CN211555646U - 谐振变压器 - Google Patents

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CN211555646U
CN211555646U CN202020183449.7U CN202020183449U CN211555646U CN 211555646 U CN211555646 U CN 211555646U CN 202020183449 U CN202020183449 U CN 202020183449U CN 211555646 U CN211555646 U CN 211555646U
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CN
China
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magnetic
resonant transformer
primary winding
secondary winding
bobbin
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童槐培
徐铭鸿
杨竣宇
邱鸿琦
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Delta Electronics Inc
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Delta Electronics Inc
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Abstract

一种谐振变压器,包含磁芯组、初级绕组、次级绕组及至少一磁性件。磁芯组包含磁柱。初级绕组环绕该磁柱设置。次级绕组环绕初级绕组设置。至少一磁性件设置于初级绕组与次级绕组之间,以提高初级绕组与次级绕组之间的漏感。

Description

谐振变压器
技术领域
本案关于一种变压器,尤指一种谐振变压器。
背景技术
变压器为各式电器设备中经常使用的磁性组件,其利用电能、磁能转换感应的原理,来调整不同的电压,使其达到电器设备能够适用的范围。于液晶电视等电子产品的电源供应***中,变压器则以具漏电感型的变压器为主,例如:谐振变压器(LLC transformer),俾减小开关的损耗并降低噪声。
一般而言,现有的谐振变压器架构下,通过于主变压器外增设一谐振电感的方式,借此达到电路上主感与漏感的需求。然而,主变压器所外挂的谐振电感使其整体结构体积较大,且外挂的谐振电感势必会占据主变压器部分板件结构,不但降低其功率密度,也导致组件组装过程较为复杂。
于另一现有的谐振变压器架构中,通过将主变压器的初级绕组与次级绕组以分槽隔开的方式,借此达到电路上主感与漏感的需求。然而,此分槽隔开的设置方式将导致变压器整体结构体积增加,无法达到缩小体积的需求,难以符合微型化的发展趋势。受限于现有的谐振变压器过大的体积,其功率密度也难以提升。
有鉴于此,实有必要发展一种改良的谐振变压器,以解决现有技术所面临的问题。
实用新型内容
本案的主要目的在于提供一种谐振变压器,以解决现有谐振变压器体积过大、功率密度低及组件组装过程复杂等缺失。
本案的另一主要目的在于提供一种谐振变压器,通过磁性件设置于次级绕组与初级绕组之间,可在无须额外增设谐振电感组件的情况下,达到提升电源功率密度及体积微型化等功效。
本案的另一主要目的在于提供一种谐振变压器,通过磁性件与磁芯组一体成型,可提高组件组装的便利性。又,本案之谐振变压器更通过绕线架的设置,可供次级绕组缠绕设置于其中,使整体结构更为稳定,以有效提高电源功率密度。此外,借由磁性件设置于绕线架内,可进一步提高组件组装的便利性。
