CN211151936U - 电源开关电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种电源开关电路(100)，包括电源(VCC)、电阻元件、电容元件(C32)、开关按键(SW‑PB)、第一开关元件(101)、第二开关元件(102)、第三开关元件(103)和电源输出端(V_out)。第一开关元件(101)分别与电容元件(C32)、开关按键(SW‑PB)、第二开关元件(102)和第三开关元件(103)电连接。第二开关元件(102)与所述第三开关元件(103)电连接。该开关电路(100)通过点按开关按键(SW‑PB)控制第一开关元件(101)的通断，由此控制第二开关元件(102)的通断，进而控制第三开关元件(103)的通断，以完成电源开关电路(100)的开关功能。本实用新型采用了低功耗的场效应管，成本低且电路结构简单易于实现。

Description

电源开关电路

技术领域

本实用新型一般地涉及电源供电。更具体地，本实用新型涉及一种电源开关电路。

背景技术

传统的一键开关电路，都需要中央处理单元(“CPU”)的介入控制。在CPU死机等极端情况下，可能出现不能开机或者关机的情况。其次，现有技术中，普遍使用专业的电源管理单元(“PMU”)进行电源开关控制或者使用专业的芯片进行电源开关控制，但是因为PMU或者专业芯片成本高且采购周期长，在需要降低物料清单成本及、提高交货速度时，现有技术无法实现。另外，一些传统的开关电路，例如三极管开关电路，其功耗较大，不适合应用于高频、高速的电路以及需要大电流的场景中。

实用新型内容

为克服了上述现有技术的一个或多个缺点，以便提供一种能满足设计要求的开关电路本，本实用新型无需利用CUP进行控制，而是采用场效应管作为开关元件，并通过电容的充放电对开关元件进行控制，进而实现开关电路的供电和断电功能。

为至少解决上述背景技术中一个或多个问题，本实用新型公开了一种新型电源开关电路，包括电源、开关按键、第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和电源输出端。

所述第一开关元件的第一端分别与所述电源和所述第二开关元件的第二端电连接，所述第一开关元件的第二端与所述开关按键电连接，所述第一开关元件的第三端接地；所述第二开关元件的第一端接地，所述第二开关元件的第三端与所述第三开关元件的第二端电连接；所述第三开关元件的第一端与所述电源电连接，所述第三开关元件的第三端为所述电源输出端；

其中，当在接通所述电源的初始状态下按下所述开关按键并松开时，所述第一开关元件被控制为断开，从而使与其电连接的所述第二开关元件导通，所述第二开关元件的导通使与其电连接的所述第三开关元件导通，而所述第三开关元件的导通使所述电源输出端打开，

在所述电源输出端处于所述打开的状态下时，按下所述开关按键并松开，所述第一开关元件被控制为导通，从而使与其电连接的所述第二开关元件断开，所述第二开关元件的断开使与其电连接的所述第三开关元件断开，而所述第三开关元件的断开使所述电源输出端关闭。

在一个实施例中，所述第一开关元件是第一NMOS场效应管，其中所述第一开关元件的第一端为所述第一NMOS场效应管的漏极，第二端为所述第一NMOS场效应管的栅极，第三端为所述第一NMOS场效应管的源极；所述第二开关元件是第二NMOS场效应管，其中所述第二开关元件的第一端为所述第二NMOS场效应管的源极，第二端为所述第二NMOS场效应管的栅极，第三端为所述第二NMOS场效应管的漏极；所述第三开关元件是PMOS场效应管，其中所述第三开关元件的第一端为所述PMOS场效应管的源极，第二端为所述PMOS场效应管的栅极，第三端为所述PMOS场效应管的漏极；

所述电源开关电路进一步包括第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器和第四电阻器，其中，所述第一电阻器的一端与所述电源电连接，另一端与所述第一NMOS场效应管的漏极电连接；所述第二电阻器的一端与所述第一NMOS场效应管的漏极电连接，另一端与所述开关按键电连接；所述第三电阻器的一端与所述第二NMOS场效应管的漏极电连接，另一端与所述PMOS场效应管的源极电连接；所述第四电阻器的一端与所述第一NMOS场效应管的栅极电连接，另一端与所述电阻器及所述PMOS场效应管的栅极电连接。

在另一个实施例中，所述电源开关电路还包括电容元件，其一端接地，另一端与所述第二电阻器及所述开关按键的一端电连接，所述电容元件通过所述第一电阻器和第二电阻器进行充放电操作，以此对所述第一NMOS场效应管的导通或断开进行控制。

