CN210540984U - 一种加工效率高的烹饪器具 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种加工效率高的烹饪器具，包括：壳体、烹饪容器、对烹饪容器内食材进行加热的加热管、以及用于控制烹饪器具工作的主控板，主控板设有主控芯片，主控芯片与加热管连通；主控芯片用于进行分阶段控制加热，在每一加热阶段输出一控制信号，控制信号用于控制加热管以预设加热功率加热到预设温度；加热管以预设加热功率加热到预设温度时，辐射出预设波长的辐射波；其中，不同加热阶段的预设加热功率和预设温度不同，不同预设温度对应的辐射波长不同。本实用新型公开的烹饪器具，通过分阶段的功率调节，实现红外波长可调，产生不同的辐射波，提高加热均匀性。

Description

一种加工效率高的烹饪器具

技术领域

本实用新型涉及厨房家电领域，更具体地，涉及一种烹饪器具。

背景技术

现有包括空气炸锅等烹饪器具加热时仅有单一功率，通过热传递和热辐射两种加热方式共同对腔体内的食材进行加热。加热管（也可以称为发热管）产生的红外辐射对食材进行均匀的整体加热，从而达到均匀烘烤的效果。但此方法单一功率的烘烤模式，在食物烤制后期仅可全功率加热，由外至内的加热加上整体热辐射加热，非常容易产生食材表面焦糊或外熟内生的现象。此外，单一加热功率所产生的红外加热波长唯一，单一波长仅能与食材内的部分分子产生共振加热，无法有效的对食材内各类成分或者不同吸收波长的食材进行有效加热，使得烘烤均匀性效果较差。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种加工效率高的烹饪器具，包括：壳体、烹饪容器、对烹饪容器内食材进行加热的加热管、以及用于控制烹饪器具工作的主控板，所述主控板设有主控芯片，所述主控芯片与所述加热管连通；

所述主控芯片用于进行分阶段控制加热，在每一加热阶段输出一控制信号，所述控制信号用于控制所述加热管以预设加热功率加热到预设温度；

所述加热管以所述预设加热功率加热到预设温度时，辐射出预设波长的辐射波；

其中，不同加热阶段的预设加热功率和预设温度不同，不同预设温度对应的辐射波长不同。

进一步地，在上述实施例中，预设温度与辐射波长对应关系为：辐射波长×预设温度=常数。

进一步地，在上述实施例中，所述烹饪器具还包括：用于在烹饪器具工作期间检测烹饪容器内温度的温度传感器，所述温度传感器与所述主控芯片的信号输入引脚连通；

所述温度传感器将检测的温度传输到所述主控芯片，所述主控芯片进行分阶段控制加热时，判断当前加热阶段的温度是否达到所述预设温度，在达到所述预设温度时，确定下一加热阶段所述预设加热功率和预设温度的大小，以进行下一阶段的控制加热。

进一步地，在上述实施例中，所述烹饪器具还包括：根据所述控制信号调整加热管加热功率的功率控制电路，所述主控芯片通过所述功率控制电路与所述加热管连通；其中：

所述功率控制电路的输入端与所述主控芯片的控制输出引脚连通，所述功率控制电路的输出端与所述加热管连通。

进一步地，在上述实施例中，所述功率控制电路包括：可控硅控制电路，所述可控硅控制电路包括：可控硅TR101，可控硅TR101 的T1和T2极连通至所述加热管的两端，可控硅TR101的G极与所述主控芯片的控制输出引脚连通；其中：