为达上述目的,本案之一较广义实施样态为提供一种谐振变压器,包含磁芯组、初级绕组、次级绕组及至少一磁性件。磁芯组包含磁柱。初级绕组环绕磁柱设置。次级绕组环绕初级绕组设置。至少一磁性件设置于初级绕组与次级绕组之间,以提高初级绕组与次级绕组之间的漏感。
于一实施例中,其中该磁性件为一磁盘,且该磁盘为一可拆卸式磁盘或一软磁盘。
于一实施例中,其中该磁芯组包含一第一磁芯及一第二磁芯,该第一磁芯包含一第一中柱,该第二磁芯包含一第二中柱,且该第一中柱与该第二中柱组接形成该磁柱。
于一实施例中,其中该磁性件包含至少二个磁壁,至少一个该磁壁与该第一磁芯为一体成型,且至少一个该磁壁与该第二磁芯为一体成型。
于一实施例中,其中该磁性件具有至少一缺口。
于一实施例中,更包含一绕线架,该绕线架包含一环状壁。
于一实施例中,其中该磁性件设置于该绕线架的该环状壁与该初级绕组之间。
于一实施例中,其中该磁性件设置于该绕线架的该环状壁与该次级绕组之间。
于一实施例中,其中该磁性件设置于该绕线架的该环状壁内。
于一实施例中,其中该绕线架与该磁性件一体成型。
于一实施例中,其中该初级绕组及该次级绕组各自以一空心线圈、一扁平线、一铜箔或一三层绝缘线中的至少其中之一导电导体制造而成。
附图说明
图1A为本案一实施例的谐振变压器的结构示意图。
图1B为图1A所示的谐振变压器的分解结构示意图。
图1C为本案一实施例的谐振变压器的截面示意图。
图2A为本案一实施例的谐振变压器的分解结构示意图。
图2B为本案一实施例的谐振变压器的截面示意图。
图3A为本案一实施例的谐振变压器的结构示意图。
图3B为图3A所示的谐振变压器的分解结构示意图。
图3C为本案一实施例的谐振变压器的截面示意图。
图4为本案一实施例的谐振变压器的截面示意图。
图5为本案一实施例的谐振变压器的截面示意图。
其中附图标记:
1、1a、1b、1c、1d:谐振变压器
2:磁芯组
20:磁柱
21:第一磁芯
210:第一侧柱
211:第一中柱
22:第二磁芯
220:第二侧柱
221:第二中柱
23:第一气隙
24:第二气隙
3:初级绕组
4:次级绕组
5、6:磁性件
51:第一磁盘
52:第二磁盘
53:缺口
61:第一磁壁
62:第二磁壁
63:第三磁壁
64:第四磁壁
7:绕线架
71:环状壁
72:中空部
73:接脚
74:第一挡板
75:第二挡板
具体实施方式
体现本案特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本案能够在不同的态样上具有各种的变化,其皆不脱离本案的范围,且其中的说明及图示在本质上当作说明之用,而非架构于限制本案。
请参阅本案图1A至图1C,其中图1A为本案一实施例的谐振变压器的结构示意图,图1B为图1A所示的谐振变压器的分解结构示意图,图1C为本案一实施例的谐振变压器的截面示意图。本案一实施例的谐振变压器1包含磁芯组2、初级绕组3、次级绕组4及至少一磁性件5。磁芯组2包含磁柱20。初级绕组3环绕磁柱20设置。次级绕组4环绕初级绕组3设置。至少一磁性件5 设置于初级绕组3与次级绕组4之间,以提高初级绕组3与次级绕组4之间的漏感。如此一来,本实施例的谐振变压器1无须额外增设谐振电感组件,使其整体电源功率密度提高,不但达到所需强度的漏感,更达到体积微型化的功效。
于本案一实施例中,磁芯组2可为但不限为一EE型磁芯组,其具有相互对称设置的第一磁芯21与第二磁芯22。第一磁芯21包含两个第一侧柱210及一个第一中柱211。两个第一侧柱210分别位于第一磁芯21的一侧表面的两端,第一中柱211位于两个第一侧柱210之间。第二磁芯22包含两个第二侧柱220 及一个第二中柱221。两个第二侧柱220分别位于第二磁芯22的一侧表面的两端,第二中柱221位于两个第二侧柱220之间。第一磁芯21与第二磁芯22相互接合,使两个第一侧柱210分别与两个第二侧柱220对应组接,且两个第一气隙23分别形成于两个第一侧柱210及两个第二侧柱220之间;以及第一中柱 211与第二中柱221对应组接形成磁柱20,且第二气隙24形成于第一中柱211 及第二中柱221之间。此实施例通过研磨第一中柱211与第二中柱221的方式,使第一中柱211与第二中柱221分别低于外侧两个第一侧柱210及第二侧柱220 的接触面,使第一气隙23及第二气隙24达到需求的宽度,借此达到所需强度的主感与漏感。第一侧柱210及第一中柱211与第二侧柱220及第二中柱221 可为但不限为以胶合方式连接。本案磁芯组2的结构不以上述实施态样为限,其亦可为但不限为一EI型磁芯组,并可依据实际需求任施变化。
