CN211403408U

CN211403408U - 触控面板

Info

Publication number: CN211403408U
Application number: CN201922070497.5U
Authority: CN
Inventors: 蔡宜珍; 方玮嘉; 朱俊鸿; 吴嘉祥
Original assignee: British Virgin Islands Shangtiancai Innovative Materials Technology Co ltd
Current assignee: Cambrios Advanced Materials Quanzhou Corp; British Virgin Islands Shangtiancai Innovative Materials Technology Co ltd
Priority date: 2019-11-26
Filing date: 2019-11-26
Publication date: 2020-09-01
Anticipated expiration: 2029-11-26

Abstract

一种触控面板，触控面板包含基板、周边引线、触控感应电极与第一中间层。周边引线设置于基板的周边区，第一中间层设置于周边引线与基板之间。触控感应电极包括多个改质后的金属纳米线，改质后的金属纳米线在交叉点上具有直接接触的第一表面，且改质后的金属纳米线在非交叉点的第二表面上具有披覆结构。

Description

触控面板

技术领域

本实用新型涉及一种触控面板。

背景技术

近年来，透明导体可同时让光穿过并提供适当的导电性，因而常应用于许多显示或触控相关的装置中。一般而言，透明导体可以是各种金属氧化物，例如氧化铟锡(IndiumTin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化镉锡(Cadmium Tin Oxide，CTO)或掺铝氧化锌(Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO)。然而，这些金属氧化物薄膜并不能满足显示设备的可挠性需求。因此，现今发展出了多种可挠性的透明导体，例如利用纳米线等材料所制作的透明导体。

然而，所述的纳米线的工艺技术尚有许多需要解决的问题，例如银纳米线具有高导电性，但银材料的高反射率会造成光学上的影响；有研究提出将银纳米线表面镀上低反射性材料以达到较高的光学特性。然而，银纳米线表面所镀上的低反射性材料会在银线搭接上造成较高电阻，也就是说，虽然镀上低反射性材料可以提高光学性，却损失了电性上的优势。又例如利用纳米线制作触控电极，纳米线与周边区的引线在进行对位时需预留对位误差区域，所述对位误差区域造成周边区的引线尺寸无法缩减，进而导致周边区的宽度较大，尤其采用卷对卷(Roll to Roll)工艺，基材的形变量导致所述对位误差区域的尺寸更加放大(如150um)，使得周边区的宽度最小仅达到2.5mm，故无法满足显示器的窄边框需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种触控面板。

本发明触控面板的部分实施方式中，形成披覆结构于金属纳米线的特定表面(非相互接触的表面)以达到提升光学特性的目的，同时又维持金属纳米线所构成的电极的电特性。

本发明的部分实施方式中，通过设计周边引线与基板之间具有至少由金属纳米线所形成的第一中间层，两者以同一蚀刻步骤成型，藉以达到不需预留对位时的对位误差区域的效果，以形成宽度较小的周边引线，进而满足窄边框的需求。

为达上述目的，本实用新型提供一种触控面板，其包含：

一基板，其中该基板具有一显示区与一周边区；

多个周边引线，设置于该基板的该周边区；

多个第一中间层，该些第一中间层设置于该些周边引线与该基板之间；以及

一触控感应电极，设置于该基板的该显示区，该触控感应电极电性连接该些周边引线，其中该触控感应电极包括多个改质后的金属纳米线，该些改质后的金属纳米线在交叉点上具有直接接触的第一表面，且该些改质后的金属纳米线在非交叉点的第二表面上具有披覆结构。

上述的触控面板，其中该些第一中间层包括该些改质后的金属纳米线。

上述的触控面板，其中该些第一中间层包括多个未改质的金属纳米线，该些周边引线的外表面上具有该披覆结构。

上述的触控面板，其中更包含：一膜层，其中该些改质后的金属纳米线裸露于该膜层。

上述的触控面板，其中该触控感应电极更包括设置在该膜层中的多个未改质的金属纳米线。

上述的触控面板，其中该披覆结构为导电材料所制成的层状结构、岛状突起结构、点状突起结构或其组合。

上述的触控面板，其中该导电材料为银、金、铜、铂、铱、铑、钯或锇。

上述的触控面板，其中该导电材料为石墨烯、纳米碳管、导电高分子或导电氧化物。

以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。

附图说明

图1为根据本实用新型的部分实施方式的触控面板的上视示意图。

图1A为沿图1的线A-A的剖面示意图。

图1B为沿图1的线B-B的剖面示意图。

图2A至图2D为根据本实用新型的部分实施方式的触控面板的制作方法示意图。

图3A为图1的线A-A的变化实施例的剖面示意图。

图3B为图1的线B-B的变化实施例的剖面示意图。

图4A至图4D为根据本实用新型的另一实施方式的触控面板的制作方法示意图。

图5A为图1的线A-A的另一变化实施例的剖面示意图。

图5B为图1的线B-B的另一变化实施例的剖面示意图。

图6A为图1的线A-A的另一变化实施例的剖面示意图。

图6B为图1的线B-B的另一变化实施例的剖面示意图。

图7为根据本实用新型的另一实施方式的触控面板的剖面示意图。

图8为根据本实用新型的另一实施方式的触控面板的上视示意图。

图8A为沿图8的线A-A的剖面示意图。

图9为根据本实用新型的另一实施方式的触控面板的上视示意图。

图10为根据本实用新型之另一实施方式的触控面板的示意图。

附图标记说明：

100：触控面板

110：基板

120：周边引线

122：侧面

124：下表面

140：标记

142：侧面

144：下表面

130：膜层

136：非导电区域

190：金属纳米线

191：第一表面

192：第二表面

150：保护层

160：屏蔽导线

180：披覆结构

VA：显示区

PA：周边区

BA：接合区

TE1：第一触控电极

TE2：第二触控电极

TE：触控感应电极

M1：第一中间层

M1L：侧面

M2：第二中间层

M2L：侧面

ML：金属层

NWL：金属纳米线层

D1：第一方向

D2：第二方向

具体实施方式

以下将以附图揭露本实用新型的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有惯用的结构与组件在附图中将以简单示意的方式为之。

关于本文中所使用的「约」、「大约」或「大致」，一般是指数值的误差或范围于百分之二十以内，较好地是于百分之十以内，更佳地是于百分之五以内。文中若无明确说明，所提及的数值皆视为近似值，即具有如「约」、「大约」或「大致」所表示的误差或范围。

根据本实用新型的部分实施方式，一种触控面板，其包含：一基板，其中该基板具有一显示区与一周边区；多个周边引线，设置于该基板的该周边区；多个第一中间层，该些第一中间层设置于该些周边引线与该基板之间；以及一触控感应电极，设置于该基板的该显示区，该触控感应电极电性连接该些周边引线，其中该触控感应电极包括多个改质后的金属纳米线，该些改质后的金属纳米线在交叉点上具有直接接触的第一表面，且该些改质后的金属纳米线在非交叉点的第二表面上具有披覆结构。

