小导致的与终端引脚焊接不精准的问题，进而提高了传感器芯片10的传输性能。

请一并参阅图3至图11，本申请实施例还提供一种用于所述芯片封装结构100的封装方法，可以包括如下步骤：

S31、在玻璃基底上制备若干个电极，用于测量待测水体的多项参数值；

在本申请的至少一实施例中，步骤S31使用的玻璃基底11为较低膨胀系数的高硼硅玻璃，例如可为pyrex 7740高硼硅玻璃，且双面抛光，厚度为500μm。

步骤S31包括：

S311、在所述玻璃基底11上制备包含参比电极图案、工作电极图案以及预设参数电极图案的光刻掩模。示例性地，在所述玻璃基底11上涂布一层光刻胶，并进行平放烘烤，得到第一模具，所述第一模具包含所述玻璃基底11；将光刻掩膜放置于所述第一模具上，所述光刻掩膜含有参比电极图案、工作电极图案以及预设参数电极图案；经所述光刻掩膜对所述光刻胶面进行紫外光曝光处理，曝光的目的是通过辐射源将上述图案转移到光刻胶面上；通过显影液去除所述第一模具上曝光区域的光刻胶，得到第二模具，所述第二模具为包含参比电极图案、工作电极图案以及预设参数电极图案的玻璃基底，所述第二模具包括去胶区域与非去胶区域。所述参比电极图案、工作电极图案以及预设参数电极图案由所述第一模具去胶后的镂空区构成，且所述参比电极图案、工作电极图案以及预设参数电极图案使相对应的玻璃基底11表面相对于第一模具裸露。其中，显影液可以为丙酮溶液。

S312、利用真空镀膜技术在所述玻璃基底对应所述参比电极的去胶区域镀一层第一金属，对所述第一金属的部分进行电化学氯化处理，形成参比电极。在一实施方式中，所述第一金属可以为金属银。示例性地，所述电化学氯化处理为将包含金属银的玻璃基底11放置于盐酸溶液中，通过电化学工作站(Electrochemical workstation，是电化学测量***的简称，是电化学研究和教学常用的测量设备)的阳极与金属银接触，然后通直流电开始氯化，使所述玻璃基底11上的金属银形成氯化银。在一实施方式中，所述金属银的厚度为1μm。

在一实施方式中，在步骤S312之前，可先在所述玻璃基底对应所述参比电极的去胶区域镀覆一层金属钛作为黏附层(图未示出)，所述黏附层的厚度可以为10nm。通过金属钛作为黏附层，能够在不影响传感器性能的条件下，加强金属与玻璃基底11间的结合力。

S313、利用磁控溅射技术在所述玻璃基底对应所述工作电极的去胶区域镀一层第二金属，对所述第二金属的部分进行电化学阳极氧化处理，形成工作电极。在一实施方式中，所述第二金属可以为金属钛。示例性地，将包含金属钛的玻璃基底11放置在溶液中，通过电化学工作站的阳极与金属钛连接，然后通直流电开始氧化，形成氧化钛。在一实施方式中，所述金属钛的厚度可以为250nm。

S314、利用磁控溅射技术在所述玻璃基底对应所述预设参数电极的去胶区域镀一层第三金属，所述第三金属可用作PT1000温度电极113和/或电导率电极114。在一实施方式中，所述第三金属可以为金属铂。在一实施方式中，所述金属铂的厚度可以为100nm。

在一实施方式中，在步骤S314之前，可先在所述玻璃基底对应所述预设参数电极的去胶区域镀覆一层金属钛作为黏附层，所述黏附层的厚度可以为10nm。

本申请通过金属溅射的方式在玻璃基底11上制备多项电极，可以有效减少传感器芯片10的面积。

在本申请的至少一实施例中，为了防止温度电极113在待测水体中发生短路导致的测量不准确的问题，在步骤S314之后，还可在所述温度电极113表面覆盖绝缘保护层，用于与待测水体绝缘隔离。在一实施方式中，所述绝缘保护层可以为氮化硅层。示例性地，采用PECVD制备工艺(等离子增强的化学气相沉积工艺)在所述温度电极113上涂覆氮化硅层形成绝缘保护层。

S315、对所述玻璃基底的非去胶区域进行去胶处理，去除光刻胶。

在本申请的至少一实施例中，所述方法还包括：通过激光刻蚀技术在所述玻璃基底设有通孔115，用于注入预设溶液，所述通孔115处配置有用于封装所述通孔115的密封胶(图未示出)。

S32、在硅基底上形成注液槽与纳米孔通道；

在本申请的至少一实施例中，对所述硅基底12进行双面氮化处理，得到氮化硅层的厚度约为100nm。步骤S32包括：

在所述硅基底12上涂布一层光刻胶，分别经过曝光、显影处理在所述硅基底12上暴露出刻蚀窗口，利用反应离子刻蚀(RIE刻蚀技术，Reactive Ion Etching)刻蚀掉所述硅基底12的氮化硅层，暴露出腐蚀窗口，对所述硅基底12的非腐蚀窗口部分去胶处理，去除光刻胶。将所述硅基底12置于氢氧化钾腐蚀溶液(KOH溶液)中腐蚀，得到注液槽121。同理，可在所述硅基底12上腐蚀出纳米孔通道122。所述纳米孔通道122的数量以及大小均可根据实际需求设置，在此不作限制。

S33、键合所述玻璃基底与所述硅基底，得到传感器芯片；

在本申请的至少一实施例中，步骤S33包括：将所述硅基底12置于所述玻璃基底11上并盖住所述参比电极，且暴露出所述工作电极112与所述预设参数电极；键合所述玻璃基底11与所述硅基底12。