在又一个实施例中，所述第一NMOS场效应管的漏极分别与第二电阻器和通过所述第一电阻器与电源电连接，所述第一NMOS场效应管的栅极通过所述第二电阻器和所述第三电阻分别与所述第二NMOS场效应管的漏极和所述PMOS场效应管的栅极电连接，所述第一NMOS场效应管的源极接地。

在另一个实施例中，所述第二NMOS场效应管的栅极与所述第一NMOS场效应管的漏极电连接，所述第二NMOS场效应管的漏极分别与所述PMOS场效应管的栅极和通过所述第三电阻器与所述电源以及通过所述第四电阻器与所述第一NMOS场效应管的栅极电连接，所述第二NMOS场效应管的源极接地。

在另一个实施例中，所述PMOS场效应管的栅极与所述第二NMOS场效应管的漏极电连接，所述PMOS场效应管的源极与所述电源电连接，所述PMOS场效应管的漏极为所述电源开关电路的电源输出端。

在一个实施例中，在接通所述电源的初始状态下，所述电容元件的电压为零，所述电源通过所述第三电阻器和第四电阻器加压到所述第一NMOS场效应管的栅极使其导通，进而拉低所述第二NMOS场效应管的栅极电压，使得第二NMOS场效应管处于截止，从而导致与其电连接的所述PMOS场效应管截止，而所述PMOS场效应管的截止使所述电源输出端关闭。

在另一个实施例中，在接通所述电源的初始状态下，按下所述开关按键并松开时，所述电容元件的零电压被传递给所述第一NMOS场效应管的栅极，使其由导通转变为截止，同时所述电容元件通过第一电阻器和第二电阻器开始充电，直到其上电压大于所述第一NMOS场效应管的导通电压，所述电源通过所述第一电阻器加压到所述第二NMOS场效应管的栅极进而使所述第二NMOS场效应管由截止转变为导通，从而拉低与其电连接的所述PMOS场效应管的栅极电压，导致PMOS场效应管由截止转变为导通，而所述PMOS场效应管的导通使所述电源输出端由关闭转变为打开。

在又一个实施例中，在所述电源输出端处于所述打开的状态下时，按下所述开关按键并松开，所述电容元件的高电压被传递给所述第一NMOS场效应管的栅极，使其由截止转变为导通，进而拉低所述第二NMOS场效应管的栅极电压，使得第二NMOS场效应管由导通转变为截止，从而导致与其电连接的所述PMOS场效应管由导通转变为截止，而所述PMOS场效应管的截止使所述电源输出端状态由打开转变为关闭。

在一个实施例中，所述开关按键是自复式开关。

本实用新型的电源开关电路，实现了向外接设备提供和断开电源的功能。本实用新型设计原理巧妙，在开关电路工作过程中，通过电容元件的充放电所产生的电压变化进而控制开关电路的导通和断开，以完成对外接设备的供电和断电功能。本实用新型的电路无CPU的干预控制，具有较高的可靠性。另外，本实用新型采用金属-氧化物半导体场效应管，使得电路简单、容易实现且功耗低、噪声小。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，可以更好地理解本实用新型的上述特征，并且其众多目的、特征和优点对于本领域技术人员而言是显而易见的。下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可根据这些附图获得其他的附图，其中:

图1是示出根据本实用新型的电源开关电路的原理框图；以及

图2是示出根据本实用新型实施例的电源开关电路的详细电路图。

具体实施方式

本实用新型的电源开关电路采用低功耗的三个开关元件，通过利用开关按键控制第一开关元件的导通和断开来控制与其电连接的第二开关元件的导通和断开，并且通过第二开关元件的导通和断开来控制与其电连接的第三开关元件的导通和断开，以此来打开或关闭作为第三开关元件一端的电源输出端。基于这样的控制原理，本实用新型的电源开关电路实现向外接设备进行供电和断电的功能。

下面将结合附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，这里所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1是示出根据本实用新型的电源开关电路100的原理框图。如图所示，本实用新型的电源开关电路100除其他未示出的具体元件以外，主要包括电源VCC、开关按键SW-PB、第一开关元件101、第二开关元件102、第三开关元件103和电源输出端V_out。为了便于描述元件的各个连接端，图中的***数字1、2和3分别表示开关元件的第一端、第二端和第三端，并且所述电源输出端V_out与需要供电和断电的外部设备(未示出)电连接。