于本实用新型的部分实施方式中，该些第一中间层包括该些改质后的金属纳米线。

于本实用新型的部分实施方式中，该些第一中间层包括多个未改质的金属纳米线，该些周边引线的外表面上具有该披覆结构。

于本实用新型的部分实施方式中，更包含：一膜层，其中该些改质后的金属纳米线裸露于该膜层。

于本实用新型的部分实施方式中，触控感应电极更包括设置在该膜层中的多个未改质的金属纳米线。

于本实用新型的部分实施方式中，披覆结构为导电材料所制成的层状结构、岛状突起结构、点状突起结构或其组合。

于本实用新型的部分实施方式中，导电材料为银、金、铂、铱、铑、钯或锇。

于本实用新型的部分实施方式中，导电材料为石墨烯(Graphene)、奈米碳管、导电高分子或导电氧化物。

根据本实用新型的部分实施方式，一种触控面板的制作方法，其特征在于，包含：提供一基板，该基板具有一显示区与一周边区；设置多个未改质的金属纳米线于该显示区与该周边区，其中该些未改质的金属纳米线在交叉点上具有直接接触的一第一表面，且该些未改质的金属纳米线具有在非交叉点上的一第二表面；进行改质步骤，以形成多个改质后的金属纳米线所组成的一金属纳米线层，其中该些改质后的金属纳米线在该第二表面上具有一披覆结构；设置一金属层于该周边区；以及进行图案化步骤，包括：图案化位于该显示区的该金属纳米线层以形成一触控感应电极，该触控感应电极包括该些改质后的金属纳米线。

于本实用新型的部分实施方式中，进行图案化步骤更包含：一次性的图案化位于该周边区的该金属层与该金属纳米线层，其中图案化的该金属层形成多个周边引线，图案化的该金属纳米线层形成多个第一中间层，该些第一中间层设置于该些周边引线与该基板之间。

于本实用新型的部分实施方式中，第一中间层包括该些改质后的金属纳米线。

于本实用新型的部分实施方式中，设置多个未改质的金属纳米线于该该显示区与该周边区更包含：设置一膜层于该些未改质的金属纳米线上，该些未改质的金属纳米线的一裸露部份裸露于该膜层，该裸露部分通过该改质步骤形成该些改质后的金属纳米线；该些未改质的金属纳米线的一未裸露部份内嵌于该膜层，该未裸露部份不受该改质步骤的作用。

于本实用新型的部分实施方式中，该改质步骤包含涂布、化镀、电镀或溅镀以形成该披覆结构；该披覆结构为导电材料所制成的层状结构、岛状突起结构、点状突起结构或其组合。

于本实用新型的部分实施方式中，该些标记包括对接对位标记。

根据本实用新型的部分实施方式，一种触控面板的制作方法，其特征在于，包含：提供一基板，该基板具有一显示区与一周边区；设置由多个未改质的金属纳米线所组成的一金属纳米线层于该显示区与该周边区，其中该些未改质的金属纳米线在交叉点上具有直接接触的一第一表面，且该些未改质的金属纳米线具有在非交叉点上的一第二表面；设置一金属层于该周边区；进行图案化步骤，包括：图案化位于该显示区的该金属纳米线层以形成一触控感应电极；以及进行改质步骤，以形成多个改质后的金属纳米线，其中该触控感应电极包括该些改质后的金属纳米线，该些改质后的金属纳米线在该第二表面上具有一披覆结构。

于本实用新型的部分实施方式中，该进行图案化步骤更包含：一次性的图案化位于该周边区的该金属层与该金属纳米线层，其中图案化的该金属层形成多个周边引线，图案化的该金属纳米线层形成多个第一中间层，该些第一中间层设置于该些周边引线与该基板之间。

于本实用新型的部分实施方式中，第一中间层包括该些未改质的金属纳米线。

于本实用新型的部分实施方式中，该进行改质步骤更包含：形成该披覆结构于该些周边引线的外表面上。

于本实用新型的部分实施方式中，设置多个未改质的金属纳米线于该基板上更包含：设置一膜层于该些未改质的金属纳米线上，该些未改质的金属纳米线的一裸露部份裸露于该膜层，该些未改质的金属纳米线的一未裸露部份内嵌于该膜层，其中，位于该显示区中的该裸露部分通过该改质步骤形成该些改质后的金属纳米线；位于该显示区中的该未裸露部份不受该改质步骤的作用。

于本实用新型的部分实施方式中，位于该周边区中的该裸露部分被该些周边引线所覆盖而不受该改质步骤的作用；位于该周边区中的该未裸露部份不受该改质步骤的作用。

于本实用新型的部分实施方式中，触控感应电极或蚀刻层(例如第一中间层/第二中间层)为改质后的金属纳米线所组成的。

于本实用新型的部分实施方式中，触控感应电极为未改质的金属纳米线与膜层所构成的复合结构及改质后的裸露金属纳米线所组成的。

于本实用新型的部分实施方式中，蚀刻层(例如第一中间层/第二中间层) 为未改质的金属纳米线与膜层所构成的复合结构及改质后的裸露金属纳米线所组成的。

于本实用新型的部分实施方式中，蚀刻层(例如第一中间层/第二中间层) 为未改质的金属纳米线与膜层所构成的复合结构所组成的，周边引线设置于蚀刻层之上，周边引线的外表面具有披覆结构。

于本实用新型的部分实施方式中，蚀刻层(例如第一中间层/第二中间层) 为未改质的金属纳米线与膜层所构成的复合结构及未改质的裸露金属纳米线所组成的，周边引线设置于蚀刻层之上，周边引线的外表面具有披覆结构。

进一步地，结合附图详细说明

本实用新型的部分实施方式的触控面板100包含基板110、周边引线120、第一中间层M1以及触控感应电极TE，其中触控感应电极TE包括多个改质后的金属纳米线190，改质后的金属纳米线190在交叉点上具有直接接触的第一表面191，且改质后的金属纳米线190在非交叉点的第二表面192上具有披覆结构180(可先参照图2B)。图1为根据本实用新型的部分实施方式的触控面板 100的上视示意图。参阅图1至图1B，触控面板100可包含基板110、周边引线120、标记140、第一中间层M1、第二中间层M2以及触控感应电极TE，第一中间层M1设置于周边引线120与基板110之间，第二中间层M2设置于标记 140与基板110之间，而触控感应电极TE大致位于显示区VA，其由多个改质后的金属纳米线190所构成的金属纳米线层NWL所图案化，改质后的金属纳米线190在交叉点上具有直接接触的第一表面191，且改质后的金属纳米线190 在非交叉点的第二表面192上具有披覆结构180。藉由将披覆结构180成型在金属纳米线190的表面(非交叉位置的表面)，故可以达到减少或避免金属纳米线190的光反射，藉以改善触控面板100的雾度(Haze)；另外，金属纳米线 190的交叉点是直接接触，换言之，披覆结构180不会成型于金属纳米线190 的接触表面，因此可维持金属纳米线190所形成的导电网络的低电阻特性。为了方便绘图，图1A、图1B所示的触控感应电极TE、第一中间层M1与第二中间层M2均绘有披覆结构180，以代表触控感应电极TE、第一中间层M1与第二中间层M2均是由改质后的金属纳米线190所组成。

另外，第一中间层M1、第二中间层M2则可依据工艺的不同而由未改质或改质后的金属纳米线190的金属纳米线190(metal nanowires)层所构成，例如未改质或改质后的纳米银线(silver nanowires)层、未改质或改质后的纳米金线(gold nanowires)层或未改质或改质后的纳米铜线(copper nanowires) 层。