可控硅TR101根据所述控制信号产生不同的导通角，以调整所述加热管的加热功率。

进一步地，在上述实施例中，所述烹饪器具还包括：过零检测电路，所述过零检测电路与所述主控芯片的电源输入引脚连通；

所述过零检测电路检测市电的过零检测点，所述主控芯片在所述过零检测点产生边沿控制信号，根据所述过零检测点的边沿控制信号控制可控硅TR101的导通角。

进一步地，在上述实施例中，所述过零检测电路包括：二极管D1和D2，以及一个光耦U1，其中：

D1和D2的正极均与光耦U1的输入端连通，D1的负极与火线连通，D2的负极与零线连通；

光耦U1的输出端与所述主控芯片的电源输入引脚连通。

进一步地，在上述实施例中，可控硅TR101调整所述加热管的加热功率时，所述加热管的加热功率的变化值为一固定预设值。

进一步地，在上述实施例中，所述主控芯片进行分阶段控制加热时，加热阶段包括时长为A的第一加热阶段和时长为B的第二加热阶段，在第一加热阶段，所述加热管在所述可控硅的控制下进行加热；在第二加热阶段，所述加热管停止加热。

进一步地，在上述实施例中，A+B=C*X，A= C*X*P，其中，C为市电一个周期内的波形数量，X为可控硅TR101控制所述加热管加热到所述预设温度的时间，P为所述预设加热功率。

本申请至少一个实施例提供的烹饪器具，与现有技术相比，具有以下有益效果：通过分阶段的功率调节，改变加热管表面温度，从而实现红外波长可调，产生不同的辐射波。进而通过分阶段对不同波长的原子进行均匀加热，提高加热均匀性。

另外，可调红外波长设置为一共振波长，配合加热食材的吸收波长，以使加热食材可以高速共振产生热量。

另外，采用单加热管，且不同加热阶段的加热功率可调节，即采用单加热管可调功率电控方案，实现低成本可调功率。避免了现有方案中双加热管实现功率可调，配件多且装配复杂的问题。

另外，分阶段加热时，前一加热阶段的预设加热功率大于后一加热阶段的预设加热功率，通过高功率短波加热水分子并通过传导热双重加热，低功率长波加热淀粉和纤维等物质并通过传导热保温，实现加热前期传导热与辐射热双重加热，后期辐射热均匀加热，传导热提供外部保温。

本申请实施例的一些实施方式中，通过设置可控硅控制电路，还可以达到以下效果：1、采用可控硅斩波电控方案，并配合过零检测电路，可实现单加热管功率可调。2、可控硅斩波时，将一个正弦波周期进行若干等分，使得可调功率可以以一固定档位进行精确调节，精准调节功率及波长，可以匹配更多吸收波峰，在每个阶段使得食材吸收能量更多，加工效率高，优化加工时间。3、采用可控硅斩波电控方案，通过A时间内驱动加热，B时间内关闭加热，可实现单加热管功率可调，且成本较低。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本实用新型技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本实用新型的技术方案，并不构成对本实用新型技术方案的限制。

图1为本实用新型实施例提供的空气炸锅的结构图；

图2为本实用新型实施例提供烹饪器具的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的可控硅控制电路的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的过零检测电路的电路原理图；

图5为本实用新型实施例提供的过零波形转换图；

图6为基于本实用新型实施例提供的烹饪器具进行加热的流程图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

本申请实施例提供一种加工效率高的烹饪器具，通过分阶段调整加热管功率，改变加热管表面温度从而实现红外波长可调，分阶段对不同波长的原子进行均匀加热，提高加热均匀性。

本使用新型实施例提供的烹饪器具包括：壳体、烹饪容器、对烹饪容器内食材进行加热的加热管、以及用于控制烹饪器具工作的主控板。

本实施例中，烹饪器具可以但并不仅限于包括空气炸锅、烤箱和微波炉，本实施例在此不进行限定和赘述。本实用新型下述实施例主要以烹饪器具是空气炸锅进行加热为例进行阐述，包括烤箱和微波炉等的其余烹饪器具加热的实现原理与空气炸锅加热的实现原理相同，本实施例不再一一赘述。

图1为本实用新型实施例提供的空气炸锅的结构图，如图1所示，烹饪器具可以是空气炸锅，此时，壳体可以包括：顶盖1、操作面盖2、底盖3和外壳4；烹饪容器可以包括：炸锅5和炸篮6。主控板可以是显示板7。空气炸锅还可以包括加热管22、电机8和风扇（未示出）。

