CN210780153U - 一种电子***起爆电容充放电电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种电子***起爆电容充放电电路,包括:电源端、MCU端、控制端、第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容,本实用新型提供一种电子***起爆电容充放电电路,可以实现电子***起爆电容的充电和放电,保障电子***的安全使用。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子***的起爆电容充放电电路,属于电子***技术领域。
背景技术
电子***起爆的能量,是从二线总线获取, 常规电子***使用时,总线上挂接的***数量1~1000个,如果不使用低电流充电,多个电子***快速充电,可能会把二线Ⅰ/O(带供电)总线的电压拉低,时间如超过电子***的电容储能,则会造成线上电子***失联。电子***用于无人机投掷降雨弹或灭火弹时,则要求快速充电,用较短的时间,把单个电子***的起爆电容充满。为了安全,充好电的电子***,如放弃起爆,应在很短的时间内,将充好电的起爆电能,释放到安全电压值以下。
实用新型内容
本实用新型提供一种电子***起爆电容充放电电路,可以实现电子***起爆电容的充电和放电,保障电子***的安全使用。
本实用新型通过以下方式实现:
一种电子***起爆电容充放电电路,其特征在于,包括:电源端、MCU端、控制端、第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容,其中:
电源端,为电路输入电压;
第一电阻,其一端与电源端连接,另一端与第一晶体管的第三管脚、第二晶体管的第一管脚连接;
第一晶体管,其第一管脚与MCU端连接,第二管脚与第二电阻连接;第三管脚与第一电阻连接同时与第二晶体管的第一管脚连接,
第二晶体管,其第一管脚与第一电阻、第一晶体管的第三管脚连接,第二管脚与电源端Vcc连接,第三管脚与电容正极连接;
第二电阻,其一端与第一晶体管第二管脚连接,另一端与控制端、第三晶体管的第一管脚连接;
第三晶体管,其第一管脚与控制端、第二电阻连接,第二管脚接地,第三管脚与第二晶体管的第三管脚、电容正极连接;
电容,其负极接地。
进一步的,第一晶体管采用NPN管;第二晶体管采用PNP管;第三晶体管采用NMOS管。
进一步的,所述第一晶体管采用9013晶体管;第二晶体管采用9012晶体管,第三晶体管采用AO3400晶体管。
进一步的,所述第一晶体管第一管脚为基极,第二管脚为发射极,第三管脚为集电极;第二晶体管第一管脚为基极,第二管脚为发射极,第三管脚为集电极;第三晶体管第一管脚为栅极,第二管脚为源极,第三管脚为漏极。
进一步的,所述第一晶体管采用NPN管,第二晶体管采用PMOS管;第三晶体管采用NMOS管。
进一步的,所述第一晶体管采用9013晶体管;第二晶体管采用AO3401晶体管;第三晶体管采用AO3400晶体管。
进一步的,所述第一晶体管第一管脚为基极,第二管脚为发射极,第三管脚为集电极;第二晶体管第一管脚为栅极,第二管脚为源极,第三管脚为漏极;第三晶体管第一管脚为栅极,第二管脚为源极,第三管脚为漏极。
本实用新型的有益效果是:提供一种电子***起爆电容充放电电路,过控制端输出高低不同的电平,实现对电子***起爆电容的充放电,满足***引爆需求的同时,也可以保障***的安全使用。
附图说明
图1为实施例1电路示意图;
图2为实施例2电路示意图。
具体实施方式
实施例1
一种电子***起爆电容充放电电路,包括:电源端Vcc、MCU端V+、控制端V、第一电阻R1、第二电阻R2、第一晶体管B1、第二晶体管B2、第三晶体管B3和电容C1,其中:
电源端Vcc,为电路输入电压;
第一电阻R1,其一端与电源端Vcc连接,另一端与第一晶体管B1的第三管脚、第二晶体管的第一管脚连接;
第一晶体管B1,其第一管脚与MCU端V+连接,第二管脚与第二电阻R2连接;第三管脚与第一电阻R1连接同时与第二晶体管B2的第一管脚连接,
第二晶体管B2,其第一管脚与第一电阻R1、第一晶体管的第三管脚连接,第二管脚与电源端Vcc连接,第三管脚与电容正极连接;
第二电阻R2,其一端与第一晶体管B1第二管脚连接,另一端与控制端V、第三晶体管B3的第一管脚连接;
第三晶体管B3,其第一管脚与控制端V、第二电阻R2连接,第二管脚接地,第三管脚与第二晶体管B2的第三管脚、电容C1正极连接;
电容C1,其负极接地。
第一晶体管B1采用NPN管;第二晶体管B2采用PNP管;第三晶体管B3采用NMOS管。
所述第一晶体管B1采用9013晶体管;第二晶体管B2采用9012晶体管,第三晶体管B3采用AO3400晶体管。