从图1中可以看出，所述第一开关元件101的第一端分别与电源VCC和第二开关元件102的第二端电连接，所述第一开关元件101的第二端与开关按键SW-PB电连接，所述第一开关元件101的第三端接地。所述第二开关元件102的第一端接地，所述第二开关元件102的第三端与第三开关元件103的第二端电连接。所述第三开关元件103第一端与电源VCC电连接，所述第三开关元件103第三端为电源输出端V_out。

下面将结合附图1来描述电源开关电路100的工作原理。

首先，在接通电源VCC的初始状态下时，开关按键SW-PB处于断开状态，此时电源VCC通过内部电路给第一开关元件101加压，导致其导通，从而使与其电连接的第二开关元件102由于接收到零电压而被控制为断开。进一步地，第二开关元件102的断开使电源VCC通过内部电路作用于第三开关元件103，导致第三开关元件103断开。而第三开关元件103的断开使电源输出端V_out关闭，此时电源输出端V_out的电压为零。

接着，当外部设备需要供电时，在接通电源VCC的初始状态下时按下所述开关按键SW-PB并松开。此时，第一开关元件101接收内部电路传送来的零电压，导致其被控制为由导通转变为断开，同时电源VCC通过内部电路作用于第二开关元件102，导致第二开关元件102由断开转变为导通。进一步地，所述第二开关元件102的导通使与其电连接的第三开关元件103由断开转变为导通，而第三开关元件103的导通使电源输出端V_out打开，此时电源输出端V_out向外部设备提供电压。

然后，当需要断开外部设备的电源时，在电源输出端V_out处于打开的状态下时再次按下开关按键SW-PB并松开。此时第一开关元件101接收来自内部电路的高电压，导致其状态由断开转变为导通，从而使与其电连接的第二开关元件102由于接收到零电压而被控制为由导通转变为断开。进一步地，第二开关元件102的断开使电源VCC通过内部电路作用于第三开关元件103，导致第三开关元件103由导通转变为断开。而第三开关元件103的断开使电源输出端V_out由打开转变为关闭，此时电源输出端V_out的电压为零，于是停止向外部设备供电。

上面结合图1对本实用新型的电源开关电路100进行了概括性的描述，并且为了简明的目的而没有描述上文所提到的内部电路。根据本实用新型的公开和教导，本领域技术人员可以以各种具体的电路结构并采用合适的元器件来构建上文所提到的内部电路，从而实现本实用新型的利用三个开关元件和按键来实现对电路的开关控制。

图2是示出根据本实用新型实施例的电源开关电路100的详细电路图。这里需要指出的是，图2中所示的电源开关电路100可以理解为图1的电源开关电路100的一种示例性的具体实现方式，因此结合图1所描述的电源开关电路100的细节也同样适用于图2的电源开关电路100的描述，也即图2示出的电路元件和连接关系同样适用于图1的电源开关电路100。下面将结合图2详细地描述电源开关电路100的连接关系和工作原理。

在一个或多个实施例中，本实用新型前述的开关元件可以实现为N沟道金属-氧化物半导体场效应管(“NMOS场效应管”)或P沟道金属-氧化物半导体场效应管(“PMOS场效应管”)，或者还可以是能实现本实用新型的开关功能的其他开关元件或模块。

基于上述内容，在图2所示出的电源开关电路100中，图1中的所述第一开关元件101可以具体化为第一NMOS场效应管Q1，其中第一开关元件101的第一端为第一NMOS场效应管Q1的漏极，第二端为第一NMOS场效应管Q1的栅极，第三端为第一NMOS场效应管Q1的源极。类似地，所述第二开关元件102可以具体化为第二NMOS场效应管Q2，其中第二开关元件102的第一端为第二NMOS场效应管Q2的源极，第二端为第二NMOS场效应管Q2的栅极，第三端为第二NMOS场效应管Q2的漏极。同样地，所述第三开关元件103可以具体化为PMOS场效应管Q3，其中第三开关元件103的第一端为PMOS场效应管Q3的源极，第二端为PMOS场效应管Q3的栅极，第三端为PMOS场效应管Q3的漏极。

如图中所示，所述电源开关电路100进一步包括第一电阻器R60、第二电阻器R61、第三电阻器R62和第四电阻器R63。其中，所述第一电阻器R60的一端与电源VCC电连接，另一端与第一NMOS场效应管Q1的漏极电连接。所述第二电阻器R61的一端与第一NMOS场效应管Q1的漏极电连接，另一端与开关按键SW-PB电连接。