于此实施例中,初级绕组3环绕设置于磁芯组2的磁柱20,次级绕组4环绕设置于初级绕组3的外侧,磁性件5设置于初级绕组3与次级绕组4之间,使初级绕组3与次级绕组4之间的磁耦合减少,借此达到所需强度的漏感。初级绕组3及次级绕组4各自以一空心线圈、一扁平线、一铜箔或一三层绝缘线等至少其中之一导电导体制造而成,但不以此为限。本实施例的初级绕组3于图1B中以空心线圈示出,且次级绕组4于图1B中以三层绝缘线示出,但不以此为限。
于一些实施例中,磁性件5可为但不限为一片或一片以上的磁盘,其中磁盘可为软磁盘或可拆式磁盘,且可拆式磁盘可拆卸地设置于初级绕组3与次级绕组4之间。此外,磁盘的导磁系数(μ值)可依据需求调整,使初级绕组3与次级绕组4之间的磁耦合调整至需求强度,借此达到所需强度的漏感。
请再参阅图1B。如图1B所示,磁性件5包含第一磁盘51及第二磁盘52。当第一磁盘51与第二磁盘52设置于初级绕组3与次级绕组4之间时,第一磁盘51与第二磁盘52不相互接触,并形成两个缺口53,以供初级绕组3出线。于另一些实施例中,磁性件5的缺口53的数量不限于图1B所示的两个,而可为一个或三个以上,其可依据实际需求任施变化。
请参阅本案图2A至图2B,其中图2A为本案一实施例的谐振变压器的分解结构示意图,图2B为本案一实施例之谐振变压器的截面示意图。本案一实施例的谐振变压器1a与图1A至图1C所示的谐振变压器1的结构相似,其中相同的组件符号代表相同的组件及功能,故于此不再赘述。于此实施例中,谐振变压器1a的磁性件6与磁芯组2一体成型,且磁性件6设置于初级绕组3 与次级绕组4之间,以提高初级绕组3与次级绕组4之间的漏感。
于此实施例中,磁芯组2亦以一EE型磁芯组为例进行说明,其结构亦与前述实施例相似,且相同符号代表相同组件及功能。于此实施例中,磁性件6 包含第一磁壁61、第二磁壁62、第三磁壁63及第四磁壁64。第一磁壁61及第二磁壁62与第一磁芯21为一体成型。第一磁壁61及第二磁壁62突出于第一磁芯21的一侧表面,且环绕第一中柱211设置。第一磁壁61及第二磁壁62 的两端均不相互接触。第三磁壁63及第四磁壁64与第二磁芯22为一体成型。第三磁壁63及第四磁壁64突出于第二磁芯22的一侧表面,且环绕第二中柱 221设置。第三磁壁63及第四磁壁64的两端均不相互接触。
如图2B所示,当第一磁芯21与第二磁芯22相互接合时,两个第一侧柱 210分别与两个第二侧柱220对应组接,第一中柱211与第二中柱221对应组接形成磁柱20。第一磁壁61及第二磁壁62分别与第三磁壁63及第四磁壁64 相互组接形成磁性件6。第一磁芯21与第二磁芯22相互接合后,第一磁壁61 及第三磁壁63的两端分别与第二磁壁62及第四磁壁64的两端均不相互接触,形成两个缺口(未图示)。如此一来,初级绕组3可通过两个缺口出线,但不以此为限,缺口的数量及设置方式可依据实际情形任施变化。通过磁性件6的第一磁壁61、第二磁壁62与第一磁芯21一体成型,以及第三磁壁63及第四磁壁64与第二磁芯22一体成型,不但达到所需强度的漏感,也提高组件组装的便利性。
