CN210668372U - 应用于软性电子组件的复合基板强化结构、可挠性基材 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种应用于软性电子组件的复合基板强化结构、可挠性基材，所述复合基板强化结构包括一支撑载板且在其上依序成型占据有一第一面积的具有离型性的软性基板、占据有一第二面积的无机薄膜、占据有一第三面积软性基板以及占据有一第四面积的硅基无机薄膜；其中第一面积≧第三面积，第二面积>第一面积，第四面积>第三面积；无机薄膜对支撑载板的密着度分别大于或等于软性基板对支撑载板的密着度以及具有离型性的软性基板对支撑载板的密着度，硅基无机薄膜对支撑载板的密着度分别大于或等于软性基板对支撑载板的密着度以及具有离型性的软性基板对支撑载板的密着度。如此，可为软性电子组件带来阻气、阻水的功能。

Description

应用于软性电子组件的复合基板强化结构、可挠性基材

技术领域

本实用新型涉及可挠性电子装置技术领域，特别指一种应用于软性电子组件复合基板强化结构以及取自所述基板强化结构的可挠性基材，可提供软性电子组件的良好的机械强度以及阻气、阻水的功能。

背景技术

由于2011年行动通讯快速兴起与内容服务相结合的发展趋势，软性显示器已成为新世代新颖显示器的发展趋势。世界各大研发公司均由现行厚重且易破碎的玻璃基板跨入非玻璃(如重量更轻的软性塑胶基板材料)，并朝向主动式全彩TFT显示面板迈进。随着平面显示器在智慧手机(Smart Phone)与平板电脑(Tablet) 的新应用需求，产品设计朝向薄化与重量更轻的趋势迈进。另一个备受瞩目的发展重点为可挠式/软性显示技术，未来可能开启显示器设计变革新纪元。随着中小尺寸面板量产技术成熟，在轻薄、争取电池空间的价值诉求下，有机会量产可挠式软性电子装置。

可挠式软性电子装置的软性基板的制造方式可分成批次式(batch type)及卷对卷(roll to roll)两种方式。若选择批次式制作TFT组件，可利用现有TFT设备进行制作，具有相当优势。但批次式必须发展所谓基板转移或离膜技术，将软性显示器从玻璃上转移到其它软性基板上，或由玻璃基板上取下软性基板。而卷对卷式则必须利用全新设备来进行，并必须克服转动及接触所引发的相关问题。以批次式式制作TFT组件如LTPS，因制程温度高于400℃，所以需要耐高温材料。由于批次式可使用现有玻璃基板的相关制程设备，可节省设备的成本支出。但如何在玻璃上的软性基板上进行制程时不会产生离型状况，且在完成组件后又可轻易将软性基板取下而不粘附于玻璃上，将是一大关键。

再者，因应可挠式软性电子装置或有机发光二极管显示器的薄型化所使用的软性基材，一般而言容易使水气或氧气穿透于电子组件内部，导致内部电气组件失效的风险。

有鉴于此，职是之故，本实用新型设计人有鉴于现有技术中所产生的缺失，经过悉心试验与研究，并一本锲而不舍的精神，终构思出本实用新型以克服上述问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提出一种应用于软性电子组件的复合基板强化结构以及可挠性基材，使用双层软性基材取代单一软性基材，并在双层胶基材之间以硬质无机氧化黏着层来提高整体结构的机械强度，更通过在软性基板上所成型的保护层所构成的阻气性薄膜，于高温、高湿的环境下，可提供各种软性电子组件在耐高温、耐湿要求条件下带来阻气、阻水，甚至具有抗污的功效。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种应用于软性电子组件的复合基板强化结构，其特征是包括：

一支撑载板且其具有一承载面，于所述承载面上依序成型有一具有离型性的软性基板、一无机薄膜、一软性基板以及一硅基无机薄膜，所述具有离型性的软性基板占据一第一面积，所述无机薄膜占据一第二面积且覆盖所述具有离型性的软性基板，所述软性基板占据一第三面积，所述硅基无机薄膜占据一第四面积且覆盖所述软性基板；其中所述无机薄膜对所述支撑载板的密着度分别大于或等于所述软性基板对所述支撑载板的密着度以及所述具有离型性的软性基板对所述支撑载板的密着度，而所述硅基无机薄膜对所述支撑载板的密着度分别大于或等于所述软性基板对所述支撑载板的密着度以及所述具有离型性的软性基板对所述支撑载板的密着度。