上述的周边引线120、标记140、第一中间层M1、第二中间层M2以及触控感应电极TE的数量可为一或多个，而以下各具体实施例及附图中所绘制的数量仅为解说之用，并未限制本实用新型。参阅图1，基板110具有显示区VA 与周边区PA，周边区PA设置于显示区VA的侧边，例如周边区PA则可为设置于显示区VA的四周(即涵盖右侧、左侧、上侧及下侧)的框型区域，但在其他实施例中，周边区PA可为一设置于显示区VA的左侧及下侧的L型区域。又如图1所示，本实施例共有八组周边引线120以及与周边引线120相对应的第一中间层M1，两者均设置于基板110的周边区PA；触控感应电极TE设置于基板 110的显示区VA且电性连接周边引线120。本实施例更有两组标记140以及与标记140相对应的第二中间层M2设置于基板110的周边区PA，藉由将第一中间层M1设置于周边引线120与基板110之间，或者将第二中间层M2设置于标记140与基板110之间，使上下两层材料不须对位就成型在预定的位置，故可以达到减少或避免在工艺中设置对位误差区域的需求，藉以降低周边区PA的宽度，进而达到显示器的窄边框需求。

请参阅图2A至图2D，其显示前述触控面板100的制作方式：首先提供基板110，其上具有事先定义的周边区PA与显示区VA。接着，设置未改质的金属纳米线190于该基板110上，以形成金属纳米线层NWL于周边区PA与显示区VA(如图2A)，金属纳米线190在交叉点上具有直接接触的第一表面191及在非交叉点上的第二表面192；接着进行改质步骤，改质后的金属纳米线190 在非交叉点的第二表面192上成型有披覆结构180(如图2B)；接着形成金属层ML于周边区PA(如图2C)；接着进行图案化，以形成具有图样的金属层ML与金属纳米线层NWL(如图2D)，其中位于显示区VA的金属纳米线层NWL被图案化形成触控感应电极TE(请配合图1、图1B)，且由于前述的改质步骤，使得触控感应电极TE由改质后的金属纳米线190所构成。

以下就上述步骤进行更详细的说明。

请参阅图2A，首先将至少包括金属纳米线190的金属纳米线层NWL，例如纳米银线层、纳米金线层或纳米铜线层涂布于基板110上的周边区PA与显示区VA；金属纳米线层NWL的第一部分主要是位在显示区VA，而第二部分主要成形于周边区PA。在本实施例的具体作法为：将具有金属纳米线190的分散液或浆料(ink)以涂布方法成型于基板110上，并加以干燥使金属纳米线190 覆着于基板110的表面，进而成型为设置于基板110上的金属纳米线层NWL。而在上述的固化/干燥步骤之后，溶剂等物质被挥发，而金属纳米线190以随机的方式分布于基板110的表面；较佳的，金属纳米线190会固着于基板110 的表面上而不至脱落而形成所述的金属纳米线层NWL，且金属纳米线190可彼此接触以提供连续电流路径，进而形成一导电网络(conductive network)，换言之，金属纳米线190彼此在交叉位置处的第一表面191会相互接触以构成传递电子的路径。以银纳米线为例，一根银纳米线与另一银纳米线在交叉位置处会形成直接接触的态样(第一表面191即为银-银的接触界面)，故形成低电阻的传递电子路径，而后续的改质作业并不会影响或改变”银-银接触”的低电阻结构，故不会对于终端产品的电特性产生负面的效果。在一实施例中，当一区域或一结构的片电阻高于10⁸奥姆/平方(ohm/square)即可被认定为电绝缘, 较佳地是高于10⁴奥姆/平方(ohm/square),3000奥姆/平方(ohm/square), 1000奥姆/平方(ohm/square)，350奥姆/平方(ohm/square),或100奥姆/ 平方(ohm/square)的情况。

在本实用新型的实施例中，上述分散液可为水、醇、酮、醚、烃或芳族溶剂(苯、甲苯、二甲苯等等)；上述分散液亦可包含添加剂、介面活性剂或粘合剂，例如羧甲基纤维素(carboxymethyl cellulose；CMC)、2-羟乙基纤维素 (hydroxyethyl Cellulose；HEC)、羟基丙基甲基纤维素(hydroxypropyl methylcellulose；HPMC)、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸盐、磺基琥珀酸酯、磷酸酯或含氟界面活性剂等等。而所述的含有金属纳米线190的分散液或浆料可以用任何方式成型于基板110及前述金属层ML的表面，例如但不限于：网版印刷、喷头涂布、滚轮涂布等工艺；在一种实施例中，可采用卷对卷(roll to roll；RTR)工艺将含有金属纳米线190的分散液或浆料涂布于连续供应的基板 110及前述金属层ML的表面。

本文所用的「金属纳米线(metal nanowires)」为一集合名词，其指包含多个元素金属、金属合金或金属化合物(包括金属氧化物)的金属线的集合，其中所含金属纳米线的数量，并不影响本实用新型所主张的保护范围；且单一金属纳米线的至少一个截面尺寸(即截面的直径)小于约500nm，较佳小于约100 nm，且更佳小于约50nm；而本实用新型所称的为”线(wire)”的金属纳米结构，主要具有高的纵横比，例如介于约10至100,000之间，更详细的说，金属纳米线的纵横比(长度：截面的直径)可大于约10，较佳大于约50，且更佳大于约100；金属纳米线可以为任何金属，包括(但不限于)银、金、铜、镍及镀金的银。而其他用语，诸如丝(silk)、纤维(fiber)、管(tube)等若同样具有上述的尺寸及高纵横比，亦为本实用新型所涵盖的范畴。

请参阅图2B，进行改质步骤，以形成由多个改质后的金属纳米线190所组成的金属纳米线层NWL。也就是说，经过改质之后，金属纳米线层NWL中的初始金属纳米线190至少一部分被改质而在其表面形成披覆结构180以形成改质后的金属纳米线190。在一具体实施例中，可利用涂布、化镀、电镀或溅镀等方法形成披覆结构180，而披覆结构180可为导电材料所制成的层状结构、岛状突起结构、点状突起结构或其组合，披覆率约占总表面积的比率0.1-10％；前述的导电材料可为银、金、铂、铜、铱、铑、钯或锇等，或是石墨烯(Graphene)、纳米碳管、导电高分子(如PEDOT:PSS)或导电氧化物(如ITO)等。在一具体实施例中，可备制以下溶液将钯沉积在金属纳米线190上形成披覆结构180，溶液中含有钯的前驱物例如半不限于：PdSO4、PdCl2、Pd(NO3)2、Pd(SCN)2…等，溶在酸性/中性/碱性溶剂中如：硫酸、硝酸、NaOH、NaH₂PO₂、KIO3、 Ethylenediamine…等，溶液中可含有些许的稳定剂或还原剂或螯合剂等。

值得说明的是，改质步骤是在金属纳米线层NWL成膜之后所进行。成膜后金属纳米线190已实质的形成彼此接触的搭接态样，也就是说金属纳米线190 的一个表面(即第一表面191)已经与另一金属纳米线190的第一表面191形成直接接触，因此改质步骤所形成的披覆结构180就不会成型在所述的第一表面 191上，而选择性的成型在其他的裸露表面(即第二表面192)。据此，改质步骤所形成的披覆结构180就不会对已搭接形成的导电路径形成负面的影响，进而保持金属纳米线190所构成的低电阻传输路径。

请参阅图2C，形成金属层ML于基板110的周边区PA，金属层ML可经过后续的图案化而成为周边引线120。详细而言，本实用新型的部分实施方式中金属层ML可为导电性较佳的金属所构成，较佳为单层金属结构，例如银层、铜层等；或为多层导电结构，例如钼/铝/钼、铜/镍、钛/铝/钛、钼/铬等，上述金属结构较佳的为不透光，例如可见光(如波长介于400nm-700nm)的光穿透率(Transmission)小于约90％。

