CN210576309U - 一种用于改善放电mos管发热问题的电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于改善放电MOS管发热问题的电路，应用于具有电池管理***的锂电池中，所其包括有开关管Q1、二极管D1、电容C1以及电阻R1、电阻R2，所述二极管D1的阳极与主控芯片U1的放电开关检测引脚连接，所述二极管D1的阴极通过电阻R2与所述开关管Q1的输入端连接，开关管Q1的控制端通过电阻R1接地，开关管Q1的输出端与所述放电MOS管的漏极连接，所述电容C1的一端接地，所述电容C1的另一端与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接。本实用新型通过检测放电MOS管的漏极与源极的电压来控制放电MOS管的工作状态，从而有效改善放电MOS管发热的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及电池管理***领域，具体涉及一种用于改善放电MOS管发热问题的电路。
背景技术
现有的电池管理***(BMS)中，其通常BMS放电开关断开状态充电时，充电电流是经过放电MOS管的体内的二极管流过的，因此会导致放电MOS管严重发热，存在极大的安全隐患。为解决这个问题，现有技术采取的方案为通过增加由运放、LDO等组成的充电电流检测电路来解决放电MOS管发热的问题，但是其存在着电路复杂，器件数量多，且成本较高等缺点。
因此，有必要提供一种方案电路结构简单，成本较低的技术方案来解决放电MOS管的发热问题。
实用新型内容
为克服现有技术的不足及存在的问题，本实用新型提供一种用于改善放电MOS管发热问题的电路，利用该电路，可有效改善放电MOS管的发热问题，并具有电路结构简单，成本较低等优点。
本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种用于改善放电MOS管发热问题的电路，应用于具有电池管理***的锂电池中，所述电池管理***具有主控芯片U1、基准电压端VCC、放电开关S1、充电MOS管MC1及放电MOS管MD1，充电MOS管MC1的栅极通过电阻R6与所述基准电压端VCC连接，放电MOS管MD1的栅极通过电阻R5与所主控芯片U1连接，放电开关S1与所述主控芯片U1连接，充电MOS管MC1的漏极与放电MOS管MD1的漏极连接，锂电池的正输出端与负载的第一连接端连接，锂电池的负输出端与所述放电MOS管MD1的源极连接，充电MOS管MC1的源极与负载的第二连接端连接；
所述用于改善放电MOS管发热问题的电路包括有开关管Q1、二极管D1、电容C1以及电阻R1、电阻R2，所述二极管D1的阳极与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接，所述二极管D1的阴极通过电阻R2与所述开关管Q1的输入端连接，开关管Q1的控制端通过电阻R1接地，开关管Q1的输出端与所述放电MOS管的漏极连接，所述电容C1的一端接地，所述电容C1的另一端与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接。
优选地，所述放电开关S1的一端接地，所述放电开关S1的另一端与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接，且所述放电开关S1与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接的一端通过电阻R4与与所述主控芯片U1的电源引脚连接。
与现有技术比较，本实用新型提供的用于改善放电MOS管发热问题的电路，其通过检测放电MOS管的漏极与源极的电压来控制放电MOS管的工作状态，从而有效改善放电MOS管发热的问题。
附图说明
图1是本实用新型所述用于改善放电MOS管发热问题的电路的电路结构图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如附图1所示，一种用于改善放电MOS管发热问题的电路，应用于具有电池管理***的锂电池中，所述电池管理***具有主控芯片U1、基准电压端VCC、放电开关S1、充电MOS管MC1及放电MOS管MD1，充电MOS管MC1的栅极通过电阻R6与所述基准电压端VCC连接，放电MOS管MD1的栅极通过电阻R5与所主控芯片U1连接(本实施例为与所主控芯片U1的第20引脚(DO)连接，即与放电MOS管驱动脚)，放电开关S1与所述主控芯片U1连接，充电MOS管MC1的漏极与放电MOS管MD1的漏极连接，锂电池的正输出端与负载的第一连接端连接，锂电池的负输出端与所述放电MOS管MD1的源极连接，充电MOS管MC1的源极与负载的第二连接端连接；