在一种可能的设计中，其特征在于：所述具有离型性的软性基板的厚度与所述支撑载板的厚度之间的厚度比值介于0.001～0.2之间,所述无机薄膜的厚度与所述支撑载板的厚度之间的厚度比值介于0.00005～0.02之间,所述软性基板的厚度与所述支撑载板的厚度之间的厚度比值介于0.001～0.2之间,所述硅基无机薄膜的厚度与所述支撑载板的厚度之间的厚度比值介于0.00005～0.02之间。

在一种可能的设计中，其特征在于：所述第一面积选择性大于或等于所述第三面积，所述第二面积大于所述第一面积，所述第四面积大于所述第三面积。

在一种可能的设计中，其特征在于：所述具有离型性的软性基板的厚度大于所述无机薄膜的厚度或所述硅基无机薄膜的厚度，所述软性基板的厚度大于所述无机薄膜的厚度或所述硅基无机薄膜的厚度，所述软性基板的厚度大于或等于所述具有离型性的软性基板的厚度。

在一种可能的设计中，其特征在于：所述无机薄膜为选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化镁、氧化钙、氧化铟锡、五氧化二铌的前述任一者单层结构或二者以上的多层结构。

在一种可能的设计中，其特征在于：所述硅基无机薄膜为选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的前述任一者的单层结构或二者以上的多层结构。

在一种可能的设计中，其特征在于：所述具有离型性的软性基板含有一键合材料，所述键合材料至少包含一酰胺官能基或一硅烷官能基。

在一种可能的设计中，其特征在于：所述软性基板包含芳香族或脂肪族的聚酰亚胺、透明聚酰亚胺或聚酰胺酸。

在一种可能的设计中，其特征在于：所述支撑载板为玻璃、金属板或硅晶圆。

为实现上述另一目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种取自上述应用于软性电子组件的复合基板强化结构的可挠性基材，其特征是所述可挠性基材包括自所述支撑载板上分离出的：所述具有离型性的软性基板、所述无机薄膜、所述软性基板以及所述硅基无机薄膜；所述具有离型性的软性基板具有一第一配置面积；所述无机薄膜以一第二配置面积覆盖于所述具有离型性的软性基板之上；所述软性基板以一第三配置面积配置于所述无机薄膜之上；以及所述硅性无机薄膜以一第四配置面积覆盖于所述软性基板之上；其中所述第三配置面积分别小于所述第一配置面积、所述第二配置面积以及所述第四配置面积。

为实现上述另一目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种取自上述应用于软性电子组件的复合基板强化结构的可挠性基材，其特征是所述可挠性基材包括自所述支撑载板上分离出的：所述具有离型性的软性基板、所述无机薄膜、所述软性基板以及所述硅基无机薄膜；所述具有离型性的软性基板具有一第一配置面积；所述无机薄膜以一第二配置面积覆盖于所述具有离型性的软性基板之上；所述软性基板以一第三配置面积覆盖于所述无机薄膜之上；以及所述硅性无机薄膜以一第四配置面积覆盖于所述软性基板之上；其中所述第一配置面积、所述第二配置面积、所述第三配置面积以及所述第四配置面积彼此相同。

综上所述，本实用新型所揭示的软性电子组件的复合基板强化结构、可挠性基材，其于软性基板上所成型的保护层所构成的阻气性薄膜，于高温、高湿的环境下，不易发生与软性基板的密着性不良的问题，可作为于各种软性电子组件的阻气性膜层的应用，特别是要求可挠性的软性电子显示器、触控面板、太阳能电子部件等电子软性电子组件等的耐热、耐湿要求条件下的电子组件的阻气效果，可提供软性电子组件带来阻气、阻水，甚至具有抗污的功效。