在本实施例中，可利用溅镀方式(例如但不限于物理溅镀、化学溅镀等) 将前述金属形成于金属纳米线层NWL上。金属层ML可直接选择性的成形于周边区PA而不成形于显示区VA，或是先整面的形成于周边区PA与显示区VA，再藉由蚀刻等步骤移除位于显示区VA的金属层ML。

在一实施例中，以化学镀的方式将铜层沉积于基板110的周边区PA而位于金属纳米线层NWL的第二部分上，化学镀即在无外加电流的情况下藉助合适的还原剂，使镀液中金属离子在金属触媒催化下还原成金属并镀覆于其表面，此过程称之为无电镀(electrolessplating)也称为化学镀(chemical plating) 或自身催化镀(autocatalytic plating)，是故，本实施例的金属层ML亦可称作无电镀层、化学镀层或自身催化镀层。具体而言，可采用例如主成分为硫酸铜的镀液，其组成可为但不限于：浓度为5g/L的硫酸铜(coppersulfate)，浓度为12g/L的乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid)，浓度为5g/L的甲醛(formaldehyde)，无电镀铜镀液的pH以氢氧化钠(sodium hydroxide)调整为约11至13，镀浴温度为约50至70℃，浸泡的反应时间为 1至5分钟。在一实施例中，可先形成催化层(图未示)于金属纳米线层NWL的第二部分上，由于显示区VA的金属纳米线层NWL的第一部分上并无催化层，故铜层仅沉积于周边区PA而不成形于显示区VA。在进行无电镀的反应时，铜材料可在具有催化/活化能力的催化层上成核，而后靠铜的自我催化继续成长铜膜。在一实施例中，以溅镀(sputtering)的方式将铜层沉积于基板110的周边区PA而位于金属纳米线层NWL的第二部分上。

接着进行图案化，如图2D所示。在图案化步骤之后，显示区VA中由改质后的金属纳米线190所形成的金属纳米线层NWL就被定义出图案而形成电极结构；同样的，周边区PA中的金属纳米线层NWL及金属层ML也被定义出图案而形成电极结构，而这两区域的电极结构就构成可应用于触控感应的电极组。

在一实施例中，在周边区PA采用可同时蚀刻含改质后金属纳米线190的金属纳米线层NWL与金属层ML的蚀刻液，配合蚀刻遮罩(如光阻)以在同一工序中一次性的制作具有图样的金属层ML与金属纳米线层NWL。如图2D所示，并配合图1、图1A，在周边区PA上所制作出的具有图样的金属层ML即为周边引线120，而具有图样的金属纳米线层NWL即构成蚀刻层，由于本实施例的蚀刻层位于周边引线120与基板110之间，故亦可称作第一中间层M1；换言之，在图案化步骤之后，周边区PA形成由金属纳米线层NWL的第二部分所构成的第一中间层M1以及由金属层ML所构成的周边引线120。在另一实施例中，在周边区PA上可制作出由金属纳米线层NWL的第二部分所构成的蚀刻层以及由金属层ML所构成的周边引线120与标记140(请配合参考图1、图1A及图1B)，蚀刻层可包括第一中间层M1与第二中间层M2，第一中间层M1设置于对应的周边引线120与基板110之间，第二中间层M2设置于对应的标记140与基板 110之间。在一实施例中，可同时蚀刻金属纳米线层NWL与金属层ML指的是对金属纳米线层NWL与金属层ML蚀刻速率比值介于约0.1-10或0.01-100。

根据一具体实施例，金属纳米线层NWL为银纳米线所组成，且其在非交叉点的表面上有钯的披覆结构180，而金属层ML为铜层的情况下，蚀刻液可用于可蚀刻铜与银的组分，例如蚀刻液的主成分为H₃PO₄(比例为约55％至70％)及 HNO₃(比例约5％至15％)，以在同一工艺中移除铜材料与银材料。在另一具体实施例中，可在蚀刻液的主成分之外加入添加物，例如蚀刻选择比调整剂，以调整蚀刻铜与蚀刻银的速率；举例而言，可在主成分为H₃PO₄(比例约55％至70％) 及HNO₃(比例约5％至15％)中添加约5％至10％的Benzotriazole(BTA)，以解决铜的过蚀刻问题。在另一具体实施例中，蚀刻液的主成分为氯化铁/硝酸或为磷酸/双氧水等组成。

在图案化的步骤中，更可包括：同时进行在显示区VA的金属纳米线层NWL 图案化。换言之，如图2D所示，可配合蚀刻遮罩(如光阻)，利用前述的蚀刻液将显示区VA的金属纳米线层NWL的第一部分进行图案化以制作本实施例的触控感应电极TE于显示区VA，触控感应电极TE可电性连接周边引线120。具体而言，触控感应电极TE可为至少包括改质后金属纳米线190的金属纳米线层NWL。整体来说，图案化之后的金属纳米线层NWL在显示区VA形成触控感应电极TE，而在周边区PA形成第一中间层M1，故触控感应电极TE可藉由第一中间层M1与周边引线120的接触而达到与周边引线120达成电性连接进行进行信号的传输。而在本实施例中，金属纳米线层NWL在周边区PA也可形成第二中间层M2，其设置于标记140与基板110之间，标记140可以广泛的被解读为非电性功能的图样，但不以此为限。在本实用新型的部分实施例中，周边引线120与标记140可为同层的金属层ML所制作(即两者为相同的金属材料，如前述的化学镀铜层或是溅镀铜层)；触控感应电极TE、第一中间层M1 与第二中间层M2可为同层的金属纳米线层NWL所制作，而为了清楚说明，图 1A、图1B所示的触控感应电极TE、第一中间层M1与第二中间层M2均绘有披覆结构180，以代表触控感应电极TE、第一中间层M1与第二中间层M2均是由改质后的金属纳米线190所组成。

在一变化实施例中，位于显示区VA与周边区PA的金属纳米线层NWL可藉由不同的蚀刻步骤(亦即使用不同的蚀刻液)进行图案化，例如在金属纳米线层 NWL为纳米银层，金属层ML为铜层的情况下，显示区VA所使用的蚀刻液可选用仅对银有蚀刻能力的蚀刻液。举例来说，所选蚀刻液对银的蚀刻速率大于对铜的蚀刻速率约100倍、约1000倍或约10000倍。

藉由上述步骤即可制作如图1至图1B所示的触控面板100，举例来说，显示区VA中图案化的金属纳米线层NWL即构成触控面板100的触控感应电极 TE；而周边区PA中图案化的金属层ML即构成触控面板100的周边引线120，图案化的金属纳米线层NWL即构成蚀刻层(如第一中间层M1)，周边引线120 与蚀刻层即构成周边区PA的导电线路，以与外部控制器进行连接。

在本实施例中，第一中间层M1、第二中间层M2则可为至少包括改质后的金属纳米线190的金属纳米线层NWL，例如改质后的纳米银线层、改质后的纳米金线层或改质后的纳米铜线层所构成。

本实施例的触控感应电极TE设置于显示区VA，触控感应电极TE可电性连接周边引线120。具体而言，触控感应电极TE同样可为至少包括改质后的金属纳米线190的金属纳米线层NWL，也就是说，金属纳米线层NWL在显示区 VA形成触控感应电极TE，而在周边区PA形成第一中间层M1，故触控感应电极TE可藉由第一中间层M1与周边引线120的接触而达到与周边引线120达成电性连接进行进行信号的传输。

而金属纳米线190在周边区PA也会形成第二中间层M2，其设置于标记140 与该基板110之间，标记140可以广泛的被解读为不具有电性功能的图样，但不以此为限。在本实用新型的部分实施例中，周边引线120与标记140可为同层的金属层所制作(即两者为相同的金属材料)；触控感应电极TE、第一中间层M1与第二中间层M2可为同层的金属纳米线层所制作。

