CN212136661U - 一种h面魔t波导功率合成器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种H面魔T波导功率合成器，包括阻抗变换结构，还包括合成器上腔和合成器下腔，所述阻抗变换结构配置于所述合成器下腔，所述合成器上腔与所述合成器下腔构成T型波导结构，所述T型波导结构配置有用于信号输入/输出的波导端口。本实用新型能降低加工难度和加工成本，使加工精度容易得到保证。

Description

一种H面魔T波导功率合成器

技术领域

本实用新型涉及通信技术领域，具体而言，涉及一种H面魔T波导功率合成器。

背景技术

目前，卫星通信正在向Ka等更高的通信频段发展，通信容量越来越大，因而所需要的微波毫米波信道设备的功率越来越大，但是在毫米波频段单个固态功率放大器芯片的输出功率有限，因而在Ka等更高的通信频段固态功率放大器均采用功率合成的方式。

现有已公开的专利名称为“一种新型魔T功率分配/合成器”、公告号为CN202797235U的中国实用新型专利，该专利包括魔T功率分配/合成器的本体，在本体内设置有用于微波传输的公共通道和用于微波传输的两个支路，所述的公共通道与两个支路进行连通并为T型，在公共通道与两个支路交汇处的正上方的本体内设置有波导吸收通道，两个支路的腔体分别为由内至外为多阶梯段过渡的阶梯阻抗变换器结构，在公共通道与两个支路交汇处且与公共通道正对位置的本体上设置有用于调节匹配的调谐螺钉。

但是，由于频段越高，对应的功率分配/合成器体积越小，上述专利公开的用于Ka频段的魔T功率分配/合成器技术方案本身体积比较小，该魔T功率分配/合成器的本体又是一个整体成型的结构，还需在本体中加工出阶梯阶梯阻抗变换器结构和调谐螺钉，导致加工难度高，加工精度难以保证，加工成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的包括提供一种H面魔T波导功率合成器，其能够解决上述现有技术中，由于频段越高，对应的功率分配/合成器体积越小，上述专利公开的用于Ka频段的魔T功率分配/合成器技术方案本身体积比较小，该魔T功率分配/合成器的本体又是一个整体成型的结构，还需在本体中加工出阶梯阶梯阻抗变换器结构和调谐螺钉，导致加工难度高，加工精度难以保证，加工成本高的问题，实现降低加工难度和加工成本，使加工精度容易得到保证的目的。

本实用新型的实施例通过以下技术方案实现：

一种H面魔T波导功率合成器，包括阻抗变换结构，还包括合成器上腔和合成器下腔，所述阻抗变换结构配置于所述合成器下腔，所述合成器上腔与所述合成器下腔构成T型波导结构，所述T型波导结构配置有用于信号输入/输出的波导端口。

在其中一个实施例中，所述阻抗变换结构与合成器下腔一体成型。

在其中一个实施例中，所述阻抗变换结构包括阶梯过渡结构和阻抗匹配圆轴，所述阻抗匹配圆轴配置于所述阶梯过渡结构的最高台阶，所述阻抗匹配圆轴与所述阶梯过渡结构一体成型。

在其中一个实施例中，所述阶梯过渡结构配置为五阶阶梯过渡结构。

在其中一个实施例中，所述波导端口包括第一波导端口、第二波导端口、第三波导端口、第四波导端口，所述第一波导端口、所述第二波导端口及所述第三波导端口依次配置于所述T型波导结构的各个端部，所述第四波导端口配置于T型波导结构交叉点处。

在其中一个实施例中，所述第四波导端口正对阻抗匹配圆轴。

在其中一个实施例中，所述合成器上腔与所述合成器下腔配置为金属材质腔体。

本实用新型实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：

本实用新型实施例将H面魔T波导功率合成器配置由合成器上腔、合成器下腔拼合而成，而且将阻抗变换结构配置于合成器下腔，由于用于Ka频段的H面魔T波导功率合成器体积较小，采用分体式结构，将H面魔T波导功率合成器内部结构整体成型转换为分别加工合成器上腔、合成器下腔即可，大大降低加工难度和加工成本，便于刀具进刀和走刀，使加工精度容易得到保证。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型实施例的结构示意图；

图2为本实用新型实施例中合成器下腔的俯视图；

图3为本实用新型实施例的俯视图；

图4为本实用新型实施例的左视图。

图标：

1-合成器上腔，2-合成器下腔，21-阻抗变换结构，31-第一波导端口、32-第二波导端口、33-第三波导端口、34-第四波导端口。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，若出现术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“安装”、“配置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

