CN211455943U - 天馈一体式天线、天线阵以及应用该天线阵雷达 - Google Patents

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CN211455943U CN201921861760.6U CN201921861760U CN211455943U CN 211455943 U CN211455943 U CN 211455943U CN 201921861760 U CN201921861760 U CN 201921861760U CN 211455943 U CN211455943 U CN 211455943U
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李旭阳
何月
王俊涛
于璇
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Abstract

本实用新型提供一种天馈一体式天线、天线阵以及应用该天线阵的雷达，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向。本实用新型可以得到较高的增益和波瓣宽度，但是该天线暂时无法实现底副瓣的需求，天线使用弧形转角设计降低反射。

Description

天馈一体式天线、天线阵以及应用该天线阵雷达
技术领域
本发明涉及汽车电子技术领域，特别是涉及一种天馈一体式天线、天线阵以及应用该天线阵的雷达。
背景技术
微带天线(microstrip antenna)在一个薄介质基片上，一面附上金属薄层作为接地板，另一面用光刻腐蚀方法制成一定形状的金属贴片，即微带贴片，利用微带线或同轴探针对贴片馈电构成的天线。微带天线分两种：第一贴片形状是一细长带条，则为微带振子天线。第二贴片是一个面积单元时，则为微带天线。如果把接地板刻出缝隙，而在介质基片的另一面印制出微带线时，缝隙馈电，则构成微带缝隙天线。
微带天线有着体积小、重量轻、制造工艺简单、容易实现共形等优点，而被广泛地应用。微带天线可等效为一个谐振腔，在其谐振频率附近即工作频段内有较高的值。虽然目前对于微带天线的研究和应用已经很成熟，然而对于微带天线电磁散射特性的分析研究还有许多值得研究的问题。
发明内容
为了解决上述的以及其他潜在的技术问题，本发明提供了一种天馈一体式天线、天线阵以及应用该天线阵的雷达，天馈一体式天线可以得到较高的增益和波瓣宽度，但是该天线暂时无法实现底副瓣的需求，天线使用弧形转角设计降低反射。
天馈一体式天线，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；
所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向；
相邻辐射单元子单元组之间的等效间隔设为XD，其中等效间隔XD设置为相邻辐射单元子单元组的等效中心沿辐射单元延伸方向投影的间距，则等效间隔公式如下：
Figure BDA0002254156810000011
其中λ0为波长，εγ为介电常数，其中等效间隔为辐射单元子单元。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括左倾斜辐射子单元、右倾斜辐射子单元，所述左倾斜辐射子单元与右倾斜辐射子单元连接，所述左倾斜辐射子单元的向左倾斜角度与所述右倾斜子单元的向右倾斜角度相等。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括S型辐射子单元，所述S型辐射子单元收尾相连构成辐射单元。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度取值范围
Figure BDA0002254156810000021
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000022
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000023
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极大值。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000024
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000025
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极小值。
进一步地，所述辐射单元的宽度和辐射单元的阻抗满足以下关系：
Figure BDA0002254156810000026
0.1<(W/H)<2.0 (2)
1<(εr)<15 (3)
其中W为辐射单元的宽度，T为辐射单元的厚度，H为基板板材的厚度，εr是PCB板材质的介电常数。
进一步地，所述相邻辐射单元之间的间距初始值以相邻两个辐射单元以下要素微调：
A两侧的平衡天线数量；B电流相位；C辐射单元的宽度；D辐射单元的材料类型和材料厚度；E辐射单元接地的金属厚度。
一种天线阵，包括一个或多个宽波束天线，
天馈一体式天线，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；
所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向；
相邻辐射单元子单元组之间的等效间隔设为XD，其中等效间隔XD设置为相邻辐射单元子单元组的等效中心沿辐射单元延伸方向投影的间距，则等效间隔公式如下：
Figure BDA0002254156810000031
其中λ0为波长，εγ为介电常数，其中等效间隔为辐射单元子单元。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括左倾斜辐射子单元、右倾斜辐射子单元，所述左倾斜辐射子单元与右倾斜辐射子单元连接，所述左倾斜辐射子单元的向左倾斜角度与所述右倾斜子单元的向右倾斜角度相等。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括S型辐射子单元，所述S型辐射子单元收尾相连构成辐射单元。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度取值范围
Figure BDA0002254156810000032
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000033