图1A及图1B分别为图1的A-A线与B-B线的剖面图。请先参阅图1A，如图1A所示，第一中间层M1为上述改质后金属纳米线190所成型且设置在周边引线120的下表面124，且第一中间层M1位于下表面124与基板110之间；第二中间层M2为上述改质后金属纳米线190所成型且设置在标记140的下表面144，且第二中间层M2位于下表面144与基板110之间。而在本实用新型的部分实施方式中，金属纳米线190可为纳米银线。为了方便说明，本文的周边引线120与标记140的剖面是为一四边形(例如图1A所绘制的长方形)，但周边引线120的侧面122与下表面124、与标记140的侧面142与下表面144 的结构型态或数量皆可依实际应用而变化，并非以本文的文字与附图所限制。

在本实施例中，标记140是设置在周边区PA的接合区BA(请参照图1)，其可为对接对位标记，也就是在将一外部电路板，如在软性电路板连接于触控面板100的步骤(即bonding步骤)用于将软性电路板(图未示)与触控面板100 进行对位的记号。然而，本实用新型并不限制标记140的置放位置或功能，例如标记140可以是任何在工艺中所需的检查记号、图样或标号，均为本实用新型保护的范畴。标记140可以具有任何可能的形状，如圆形、四边形、十字形、 L形、T形等等。

如图1A及图1B所示，在周边区PA中，相邻周边引线120之间具有非导电区域136，以电性阻绝相邻周边引线120进而避免短路。也就是说，相邻周边引线120的侧面122之间及相邻第一中间层M1的侧面M1L之间具有非导电区域136，而在本实施例中，非导电区域136为一间隙，以隔绝相邻周边引线 120。而在设置第一中间层M1及周边引线120的步骤中，可采用蚀刻法制作上述的间隙，故周边引线120的侧面122与第一中间层M1的侧面M1L为一共同蚀刻面，也就是说周边引线120的侧面122与第一中间层M1的侧面M1L是在同一个蚀刻步骤中所成型；或者可先蚀刻出周边引线120的侧面122，再蚀刻出第一中间层M1的侧面M1L；类似的，标记140的侧面142与第二中间层M2 的侧面M2L亦可参照上述方式制作。在一实施例中，周边引线120的侧面122 与标记140的侧面142会因上述的蚀刻步骤而不会有所述的金属纳米线190 存在于其上，再者，周边引线120及第一中间层M1会具有相同或近似的图样与尺寸，如均为长直状等的图样，且宽度相同或近似；标记140与第二中间层 M2也同样具有相同或近似的图样与尺寸，如均为半径相同或近似的圆形、边长相同或近似的四边形等，或其他相同或近似的十字形、L形、T形等的图样。

如图1B所示，在显示区VA中，相邻触控感应电极TE之间具有非导电区域136，以电性阻绝相邻触控感应电极TE进而避免短路。也就是说，相邻触控感应电极TE的侧面之间具有非导电区域136，而在本实施例中，非导电区域136为一间隙，以隔绝相邻触控感应电极TE；在一实施例中，可采用上述的蚀刻法制作相邻触控感应电极TE之间的间隙。在本实施例中，触控感应电极TE与第一中间层M1可利用同层的金属纳米线层NWL(如纳米银线层)所制作，故金属纳米线层会在显示区VA中形成触控感应电极TE，且在周边区PA 中形成第一中间层M1，触控感应电极TE与第一中间层M1在显示区VA与周边区PA的交界处形成连接结构，以利触控感应电极TE与周边引线120形成导通的电路。

本实用新型的部分实施方式中，触控面板100的第一中间层M1与第二中间层M2分别设置于周边引线120的下表面122与标记140的下表面144，并在同一蚀刻工艺中成型，故可以达到减少或避免在工艺中设置对位误差区域的需求，藉以降低周边区PA的宽度，进而达到显示器的窄边框需求。具体而言，本实用新型部分实施方式的触控面板100的周边引线120的宽度为约5um至 30um,相邻周边引线120之间的距离为约5um至30um，或者触控面板100的周边引线120的宽度为约3um至20um,相邻周边引线120之间的距离为约3um 至20um，而周边区PA的宽度也可以达到约小于2mm的尺寸，较传统的触控面板产品缩减约20％或更多的边框尺寸。

如图1，触控感应电极TE以非交错式的排列设置。举例而言，触控感应电极TE为沿第一方向D1延伸且在第二方向D2上具有宽度变化的长条型电极，彼此并不产生交错，但于其他实施方式中，触控感应电极TE可以具有适当的形状，而不应以此限制本实用新型的范围。本实施方式中，触控感应电极TE 采用单层的配置，其中可以通过侦测各个触控感应电极TE的自身的电容值变化，而得到触控位置。

在一实施例中，触控面板100可包括膜层130，图3A及图3B分别为膜层 130成型于图1的实施例后的剖面示意图。在一实施例中，设置膜层130于该些未改质的金属纳米线190上，使膜层130覆盖于未改质的金属纳米线190 之上，再依序进行前述的改质步骤与图案化步骤。在具体实施例中，膜层130 的聚合物在未固化前或在预固化的状态下可以渗入金属纳米线190之间而形成填充物，当聚合物固化后，金属纳米线190会嵌入膜层130之中形成复合结构CS，且控制聚合物涂布、固化的条件，使膜层130的厚度(例如小於100纳米)可裸露出部分的未改质的金属纳米线190。也就是说，未改质的金属纳米线190的未裸露部分会内嵌于膜层130而形成复合结构CS，且未改质的金属纳米线190更可具有裸露或突出于该膜层130的裸露部分。在后续的改质步骤，仅有裸露部分会被前述方法所处理而形成改质后的金属纳米线190，内嵌于膜层130的未改质的金属纳米线190则维持其初始态样而不受改质步骤的作用。于本实用新型的部分实施方式中，膜层130由绝缘材料所形成。举例而言，膜层130的材料可以是非导电的树脂或其他有机材料。于本实用新型的部分实施方式中，可以藉由旋涂、喷涂、印刷等方式形成膜层130。于部分实施方式中，膜层130的厚度大约为20纳米至10微米、或50纳米至200纳米、或30至100纳米，举例而言，膜层130的厚度大约可为90纳米或100纳米。

如图3A、图3B所示，在周边区PA中，裸露或突出于该膜层130的裸露金属纳米线190因改质步骤而具有披覆结构180。为附图的简洁，图中将披覆结构180绘制于膜层130外侧，以表示裸露或突出于膜层130的金属纳米线 190因改质步骤而具有披覆结构180。另外，内嵌于膜层130中未改质的金属纳米线190与膜层130可形成的复合结构CS；而在上述的蚀刻步骤之后，复合结构CS与改质后的金属纳米线190即构成第一中间层M1与第二中间层M2，换言之，在本实施例中，第一中间层M1/第二中间层M2同时具有未改质的金属纳米线190(即内嵌于膜层130中的金属纳米线190)与改质后的金属纳米线 190(即裸露于膜层130中的金属纳米线190)，而周边引线120则主要与改质后的金属纳米线190接触达成电信号的传递。