所述第三电阻器R62的一端与第二NMOS场效应管Q2的漏极电连接，另一端与PMOS场效应管Q3的源极电连接；所述第四电阻器R63的一端与第一NMOS场效应管Q1的栅极电连接，另一端与电阻器R62及PMOS场效应管Q3的栅极电连接。

进一步如图中所示，所述电源开关电路100还包括电容元件C32，其一端接地，另一端与第二电阻器R61及开关按键SW-PB的一端电连接，所述电容元件C32通过第一电阻器R60和第二电阻器R61进行充放电操作，以此对第一NMOS场效应管Q1的导通或断开进行控制。

在一个实施例中，如图中所示出的，所述第一NMOS场效应管Q1的漏极分别与第二电阻器R61和通过第一电阻器R60与电源VCC电连接；所述第一NMOS场效应管Q1的栅极通过第二电阻器R62和第三电阻器R63分别与第二NMOS场效应管Q2的漏极和PMOS场效应管Q3的栅极电连接；所述第一NMOS场效应管Q1的源极接地。

在另一个实施例中，所述第二NMOS场效应管Q2的栅极与第一NMOS场效应管Q1的漏极电连接；所述第二NMOS场效应管Q2的漏极分别与PMOS场效应管Q3的栅极和通过第三电阻器R62与电源VCC以及通过第四电阻器R63与第一NMOS场效应管Q1的栅极电连接；所述第二NMOS场效应管Q2的源极接地。所述PMOS场效应管Q3的栅极与第二NMOS场效应管Q2的漏极电连接；所述PMOS场效应管Q3的源极与电源VCC电连接；所述PMOS场效应管Q3的漏极为电源开关电路100的电源输出端V_out。

下面将结合附图2详细说明电源开关电路100的工作原理。

如图2中所示，电源开关电路100处于初始状态下，此时电容元件C32的电压为零，开关按键SW-PB为弹起状态。电源VCC通过所述第三电阻器R62和第四电阻器R63加压到所述第一NMOS场效应管Q1(下文简称为“Q1”)的栅极，由于Q1的源极接地，此时V_gs＞导通电压(V_gs为场效应管的栅源电压)，因此Q1导通。由于Q1的漏极与第二NMOS场效应管Q2(下文简称为“Q2”)的栅极电连接，于是Q2的栅极电压被拉低为零，而Q2的源极接地，因此Q2的V_gs＝0，小于Q2的导通电压，使得Q2截止。此时电源VCC的电压加载到所述PMOS场效应管Q3(下文简为“Q3”)的栅极和源极两端，于是Q3的V_gs＝0，小于Q3的导通电压，从而导致Q3截止。此时Q3的V_d＝0(V_d为场效应管的漏极电压)，因此，所述电源输出端V_out关闭。

当要给其他外接设备提供电源时，可以按下所述开关按键SW-PB并松开。此时，开关电路处于上述初始状态，所述电容元件C32的零电压在开关按键按下接通电路的瞬时通过开关按键传递给Q1的栅极。由于Q1的源极接地，此时Q1的V_gs＝0，小于其导通电压，因此Q1由导通转变为截止。

由于Q1的截止，一方面电源VCC开始对电容元件C32通过第一电阻器R60和第二电阻器R61进行充电，直到C32上的电压大于Q1的导通电压；另一方面电源VCC通过第一电阻器R60给Q2的栅极加压，由于Q2的源极接地，此时Q2的V_gs＞导通电压，使Q2由截止变为导通。

由于Q2的导通使与其漏极电连接的Q3栅极电压为零，而Q3的源极与电源VCC相连接，导致Q3的V_gs＞导通电压,于是Q3由截止转变为导通，此时Q3的V_d＝V_s(V_s为场效应管的源极电压)，最终电源输出端V_out由关闭转变为打开。此时电源开关电路100向连接到电源电源输出端V_out的外接设备进行供电。

当不需要给连接到电源输出端V_out的外接设备供电时，再次按下所述开关按键SW-PB并松开，所述电容元件C32的高电压在开关按键按下接通电路的瞬时被传递给所述Q1的栅极。由于Q1的源极接地，此时Q1的V_gs＞导通电压，因此Q1由截止转变为导通。由于Q1的漏极与Q2的栅极电连接，因此Q2的栅极电压被拉低为零。此时，Q2的源极接地，所以Q2的V_gs＝0，此电压小于Q2的导通电压使得Q2由导通变为截止。