附图说明

图1绘制本实用新型的复合基板强化结构一实施例的侧剖视图。

图2绘制本实用新型的复合基板强化结构一实施例的顶面示意图。

图3绘制本实用新型的复合基板强化结构另一实施例的侧剖视图。

图4绘制本实用新型的复合基板强化结构另一实施例的顶面示意图。

图5绘制本实用新型本实用新型的可挠性基材的制作过程(理想切分点位置)。

图6A-图6B绘制本实用新型的可挠性基材一实施例的制作过程。

图7A-图7B绘制本实用新型的可挠性基材另一实施例的制作过程。

附图标记说明：10-支撑载板；11-承载面；20-具有离型性的软性基板；30- 无机薄膜；40,40’-软性基板；50-硅基无机薄膜；100,100’-复合基板强化结构； 200,200’-可挠性基材；A1-第一面积；A2-第二面积；A3,A3’-第三面积；A4-第四面积；C1,C2,C3-切分点；t1-支撑载板的厚度；t2-具有离型性的软性基板的厚度；t3-无机薄膜的厚度；t4-软性基板的厚度；t5-硅基无机薄膜的厚度。

具体实施方式

有关本实用新型的详细说明及技术内容，配合图式说明如下，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制者。本实用新型揭示一种。于下述内文中的图式，也并未依据实际的相关尺寸完整绘制，其作用仅在表达与本实用新型特征有关的示意图。

请分别参考图1至图2所示，其分别绘制本实用新型所述的复合基板强化结构一实施例的侧剖面视图以及顶面示意图。本实用新型提供一种应用于软性电子组件的复合基板强化结构，基板结构具有耐高温的特性，在支撑载板与软性基板中间，导入一离型材料层；凭借离型材料层，可分隔软性基板与支撑载板，避免软性基板在后段高温制程后，软性基板与支撑载板黏死而无法分离，造成无法取下软性基板的问题；同时于离型材料层与软性基板之间形成一硬质黏着层形成复合结构以增加整体结构的机械强度；再者，于软性基板形成保护层能避免软性基板吸附环境水气而造成软性基板与支撑载板的密着度下降。上述基板结构更有助于提升制程合格率。

本实用新型一实施例提供的基板结构可用于软性电子组件制程。复合基板强化结构100包括支撑载板10、具有离型性的软性基板20、作为硬质黏着层的无机薄膜30、软性基板40以及作为保护层的一硅基无机薄膜50；支撑载板10 具有一承载面11且在承载面11上依序成型有具有离型性的软性基板20、无机薄膜30、软性基板40以及硅基无机薄膜50，而具有离型性的软性基板20占据一第一面积A1，无机薄膜30占据一第二面积A2且覆盖具有离型性的软性基板 20，软性基板40占据一第三面积A3，硅基无机薄膜50占据一第四面积A4且覆盖软性基板；其中第一面积A1等于第三面积A3，第二面积A2大于第一面积 A1，第四面积A4大于第三面积A3。在此说明，本文中所提及「相同」、「相等」的文字叙述，并非为完全相同或完全相等，其仅是用以表示一近似相同或近似相等的概念，其以物理量的表示其误差范围在±5％以下。

在本实用新型一实施例，其中支撑载板10可包括玻璃、金属板或硅晶圆，具有离型性的软性基板20的图案可为一或多个区块，本实施例中以一个区块表示。在此说明，离型层20的图案仅用以举例，本技术领域中具有通常知识者自可依需求选择适当的离型层20的图案的形状、大小、与密度；其中具有离型性的软性基板20含有一键合材料，键合材料至少包含一酰胺(amide)官能基或一硅烷(Silanes)官能基与支撑载板10及软性基板40进行有附着力差异的键合。

在本实用新型一实施例，其中无机薄膜30对支撑载板10的密着度分别大于或等于软性基板40对支撑载板10的密着度以及具有离型性的软性基板20对支撑载板10的密着度，而硅基无机薄膜50对支撑载板10的密着度分别大于或等于软性基板40对支撑载板10的密着度以及具有离型性的软性基板20对支撑载板10的密着度。

承上所述，当选用无机薄膜30对支撑载板10的附着力大于具有离型性的软性基板20对无机薄膜30的附着力时，经切割与施力就会使具有离型性的软性基板20自支撑载板10与具有离型性的软性基板20之间界面分离，具有离型性的软性基板20则会连同无机薄膜30留在软性基板40，以作为软性基板40的保护膜之用。在一实施例中，具有离型性的软性基板20与支撑载板10之间的密着度可介于1B至3B之间(百格刀密着度测试)。