如图3B所示，在显示区VA中，裸露或突出于该膜层130的裸露金属纳米线190因改质步骤而具有披覆结构180，为附图的简洁，图中将披覆结构180 绘制于膜层130外侧，以表示裸露或突出于膜层130的金属纳米线190因改质步骤而具有披覆结构180。再者，内嵌于膜层130中未改质的金属纳米线190 与膜层130所形成的复合结构CS；而在上述的蚀刻步骤之后，复合结构CS与改质后的金属纳米线190即构成触控感应电极TE，换言之，在本实施例中，触控感应电极TE同时具有未改质的金属纳米线190(即内嵌于膜层130中的金属纳米线190)与改质后的金属纳米线190(即裸露于膜层130中的金属纳米线 190)，且改质后金属纳米线190就裸露或突出于复合结构CS。

在本实施方式中，显示区VA的复合结构CS与改质后的金属纳米线190 的组合结构较佳地具有导电性与透光性，例如，触控感应电极TE的可见光(例如波长介于约400nm-700nm)的光穿透率(Transmission)可大于约80％，且表面电阻率(surface resistance)在约10至1000奥姆/平方(ohm/square)之间；或者，触控感应电极TE的可见光(例如波长介于约400nm-700nm)的光穿透率 (Transmission)大于约85％，且表面电阻率(surfaceresistance)在约50至 500奥姆/平方(ohm/square)之间。在一实施例中，触控感应电极TE的可见光 (例如波长介于约400nm-700nm)的光穿透率(Transmission)大于约88％或大于约90％。在一实施例中，触控感应电极TE的雾度小于3.0、2.5、2.0、或 1.5。

而在本实用新型的部分实施方式中，膜层130可为聚乙烯(polyethylene； PE)、聚丙烯(Polypropylene；PP)、聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral； PVB)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物 (Acrylonitrile butadienestyrene；ABS)、聚(3,4－伸乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚(苯乙烯磺酸)(PSS)或陶瓷材料等等。在本实用新型的一种实施方式中，膜层130可为以下聚合物，但不限于此:聚丙烯酸系树脂，诸如聚甲基丙烯酸酯(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯))、聚丙烯酸酯及聚丙烯腈；聚乙烯醇；聚酯(例如，聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)；具有高芳香度的聚合物，诸如酚醛树脂或甲酚-甲醛、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚硫化物、聚砜、聚伸苯基及聚苯基醚；聚胺基甲酸酯(polyurethane；PU)；环氧树脂；聚烯烃(例如聚丙烯、聚甲基戊烯及环烯烃)；纤维素；聚硅氧及其他含硅聚合物(例如聚倍半氧硅烷及聚硅烷)；聚氯乙烯(PVC)；聚乙酸酯；聚降冰片烯；合成橡胶(例如，乙丙橡胶(ethylene-propylene rubber；EPR)、丁苯橡胶(styrene-Butadiene Rubber；SBR)、三元乙丙橡胶

(ethylene-Propylene-Diene Monomer；EPDM)；及含氟聚合物(例如，聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯(TFE)或聚六氟丙烯)；氟－烯烃与烃烯烃的共聚物等。在其他实施例中，可使用以二氧化硅、富铝红柱石、氧化铝、SiC、碳纤维、 MgO-Al₂O₃-SiO₂、Al₂O₃-SiO₂或MgO-Al₂O₃-SiO₂-Li₂O等无机材料。

于部分实施方式中，所形成的金属纳米线190可进一步进行后处理以提高金属纳米线190在交叉点上的接触特性，例如提高接触面积，进而提升其导电度，此后处理可为包括如加热、电浆、电晕放电、UV臭氧、压力或上述工艺组合的过程步骤。例如，在固化形成金属纳米线层的步骤后，可利用滚轮施加压力于其上，在一实施例中，可藉由一或多个滚轮向金属纳米线层施加50至3400psi的压力，较佳为可施加100至1000psi、200至800psi或300至500psi的压力；而上述施加压力的步骤较佳地实施在涂布膜层130的步骤之前。于部分实施方式中，可同时进行加热与压力之后处理；详言之，所形成的金属纳米线190可经由如上文所述的一或多个滚轮施加压力，并同时加热，例如由滚轮施加的压力为10至500psi，较佳为40至100psi；同时将滚轮加热至约70℃与200℃之间，较佳至约100℃与175℃之间，其可提高金属纳米线190的导电度。于部分实施方式中，金属纳米线190较佳可暴露于还原剂中进行后处理，例如由纳米银线组成的金属纳米线190较佳可暴露于银还原剂中进行后处理，银还原剂包括硼氢化物，如硼氢化钠；硼氮化合物，如二甲基胺基硼烷(DMAB)；或气体还原剂，诸如氢气(H₂)；而所述的暴露时间约10秒至约30分钟，较佳约1分钟至约10分钟。而经过上述后处理步骤，可加强金属纳米线190在交叉点上的接触强度或面积，更能确保金属纳米线190在交叉点上的接触面(即第一表面191)不受改质处理的影响。

请参阅图4A至图4D，本实用新型的另一实施方式中的触控面板100可依以下方式制作：首先提供基板110，其上具有事先定义的周边区PA与显示区 VA。接着，设置未改质的金属纳米线190于该基板110上，以形成金属纳米线层NWL于周边区PA与显示区VA(如图4A)，金属纳米线190在交叉点上具有直接接触的第一表面191及在非交叉点上的第二表面192；接着形成金属层ML 于周边区PA(如图4B)；接着进行图案化，以形成具有图样的金属层ML与金属纳米线层NWL(如图4C)；接着进行改质步骤，改质后的金属纳米线190在第二表面上具有披覆结构180(如图4D)，其中位于显示区VA的金属纳米线层NWL 被图案化形成触控感应电极TE，且由于前述的改质步骤，使得触控感应电极 TE由改质后的金属纳米线190所构成。本实施例与前述实施例的步骤顺序不同，但类似步骤的具体作法均可参照前文内容，于此不再赘述。

图5A至图5B所示的触控面板100即为依本实施例的步骤所制作的触控面板100。在本实施例中，第一中间层M1、第二中间层M2则可为至少包括未改质的金属纳米线190的金属纳米线层，例如未改质的纳米银线层、未改质的纳米金线层或未改质的纳米铜线层所构成。触控感应电极TE、第一中间层M1与第二中间层M2可为同层的金属纳米线层NWL所制作，但三者所具有的金属纳米线190为有经过改质或未改质的差别，而为了清楚说明，图5A、图5B所示的触控感应电极TE内绘有披覆结构180，以代表触控感应电极TE是由改质后的金属纳米线190所组成；反之，第一中间层M1与第二中间层M2并未绘有披覆结构180，以代表第一中间层M1与第二中间层M2均是未改质的金属纳米线 190所组成。

如图5B，本实施例的触控感应电极TE主要设置于显示区VA，触控感应电极TE可电性连接周边引线120。与前一实施例类同，触控感应电极TE可为至少包括改质后的金属纳米线190的金属纳米线层NWL，也就是说，在显示区VA 中金属纳米线层先经过图案化，再进行改质进而形成触控感应电极TE。

如图5A与图5B，由于改质步骤的实施在图案化步骤之后，第一中间层M1 为未改质的金属纳米线190所成型且设置在周边引线120的下表面124，且第一中间层M1位于下表面124与基板110之间；第二中间层M2为未改质的金属纳米线190所成型且设置在标记140的下表面144，且第二中间层M2位于下表面144与基板110之间。再者，改质步骤会在周边引线120的裸露表面形成披覆结构180，例如披覆结构180会形成在周边引线120的上表面及侧面；同样的，改质步骤会在标记140的裸露表面形成披覆结构180，例如披覆结构180 会形成在标记140的上表面及侧面。