请参照图1至图4，一种H面魔T波导功率合成器，包括阻抗变换结构21，还包括合成器上腔1和合成器下腔2，所述阻抗变换结构21配置于所述合成器下腔2，所述合成器上腔1与所述合成器下腔2构成T型波导结构，所述T型波导结构配置有用于信号输入/输出的波导端口。

为了降低加工难度和加工成本，使加工精度容易得到保证，本技术方案将H面魔T波导功率合成器配置由合成器上腔1、合成器下腔2拼合而成，而且将阻抗变换结构21配置于合成器下腔2，由于用于Ka频段的H面魔T波导功率合成器体积较小，采用分体式结构，将H面魔T波导功率合成器内部结构整体成型转换为分别加工合成器上腔1、合成器下腔2即可，大大降低加工难度和加工成本，便于刀具进刀和走刀，使加工精度容易得到保证。应当说明的是，在本实施例中的阻抗变换结构21可以是阶梯阻抗变换结构、锥台过渡结构或其它形式的阻抗变换结构。

在本实施例中，所述阻抗变换结构21与合成器下腔2一体成型。

现有一些H面魔T波导功率合成器内的阻抗变换结构21为斜面过渡结构，由于斜面过渡结构在合成器内部加工成型的难度大，不便于斜面过渡结构成型，斜面过渡结构的加工精度也无法保证，而斜面过渡结构又直接影响H面魔T波导功率合成器的性能，所以现有技术中将斜面过渡结构与合成器下腔2设计为分体式结构，即单独加工斜面过渡结构，将加工成型的斜面过渡结构装配至合成器下腔2上。应当说明的是，此处的的斜面过渡结构为具有锥面的回转体结构。但是，斜面过渡结构与合成器下腔2分开加工，由于机床操作者水平不同，不同的机床加工精度不同，甚至不同装配人员装配斜面过渡结构会存在不同的位置误差，这些额外的加工误差和装配误差导致成品H面魔T波导功率合成器插损增大，增大了成品的性能曲线与仿真模拟曲线的差别。为了避免额外的加工误差和装配误差，本技术方案将阻抗变换结构21一体成型，在加工合成器下腔2时，一起将阻抗变换结构21加工成型，对于同一件合成器下腔2而言，由同一机床操作者完成机加作业，由同一机床完成，省去了装配环节，避免了额外的加工误差和装配误差，合成器的插损更小，性能一致性更好，而且合成器下腔2为开放结构，也便于加工过程中走刀，提高工作效率。

在本实施例中，所述阻抗变换结构21包括阶梯过渡结构和阻抗匹配圆轴，所述阻抗匹配圆轴配置于所述阶梯过渡结构的最高台阶，所述阻抗匹配圆轴与所述阶梯过渡结构一体成型。

在本实施例中，所述阶梯过渡结构21配置为五阶阶梯过渡结构。

在本实施例中，所述波导端口包括第一波导端口31、第二波导端口32、第三波导端口33、第四波导端口34，所述第一波导端口31、所述第二波导端口32及所述第三波导端口33依次配置于所述T型波导结构的各个端部，所述第四波导端口34配置于T型波导结构交叉点处。

在本实施例中，所述第四波导端口34正对阻抗匹配圆轴。

在本实施例中，所述合成器上腔1与所述合成器下腔2配置为金属材质腔体。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种H面魔T波导功率合成器，包括阻抗变换结构(21)，其特征在于，还包括合成器上腔(1)和合成器下腔(2)，所述阻抗变换结构(21)配置于所述合成器下腔(2)，所述合成器上腔(1)与所述合成器下腔(2)构成T型波导结构，所述T型波导结构配置有用于信号输入/输出的波导端口。

2.根据权利要求1所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述阻抗变换结构(21)与合成器下腔(2)一体成型。

3.根据权利要求1所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述阻抗变换结构(21)包括阶梯过渡结构和阻抗匹配圆轴，所述阻抗匹配圆轴配置于所述阶梯过渡结构的最高台阶，所述阻抗匹配圆轴与所述阶梯过渡结构一体成型。

4.根据权利要求3所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述阶梯过渡结构配置为五阶阶梯过渡结构。

5.根据权利要求1所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述波导端口包括第一波导端口(31)、第二波导端口(32)、第三波导端口(33)、第四波导端口(34)，所述第一波导端口(31)、所述第二波导端口(32)及所述第三波导端口(33)依次配置于所述T型波导结构的各个端部，所述第四波导端口(34)配置于T型波导结构交叉点处。

6.根据权利要求5所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述第四波导端口(34)正对阻抗匹配圆轴。

7.根据权利要求1所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述合成器上腔(1)与所述合成器下腔(2)配置为金属材质腔体。

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