CN210742553U - 一种光纤纤芯残余激光处理结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种光纤纤芯残余激光处理结构，当所述光纤为单模光纤时，光纤纤芯残余激光处理结构包括与单模光纤熔接的第二多模光纤段，所述第二多模光纤段包括同轴设置的第二多模光纤纤芯和第二多模光纤包层，所述第二多模光纤段的另一端熔接有第二单模光纤段，所述第二单模光纤段包括同轴的第二单模光纤纤芯和第二单模光纤包层，所述第二单模光纤包层表面涂敷第二高折胶水层，所述第二单模光纤段的另一端与第三多模光纤段熔接，所述第三多模光纤段包括同轴的第三多模光纤纤芯和第三多模光纤包层。将单模光纤中的纤芯激光通过多模光纤扰模，将原本纤芯的激光传输到单模光纤的包层，利用高折射率胶水导出激光。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种光纤纤芯残余激光处理结构。
背景技术
如图1所示，单模光纤正常光传输时，光在单模光纤纤芯1内部传导，无法用高折胶水将光从单模光纤包层2导出，如图2所示，多模光纤正常光传输时，光在多模光纤纤芯3内部传输，因多模光纤包层4含有氟层，折射率低，也无法用高折胶水将光导出。
实用新型内容
针对上述问题，本实用新型提供一种光纤纤芯残余激光处理结构，将单模光纤中的纤芯激光通过多模光纤扰模，将原本纤芯的激光传输到单模光纤的包层，利用高折射率胶水导出激光。
名词解释：
高折胶水：折射率大于1.7的胶水，比如，折射率大于1.7的树脂胶水、有机硅胶胶水、聚酰亚胺胶水等。
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：
一种光纤纤芯残余激光处理结构，当所述光纤为多模光纤时，光纤纤芯残余激光处理结构包括与多模光纤熔接的第一单模光纤段，所述第一单模光纤段包括同轴的第一单模光纤纤芯和第一单模光纤包层，所述第一单模光纤包层表面涂敷第一高折胶水层，所述第一单模光纤段的另一端与第一多模光纤段熔接，所述第一多模光纤段包括同轴的第一多模光纤纤芯和第一多模光纤包层。
优选，所述多模光纤包括同轴的多模光纤纤芯和多模光纤包层。
优选，所述多模光纤包层设置有氟层。
优选，所述第一单模光纤段与多模光纤之间的直径相差±50μm，所述第一单模光纤段与第一多模光纤段之间的直径相差±50μm。
一种光纤纤芯残余激光处理结构，当所述光纤为单模光纤时，光纤纤芯残余激光处理结构包括与单模光纤熔接的第二多模光纤段，所述第二多模光纤段包括同轴设置的第二多模光纤纤芯和第二多模光纤包层，所述第二多模光纤段的另一端熔接有第二单模光纤段，所述第二单模光纤段包括同轴的第二单模光纤纤芯和第二单模光纤包层，所述第二单模光纤包层表面涂敷第二高折胶水层，所述第二单模光纤段的另一端与第三多模光纤段熔接，所述第三多模光纤段包括同轴的第三多模光纤纤芯和第三多模光纤包层。
优选，所述单模光纤包括同轴的单模光纤纤芯和单模光纤包层。
优选，所述单模光纤包层为石英材质。
优选，所述第二多模光纤段与单模光纤之间的直径相差±50μm，所述第二单模光纤段与第二多模光纤段之间的直径相差±50μm，所述第二单模光纤段与第三多模光纤段之间的直径相差±50μm。
本实用新型的有益效果是：
第一、当所述光纤为多模光纤时，激光分别在多模光纤、单模光纤、多模光纤传导，此熔接结构可以将原本多模光纤的激光转换到单模光纤的包层中，利用高折射率胶水破坏原有的全反射结构，除去90％激光，最终用一节多模光纤输出，降低光纤端面功率密度，避免光反向传输。
第二、当所述光纤为单模光纤时，激光分别在单模光纤、多模光纤、单模光纤、多模光纤传导，此熔接结构可以利用一段大模场多模光纤将原本单模光纤的纤芯激光转换到单模光纤的包层中，利用高折射率胶水破坏原有的全反射结构，除去90％激光，最终用一节多模光纤输出，降低光纤端面功率密度，避免光反向传输。