在一实施例中，披覆结构180也可成形于第一中间层M1的侧面M1L或第二中间层M2的侧面M2L。

在一实施例中，可先以遮挡材料遮蔽周边区PA，使披覆结构180只成型于显示区VA，换言之，仅有显示区VA会进行前述的改质步骤。又或者可实施一去除步骤，以移除周边引线120/标记140的上表面及侧面所成型的披覆结构180。

在一实施例中，触控面板100可包括膜层130，图6A及图6B分别为膜层 130成型于上述实施例后的剖面示意图。在一实施例中，设置一膜层130于该些未改质的金属纳米线190上，使膜层130覆盖于未改质的金属纳米线190 之上，再依序进行前述的图案化步骤与改质步骤。在具体实施例中，膜层130 的聚合物在未固化前或在预固化的状态下可以渗入金属纳米线190之间而形成填充物，当聚合物固化后，金属纳米线190会嵌入膜层130之中形成复合结构CS，且控制聚合物涂布、固化的条件，使膜层130的厚度(例如小於100nm) 可裸露出部分的未改质的金属纳米线190。也就是说，未改质的金属纳米线190 的未裸露部分会内嵌于膜层130而形成复合结构CS，而未改质的金属纳米线 190具有裸露或突出于该膜层130的裸露部分。在后续的改质步骤，仅有位于显示区VA的裸露部分会被前述方法所处理而形成改质后的金属纳米线190，内嵌于膜层130的未改质的金属纳米线190以及位于周边区PA的裸露部分则维持其初始态样而不受改质步骤的作用。

如图6B所示，在显示区VA中，裸露或突出于该膜层130的裸露金属纳米线190因改质步骤而具有披覆结构180，为附图的简洁，图中将披覆结构180 绘制于膜层130外侧，以表示裸露或突出于膜层130的金属纳米线190因改质步骤而具有披覆结构180。再者，内嵌于膜层130中未改质的金属纳米线190 与膜层130所形成的复合结构CS，复合结构CS与改质后的金属纳米线190即构成触控感应电极TE，换言之，在本实施例中，触控感应电极TE同时具有未改质的金属纳米线190(即内嵌于膜层130中的金属纳米线190)与改质后的金属纳米线190(即裸露于膜层130中的金属纳米线190)，且触控感应电极TE 的改质后金属纳米线190就裸露或突出于复合结构CS。

如图6A、图6B所示，在周边区PA中，裸露或突出于该膜层130的裸露金属纳米线190因被周边引线120遮盖而不会受改质步骤的作用，故其不具有披覆结构180，在附图中以”V”代表裸露或突出于膜层130但未经改质的金属纳米线190；而内嵌于膜层130中未改质的金属纳米线190与膜层130所形成的复合结构CS，裸露或突出于膜层130但未经改质的金属纳米线190与复合结构CS可构成第一中间层M1与第二中间层M2，换言之，在本实施例中，构成第一中间层M1/第二中间层M2的金属纳米线190均为未改质的金属纳米线190，不论是内嵌于膜层130中的金属纳米线190或裸露于膜层130的金属纳米线190，而周边引线120则主要与裸露于膜层130但未经改质的的金属纳米线190接触达成电信号的传递。再者，改质步骤会在周边引线120/标记140 的裸露表面形成披覆结构180，例如披覆结构180会形成在周边引线120/标记 140的上表面及侧面。

在一实施例中，披覆结构180也可成形于复合结构CS的侧面。

在一实施例中，触控面板100更可包括保护层150，其可应用于各种不同的实施例，仅以图1B的实施例作为范例说明。图7显示保护层150成型于图 1B的实施例的剖面示意图。值得说明的是，保护层150的材料可参照前文所述的膜层130的示例材料。在一实施例中，保护层150是全面性的覆盖触控面板100，也就是说保护层150覆盖于触控感应电极TE、周边引线120以及标记 140之上。保护层150可填入相邻周边引线120之间的非导电区域136，藉以隔绝相邻周边引线120，或者保护层150可填入相邻触控感应电极TE之间的非导电区域136，藉以隔绝相邻触控感应电极TE。另外，以单一组对应的周边引线120与第一中间层M1而言，保护层150会包围所述的单一组上下对应的周边引线120与第一中间层M1；类似的，以单一组对应的标记140与第二中间层M2而言，保护层150会包围所述的单一组上下对应的标记140与第二中间层M2。

图8为根据本实用新型的部分实施方式的触控面板100的上视示意图，本实施方式的触控感应电极TE采用双层的配置；图8A为图8的A-A线之剖面图。

为方便说明起见，以第一触控电极TE1与第二触控电极TE2来说明本实施方式采用的配置。第一触控电极TE1形成于基板110的一面(如上表面)，第二触控电极TE2则形成于基板110的另一面(如下表面)，使第一触控电极TE1、第二触控电极TE2彼此电性绝缘；而电性连接于第一触控电极TE1的周边引线 120则覆盖第一中间层M1；同理，连接于第二触控电极TE2的周边引线120 则覆盖其对应的第一中间层M1。第一触控电极TE1为多个沿第一方向D1排列的长条状电极，第二触控电极TE2为多个沿第二方向D2排列的长条状电极。如图所示，长条状触控感应电极TE1与长条状触控感应电极TE2的延伸方向不同，而互相交错。第一触控感应电极TE1与第二触控感应电极TE2可分别用以传送控制信号与接收触控感应信号。自此，可以经由侦测第一触控感应电极 TE1与第二触控感应电极TE2之间的信号变化(例如电容变化)，得到触控位置。藉由此设置，使用者可于基板110上的各点进行触控感应。如同前述实施例，第一触控感应电极TE1及/或第二触控感应电极TE2可为至少包括改质后金属纳米线190所制成，而第一中间层M1则可为改质后的金属纳米线190所制成。在其他实施例中，第一中间层M1或第二中间层M2则可依照前述方法由改质后或未改质的金属纳米线190所制成，而周边引线120或标记140的外表面则可依照前述方法成型有披覆结构180。

本实用新型的实施方式中所制作的双面型态的触控面板可依以下方式制作：首先提供基板110，其上具有事先定义的周边区PA与显示区VA。接着，于基板110的相对的第一与第二表面(如上表面与下表面)分别形成金属纳米线层NWL于第一与第二表面的周边区PA与显示区VA；接着进行改质步骤，使基板110上下表面的金属纳米线190上成型有披覆结构180(除了交叉处的接触面以外)；接着形成金属层ML于基板110的第一与第二表面，且金属层ML位于周边区PA；接着分别針對第一与第二表面的金属纳米线层NWL及金属层 ML进行图案化，以在第一与第二表面形成第一触控电极TE1、第二触控电极TE2与周边引线120，且周边引线120会覆盖于第一中间层M1。

同于前述实施例，基板110的任一面(如上表面或下表面)更可包括标记 140与第二中间层M2。

值得说明的是，本说明书的所有实施方式均可应用于双面双面型态的触控面板，并不限于前段内容所举例的实施方法。

本实用新型的实施方式中的双面型态的触控面板的制作方法可为将两组单面式的触控面板以同方向或反方向迭合所形成。以反方向迭合为例说明，可将第一组单面式的触控面板的触控电极朝上设置(例如最接近使用者，但不以此为限)，第二组单面式的触控面板的触控电极则朝下设置(例如最远离使用者，但不以此为限)，而以光学胶或其他类似黏合剂将两组触控面板的基板组装固定，藉借以组成双面型态的触控面板。

