CN212013108U - 一种led升降压驱动电路 - Google Patents

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雷建文
吴忠仁
吴龙
蔡君良
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Abstract

本实用新型公开了一种LED升降压驱动电路，包括升降压模块，分别与外部电源和负载电连接；所述升降压模块包括芯片U10、MOS管Q5、MOS管Q6、电感L3、检测模块、并联的二极管D7和二极管D8、并联的二极管D9和二极管D10以及并联的电容E4和电容E5；通过检测模块对输出的电压进行检测，根据输出的电压来调节PWM信号的频率，以保证输出恒定的电压，同时，根据输入的电压与需要输出的电压值来调整对应的频率，实现升降压的效果。

Description

一种LED升降压驱动电路
技术领域
本实用新型涉及LED驱动电路领域，特别涉及一种LED升降压驱动电路。
背景技术
市场上很多的LED驱动电路，能够根据输入的电压来调整，以输出适合用于驱动LED的电压，但这些驱动电路存在输入电压范围比较窄，输出电流单一的缺点，同时调光效果不佳。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种LED升降压驱动电路，具有宽输入电压、固定输出电压的优点，根据输入的电压高或低来进行降压或升压，以输出固定的电压，保证所有的LED的亮度一致。
本实用新型的一种实施例解决其技术问题所采用的技术方案是：一种LED升降压驱动电路，包括：
升降压模块，分别与外部电源和负载电连接；
所述升降压模块包括芯片U10、MOS管Q5、MOS管Q6、电感L3、检测模块、并联的二极管D7和二极管D8、并联的二极管D9和二极管D10以及并联的电容E4和电容E5，MOS管Q5的栅极与芯片U10连接，MOS管Q5的漏极与外部电源电连接，MOS管Q5的源极分别与芯片U10、电感L3的一端以及二极管D7和二极管D8并联后的一端连接，电感L3的另一端分别与二极管D9和二极管D10并联后的一端、MOS管Q6的漏极以及负载输出端连接，二极管D9和二极管D10并联后的一端与电容E4和电容E5并联后的一端连接，电容E4和电容E5并联后的另一端分别与二极管D7和二极管D8并联后的另一端、MOS管Q6的源极以及芯片U10连接，MOS管Q6的栅极与芯片U10连接，检测模块分别与负载输出端和芯片U10的反馈端连接；芯片U10能够根据检测模块反馈的电压来调节输出的频率，电压高于预设值时减小输出频率，电压低于预设值时增大输出频率。
进一步地，所述升降压模块还包括依次连接的EMC滤波模块和防反接模块，EMC滤波模块与外部电源电连接，防反接模块与MOS管Q5的漏极电连接。
作为优选，所述一种LED升降压驱动电路还包括MCU控制模块以及与所述MCU控制模块连接的输入检测模块、MCU供电模块和DALI模块连接，输入检测模块与外部电源电连接，MCU供电模块与升降压模块连接。
进一步地，所述EMC滤波模块包括电感LF1、电感LF2、并联的电容CX1和电容CX2以及并联的电容CX3和电容CX4，电容CX1和电容CX2并联后的一端分别与外部电源的一端以及电感LF1的一端连接，电容CX1和电容CX2并联后的另一端分别与外部电源的另一端以及电感LF1的一端连接，电感LF1的另一端与电容CX3和电容CX4并联，电容CX3和电容CX4与电感LF2的一端并联，电感LF2的另一端与防反接模块连接。
进一步地，所述防反接模块包括MOS管Q4和二极管D5，MOS管Q4的栅极分别与EMC滤波模块、二极管D5的阴极以及MOS管Q5的漏极连接，MOS管Q4的源极与EMC滤波模块连接，MOS管Q4的的漏极与MOS管Q5的漏极连接。
进一步地，所述一种LED升降压驱动电路还包括分别与MCU控制模块、升降压模块和负载连接的恒流模块。
进一步地，所述一种LED升降压驱动电路还包括分别与负载和MCU控制模块连接的温度检测模块。
进一步地，所述一种LED升降压驱动电路还包括分别与负载和MCU控制模块连接的空载检测模块。
本实用新型的有益效果：一种LED升降压驱动电路，包括：升降压模块，分别与外部电源和负载电连接；所述升降压模块包括芯片U10、MOS管Q5、MOS管Q6、电感L3、检测模块、并联的二极管D7和二极管D8、并联的二极管D9和二极管D10以及并联的电容E4和电容E5；通过检测模块对输出的电压进行检测，根据输出的电压来调节PWM信号的频率，以保证输出恒定的电压，同时，根据输入的电压与需要输出的电压值来调整对应的频率，实现升降压的效果。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为一种升降压驱动电路的原理框图；
图2为MCU控制模块的原理图；
图3为MCU供电模块的原理图；