在本实用新型一实施例，其中具有离型性的软性基板20芳香性聚亚酰胺，由二胺与二酸酐共聚而成。二胺4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、对苯二胺、2,2'-二(三氟甲基)二胺基联苯、或上述的组合，且二酸酐均苯四甲酸二酐、联苯四羧酸二酐、4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、或上述的组合。二胺与二酸酐先聚合形成聚酰胺酸(Polyamic acid，PAA)后，再脱水形成聚亚酰胺(Polyimide， PI)，如下式1：

在式1中，Ar 1与Ar 2各自为芳香基，而n为重复数目。在实际操作上，可先初步聚合二胺与二酸酐形成聚酰胺酸后，以极性非质子溶剂如二甲基乙酰胺(DMAc)调整聚酰胺酸溶液中的固含量。接着将聚酰胺酸溶液涂布于支撑载板 10的承载面11上，加热涂层使聚酰胺酸反应形成聚亚酰胺的具有离型性的软性基板20；其中加热成膜温度约略介于摄氏250～380℃之间，而加热时间根据不同温度而调整。

在本实用新型一实施例中，其中聚酰胺酸溶液通过狭缝式涂布技术(Slot diecoating technology)将其涂布于支撑载板的承载面11上而形成具有离型性的软性基板20；其厚度均匀度可在90％以上。

在本实用新型一实施例中，其中具有离型性的软性基板20的厚度t2介于 1μm至20μm之间。若具有离型性的软性基板20的厚度过厚，则会增加成本且烘烤后膜面易不佳。若具有离型性的软性基板20的厚度过薄，涂布时则易产生不均匀导致部份离型失效。

在本实用新型一实施例中，上述具有离型性的软性基板20除了聚亚酰胺类，也可选用硅基化合物作为本实用新型的离型层材料，如硅烷化合物；如下式2：

在其基础高分子化合物的聚二甲基硅氧甲烷(Polydimethyl siloxane)的部份甲基由乙烯基(vinyl)置换，并采用Polymethyl-hydrodienesiloxane作为架桥剂制成；并将其涂布于支撑载板10的承载面11上，加热涂层使其反应形成聚二甲基硅氧甲烷的具有离型性的软性基板20；其中加热成膜温度约略介于摄氏 200～280℃之间，而加热时间根据不同温度而调整。

成型有具有离型性的软性基板20的支撑载板10，再将无机薄膜30以第二面积A2沉积于支撑载板10的承载面11上，而第二面积A2大于第一面积A1 以覆盖于具有离型性的软性基板20；其中无机薄膜30为含有自硅、碳、铝、镁、钙、钾、锡、钠、硼、钛、铅、锆及钇所组成的群中的至少一种所构成的无机氧化物薄膜；较佳地，无机薄膜30为选自氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化镁(MgOx)、氧化钙(CaOx)、氧化铟锡(ITO)、五氧化二铌 (Nb2O5)的前述任一者单层结构，或者是前述任二者以上的多层结构。关于无机薄膜50的沉积方法，可举例如：蒸镀法、离子热CVD法、电浆CVD法等等，在此不限制。

在本实用新型一实施例，其中无机薄膜30的厚度t3介于0.05μm～2μm之间。若无机薄膜30的厚度过厚，则会增加成本。若无机薄膜30的厚度过薄，则可能无法提供成品足够的机械强度。

成型有具有离型性的软性基板20以及无机薄膜30的支撑载板10，再将软性基板40以第三面积A3成型于支撑载板10的承载面11上，而第三面积A3 小于第二面积A2以使软性基板40完整贴附于无机薄膜30之上。在一实施例中，软性基板40与支撑载板10之间的密着度可介于3B至5B之间(百格刀密着度测试)。在实际操作上，可将软性基板40的材料的溶液涂布于成型有具有离型性的软性基板20以及无机薄膜30的支撑载板10上以形成涂层。软性基板40可为聚亚酰胺、透明聚亚酰胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚醚亚酰胺。

在本实用新型一实施例，其中具有离型性的软性基板20的芳香性聚亚酰胺不同于软性基板40的组成，其中软性基板40的厚度介于1μm～20μm之间。若软性基板40的厚度过厚，则会增加成本。若软性基板40的厚度过薄，则可能无法提供成品足够的机械强度。