其中：所述用于改善放电MOS管发热问题的电路包括有开关管Q1、二极管D1、电容C1以及电阻R1、电阻R2五个电子元件，所述二极管D1的阳极与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接，所述二极管D1的阴极通过电阻R2与所述开关管Q1的输入端连接，开关管Q1的控制端通过电阻R1接地，开关管Q1的输出端与所述放电MOS管的漏极连接，所述电容C1的一端接地，所述电容C1的另一端与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接。所述放电开关S1的一端接地，所述放电开关S1的另一端与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接，且所述放电开关S1与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接的一端通过电阻R4与与所述主控芯片U1的电源引脚连接。
在一个具体的优选实施例中，所述主控芯片U1的芯片型号优选为JW3311-0AA，所述开关管Q1为三极管，本实施例中，所述三极管为NPN三极管，所述NPN三极管的三极管型号为MMBT5551。另外，开关管可以为三极管，也可以为MOS管；其中，当开关管为NPN三极管时，其输入端为集电极，输出端为发射极，控制端为基极；当开关管为P沟道MOS管时，其输入端为源极，输出端为漏极，控制端为栅极当开关管为N沟道MOS管时，其输入端为漏极，输出端为源极，控制端为栅极；当开关管为P沟道MOS管时，其输入端为源极，输出端为漏极，控制端为栅极。
以下对本实施例提供的欠压保护释放电路的工作原理或工作过程作简要说明:
本实施例中，电池管理***在无保护动作出现时，放电开关S1闭合，主控芯片U1的19脚(放电开关检测脚)为低电平，则主控芯片U1的20脚(放电MOS管驱动脚)输出高电平，使能放电；当放电开关S1断开则主控芯片U1的19脚为高电平，主控芯片U1的20脚输出低电平控制放电MOS管MD1为截止状态，不能放电。
当充电时，放电MOS管的源极与漏极间有0.6V左右的电压，该电压经过电阻R1加在开关管Q1的发射极，控制开关管Q1的集电极和发射极为导通状态，继而经过电阻R2和二极管D1拉低主控芯片U1的19脚快速转为低电平，主控芯片U1的20脚输出高电平，使得放电MOS管导通，放电MOS管导通后，开关管Q1因为没有了发射极正向偏置电压转为截止状态，经过电阻R4给电容C1充电，主控芯片U1的19脚慢慢转为高电平，然后主控芯片U1的20脚输出低电平，放电MOS管又转为截止状态，如此循环反复，可调整并提高放电MOS管的导通状态的占空比，从而可实现有效减少放电MOS管的发热，如调整放电MOS管的导通状态的占空比为80％左右，就可减少放电MOS的发热为原来的五分之一左右，从而有效改善放电MOS管发热的问题。
由于本实施例提供的用于改善放电MOS管发热问题的电路，其仅需开关管Q1、二极管D1、电容C1以及电阻R1、电阻R2五个电子元件就可实现有效改善放电MOS管的发热问题，其具有电路结构简单，成本低等优点。
上述实施例为本实用新型的较佳的实现方式，并非是对本实用新型的限定，在不脱离本实用新型的发明构思的前提下，任何显而易见的替换均在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种用于改善放电MOS管发热问题的电路，应用于具有电池管理***的锂电池中，所述电池管理***具有主控芯片U1、基准电压端VCC、放电开关S1、充电MOS管MC1及放电MOS管MD1，充电MOS管MC1的栅极通过电阻R6与所述基准电压端VCC连接，放电MOS管MD1的栅极通过电阻R5与所主控芯片U1连接，放电开关S1与所述主控芯片U1连接，充电MOS管MC1的漏极与放电MOS管MD1的漏极连接，锂电池的正输出端与负载的第一连接端连接，锂电池的负输出端与所述放电MOS管MD1的源极连接，充电MOS管MC1的源极与负载的第二连接端连接；
其特征在于：所述用于改善放电MOS管发热问题的电路包括有开关管Q1、二极管D1、电容C1以及电阻R1、电阻R2，所述二极管D1的阳极与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接，所述二极管D1的阴极通过电阻R2与所述开关管Q1的输入端连接，开关管Q1的控制端通过电阻R1接地，开关管Q1的输出端与所述放电MOS管的漏极连接，所述电容C1的一端接地，所述电容C1的另一端与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接。
2.根据权利要求1所述用于改善放电MOS管发热问题的电路，其特征在于：所述开关管Q1为三极管。
3.根据权利要求2所述用于改善放电MOS管发热问题的电路，其特征在于：所述三极管为NPN三极管。
4.根据权利要求3所述用于改善放电MOS管发热问题的电路，其特征在于：所述NPN三极管的三极管型号为MMBT5551。
5.根据权利要求1所述用于改善放电MOS管发热问题的电路，其特征在于：所述主控芯片U1的芯片型号为JW3311-0AA。
6.根据权利要求1所述用于改善放电MOS管发热问题的电路，其特征在于：所述放电开关S1的一端接地，所述放电开关S1的另一端与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接，且所述放电开关S1与所述主控芯片U1的放电开关检测引脚连接的一端通过电阻R4与所述主控芯片U1的电源引脚连接。
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