示例性地，可将所述玻璃基底11与所述硅基底12在光刻机上对准操作，进而放置于键合仪中键合处理。在一实施方式中，键合的方式包括阳极键合、热键合或低温键合中一种。

在本申请的至少一实施例中，对上述键合完成的硅基底12进行划片处理，得到传感器芯片10。示例性地，可通过划片机对所述硅基底12进行划片处理，以便后续芯片的制程或功能性测试。

S34、在底盘上形成一层金属层，然后对其进行图形化处理形成电连接部；

每一所述电连接部21一端电性连接所述芯片焊点116，另一端电性连接终端。在一实施方式中，所述电连接部21包括内底盘焊点211、引线212与外底盘焊点213，步骤S34包括：

图形化处理形成内底盘焊点211、引线212与外底盘焊点213是通过沉金方式实现的。示例性地，在所述底盘20上溅射一层金属层，然后通过沉金方式对其进行图形化处理形成内底盘焊点211、引线212与外底盘焊点213。其中，所述金属层可以为Pt金属等具有绝缘性与稳定性的金属。在一实施方式中，还可以在所述内底盘焊点211、引线212以及外底盘焊点213的周围涂布一层阻焊层，所述阻焊层用于保护线路。

S35、将所述传感器芯片与所述底盘粘接；

在本申请的至少一实施例中，在所述底盘20上涂覆一层连接层，将所述传感器芯片10置于所述连接层上，并将所述传感器芯片10与所述底盘20进行共晶熔合反应，从而将所述传感器芯片10粘接于所述底盘20上。其中，所述连接层可以包括金层或硅金层中的一种或多种。

S36、连接所述传感器芯片上的芯片焊点与所述底盘上的内底盘焊点，得到芯片封装结构。

在本申请的至少一实施例中，步骤S36包括：通过金丝球焊的方式连接所述内底盘焊点211与所述芯片焊点116，示例性地，所述内底盘焊点211与所述芯片焊点116通过铂金引线连接。

在本申请的至少一实施例中，在使用所述芯片封装结构100时，将所述芯片封装结构100与终端的引脚连接。示例性地，将所述外底盘焊点213利用终端的引脚30引出，在一实施方式中，所述引脚30可以为贴片引脚形式(图未示出)；在其他实施方式中，所述方法还包括：将所述引脚30进行切筋成型处理，形成可焊接的直插式引脚。通过将所述外底盘焊点213与终端的引脚30连接，使得所述芯片封装结构100与具有数据处理、分析、程序执行及显示等功能的终端进行电路连接，进而实现信号传输，也即通过所述传感器芯片10测量待测水体的多项参数值，并将所述多项参数值传输至所述终端，所述终端能够对所述多项参数值进行数据处理、分析，最终显示测量的多项参数值。

优选地，在利用本申请提供的所述芯片封装结构100测量待测水体参数时，对于pH值的测量，所述工作电极112用于测量待测水体的输出电压，并获取所述参比电极111的基准电压，将所述输出电压与所述基准电压比较获取电压差值，根据所述电压差值确定待测水体的pH值。对于温度值的测量，所述温度电极113测量随着待测水体温度变化引起的阻值变化，根据温度与阻值的线性关系，得到待测水体的温度值。对于电导率的测量，所述电导率电极114可采用加载1kHz的交变信号方式进行测试，并与预设的温度参数进行校准得到电导率值。在一实施方式中，所述温度电极113还用于对pH值或电导率值的测量进行温度补偿，无需额外增加其他的温度电极，降低传感器的成本。

以上说明仅仅是对本申请一种优化的具体实施方式，但在实际的应用过程中不能仅仅局限于这种实施方式。对本领域的普通技术人员来说，根据本申请的技术构思做出的其他变形和改变，都应该属于本申请的公开范围。

Claims (10)

1.一种芯片封装结构，用于测量待测水体的参数，其特征在于，所述芯片封装结构包括：

传感器芯片，所述传感器芯片包括：

玻璃基底，所述玻璃基底上形成有若干个电极，用于测量待测水体的多项参数值；

硅基底，与所述玻璃基底键合；及

若干芯片焊点，形成在所述玻璃基底上；及

底盘，与所述传感器芯片粘接，所述底盘设有若干电连接部，每一所述电连接部一端电性连接所述芯片焊点，另一端电性连接终端，通过所述传感器芯片测量待测水体的多项参数值，并将所述参数值通过所述电连接部传输至所述终端。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述电连接部包括内底盘焊点、引线与外底盘焊点，所述引线用以连接所述内底盘焊点与所述外底盘焊点。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述内底盘焊点用以与所述芯片焊点电性连接，所述外底盘焊点用以与终端电性连接。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述底盘与所述传感器芯片通过连接层粘接。

5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述连接层包括金层或硅金层。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述若干个电极包括参比电极、工作电极与若干个预设参数电极，所述参比电极用作基准电极，所述工作电极用于测量水体的pH值，所述预设参数电极分别用于测量待测水体的除所述pH值之外的其他参数值，所述其他参数值包括温度值和/或电导率值。

7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述参比电极包括氯化银参比电极，所述工作电极包括金属钛电极，所述预设参数电极包括金属铂温度电极与金属铂电导率电极。

8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属铂温度电极表面覆盖有绝缘保护层，用于与待测水体绝缘隔离。

9.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述硅基底设置于所述玻璃基底上并盖住所述参比电极，且暴露出所述工作电极与所述预设参数电极。

10.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述硅基底形成有注液槽与纳米孔通道，所述注液槽用于存储预设溶液，所述纳米孔通道设于所述硅基底与所述玻璃基底连接处，用于为所述预设溶液与待测水体提供离子交换。

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