分别成型有上述具有离型性的软性基板20、无机薄膜30以及软性基板40 的支撑载板10，再将作为保护层的硅基无机薄膜50以第四面积A4沉积于承载面11上，而第四面积A4大于第三面积A3以使硅基无机薄膜50完整覆盖软性基板40。在一实施例中，硅基无机薄膜50的材料为选自氧化硅(SiOx)、氮化硅 (SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)的前述任一者的单层结构；关于硅基无机薄膜50的沉积方法，可举例如：蒸镀法、离子热CVD法、电浆CVD法等等，在此不限制。通过些设备以形成厚度t5至少为0.1μm以上的氧化硅、厚度至少为0.1μm 以上的氮化硅、或者厚度至少为0.1μm以上的氮化硅的硅基无机薄膜50。

在本实用新型一实施例中，硅基无机薄膜50的材料也可为选自氧化硅 (SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)的前述任二者或其以上的多层结构；其中硅基无机薄膜50的厚度至少为0.1μm以上的氧化硅、厚度至少为0.1μm以上的氮化硅、或者厚度至少为0.1μm以上的氮化硅的前述任二者或其以上所组成的多层结构，以使硅基无机薄膜50的整体厚度t5至少为0.2μm以上。

承上所述，作为保护层的硅基无机薄膜50主要作为阻气性薄膜；在此说明，所谓「阻气性」汐止抑制氧气或水蒸气等气体穿透的薄膜特性，以提供软性电子组件的阻气、阻水及/或抗污的效果。作为阻气性薄膜的保护层40，于摄氏 40℃，相对湿度90％的环境气氛下的水蒸气穿透率，通常为0.5g/m2/day以下；较佳地，水蒸气穿透率在0.005g/m2/day以下；关于水蒸气穿透率可以现有方法测定，于此不另行赘述。

请再参考图3至图4所示，其分别绘制本实用新型所述的复合基板强化结构另一实施例的侧剖面视图以及顶面示意图。本实施例中与前一实施例主要差异在于软性基板的涂布面积，与前一实施例相似或相同的组件部分，在此不另行赘述，而组件则沿用前一实施例的组件符号。本实施例中，复合基板强化结构100’包括支撑载板10、具有离型性的软性基板20、作为硬质黏着层的无机薄膜30、软性基板40’以及作为保护层的一硅基无机薄膜50；于支撑载板10的承载面11上依序成型有具有离型性的软性基板20、无机薄膜30、软性基板40’以及硅基无机薄膜50，而具有离型性的软性基板20占据第一面积A1，无机薄膜30占据第二面积A2且覆盖具有离型性的软性基板20，软性基板40’占据一第三面积A3’，硅基无机薄膜50占据第四面积A4且覆盖软性基板；其中第一面积A1大于第三面积A3，第二面积A2大于第一面积A1，第四面积A4大于第三面积A3。

本实用新型上述复合基板强化结构(100,100’)的各实施例中，为了下述取自基板强化结构以制成可挠性基材，以提供软性电子组件足够的机械强度并且考虑经济效益的下，各组件间之间的厚度之间的设计需满足以下条件：

具有离型性的软性基板20的厚度t2与支撑载板10的厚度t1之间的厚度比值(t2/t1)介于0.001～0.2之间；无机薄膜30的厚度t3与支撑载板10的厚度t1之间的厚度比值(t3/t1)介于0.00005～0.02之间；软性基板(40,40’)的厚度t4与支撑载板10的厚度t1之间的厚度比值(t4/t1)介于0.001～0.2之间；硅基无机薄膜50 的厚度t5与支撑载板的厚度t1之间的厚度比值(t5/t1)介于0.00005～0.02之间。

承上所述，各组件间之间的厚度之间的设计更进一步满足以下条件：

具有离型性的软性基板20的厚度t2大于无机薄膜30的厚度(t3)或硅基无机薄膜50的厚度(t5)；软性基板(40,40’)的厚度t4大于无机薄膜30的厚度t3或硅基无机薄膜50的厚度t5；软性基板(40,40’)的厚度t4大于或等于具有离型性的软性基板20的厚度t2。

请同时参考本实用新型的图5以及图6A-6B所示，其分别绘制本实用新型的可挠性基材的制作过程。首先提供图1所示的复合基板强化结构100，并可选择性于其上再形成电子组件(未图标)；上述组件可为薄膜晶体管(TFT)、微机电 (MEM)组件、光电转换组件、电致发光组件如有机发光二极管(OLED)、其他组件、或上述的组合，也可不形成电子组件于其上，根据实际应用考虑作设计。