附图说明
图1是单模光纤正常光传输的示意图；
图2是多模光纤正常光传输的示意图；
图3是本实用新型一种多模光纤纤芯残余激光处理结构的结构示意图；
图4是本实用新型一种单模光纤纤芯残余激光处理结构的结构示意图；
附图的标记含义如下：
1：单模光纤纤芯；2：单模光纤包层；3：多模光纤纤芯；4：多模光纤包层；5：导出激光；6：第一单模光纤纤芯；7：第一高折胶水层；8：第一单模光纤包层；9：第一多模光纤纤芯；10：第一多模光纤包层；11：第二多模光纤包层；12：第二多模光纤纤芯；13：第二单模光纤包层；14：第二高折胶水层；15：第二单模光纤纤芯；16：第三多模光纤包层；17：第三多模光纤纤芯。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本实用新型技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。
一种光纤纤芯残余激光处理结构，当所述光纤为多模光纤时，如图3所示，光纤纤芯残余激光处理结构包括与多模光纤熔接的第一单模光纤段，所述第一单模光纤段包括同轴的第一单模光纤纤芯6和第一单模光纤包层8，一般的，光纤包层是包裹在光纤纤芯的外周。所述第一单模光纤包层8表面涂敷第一高折胶水层7，高折胶水是折射率大于1.7的胶水，比如，折射率大于1.7的树脂胶水、有机硅胶胶水、聚酰亚胺胶水等，通过涂敷高折胶水形成高折胶水层。所述第一单模光纤段的另一端与第一多模光纤段熔接，所述第一多模光纤段包括同轴的第一多模光纤纤芯9和第一多模光纤包层10。
采用上述的熔接方式，把不同的光纤(单模与多模)熔接后，由于光纤纤芯、包层折射率的不同，纤芯的激光会转移到包层，利用高折胶水将包层的激光导出。图3中光纤分3部分，从左至右各部分功能分别为：
A、多模光纤：激光的正常传输状态。
B、单模光纤、表面涂敷高折胶水：将输入的大模场直径的激光大部分能量转换到单模光纤的包层，单模光纤包层涂敷高折射率胶水破坏原有的全反射结构，除去90％激光。
C、多模光纤：降低光纤端面功率密度，避免光反向传输。
激光分别在多模光纤、单模光纤、多模光纤传导，此熔接结构可以将原本多模光纤的激光转换到单模光纤的包层中，利用高折射率胶水破坏原有的全反射结构，除去90％激光，最终用一节多模光纤输出，降低光纤端面功率密度，避免光反向传输。
优选，所述多模光纤包括同轴的多模光纤纤芯3和多模光纤包层4，其中，所述多模光纤包层4设置有氟层，折射率低，激光用高折射率胶水不易导出。
优选，第一单模光纤段与多模光纤之间的直径相差±50μm，所述第一单模光纤段与第一多模光纤段之间的直径相差±50μm，熔接部位两端的各光纤直径接近。
一种光纤纤芯残余激光处理结构，如图4所示，当所述光纤为单模光纤时，光纤纤芯残余激光处理结构包括与单模光纤熔接的第二多模光纤段，所述第二多模光纤段包括同轴设置的第二多模光纤纤芯12和第二多模光纤包层11，所述第二多模光纤段的另一端熔接有第二单模光纤段，所述第二单模光纤段包括同轴的第二单模光纤纤芯15和第二单模光纤包层13，所述第二单模光纤包层13表面涂敷第二高折胶水层14，所述第二单模光纤段的另一端与第三多模光纤段熔接，所述第三多模光纤段包括同轴的第三多模光纤纤芯17和第三多模光纤包层16。
当所述光纤为单模光纤时，激光分别在单模光纤、多模光纤、单模光纤、多模光纤传导，此熔接结构可以利用一段大模场多模光纤将原本单模光纤的纤芯激光转换到单模光纤的包层中，利用高折射率胶水破坏原有的全反射结构，除去90％激光，最终用一节多模光纤输出，降低光纤端面功率密度，避免光反向传输。
图4中光纤分4部分，从左至右各部分功能分别为：