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000034
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极大值。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000035
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000036
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极小值。
进一步地，所述辐射单元的宽度和辐射单元的阻抗满足以下关系：
Figure BDA0002254156810000037
0.1<(W/H)<2.0 (2)
1<(εγ)<15 (3)
其中W为辐射单元的宽度，T为辐射单元的厚度，H为基板板材的厚度，εγ是PCB板材质的介电常数。
进一步地，所述相邻辐射单元之间的间距初始值以相邻两个辐射单元以下要素微调：
A两侧的平衡天线数量；B电流相位；C辐射单元的宽度；D辐射单元的材料类型和材料厚度；E辐射单元接地的金属厚度。
一种应用该天线阵的雷达，包括一个或多个天线阵、雷达芯片、接线端，所述宽波束天线阵与雷达芯片电连接，所述雷达芯片与接线端电连接；
天线阵包括多个天线，相邻天线之间相互耦合，每个天线包括辐射单元和馈线，所述辐射单元的辐射单元本体通过馈线连接部连接至馈线；
天馈一体式天线，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；
所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向；
相邻辐射单元子单元组之间的等效间隔设为XD，其中等效间隔XD设置为相邻辐射单元子单元组的等效中心沿辐射单元延伸方向投影的间距，则等效间隔公式如下：
Figure BDA0002254156810000041
其中λ0为波长，εγ为介电常数，其中等效间隔为辐射单元子单元。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括左倾斜辐射子单元、右倾斜辐射子单元，所述左倾斜辐射子单元与右倾斜辐射子单元连接，所述左倾斜辐射子单元的向左倾斜角度与所述右倾斜子单元的向右倾斜角度相等。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括S型辐射子单元，所述S型辐射子单元收尾相连构成辐射单元。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度取值范围
Figure BDA0002254156810000042
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000043
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000044
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极大值。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000045
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000051
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极小值。
进一步地，所述辐射单元的宽度和辐射单元的阻抗满足以下关系：
Figure BDA0002254156810000052
0.1<(W/H)<2.0 (2)
1<(εr)<15 (3)
其中W为辐射单元的宽度，T为辐射单元的厚度，H为基板板材的厚度，εr是PCB板材质的介电常数。
进一步地，所述相邻辐射单元之间的间距初始值以相邻两个辐射单元以下要素微调：
A两侧的平衡天线数量；B电流相位；C辐射单元的宽度；D辐射单元的材料类型和材料厚度；E辐射单元接地的金属厚度。
进一步地，所述辐射单元之间的间距配置为末端相邻辐射单元的间距值小于中间相邻辐射单元的间距值。
如上所述，本发明的具有以下有益效果：
1)天馈一体式天线可以得到较高的增益和波瓣宽度，但是该天线暂时无法实现底副瓣的需求，天线使用弧形转角设计降低反射。
2)一实施例为半波长组阵后的效果，增益保持14dBi左右，波瓣宽度一般；另一实施例四分之一波长合成，波瓣宽度变宽，同等情况下在75度时增益提高3dB左右，但是顶点增益会下降2dB左右。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1显示为本发明一实施例的示意图。
图2显示为本发明一实施例的示意图。
图3显示为本发明一实施例的示意图。
图4显示为本发明天馈一体式天线阵一实施例的示意图。
图5显示为本发明天馈一体式天线阵一实施例的示意图。
图6显示为本发明天馈一体式天线阵一实施例的示意图。
图7显示为1/2波长为单位长度的天馈一体式天线示意图。
图8显示为1/2波长为单位长度的天馈一体式天线水平/垂直幅度方向图。
图9显示为1/4波长为单位长度的天馈一体式天线示意图。
图10显示为1/4波长为单位长度的天馈一体式天线水平/垂直幅度方向图。
在图中：
1-辐射单元；2-馈线；3-反射末端匹配枝节。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
参见图1～图10，
天馈一体式天线，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；
所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向；
相邻辐射单元子单元组之间的等效间隔设为XD，其中等效间隔XD设置为相邻辐射单元子单元组的等效中心沿辐射单元延伸方向投影的间距，则等效间隔公式如下：
Figure BDA0002254156810000071
其中λ0为波长，εγ为介电常数，其中等效间隔为辐射单元子单元。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括左倾斜辐射子单元、右倾斜辐射子单元，所述左倾斜辐射子单元与右倾斜辐射子单元连接，所述左倾斜辐射子单元的向左倾斜角度与所述右倾斜子单元的向右倾斜角度相等。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括S型辐射子单元，所述S型辐射子单元收尾相连构成辐射单元。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度取值范围