接着分离支撑载板10与具有离型性的软性基板20；本实用新型的分离方式并非采用现有雷射剥离技术(Laser Lift-off,LLO)，故并非于支撑载板10背面(承载面11的相对另一表面)进行雷射光波的照射进行切除。本实用新型的分离方式采用于表面进行机械切割方式进行剥离(Lift-off)。在理想情况下，上述切割步骤如图5所示，以具有离型性的软性基板20的两端点作为切除点(C1)。但在实际情况下，上述分离步骤以垂直支撑载板10的承载面11的方向，切割具有离型性的软性基板20与软性基板40重叠的边缘部份(切除点C2，如图6A)，以避免切割后的可挠性基材与支撑载板10之间残留任何软性基板40。在此说明，虽然图示中的切割步骤切穿支撑载板10，但实际操作时可切割至支撑载板10的表面，而不需完全穿过支撑载板10。

经上述切割步骤后，软性基板40上具有用以阻气的硅基无机薄膜50且与支撑载板10之间只具有具有离型性的软性基板20以及无机薄膜30，没有任何软性基板40与支撑载板10相连。如此一来，即构成本实用新型的可挠性基材 200；详细说明，可挠性基材200为自支撑载板10上分离出具有离型性的软性基板20、无机薄膜30、软性基板40以及硅基无机薄膜50，经切割后的该具有离型性的软性基板具有一第一配置面积(图未示)；无机薄膜30具有一第二配置面积(图未示)且配置于具有离型性的软性基板20之上；软性基板40以一第三配置面积(图未示)配置于无机薄膜30之上；硅基无机薄膜50以一第四配置面积(图未示)配置于软性基板40之上；其中第一配置面积、第二配置面积、第三配置面积以及第四配置面积彼此相同，如图6B所示。

请参考图7A-7B所示，其分别绘制本实用新型的可挠性基材另一实施例的制作过程。本实施例中，与上述实施例相同或近似部分，在此不另行赘述。首先提供图3所示的复合基板强化结构100’，接着分离支撑载板10与具有离型性的软性基板20，分离步骤以垂直支撑载板10的承载面11的方向，切割具有离型性的软性基板20与软性基板40重叠的边缘部份(切除点C3，如图7A)，经上述切割步骤后，硅基无机薄膜50完整覆盖于软性基板40’以提供更加的阻气效果，且软性基板40’与支撑载板10之间只具有具有离型性的软性基板20以及无机薄膜30，没有任何软性基板40与支撑载板10相连。如此一来，即构成本实用新型的可挠性基材200’；详细说明，可挠性基材200’为自支撑载板10上分离出具有离型性的软性基板20、无机薄膜30、软性基板40’以及硅基无机薄膜 50，经切割后的具有离型性的软性基板具有一第一配置面积(图未示)；无机薄膜 30具有一第二配置面积(图未示)且配置于具有离型性的软性基板20之上；软性基板40’以一第三配置面积(图未示)配置于无机薄膜30之上；硅基无机薄膜50 以一第四配置面积(图未示)覆盖于软性基板40’之上；其中第三配置面积分别小于第一配置面积、第二配置面积以及第四配置面积，如图7B所示。

在此说明，上述各实施例所述的可挠性基材(200,200’)，具有离型性的软性基板20可作为产品的保护膜，不需在分离支撑载板10与具有离型性的软性基板20的步骤后立刻移除。举例来说，可在产品运送给用户后，再由使用者自行分离具有离型性的软性基板20与软性基板40，且分离方式可为简单撕除。另一方面，若上述具有组件于其上的软性基板40为半成品，则可在运送至下个加工处后再移除。

综上所述，本实用新型所揭示的应用于软性电子组件的复合基板强化结构、可挠性基材，其使用具有离型性的软性基板20与软性基材(40,40’)之间成型有无机薄膜30，主要以双层软性基材取代单一软性基材，并在双层胶基材之间以硬质无机氧化黏着层来提高整体结构的机械强度；再者，软性基板40上所成型的硅基无机薄膜50作为阻气性薄膜，于高温、高湿的环境下，不易发生与软性基板40的密着性不良的问题，可作为于各种软性电子组件的阻气性膜层的应用，特别是要求可挠性的软性电子显示器、触控面板、太阳能电子部件等电子软性电子组件等的耐热、耐湿要求条件下的电子组件的阻气效果，可提供软性电子组件带来阻气、阻水，甚至具有抗污的功效。