图4为升降压模块的部分原理图；
图5为EMC滤波模块和防反接模块的原理图。
具体实施方式
本部分将详细描述本实用新型的具体实施例，本实用新型之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本实用新型的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本实用新型保护范围的限制。
在本实用新型的描述中，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
本实用新型中，除非另有明确的限定，“设置”、“安装”、“连接”等词语应做广义理解，例如，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连；可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，还可以是一体成型；可以是机械连接；可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。
参照图1至图5，一种LED升降压驱动电路，包括：升降压模块，分别与外部电源和负载电连接；
所述升降压模块包括芯片U10、MOS管Q5、MOS管Q6、电感L3、检测模块10、并联的二极管D7和二极管D8、并联的二极管D9和二极管D10以及并联的电容E4和电容E5，MOS管Q5的栅极与芯片U10连接，MOS管Q5的漏极与外部电源电连接，MOS管Q5的源极分别与芯片U10、电感L3的一端以及二极管D7和二极管D8并联后的一端连接，电感L3的另一端分别与二极管D9和二极管D10并联后的一端、MOS管Q6的漏极以及负载输出端连接，二极管D9和二极管D10并联后的一端与电容E4和电容E5并联后的一端连接，电容E4和电容E5并联后的另一端分别与二极管D7和二极管D8并联后的另一端、MOS管Q6的源极以及芯片U10连接，MOS管Q6的栅极与芯片U10连接，检测模块10分别与负载输出端和芯片U10的反馈端连接；芯片U10能够根据检测模块10反馈的电压来调节输出的频率，电压高于预设值时减小输出频率，电压低于预设值时增大输出频率。
在本实用新型中，输出的电压优选为48V，二输入的电压为DC35-55V，当检测模块10检测到输入的电压低于48V时，电感L3先进行充能，由芯片U10提供对应频率给MOS管Q6，经二极管D9和二极管D10，并经过电容E4和E5滤波后输出48V，完成升压过程，以达到稳定48V输出；当检测模块10检测到输入高于48V时，电感L3先进行充能，有芯片U10提供对应的频率给MOS管Q5，经二极管D7和二极管D8后，由2电容E4和电容E5滤波后输出48V电压，完成降压过程。
所述升降压模块还包括依次连接的EMC滤波模块20和防反接模块30，EMC滤波模块20与外部电源电连接，防反接模块30与MOS管Q5的漏极电连接。
所述一种LED升降压驱动电路还包括MCU控制模块以及与所述MCU控制模块连接的输入检测模块、MCU供电模块和DALI模块连接，输入检测模块与外部电源电连接，MCU供电模块与升降压模块连接。
DALI通讯协议是国际公开规格的照明控制通讯协议，可以通过最大64位短地址和16个组地址构成网络，一个主机可以控制一个或多个从机，以半双工方式进行通讯；它的优势在于：设计简单易行、安装简单经济、控制精确可靠、通信结构简单、应用范围广泛等，为照控***的标准统一、联网控制的实现提供可能。
所述EMC滤波模块20包括电感LF1、电感LF2、并联的电容CX1和电容CX2以及并联的电容CX3和电容CX4，电容CX1和电容CX2并联后的一端分别与外部电源的一端以及电感LF1的一端连接，电容CX1和电容CX2并联后的另一端分别与外部电源的另一端以及电感LF1的一端连接，电感LF1的另一端与电容CX3和电容CX4并联，电容CX3和电容CX4与电感LF2的一端并联，电感LF2的另一端与防反接模块30连接。
所述防反接模块30包括MOS管Q4和二极管D5，MOS管Q4的栅极分别与EMC滤波模块20、二极管D5的阴极以及MOS管Q5的漏极连接，MOS管Q4的源极与EMC滤波模块20连接，MOS管Q4的的漏极与MOS管Q5的漏极连接。
所述一种LED升降压驱动电路还包括分别与MCU控制模块、升降压模块和负载连接的恒流模块。
所述一种LED升降压驱动电路还包括分别与负载和MCU控制模块连接的温度检测模块。
所述一种LED升降压驱动电路还包括分别与负载和MCU控制模块连接的空载检测模块。
当然，本实用新型并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出等同变形或替换，这些等同的变形和替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (8)

