CN211183798U - 一种直流电源的脉冲调制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种直流电源的脉冲调制电路，其包括第一MOS管、第二MOS管、MOS管驱动器、数字隔离器和主控芯片，输入电压端通过电感与电容一端、第一MOS管的漏极相连，第一MOS管的基极与MOS管驱动器的第一输出端相连，第二MOS管的源极、第一MOS管的源极、二极管的负极均与脉冲电压输出端相连，第二MOS管的基极与MOS管驱动器的第二输出端相连；电容另一端、第二MOS管的漏极、二极管的正极均接地；MOS管驱动器的输入端与数字隔离器的输出端相连；数字隔离器的输入端与主控芯片的输出端相连；主控芯片为可编程逻辑器件。本实用新型能够实现低电压、大电流的直流脉冲调制，有效改善直流电源脉冲调制的波形。
Description
技术领域
本实用新型属于直流电源技术领域，尤其是涉及一种直流电源的脉冲调制电路。
背景技术
目前，在固态有源相控阵雷达供电***中，经常需要对直流电源进行脉冲调制，进而驱动雷达的前端T/R组件，保证对目标物的有效跟踪和实时捕获。采用低电压大电流的直流电源脉冲调制可以有效地给雷达阵列面不同区域的T/R组件供电，并且各区域可以独立控制。传统的雷达***中采用高电压、大功率的电源脉冲给T/R组件供电，结构复杂，集成度低，不便于控制。
发明内容
为解决上述问题，本实用新型的目的是提供一种低电压、大电流、集成度高的直流电源的脉冲调制电路，其能够有效改善直流电源脉冲调制的波形。
为实现上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种直流电源的脉冲调制电路，其包括第一MOS管V1、第二MOS管V2、MOS管驱动器U1、数字隔离器U2和主控芯片U3，输入电压端通过电感L1与电容C1一端、第一MOS管V1的漏极相连，第一MOS管V1的基极与MOS管驱动器U1的第一输出端相连，第二MOS管V2的源极、第一MOS管V1的源极、二极管D1的负极均与脉冲电压输出端相连，第二MOS管V2的基极与MOS管驱动器U1的第二输出端相连；电容C1另一端、第二MOS管V2的漏极、二极管D1的正极均接地；MOS管驱动器U1的输入端与数字隔离器U2的输出端相连；数字隔离器U2的输入端与主控芯片U3的输出端相连；主控芯片U3为可编程逻辑器件。
进一步地，上述的输入电压端的输入电压范围为5V～80V的直流电压。
进一步地，上述的脉冲电压输出端的输出电压范围为满足5V～80V峰峰值的脉冲调制电压。
进一步地，上述的第一MOS管V1、第二MOS管V2均为GaN MOS管。
进一步地，上述的MOS管驱动器U1为GaN MOS管半桥栅极驱动器。
由于采用如上所述的技术方案，本实用新型具有如下优越性：
该直流电源的脉冲调制电路，其结构简单，设计合理，使用可靠，便于控制，仅需较少的***器件，采用直流斩波技术，通过控制主功率MOS管的导通和关断实现脉冲调制，通过控制泄放MOS管对后端电路中寄生二极管和寄生电容及负载电容的能量进行泄放，从而实现低电压、大电流的直流脉冲调制，具有良好的推广应用价值。
附图说明
图1是本实用新型直流电源的脉冲调制电路的原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型的技术方案作进一步详细说明。
如图1所示，该直流电源的脉冲调制电路，其包括第一MOS管V1、第二MOS管V2、MOS管驱动器U1、数字隔离器U2和主控芯片U3，输入电压端Vi通过电感L1与电容C1一端、第一MOS管V1的漏极相连，抑制第一MOS管V1高速导通时，瞬间产生的电流变化速率，防止对第一MOS管V1造成损坏；第一MOS管V1的基极与MOS管驱动器U1的第一输出端相连，第二MOS管V2的源极、第一MOS管V1的源极、二极管D1的负极均与脉冲电压输出端Vo相连，第二MOS管V2的基极与MOS管驱动器U1的第二输出端相连，第二MOS管V2作为泄放MOS管对后端电路中寄生二极管和寄生电容及负载电容的能量进行泄放；电容C1另一端、第二MOS管V2的漏极、二极管D1的正极均与GND端相连，用来抑制脉冲调制输出的负向尖峰电压；MOS管驱动器U1的输入端与数字隔离器U2的输出端相连；数字隔离器U2的输入端与主控芯片U3的输出端相连，对主控芯片U3产生的数字PWM波形进行隔离；主控芯片U3为CPLD可编程逻辑器件。
上述的输入电压端Vi的输入电压范围为5V～80V的直流电压。
上述的脉冲电压输出端Vo的输出电压范围为满足5V～80V峰峰值的脉冲调制电压。
上述的第一MOS管V1、第二MOS管V2均为GaN MOS管，型号为EPC2022。
上述的MOS管驱动器U1为GaN MOS管半桥栅极驱动器，型号为LM5113。
上述的数字隔离器U2采用型号为ISO7420的数字隔离芯片。
上述的主控芯片U3型号为XA2C256。
本实用新型直流电源的脉冲调制电路的工作原理为：输入电压Vi范围为5V～80V时，通过控制主功率MOS管，即第一MOS管V1的导通和关断来产生脉冲调制波形，输出电压Vo的范围为满足5V～80V峰峰值的脉冲调制电压。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，而非对本实用新型的限制，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的专利保护范围之内。
Claims (5)
1.一种直流电源的脉冲调制电路，其特征是：其包括第一MOS管V1、第二MOS管V2、MOS管驱动器U1、数字隔离器U2和主控芯片U3，输入电压端通过电感L1与电容C1一端、第一MOS管V1的漏极相连，第一MOS管V1的基极与MOS管驱动器U1的第一输出端相连，第二MOS管V2的源极、第一MOS管V1的源极、二极管D1的负极均与脉冲电压输出端相连，第二MOS管V2的基极与MOS管驱动器U1的第二输出端相连；电容C1另一端、第二MOS管V2的漏极、二极管D1的正极均接地；MOS管驱动器U1的输入端与数字隔离器U2的输出端相连；数字隔离器U2的输入端与主控芯片U3的输出端相连；主控芯片U3为可编程逻辑器件。
2.根据权利要求1所述的直流电源的脉冲调制电路，其特征是：其输入电压端的输入电压范围为5V～80V的直流电压。
3.根据权利要求1所述的直流电源的脉冲调制电路，其特征是：其脉冲电压输出端的输出电压范围为满足5V～80V峰峰值的脉冲调制电压。
4.根据权利要求1所述的直流电源的脉冲调制电路，其特征是：其第一MOS管V1、第二MOS管V2均为GaN MOS管。
5.根据权利要求1所述的直流电源的脉冲调制电路，其特征是：其MOS管驱动器U1为GaNMOS管半桥栅极驱动器。
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