同时，电源VCC的电压加载于Q3的栅极和源极两端，于是Q3的V_gs＝0，此电压小于Q3的导通电压，从而导致Q3由导通转变为截止，因此Q3的V_d＝0，Q3的漏极即为所述电源输出端V_out，最终电源输出端V_out由打开转变为关闭，电源开关电路100停止向连接到电源输出端V_out的外接设备供电。与此同时，由于Q1导通，电容元件C32沿着第二电阻器R61、Q1及C32所组成的闭合回路进行放电操作，直到其上的电压为零，以等待下一次按键操作的到来。

在一个实施例中，本实用新型的开关按键SW-PB采用自复式开关。对于自复式开关，只有在按键按下时电路处于接通状态，此时电路形成回路；当松开按键，电路随即断开。

可选地，本实用新型的电源VCC可以是内置电压源或外置电源。当为外置电源时，需要在电源开关电路100预留相应的接口(例如图2中示出的Head4中的1和4管脚)。

应当理解，本实用新型的权利要求、说明书及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。本公开的说明书和权利要求书中使用的术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在本实用新型说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的，而并不意在限定本实用新型。如在本实用新型说明书和权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本实用新型说明书和权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

如在本说明书和权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

虽然本发明的实施方式如上，但所述内容只是为便于理解本发明而采用的实施例，并非用以限定本发明的范围和应用场景。任何本发明所述技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种电源开关电路(100)，包括电源(VCC)和开关按键(SW-PB)，其特征在于，所述电源开关电路(100)还包括第一开关元件(101)、第二开关元件(102)、第三开关元件(103)和电源输出端(V_out)；

所述第一开关元件(101)的第一端分别与所述电源(VCC)和所述第二开关元件(102)的第二端电连接，所述第一开关元件(101)的第二端与所述开关按键(SW-PB)电连接，所述第一开关元件(101)的第三端接地；

所述第二开关元件(102)的第一端接地，所述第二开关元件(102)的第三端与所述第三开关元件(103)的第二端电连接；

所述第三开关元件(103)的第一端与所述电源(VCC)电连接，所述第三开关元件(103)的第三端为所述电源输出端(V_out)；

其中，当在接通所述电源(VCC)的初始状态下按下所述开关按键(SW-PB)并松开时，所述第一开关元件(101)被控制为断开，从而使与其电连接的所述第二开关元件(102)导通，所述第二开关元件(102)的导通使与其电连接的所述第三开关元件(103)导通，而所述第三开关元件(103)的导通使所述电源输出端(V_out)打开，

在所述电源输出端(V_out)处于所述打开的状态下时，按下所述开关按键(SW-PB)并松开，所述第一开关元件(101)被控制为导通，从而使与其电连接的所述第二开关元件(102)断开，所述第二开关元件(102)的断开使与其电连接的所述第三开关元件(103)断开，而所述第三开关元件(103)的断开使所述电源输出端(V_out)关闭。

2.根据权利要求1所述的电源开关电路(100)，其特征在于，所述第一开关元件(101)是第一NMOS场效应管(Q1)，其中所述第一开关元件(101)的第一端为所述第一NMOS场效应管(Q1)的漏极，第二端为所述第一NMOS场效应管(Q1)的栅极，第三端为所述第一NMOS场效应管(Q1)的源极；

所述第二开关元件(102)是第二NMOS场效应管(Q2)，其中所述第二开关元件(102)的第一端为所述第二NMOS场效应管(Q2)的源极，第二端为所述第二NMOS场效应管(Q2)的栅极，第三端为所述第二NMOS场效应管(Q2)的漏极；

所述第三开关元件(103)是PMOS场效应管(Q3)，其中所述第三开关元件(103)的第一端为所述PMOS场效应管(Q3)的源极，第二端为所述PMOS场效应管(Q3)的栅极，第三端为所述PMOS场效应管(Q3)的漏极；