1.一种LED升降压驱动电路，其特征在于，包括：
升降压模块，分别与外部电源和负载电连接；
所述升降压模块包括芯片U10、MOS管Q5、MOS管Q6、电感L3、检测模块(10)、并联的二极管D7和二极管D8、并联的二极管D9和二极管D10以及并联的电容E4和电容E5，MOS管Q5的栅极与芯片U10连接，MOS管Q5的漏极与外部电源电连接，MOS管Q5的源极分别与芯片U10、电感L3的一端以及二极管D7和二极管D8并联后的一端连接，电感L3的另一端分别与二极管D9和二极管D10并联后的一端、MOS管Q6的漏极以及负载输出端连接，二极管D9和二极管D10并联后的一端与电容E4和电容E5并联后的一端连接，电容E4和电容E5并联后的另一端分别与二极管D7和二极管D8并联后的另一端、MOS管Q6的源极以及芯片U10连接，MOS管Q6的栅极与芯片U10连接，检测模块(10)分别与负载输出端和芯片U10的反馈端连接；芯片U10能够根据检测模块(10)反馈的电压来调节输出的频率，电压高于预设值时减小输出频率，电压低于预设值时增大输出频率。
2.根据权利要求1所述的一种LED升降压驱动电路，其特征在于：所述升降压模块还包括依次连接的EMC滤波模块(20)和防反接模块(30)，EMC滤波模块(20)与外部电源电连接，防反接模块(30)与MOS管Q5的漏极电连接。
3.根据权利要求1所述的一种LED升降压驱动电路，其特征在于：还包括MCU控制模块以及与所述MCU控制模块连接的输入检测模块、MCU供电模块和DALI模块连接，输入检测模块与外部电源电连接，MCU供电模块与升降压模块连接。
4.根据权利要求2所述的一种LED升降压驱动电路，其特征在于：所述EMC滤波模块(20)包括电感LF1、电感LF2、并联的电容CX1和电容CX2以及并联的电容CX3和电容CX4，电容CX1和电容CX2并联后的一端分别与外部电源的一端以及电感LF1的一端连接，电容CX1和电容CX2并联后的另一端分别与外部电源的另一端以及电感LF1的一端连接，电感LF1的另一端与电容CX3和电容CX4并联，电容CX3和电容CX4与电感LF2的一端并联，电感LF2的另一端与防反接模块(30)连接。
5.根据权利要求2所述的一种LED升降压驱动电路，其特征在于：所述防反接模块(30)包括MOS管Q4和二极管D5，MOS管Q4的栅极分别与EMC滤波模块(20)、二极管D5的阴极以及MOS管Q5的漏极连接，MOS管Q4的源极与EMC滤波模块(20)连接，MOS管Q4的漏极与MOS管Q5的漏极连接。
6.根据权利要求3所述的一种LED升降压驱动电路，其特征在于：还包括分别与MCU控制模块、升降压模块和负载连接的恒流模块。
7.根据权利要求3所述的一种LED升降压驱动电路，其特征在于：还包括分别与负载和MCU控制模块连接的温度检测模块。
8.根据权利要求3所述的一种LED升降压驱动电路，其特征在于：还包括分别与负载和MCU控制模块连接的空载检测模块。
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