A、单模光纤：激光的正常传输状态。
B、多模光纤：将激光的模场直径放大。
C、单模光纤、表面涂敷高折胶水：将输入的大模场直径的激光大部分能量转换到单模光纤的包层，单模光纤包层涂敷高折射率胶水破坏原有的全反射结构，除去90％激光。
D、多模光纤：降低光纤端面功率密度，避免光反向传输。
优选，单模光纤包括同轴的单模光纤纤芯1和单模光纤包层2，所述单模光纤包层2为石英材质，用高射率胶水容易导出。
优选，所述第二多模光纤段与单模光纤之间的直径相差±50μm，所述第二单模光纤段与第二多模光纤段之间的直径相差±50μm，所述第二单模光纤段与第三多模光纤段之间的直径相差±50μm。
待处理光纤为单模光纤时，利用与待处理光纤外包层直径接近(±50μm)多模光纤进行扰模，熔点采用高折射率胶水处理，多模光纤盘绕半径控制在10mm以内进行有效扰模，后连入外包层与多模光纤外包层直径接近(±50μm)的单模光纤，熔点采用高折射率胶水处理，利用高折射率胶水导出激光5，单模光纤与多模光纤熔接，熔点位置单模光纤涂覆层剥除30mm，熔点处采用高折射率胶水处理，少量激光由多模光纤端面发散到空气中。此种结构可以处理20W纤芯残余激光，整个***熔点处温度不高于30℃。
以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或者等效流程变换，或者直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种光纤纤芯残余激光处理结构，其特征在于，当所述光纤为多模光纤时，光纤纤芯残余激光处理结构包括与多模光纤熔接的第一单模光纤段，所述第一单模光纤段包括同轴的第一单模光纤纤芯（6）和第一单模光纤包层（8），所述第一单模光纤包层（8）表面涂敷第一高折胶水层（7），所述第一单模光纤段的另一端与第一多模光纤段熔接，所述第一多模光纤段包括同轴的第一多模光纤纤芯（9）和第一多模光纤包层（10）。
2.根据权利要求1所述的一种光纤纤芯残余激光处理结构，其特征在于，所述多模光纤包括同轴的多模光纤纤芯（3）和多模光纤包层（4）。
3.根据权利要求2所述的一种光纤纤芯残余激光处理结构，其特征在于，所述多模光纤包层（4）设置有氟层。
4.根据权利要求1所述的一种光纤纤芯残余激光处理结构，其特征在于，所述第一单模光纤段与多模光纤之间的直径相差±50μm，所述第一单模光纤段与第一多模光纤段之间的直径相差±50μm。
5.一种光纤纤芯残余激光处理结构，其特征在于，当所述光纤为单模光纤时，光纤纤芯残余激光处理结构包括与单模光纤熔接的第二多模光纤段，所述第二多模光纤段包括同轴设置的第二多模光纤纤芯（12）和第二多模光纤包层（11），所述第二多模光纤段的另一端熔接有第二单模光纤段，所述第二单模光纤段包括同轴的第二单模光纤纤芯（15）和第二单模光纤包层（13），所述第二单模光纤包层（13）表面涂敷第二高折胶水层（14），所述第二单模光纤段的另一端与第三多模光纤段熔接，所述第三多模光纤段包括同轴的第三多模光纤纤芯（17）和第三多模光纤包层（16）。
6.根据权利要求5所述的一种光纤纤芯残余激光处理结构，其特征在于，所述单模光纤包括同轴的单模光纤纤芯（1）和单模光纤包层（2）。
7.根据权利要求6所述的一种光纤纤芯残余激光处理结构，其特征在于，所述单模光纤包层（2）为石英材质。
8.根据权利要求5所述的一种光纤纤芯残余激光处理结构，其特征在于，所述第二多模光纤段与单模光纤之间的直径相差±50μm，所述第二单模光纤段与第二多模光纤段之间的直径相差±50μm，所述第二单模光纤段与第三多模光纤段之间的直径相差±50μm。
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