CN211789411U - 一种非方向性耦合结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种非方向性耦合结构,其特征在于,包括主线和耦合附线,主线的两端分别连接第一端口和第二端口,耦合附线的两端分别连接第三端口和第四端口,第四端口为开路设计结构。现有技术中接功率负载的第四端口在本实用新型中使用开路设计,无需考虑功率负载的互调影响。利用微带线折叠可大幅减小耦合器外观尺寸。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种非方向性耦合结构,属于室内移动通信***领域。
背景技术
方向性耦合器是应用于无线通信领域,室内覆盖所常用的无源器件。其常用的是4.8dB(耦合能量1/3)、6dB(耦合能量1/4)、7dB、8dB、10dB、13dB、15dB、20dB、30dB。按照实际室内分布对信号功率分配的需求选择不同耦合值的耦合器,从而达到室内信号强度的优化效果。
第一种耦合器为一般常见的耦合器,其由主线(mainline)、耦合线(coupledline)、负载,以及腔体、接头组成。利用耦合线与主线的奇偶模耦合系数的变换实现相应的耦合量。
第二种耦合器(例如,专利公告号为US702688B2的专利)是由主线(mainline)、耦合线(coupled line),以及腔体、接头组成,无负载。此设计和第一种奇偶模耦合原理不同,为降低中频谐振,最大限度优化使用带宽,一般耦合线设计为对称形式。
如图3所示,第一种耦合器需要在第四端口34处集成功率负载,以达到正向和反向的方向性。但对于室分***中此方向性是不需要的,而且功率负载会由于输入功率的不稳定性造成烧毁,影响器件使用,器件互调指标也受此负载的较大影响。
如图4所示,第二种耦合器虽然没有使用功率负载,但是在通带内中频有谐振,是由耦合线的1/4波长所造成,故无法使用全部通带。而且此种设计在强耦合度的情况下(如4.8DB,6DB等)耦合波纹度太大,并且逐波偏高,通常只能达到VSWR<1.45。
另外耦合线的对称设计大大增加了设计的复杂度,难以小型化。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:如何避免功率负载对耦合器的不利影响以及如何使得耦合强弱不影响器件的驻波性能。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是提供了一种非方向性耦合结构,其特征在于,包括主线和耦合附线,主线的两端分别连接第一端口和第二端口,耦合附线的两端分别连接第三端口和第四端口,第四端口为开路设计结构。
优选地,所述的第一端口为信号输入端口;第二端口为主线输出端口;第三端口为第一端口的耦合端口;第四端口为第一端口的隔离端口。
优选地,所述的第四端口的信号为全反射。
优选地,所述的主线和耦合附线均为微带线;主线和耦合附线之间通过绝缘板隔开。
与现有技术相比,本实用新型的具体有益效果如下:
现有技术中接功率负载的第四端口在本实用新型中使用开路设计,无需考虑功率负载的互调影响。无论是强耦合设计还是弱耦合设计都不会影响器件的驻波性能。由于本实用新型的端口排布的优点,使其结构设计不需要局限于同轴管状,因此利用微带线折叠,中间介质材料填充设计(主线和耦合附线之间通过绝缘板隔开)可大幅减小耦合器外观尺寸。
附图说明
图1为一种非方向性耦合结构的示意图(微带线);
图2为一种非方向性耦合结构内部的布局示意图;
图3为第一种耦合器的示意图;
图4为第二种耦合器的示意图;
图5为一种非方向性耦合结构的原理图;
图6为4.8db的耦合曲线;
图7为4.8db的驻波曲线;
图8为4.8db的非方向性耦合器的示意图。
具体实施方式
为使本实用新型更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。
本实用新型为一种非方向性耦合结构,利用微带线双层耦合设计的曲线,以最强耦合4.8dB为例,相对耦合带宽达到10:1。如图1、图2、图5所示,其由两段耦合线构成,分别为主线1和耦合附线2,由于产品带宽指标的要求,仍然使用耦合器奇耦模原理,使用多节1/4波长设计(结数根据带宽要求定制),使在物理设计可实现的情况下做出超宽带耦合器。
主线1的两端分别连接第一端口31和第二端口32,耦合附线2的两端分别连接第三端口33和第四端口34,第四端口34为开路设计结构;第一端口31为信号输入端口;第二端口32为主线输出端口;第三端口33为第一端口31的耦合端口;第四端口34为第一端口31的隔离端口。第四端口34的信号为全反射。
主线1和耦合附线2均为微带线,分别处于物理下层和上层;主线1和耦合附线2之间通过绝缘板4隔开。
如图6、图7所示,本实用新型中的第四端口34的信号为全反射,由于第一端口31与第四端口34互为隔离端口,理想情况下耦合度为无穷大,实际为20dB左右。也就是说,即使隔离端口为信号全反射,但是信号反射到信号输入端口的能量已经衰减了40dB左右。无论是强耦合设计还是弱耦合设计都不会影响器件的驻波性能。
如图8所示,将本实用新型的一种非方向性耦合结构应用至腔体内,即可得到非方向性耦合器。
Claims (4)
1.一种非方向性耦合结构,其特征在于,包括主线(1)和耦合附线(2),主线(1)的两端分别连接第一端口(31)和第二端口(32),耦合附线(2)的两端分别连接第三端口(33)和第四端口(34),第四端口(34)为开路设计结构。
2.如权利要求1所述的一种非方向性耦合结构,其特征在于,所述的第一端口(31)为信号输入端口;第二端口(32)为主线输出端口;第三端口(33)为第一端口(31)的耦合端口;第四端口(34)为第一端口(31)的隔离端口。
3.如权利要求1所述的一种非方向性耦合结构,其特征在于,所述的第四端口(34)的信号为全反射。
4.如权利要求1所述的一种非方向性耦合结构,其特征在于,所述的主线(1)和耦合附线(2)均为微带线;主线(1)和耦合附线(2)之间通过绝缘板(4)隔开。
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CN202020563238.6U CN211789411U (zh) | 2020-04-16 | 2020-04-16 | 一种非方向性耦合结构 |
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Publications (1)
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CN211789411U true CN211789411U (zh) | 2020-10-27 |
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Family Applications (1)
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CN202020563238.6U Active CN211789411U (zh) | 2020-04-16 | 2020-04-16 | 一种非方向性耦合结构 |
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2020
- 2020-04-16 CN CN202020563238.6U patent/CN211789411U/zh active Active
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