所述电源开关电路(100)进一步包括第一电阻器(R60)、第二电阻器(R61)、第三电阻器(R62)和第四电阻器(R63)，其中，

所述第一电阻器(R60)的一端与所述电源(VCC)电连接，另一端与所述第一NMOS场效应管(Q1)的漏极电连接；

所述第二电阻器(R61)的一端与所述第一NMOS场效应管(Q1)的漏极电连接，另一端与所述开关按键(SW-PB)电连接；

所述第三电阻器(R62)的一端与所述第二NMOS场效应管(Q2)的漏极电连接，另一端与所述PMOS场效应管(Q3)的源极电连接；以及

所述第四电阻器(R63)的一端与所述第一NMOS场效应管(Q1)的栅极电连接，另一端与所述电阻器(R62)及所述PMOS场效应管(Q3)的栅极电连接。

3.根据权利要求2所述的电源开关电路(100)，其特征在于，所述电源开关电路(100)还包括电容元件(C32)，其一端接地，另一端与所述第二电阻器(R61)及所述开关按键(SW-PB)的一端电连接，所述电容元件(C32)通过所述第一电阻器(R60)和第二电阻器(R61)进行充放电操作，以此对所述第一NMOS场效应管(Q1)的导通或断开进行控制。

4.根据权利要求3所述的电源开关电路(100)，其特征在于，所述第一NMOS场效应管(Q1)的漏极分别与第二电阻器(R61)和通过所述第一电阻器(R60)与电源(VCC)电连接，所述第一NMOS场效应管(Q1)的栅极通过所述第三电阻器(R62)和所述第四电阻器(R63)分别与所述第二NMOS场效应管(Q2)的漏极和所述PMOS场效应管(Q3)的栅极电连接，所述第一NMOS场效应管(Q1)的源极接地。

5.根据权利要求4所述的电源开关电路(100)，其特征在于，所述第二NMOS场效应管(Q2)的栅极与所述第一NMOS场效应管(Q1)的漏极电连接，所述第二NMOS场效应管(Q2)的漏极分别与所述PMOS场效应管(Q3)的栅极和通过所述第三电阻器(R62)与所述电源(VCC)以及通过所述第四电阻器(R63)与所述第一NMOS场效应管(Q1)的栅极电连接，所述第二NMOS场效应管(Q2)的源极接地。

6.根据权利要求5所述的电源开关电路(100)，其特征在于，所述PMOS场效应管(Q3)的栅极与所述第二NMOS场效应管(Q2)的漏极电连接，所述PMOS场效应管(Q3)的源极与所述电源(VCC)电连接，所述PMOS场效应管(Q3)的漏极为所述电源开关电路(100)的电源输出端(V_out)。

7.根据权利要求6所述的电源开关电路(100)，其特征在于，在接通所述电源(VCC)的初始状态下，所述电容元件(C32)的电压为零，所述电源(VCC)通过所述第三电阻器(R62)和第四电阻器(R63)加压到所述第一NMOS场效应管(Q1)的栅极使其导通，进而拉低所述第二NMOS场效应管(Q2)的栅极电压，使得第二NMOS场效应管(Q2)处于截止，从而导致与其电连接的所述PMOS场效应管(Q3)截止，而所述PMOS场效应管(Q3)的截止使所述电源输出端(V_out)关闭。

8.根据权利要求7所述的电源开关电路(100)，其特征在于，在接通所述电源(VCC)的初始状态下，按下所述开关按键(SW-PB)并松开时，所述电容元件(C32)的零电压被传递给所述第一NMOS场效应管(Q1)的栅极，使其由导通转变为截止，同时所述电容元件(C32)通过第一电阻器(R60)和第二电阻器(R61)开始充电，直到其上电压大于所述第一NMOS场效应管(Q1)的导通电压，所述电源(VCC)通过所述第一电阻器(R60)加压到所述第二NMOS场效应管(Q2)的栅极进而使所述第二NMOS场效应管(Q2)由截止转变为导通，从而拉低与其电连接的所述PMOS场效应管(Q3)的栅极电压，导致PMOS场效应管(Q3)由截止转变为导通，而所述PMOS场效应管(Q3)的导通使所述电源输出端(V_out)由关闭转变为打开。

9.根据权利要求8所述的电源开关电路(100)，其特征在于，在所述电源输出端(V_out)处于所述打开的状态下时，按下所述开关按键(SW-PB)并松开，所述电容元件(C32)的高电压被传递给所述第一NMOS场效应管(Q1)的栅极，使其由截止转变为导通，进而拉低所述第二NMOS场效应管(Q2)的栅极电压，使得第二NMOS场效应管(Q2)由导通转变为截止，从而导致与其电连接的所述PMOS场效应管(Q3)由导通转变为截止，而所述PMOS场效应管(Q3)的截止使所述电源输出端(V_out)状态由打开转变为关闭。

10.根据权利要求1-9的任意一项所述的电源开关电路(100)，其特征在于，所述开关按键(SW-PB)是自复式开关。

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