Figure BDA0002254156810000072
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000073
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000074
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极大值。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000075
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000076
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极小值。
进一步地，所述辐射单元的宽度和辐射单元的阻抗满足以下关系：
Figure BDA0002254156810000077
0.1<(W/H)<2.0 (2)
1<(εr)<15 (3)
其中W为辐射单元的宽度，T为辐射单元的厚度，H为基板板材的厚度，εr是PCB板材质的介电常数。
进一步地，所述相邻辐射单元之间的间距初始值以相邻两个辐射单元以下要素微调：
A两侧的平衡天线数量；B电流相位；C辐射单元的宽度；D辐射单元的材料类型和材料厚度；E辐射单元接地的金属厚度。
一种天线阵，包括一个或多个宽波束天线，
天馈一体式天线，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；
所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向；
相邻辐射单元子单元组之间的等效间隔设为XD，其中等效间隔XD设置为相邻辐射单元子单元组的等效中心沿辐射单元延伸方向投影的间距，则等效间隔公式如下：
Figure BDA0002254156810000081
其中λ0为波长，εγ为介电常数，其中等效间隔为辐射单元子单元。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括左倾斜辐射子单元、右倾斜辐射子单元，所述左倾斜辐射子单元与右倾斜辐射子单元连接，所述左倾斜辐射子单元的向左倾斜角度与所述右倾斜子单元的向右倾斜角度相等。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括S型辐射子单元，所述S型辐射子单元收尾相连构成辐射单元。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度取值范围
Figure BDA0002254156810000082
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000083
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000084
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极大值。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000085
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000086
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极小值。
进一步地，所述辐射单元的宽度和辐射单元的阻抗满足以下关系：
Figure BDA0002254156810000087
0.1<(W/H)<2.0 (2)
1<(εr)<15 (3)
其中W为辐射单元的宽度，T为辐射单元的厚度，H为基板板材的厚度，εr是PCB板材质的介电常数。
进一步地，所述相邻辐射单元之间的间距初始值以相邻两个辐射单元以下要素微调：
A两侧的平衡天线数量；B电流相位；C辐射单元的宽度；D辐射单元的材料类型和材料厚度；E辐射单元接地的金属厚度。
一种应用该天线阵的雷达，包括一个或多个天线阵、雷达芯片、接线端，所述宽波束天线阵与雷达芯片电连接，所述雷达芯片与接线端电连接；
天线阵包括多个天线，相邻天线之间相互耦合，每个天线包括辐射单元和馈线，所述辐射单元的辐射单元本体通过馈线连接部连接至馈线；
天馈一体式天线，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；
所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向；
相邻辐射单元子单元组之间的等效间隔设为XD，其中等效间隔XD设置为相邻辐射单元子单元组的等效中心沿辐射单元延伸方向投影的间距，则等效间隔公式如下：
Figure BDA0002254156810000091
其中λ0为波长，εγ为介电常数，其中等效间隔为辐射单元子单元。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括左倾斜辐射子单元、右倾斜辐射子单元，所述左倾斜辐射子单元与右倾斜辐射子单元连接，所述左倾斜辐射子单元的向左倾斜角度与所述右倾斜子单元的向右倾斜角度相等。
进一步地，所述辐射单元子单元组包括S型辐射子单元，所述S型辐射子单元收尾相连构成辐射单元。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度取值范围
Figure BDA0002254156810000092
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000093
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000101
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极大值。
进一步地，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度均取值为
Figure BDA0002254156810000102
当最小构造单元长度均取值
Figure BDA0002254156810000103
时，天线的波束宽度达到无栅瓣的极小值。
进一步地，所述辐射单元的宽度和辐射单元的阻抗满足以下关系：
