CN211529969U - 一种新型红外发射管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及红外发射管的技术领域，特别涉及一种新型红外发射管。它包括塑封外壳、红外发射晶片、第一金属支架以及第二金属支架，第一金属支架的内端和第二金属支架的内端伸入塑封外壳内，所述红外发射晶片通过金线与第二金属支架的内端电连接，所述第一金属支架的内端的长度c的二分之一＜聚光凹槽的直径a＜第一金属支架的内端c的长度的四分之三，所述第一金属支架的内端高度d的四分之一＜聚光凹槽的深度b＜第一金属支架的内端高度d的二分之一。本实用新型通过减少第一金属支架上的聚光凹槽的宽度和增加聚光凹槽的深度，从而有效地降低了红外发射晶片的发光角度和增强红外发射晶片的发光强度，进而提高了传输距离。
Description
技术领域
本实用新型涉及红外发射管的技术领域，特别涉及一种新型红外发射管。
背景技术
随着家电市场的高速发展，家电的行业中通用的遥控方式就是利用红外遥控，红外发射管的性能在此显得尤为重要。如何设计一款高传输距离、发光强度强的红外发射管，是当前研发的一大趋势。现有的红外发射管的结构如图1所示，但是，现有的红外发射管的红外发射晶片的发光角度过大，发光强度弱。因此现有的红外发射管的结构需要作进一步改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种通过减少第一金属支架上的聚光凹槽的宽度和增加聚光凹槽的深度，从而有效地降低了红外发射晶片的发光角度，增强发光强度，进而提高传输距离的新型红外发射管。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种新型红外发射管，包括塑封外壳、红外发射晶片、第一金属支架以及第二金属支架，第一金属支架的内端和第二金属支架的内端伸入塑封外壳内，第一金属支架的内端上设有聚光凹槽，所述红外发射晶片设于聚光凹槽内，所述红外发射晶片通过金线与第二金属支架的内端电连接，所述第一金属支架的内端的长度c的二分之一＜聚光凹槽的宽度a＜第一金属支架的内端的长度c的四分之三，所述第一金属支架的内端的高度d的四分之一＜聚光凹槽的深度b＜第一金属支架的内端的高度d的二分之一。本实用新型通过减少第一金属支架上的聚光凹槽的宽度和增加聚光凹槽的深度，从而有效地降低了红外发射晶片的发光角度和增强红外发射晶片的发光强度，进而提高了传输距离。
本实用新型还可以作以下进一步改进。
所述聚光凹槽呈碗状。
所述聚光凹槽的深度b的范围为660um-860um，所述聚光凹槽的宽度a的范围为1780um -1980um。所述聚光凹槽的深度b优选为760um，所述聚光凹槽的宽度a优为1880um。
所述红外发射晶片设于聚光凹槽的中心位置。
本实用新型的有益效果如下：
（一）本实用新型通过减少第一金属支架上的聚光凹槽的宽度和增加聚光凹槽的深度，红外发射晶片安装在聚光凹槽内，从而有效地降低了红外发射晶片的发光角度和增强红外发射晶片的发光强度，进而提高了传输距离。本实用新型解决了红外发射管传输距离不足的缺点，适合应用于长距离红外遥控领域。
附图说明
图1是现有的红外发射管的结构示意图。
图2本实用新型新型红外发射管的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述。
实施例一，如图2示，一种新型红外发射管，包括塑封外壳1、红外发射晶片2、第一金属支架3以及第二金属支架4，第一金属支架3的内端和第二金属支架4的内端伸入塑封外壳1内，第一金属支架3的内端上设有聚光凹槽5，所述红外发射晶片2设于聚光凹槽5内，所述红外发射晶片2通过金属线6第二金属支架4的内端电连接，所述第一金属支架3的内端的长度c的二分之一＜聚光凹槽5的宽度a＜第一金属支架3的内端的长度c的四分之三，所述第一金属支架3的内端的高度d的四分之一＜聚光凹槽5的深度b＜第一金属支架的内端的高度d的二分之一。
作为本实用新型更具体的技术方案。
所述聚光凹槽5呈碗状。
所述聚光凹槽的深度b的范围为660um-860um，所述聚光凹槽的宽度a的范围为1780um -1980um,所述聚光凹槽的深度b优选为760um，聚光凹槽的宽度a优选为1880um。
所述红外发射晶片2于聚光凹槽5中心位置。
Claims (5)
1.一种新型红外发射管，包括塑封外壳、红外发射晶片、第一金属支架以及第二金属支架，第一金属支架的内端和第二金属支架的内端伸入塑封外壳内，第一金属支架的内端上设有聚光凹槽，所述红外发射晶片设于聚光凹槽内，所述红外发射晶片通过金线与第二金属支架的内端电连接，其特征是，所述第一金属支架的内端的长度c的二分之一＜聚光凹槽的宽度a＜第一金属支架的内端的长度c的四分之三，所述第一金属支架的内端的高度d的四分之一＜聚光凹槽的深度b＜第一金属支架的内端的高度d的二分之一。
2.根据权利要求1所述新型红外发射管，其特征是，所述聚光凹槽呈碗状。
3.根据权利要求2所述新型红外发射管，其特征是，所述聚光凹槽的深度b的范围为660um-860um，所述聚光凹槽的宽度a的范围为1780um -1980um。
4.根据权利要求3所述新型红外发射管，其特征是，所述聚光凹槽的宽度a为1880um，所述聚光凹槽的深度b为760um。
5.根据权利要求4所述新型红外发射管，其特征是，所述红外发射晶片设于聚光凹槽的中心位置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020403267.6U CN211529969U (zh) | 2020-03-25 | 2020-03-25 | 一种新型红外发射管 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202020403267.6U CN211529969U (zh) | 2020-03-25 | 2020-03-25 | 一种新型红外发射管 |
Publications (1)
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| CN211529969U true CN211529969U (zh) | 2020-09-18 |
Family
ID=72460418
Family Applications (1)
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| CN202020403267.6U Active CN211529969U (zh) | 2020-03-25 | 2020-03-25 | 一种新型红外发射管 |
Country Status (1)
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2020
- 2020-03-25 CN CN202020403267.6U patent/CN211529969U/zh active Active
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