请参阅本案图3A至图3C,其中图3A为本案一实施例的谐振变压器的结构示意图,图3B为图3A所示的谐振变压器的分解结构示意图,图3C为本案一实施例的谐振变压器的截面示意图。此实施例的谐振变压器1b与图1A至图 1C所示的谐振变压器1的结构相似,其中相同的组件符号代表相同的组件及功能,故于此不再赘述。于此实施例中,谐振变压器1b更包含绕线架7。绕线架 7包含一环状壁71、中空部72、多个接脚73、第一挡板74及第二挡板75。第一挡板74及第二挡板75分别设置于环状壁71的两端部。中空部72被定义于环状壁71所环绕的中空区域,且中空部72贯穿第一挡板74及第二挡板75。多个接脚73设置于第二挡板75的一侧。次级绕组4环绕于绕线架7的环状壁 71设置。磁性件5设置于中空部72,并且设置于绕线架7的环状壁71与初级绕组3之间,借此达到所需强度的漏感。通过绕线架7的设置,可供次级绕组 4缠绕设置于其中,使谐振变压器1b的整体结构更为稳定,进而提高电源功率密度。
请参阅本案图4,其中图4为本案一实施例的谐振变压器的截面示意图。此实施例的谐振变压器1c与图3C所示的谐振变压器1b的结构相似,其中相同的组件符号代表相同的组件及功能,故于此不再赘述。于此实施例中,谐振变压器1c的磁性件5环绕于绕线架7的环状壁71设置,并且设置于绕线架7 的环状壁71与次级绕组4之间,借此提升初级绕组3与次级绕组4之间的漏感。
请参阅本案图5,其中图5为本案一实施例的谐振变压器的截面示意图。此实施例的谐振变压器1d与图3C所示的谐振变压器1b的结构相似,其中相同的组件符号代表相同的组件及功能,故于此不再赘述。于此实施例中,谐振变压器1d的磁性件5设置于绕线架7的环状壁71内,且磁性件5完全被环状壁71所包覆。初级绕组3设置于中空部72,次级绕组4环绕环状壁71设置,使磁性件5设置于初级绕组3与次级绕组4之间,借此提升初级绕组3与次级绕组4之间的漏感,同时降低组件组装的复杂度,提高组件组装的便利性。于一些实施例中,磁性件5与绕线架7一体成型。又于一些实施例中,磁性件5 以射出成型的方式,一体成型于绕线架7的环状壁71内,但不以此为限。
综上所述,本案揭示一种谐振变压器,通过磁性件设置于次级绕组与初级绕组之间,无须额外增设谐振电感组件,达到提升电源功率密度及体积微型化等功效。此外,本案更通过磁性件与磁芯组一体成型,以提高组件组装的便利性。又,本案通过绕线架的设置,可供次级绕组缠绕设置于其中,使整体结构更为稳定,以提高电源功率密度。以及,本案通过磁性件设置于绕线架内,以提高组件组装的便利性。
本案得由熟知此技术的人士任施匠思而为诸般修饰,然皆不脱如附申请专利范围所欲保护者。

Claims (11)

1.一种谐振变压器,其特征在于,包含:
一磁芯组,包含一磁柱;
一初级绕组,环绕该磁柱设置;
一次级绕组,环绕该初级绕组设置;以及
至少一磁性件,设置于该初级绕组与该次级绕组之间,以提高该初级绕组与该次级绕组之间的漏感。
2.如权利要求1所述的谐振变压器,其特征在于,该磁性件为一磁盘,且该磁盘为一可拆卸式磁盘或一软磁盘。
3.如权利要求1所述的谐振变压器,其特征在于,该磁芯组包含一第一磁芯及一第二磁芯,该第一磁芯包含一第一中柱,该第二磁芯包含一第二中柱,且该第一中柱与该第二中柱组接形成该磁柱。
4.如权利要求3所述的谐振变压器,其特征在于,该磁性件包含至少二个磁壁,至少一个该磁壁与该第一磁芯为一体成型,且至少一个该磁壁与该第二磁芯为一体成型。
5.如权利要求1所述的谐振变压器,其特征在于,该磁性件具有至少一缺口。
6.如权利要求1所述的谐振变压器,其特征在于,更包含一绕线架,该绕线架包含一环状壁。
7.如权利要求6所述的谐振变压器,其特征在于,该磁性件设置于该绕线架的该环状壁与该初级绕组之间。
8.如权利要求6所述的谐振变压器,其特征在于,该磁性件设置于该绕线架的该环状壁与该次级绕组之间。
9.如权利要求6所述的谐振变压器,其特征在于,该磁性件设置于该绕线架的该环状壁内。
10.如权利要求9所述的谐振变压器,其特征在于,该绕线架与该磁性件一体成型。
11.如权利要求1所述的谐振变压器,其特征在于,该初级绕组及该次级绕组各自以一空心线圈、一扁平线、一铜箔或一三层绝缘线中的至少其中之一导电导体制造而成。
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