Figure BDA0002254156810000104
0.1<(W/H)<2.0 (2)
1<(εr)<15 (3)
其中W为辐射单元的宽度，T为辐射单元的厚度，H为基板板材的厚度，εr是PCB板材质的介电常数。
进一步地，所述相邻辐射单元之间的间距初始值以相邻两个辐射单元以下要素微调：
A两侧的平衡天线数量；B电流相位；C辐射单元的宽度；D辐射单元的材料类型和材料厚度；E辐射单元接地的金属厚度。
进一步地，所述辐射单元之间的间距配置为末端相邻辐射单元的间距值小于中间相邻辐射单元的间距值。
此外，虽然本文已经描述了说明性实施例，但是具有等效元件，修改，省略，组合(例如，跨各种实施例的方面)，改编和/或改变的任何和所有实施例的范围，如本领域技术人员将理解的。基于本公开的技术。权利要求中的限制应基于权利要求中采用的语言广义地解释，并且不限于本说明书中描述的示例或者在申请的起诉期间。这些例子应被解释为非排他性的。此外，可以以任何方式修改所公开方法的步骤，包括通过重新排序步骤和/或***或删除步骤。因此，意图是说明书和实施例仅被认为是说明性的，真正的范围和精神由所附权利要求及其等同物的全部范围表示。

Claims (14)

1.天馈一体式天线，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；
所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向；
相邻辐射单元子单元组之间的等效间隔设为XD，其中等效间隔XD设置为相邻辐射单元子单元组的等效中心沿辐射单元延伸方向投影的间距，则等效间隔公式如下：
Figure DEST_PATH_FDA0002561497810000011
其中λ0为波长，εγ为介电常数，其中等效间隔为辐射单元子单元。
2.根据权利要求1所述天馈一体式天线，其特征在于，所述辐射单元子单元组包括左倾斜辐射子单元、右倾斜辐射子单元，所述左倾斜辐射子单元与右倾斜辐射子单元连接，所述左倾斜辐射子单元的向左倾斜角度与所述右倾斜子单元的向右倾斜角度相等。
3.根据权利要求2所述天馈一体式天线，其特征在于，所述辐射单元子单元组包括S型辐射子单元，所述S型辐射子单元收尾相连构成辐射单元。
4.根据权利要求3所述天馈一体式天线，其特征在于，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度取值范围
Figure DEST_PATH_FDA0002561497810000012
5.根据权利要求4所述天馈一体式天线，其特征在于，所述辐射单元的宽度和辐射单元的阻抗满足以下关系：
Figure DEST_PATH_FDA0002561497810000013
0.1<(W/H)<2.0 (2)
1<(εr)<15 (3)
其中W为辐射单元的宽度，T为辐射单元的厚度，H为基板板材的厚度，εr是PCB板材质的介电常数。
6.一种天线阵，其特征在于，包括一个或多个宽波束天线，
天馈一体式天线，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；
所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向；
相邻辐射单元子单元组之间的等效间隔设为XD，其中等效间隔XD设置为相邻辐射单元子单元组的等效中心沿辐射单元延伸方向投影的间距，则等效间隔公式如下：
Figure DEST_PATH_FDA0002561497810000021
其中λ0为波长，εγ为介电常数，其中等效间隔为辐射单元子单元。
7.根据权利要求6所述天线阵，其特征在于，所述辐射单元子单元组包括左倾斜辐射子单元、右倾斜辐射子单元，所述左倾斜辐射子单元与右倾斜辐射子单元连接，所述左倾斜辐射子单元的向左倾斜角度与所述右倾斜子单元的向右倾斜角度相等。
8.根据权利要求6所述天线阵，其特征在于，所述辐射单元子单元组包括S型辐射子单元，所述S型辐射子单元收尾相连构成辐射单元。
9.根据权利要求8所述天线阵，其特征在于，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度取值范围
Figure DEST_PATH_FDA0002561497810000022
10.根据权利要求6所述天线阵，其特征在于，所述辐射单元的宽度和辐射单元的阻抗满足以下关系：
Figure DEST_PATH_FDA0002561497810000023
0.1<(W/H)<2.0 (2)
1<(εr)<15 (3)
其中W为辐射单元的宽度，T为辐射单元的厚度，H为基板板材的厚度，εr是PCB板材质的介电常数。
11.一种应用天线阵的雷达，其特征在于：包括一个或多个天线阵、雷达芯片、接线端，所述天线阵为权利要求6～10中所述的天线阵，所述天线阵与雷达芯片电连接，所述雷达芯片与接线端电连接；
天线阵包括多个天线，相邻天线之间相互耦合，每个天线包括辐射单元和馈线，所述辐射单元的辐射单元本体通过馈线连接部连接至馈线；
天馈一体式天线，包括辐射单元、馈线、反射末端匹配枝节，辐射单元末端设置有反射末端匹配枝节，辐射单元与***通过馈线电连接；
所述辐射单元包括至少一组辐射单元子单元组，每组辐射单元子单元组中包括至少两个辐射单元子单元，同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元依次连接且同组辐射单元子单元组中的辐射单元子单元电场等效矢量之和为垂直方向/水平方向；
相邻辐射单元子单元组之间的等效间隔设为XD，其中等效间隔XD设置为相邻辐射单元子单元组的等效中心沿辐射单元延伸方向投影的间距，则等效间隔公式如下：
Figure DEST_PATH_FDA0002561497810000031
其中λ0为波长，εγ为介电常数，其中等效间隔为辐射单元子单元。
12.根据权利要求11所述应用该天线阵的雷达，其特征在于，所述辐射单元子单元组包括左倾斜辐射子单元、右倾斜辐射子单元，所述左倾斜辐射子单元与右倾斜辐射子单元连接，所述左倾斜辐射子单元的向左倾斜角度与所述右倾斜子单元的向右倾斜角度相等。
13.根据权利要求11所述应用该天线阵的雷达，其特征在于，所述辐射单元子单元组包括S型辐射子单元，所述S型辐射子单元收尾相连构成辐射单元。
14.根据权利要求13所述应用该天线阵的雷达，其特征在于，所述S型辐射子单元中折弯处截取的最小构造单元长度取值范围
Figure DEST_PATH_FDA0002561497810000032
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