图9为根据本实用新型的部分实施方式的触控面板100的上视示意图，在本实施方式的触控面板100更包含设置于周边区PA的屏蔽导线160。屏蔽导线160主要包围触控感应电极TE与周边引线120，且屏蔽导线160会延伸至接合区而电性连接于软性电路板的接地端，故屏蔽导线160可以屏蔽或消除信号干扰或是静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)防护，特别是人手碰到触控装置周围的连接导线而导致的微小电流变化。

屏蔽导线160可由金属材料制成，较佳地可参照周边引线120或标记140 的说明；屏蔽导线160与基板110之间具有第三中间层，其则为改质后或未改质的金属纳米线190所制成，具体实施方式可参照第一中间层M1或第二中间层M2的说明。在本实用新型的部分实施例中，屏蔽导线160、周边引线120 与标记140可为同层的金属层ML所制作(即三者为相同的金属材料)；触控感应电极TE、第三中间层M3、第一中间层M1与第二中间层M2可为同层的金属纳米线层NWL(如纳米银线层)所制作，且金属纳米线190可依据前述工艺被改质而具有披覆结构180，具体作法可参照前文实施方法，于此不再赘述。

图10则显示本实用新型单面式的触控面板100的另一实施例，其为一种单面架桥式(bridge)的触控面板。此实施例与上述实施例的差异至少在于，成形于基板110上的透明导电层(即金属纳米线层140A)在上述图案化的步骤后形成的触控感应电极TE可包括：沿第一方向D1排列的第一触控感应电极TE1、沿第二方向D2排列的第二触控感应电极TE2及电性连接两相邻的第一触控感应电极TE1的连接电极CE，也就是说第一触控感应电极TE1、第二触控感应电极TE2及连接电极CE为改质后或未改质的金属纳米线190所制成；另外，绝缘块164可设置于连接电极CE上，例如以二氧化硅形成绝缘块164；而桥接导线162再设置于绝缘块164上，例如以铜/ITO/金属纳米线等材料形成桥接导线162，并使桥接导线162连接于第二方向D2上相邻的两个第二触控感应电极TE2，绝缘块164位于连接电极CE与桥接导线162之间，以将连接电极 CE以及桥接导线162电性隔绝，以使第一方向D1与第二方向D2上的触控电极彼此电性隔绝。具体做法可参考前文，于此不再赘述。

在一部分实施方式中，本文所述的触控面板100可藉由卷对卷(Roll to Roll)工艺来制作，卷对卷(Roll to Roll)涂覆工艺使用现有设备且可完全自动化，可显着降低制造触控面板的成本。卷对卷涂覆的具体工艺如下:首先选用具可挠性的基板110，并使卷带状的基板110安装于两滚轮之间，利用马达驱动滚轮，以使基板110可沿两滚轮之间的动作路径进行连续性的工艺。例如，利用储存槽、喷雾装置、刷涂装置及其类似物将含金属纳米线190的浆料则沈积于基板110的表面上以形成金属纳米线190；利用喷涂头将聚合物沈积于基板110的表面上，并将聚合物固化成为膜层130、图案化及改质等步骤。随后，所完成的触控面板100藉由产线最后端的滚轮加以卷出形成触控传感器卷带。

本实施例的触控传感器卷带更可以包含上述的保护层150，其是全面性的覆盖触控传感器卷上未裁切的触控面板100，也就是说保护层150可覆盖于触控传感器卷上未裁切的多个触控面板100上，再被切割分离为个别的触控面板 100。

于本实用新型的部分实施方式中，基板110较佳为透明基板，详细而言，可以为一硬式透明基板或一可挠式透明基板，其材料可以选自玻璃、压克力(polymethylmethacrylate；PMMA)、聚氯乙烯(polyvinyl Chloride；PVC)、聚丙烯(polypropylene；PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate； PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚苯乙烯(polystyrene；PS)、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymers；COP)、无色聚酰亚胺(Colorless Polyimide；CPI)、环烯烃共聚物(cycloolefin copolymer；COC)等透明材料。为了提高基板110与金属纳米线190之间的附着力，基板110上可较佳的进行前处理步骤，例如进行表面改质工艺，或是在基板110的表面上额外涂布黏着层或树脂层。

于本实用新型的部分实施方式中，金属纳米线190可以是纳米银线或纳米银纤维(silver nanofibers)，其可以具有平均约20至100纳米的直径，平均约20至100微米的长度，较佳为平均约20至70纳米的直径，平均约20至 70微米的长度(即纵横比为1000)。于部分实施方式中，金属纳米线190的直径可介于70纳米至80纳米，而长度约8微米。

卷对卷产线可沿基板的动作路径依需求调整多个涂覆步骤的顺序或是可按需求并入任何数目的额外站台。举例而言，为了达到适当的后处理工艺，即可将压力滚轮或电浆设备安装于产线中。

本实用新型实施例的触控面板可与其他电子装置组装，例如具触控功能的显示器，如可将基板110贴合于显示组件，例如液晶显示组件或有机发光二极管(OLED)显示组件，两者之间可用光学胶或其他类似黏合剂进行贴合；而触控感应电极TE上同样可利用光学胶与外盖层(如保护玻璃)进行贴合。本实用新型实施例的触控面板可应用于可携式电话、平板计算机、笔记本电脑等等电子设备。

本实施方式的其他细节大致上如上述实施方式所述，在此不再赘言。

本实用新型的不同实施例的结构可相互引用，并不为上述各具体实施方式的限制。

本实用新型的部分实施方式中，通过将金属纳米线190进行改质，但不影响金属纳米线190之间的直接接触态样，故可以维持金属纳米线190所形成的电极的导电特性，而经过改质的金属纳米线190可以具有较未改质之前更佳的光学特性。

本实用新型的部分实施方式中，经过改质的金属纳米线190相较于未改质之前，雾度可下降大于10％。经过改质的金属纳米线190相较于未改质之前，导电度不受影响，例如但不限于电阻(相当于导电度)的改变在5％以下。经过改质的金属纳米线190相较于未改质之前，光穿透率不受影响，例如但不限于光穿透率的改变在5％以下，或1％以下，或0.5％以下，或处理前后具有相同的光穿透率。

本实用新型的部分实施方式中，利用具黑化效果的钯材料披覆于银纳米在线可有效降低银纳米线的反射率，进而降低其雾度。下表为具体实施例的数据说明。

注：T表示光穿透率(transmission,％)，H表示雾度(Haze)，R表示表面电阻(sheetresistance，奥姆/平方)，Δ则表示处理前后的差异。

本实用新型的部分实施方式中，通过设计周边引线及/或标记下表面具有由金属纳米线190所形成的第一或第二中间层的覆盖，可以避免对位的过程中所预留的误差空间，故可有效降低周边区的宽度。

当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。

Claims

1.一种触控面板，其特征在于，包含：

一基板，其中该基板具有一显示区与一周边区；

多个周边引线，设置于该基板的该周边区；

2.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该些第一中间层包括该些改质后的金属纳米线。

3.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该些第一中间层包括多个未改质的金属纳米线，该些周边引线的外表面上具有该披覆结构。

4.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，更包含：一膜层，其中该些改质后的金属纳米线裸露于该膜层。

5.根据权利要求4所述的触控面板，其特征在于，该触控感应电极更包括设置在该膜层中的多个未改质的金属纳米线。

6.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该披覆结构为导电材料所制成的层状结构、岛状突起结构、点状突起结构或其组合。

7.根据权利要求6所述的触控面板，其特征在于，该导电材料为银、金、铜、铂、铱、铑、钯或锇。

8.根据权利要求6所述的触控面板，其特征在于，该导电材料为石墨烯、纳米碳管、导电高分子或导电氧化物。