以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种应用于软性电子组件的复合基板强化结构，其特征在于，包括：

一支撑载板，其具有一承载面且在所述承载面上依序成型有一具有离型性的软性基板、一无机薄膜、一软性基板以及一硅基无机薄膜，所述具有离型性的软性基板占据一第一面积，所述无机薄膜占据一第二面积且覆盖所述具有离型性的软性基板，所述软性基板占据一第三面积，所述硅基无机薄膜占据一第四面积且覆盖所述软性基板；

其中所述无机薄膜对所述支撑载板的密着度大于或等于所述软性基板对所述支撑载板的密着度以及所述具有离型性的软性基板对所述支撑载板的密着度，而所述硅基无机薄膜对所述支撑载板的密着度大于或等于所述软性基板对所述支撑载板的密着度以及所述具有离型性的软性基板对所述支撑载板的密着度。

2.根据权利要求1所述的应用于软性电子组件的复合基板强化结构，其特征在于：所述具有离型性的软性基板的厚度与所述支撑载板的厚度之间的厚度比值介于0.001～0.2之间,所述无机薄膜的厚度与所述支撑载板的厚度之间的厚度比值介于0.00005～0.02之间,所述软性基板的厚度与所述支撑载板的厚度之间的厚度比值介于0.001～0.2之间,所述硅基无机薄膜的厚度与所述支撑载板的厚度之间的厚度比值介于0.00005～0.02之间。

3.根据权利要求1所述的应用于软性电子组件的复合基板强化结构，其特征在于：所述第一面积大于或等于所述第三面积，所述第二面积大于所述第一面积，所述第四面积大于所述第三面积，所述具有离型性的软性基板的厚度大于所述无机薄膜的厚度或所述硅基无机薄膜的厚度，所述软性基板的厚度大于所述无机薄膜的厚度或所述硅基无机薄膜的厚度，所述软性基板的厚度大于或等于所述具有离型性的软性基板的厚度。

4.根据权利要求1所述的应用于软性电子组件的复合基板强化结构，其特征在于：所述无机薄膜为选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化镁、氧化钙、氧化铟锡、五氧化二铌的前述任一者单层结构或二者以上的多层结构。

5.根据权利要求1所述的应用于软性电子组件的复合基板强化结构，其特征在于：所述硅基无机薄膜为选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的前述任一者的单层结构或二者以上的多层结构。

6.根据权利要求1所述的应用于软性电子组件的复合基板强化结构，其特征在于：所述软性基板的材质是芳香族或脂肪族的聚酰亚胺、透明聚酰亚胺或聚酰胺酸。

7.根据权利要求1所述的应用于软性电子组件的复合基板强化结构，其特征在于：所述支撑载板为玻璃、金属板或硅晶圆。

8.一种取自如权利要求1～2、4～6中任一项所述的应用于软性电子组件的复合基板强化结构的可挠性基材，其特征在于，所述可挠性基材包括自所述支撑载板上分离出的：所述具有离型性的软性基板、所述无机薄膜、所述软性基板以及所述硅基无机薄膜；

所述具有离型性的软性基板具有一第一配置面积；

所述无机薄膜以一第二配置面积覆盖于所述具有离型性的软性基板之上；

所述软性基板以一第三配置面积配置于所述无机薄膜之上；以及

所述硅性无机薄膜以一第四配置面积覆盖于所述软性基板之上；

其中所述第三配置面积小于所述第一配置面积、所述第二配置面积以及所述第四配置面积。

9.一种取自如权利要求1～2、4～6任一项所述的应用于软性电子组件的复合基板强化结构的可挠性基材，其特征在于，所述可挠性基材包括自所述支撑载板上分离出的：所述具有离型性的软性基板、所述无机薄膜、所述软性基板以及所述硅基无机薄膜；

所述具有离型性的软性基板具有一第一配置面积；

所述无机薄膜以一第二配置面积覆盖于所述具有离型性的软性基板之上；

所述软性基板以一第三配置面积覆盖于所述无机薄膜之上；以及

所述硅性无机薄膜以一第四配置面积覆盖于所述软性基板之上；

其中所述第一配置面积、所述第二配置面积、所述第三配置面积以及所述第四配置面积彼此相同。

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