所述第一晶体管B1第一管脚为基极,第二管脚为发射极,第三管脚为集电极;第二晶体管B2第一管脚为基极,第二管脚为发射极,第三管脚为集电极;第三晶体管B3第一管脚为栅极,第二管脚为源极,第三管脚为漏极。
本实施例中,当控制端V输入高电平时,第一晶体管B1和第二晶体管B2截止,第三晶体管B3导通,电容C1进入低阻快速放电状态;
当控制端V输入低电平时,第一晶体管B1和第二晶体管B2导通,第三晶体管B3截止,电容C1进入充电状态。
第二晶体管B2采用PNP管,受基极电流和电流放大系数β的限制,只能以受限低电流对起爆电容C1充电。
MCU端V+可以用于控制电路,当MCU端V+为低电平时,第一晶体管B1和第二晶体管B2都截止,电路无法进入充电状态,起爆电容C1无法充电。
为了保护第三晶体管B3,可在第三晶体管B3源极和漏极之间增加一个二极管。
实施例2
在其他结构与实施例1相同的情况下,实施例2中
所述第一晶体管B1采用NPN管,第二晶体管B2采用PMOS管;第三晶体管B3采用NMOS管。
所述第一晶体管B1采用9013晶体管;第二晶体管B2采用AO3401晶体管;第三晶体管B3采用AO3400晶体管。
所述第一晶体管B1第一管脚为基极,第二管脚为发射极,第三管脚为集电极;第二晶体管B2第一管脚为栅极,第二管脚为源极,第三管脚为漏极;第三晶体管B3第一管脚为栅极,第二管脚为源极,第三管脚为漏极。
本实施例中,当控制端V输入高电平时,第一晶体管B1和第二晶体管B2截止,第三晶体管B3导通,电容C1进入低阻快速放电状态;
当控制端V输入低电平时,第一晶体管B1和第二晶体管B2导通,第三晶体管B3截止,电容C1进入充电状态。
第二晶体管B2采用PMOS管,导通内阻很小,可快速完成电容C1充电。
MCU端V+可以用于控制电路,当MCU端V+为低电平时,第一晶体管B1和第二晶体管B2都截止,电路无法进入充电状态,起爆电容C1无法充电。
为了保护第二晶体管B2和第三晶体管B3,可在第二晶体管B2和第三晶体管B3源极和漏极之间增加一个二极管。
Claims (7)
1.一种电子***起爆电容充放电电路,其特征在于,包括:电源端、MCU端、控制端、第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容,其中:
电源端Vcc,为电路输入电压;
第一电阻,其一端与电源端连接,另一端与第一晶体管的第三管脚、第二晶体管的第一管脚连接;
第一晶体管,其第一管脚与MCU端连接,第二管脚与第二电阻连接;第三管脚与第一电阻连接同时与第二晶体管的第一管脚连接,
第二晶体管,其第一管脚与第一电阻、第一晶体管的第三管脚连接,第二管脚与电源端Vcc连接,第三管脚与电容正极连接;
第二电阻,其一端与第一晶体管第二管脚连接,另一端与控制端、第三晶体管的第一管脚连接;
第三晶体管,其第一管脚与控制端、第二电阻连接,第二管脚接地,第三管脚与第二晶体管的第三管脚、电容正极连接;
电容,其负极接地。
2.根据权利要求1所述电路,其特征在于,第一晶体管采用NPN管;第二晶体管采用PNP管;第三晶体管采用NMOS管。
3.根据权利要求2所述电路,其特征在于,所述第一晶体管采用9013晶体管;第二晶体管采用9012晶体管,第三晶体管采用AO3400晶体管。
4.根据权利要求2所述电路,其特征在于,所述第一晶体管第一管脚为基极,第二管脚为发射极,第三管脚为集电极;第二晶体管第一管脚为基极,第二管脚为发射极,第三管脚为集电极;第三晶体管第一管脚为栅极,第二管脚为源极,第三管脚为漏极。
5.根据权利要求1所述电路,其特征在于,所述第一晶体管采用NPN管,第二晶体管采用PMOS管;第三晶体管采用NMOS管。
6.根据权利要求5所述电路,其特征在于,所述第一晶体管采用9013晶体管;第二晶体管采用AO3401晶体管;第三晶体管采用AO3400晶体管。
7.根据权利要求5所述电路,其特征在于,所述第一晶体管第一管脚为基极,第二管脚为发射极,第三管脚为集电极;第二晶体管第一管脚为栅极,第二管脚为源极,第三管脚为漏极;第三晶体管第一管脚为栅极,第二管脚为源极,第三管脚为漏极。
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CN201921889343.2U CN210780153U (zh) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 一种电子***起爆电容充放电电路 |
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CN110768334A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-02-07 | 深圳市中安利业科技技术有限公司 | 一种电子***起爆电容充放电电路 |
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