为了避免现有方案中烹饪器具加热时仅有单一功率，且仅有单一红外加热波长，烘烤均匀性效果较差的问题，本实施例通过设置分阶段以不同功率加热，改变加热管表面温度从而实现红外波长可调，分阶段对不同波长的原子进行均匀加热。具体的，图2为本实用新型实施例提供烹饪器具的结构示意图，如图2所示，本实用新型实施例提供的烹饪器具，主控板设有主控芯片21，主控芯片21与加热管22连通。

主控芯片21用于进行分阶段控制加热，在每一加热阶段输出一控制信号，控制信号用于控制加热管22以预设加热功率加热到预设温度；加热管22以预设加热功率加热到预设温度时，辐射出预设波长的辐射波。

其中，不同加热阶段的预设加热功率和预设温度不同，不同预设温度对应的辐射波长不同。可选的，前一加热阶段的预设加热功率大于后一加热阶段的预设加热功率。

本实施例中，主控芯片进行分阶段控制加热时，其加热阶段的划分可以根据烹饪器具执行的功能和/或食材所处状态决定。比如，若空气炸锅执行烘烤（煎炸）功能，则加热阶段可以划分为两个阶段：快速升温阶段和低功率加热阶段。若烤箱执行烘烤功能，且烘烤食材处于未解冻状态，则加热阶段可以划分为三个阶段：预加热阶段、快速升温阶段和低功率加热阶段。

本实施例中，可以预先设置烹饪器具执行的功能和/或食材所处状态与加热阶段划分的对应关系，控制芯片可以根据烹饪器具执行的功能和/或食材所处状态，以判定加热阶段的划分，其具体判定方法可以采用现有技术已有的比较判定方法。比如，现有技术已有的比较判定方法可以实现在主控芯片程序中设置一判定关系表，主控芯片的采集端口获取用于判定比较的检测值（如本实施例的烹饪器具执行的功能和/或食材所处状态），主控芯片将获取的检测值与判定关系表进行比对，根据比对结果进行判定。

本实施例中，主控芯片进行分阶段控制加热时，每一加热阶段的加热功率均不同。主控芯片控制加热管在每一加热阶段加热时，采用不同的加热功率进行加热，以改变加热管表面温度。其中，加热管表面温度变化时，其辐射出的红外波长不同。

本实施例中，主控芯片控制加热管在每一加热阶段加热时，控制加热管采用一预设加热功率进行加热，以使加热管的表面温度达到该加热阶段的预设温度。加热管的表面温度达到预设温度时，辐射出预设波长的辐射波。其中，加热管在每一加热阶段辐射出的预设波长为一共振波长，该共振波长使得每一加热阶段的加热管的红外辐射波长与加热食材该加热阶段的吸收波长一致，加热食材可以高速共振产生热量。

本实施例中，每一加热阶段设置的预设波长可以根据食材属性确定，其食材属性可以包括食材中各原子的吸收波长。比如，以空气炸锅烤制面包为例，面包其属性主要包括水、内部纤维和淀粉等原子。分阶段加热时，可以分为快速升温阶段（可以称为第一阶段，该阶段对应的预设加热功率、预设温度和预设波长可以分别称为第一预设加热功率、第一预设温度和第一预设波长）和低功率加热阶段（可以称为第二阶段，该阶段对应的预设加热功率、预设温度和预设波长可以分别称为第二预设加热功率、第二预设温度和第二预设波长）。

在第一阶段，主要对面包中的水进行加热，在第二阶段，主要对面包中的内部纤维和淀粉进行加热。在实际应用中，水的波长吸收主峰为3μm，内部纤维和淀粉等原子成分的波长吸收主峰在5-7μm，因此，可以预先设置第一预设波长与水的波长吸收主峰一致，比如，第一预设波长可以设置为3μm。可以预先设置第二预设波长与内部纤维和淀粉的波长吸收主峰一致，比如，第二预设波长可以设置为6μm。根据加热管所需辐射处的预设波长，设置每一加热阶段的加热管表面温度所要得到的预设温度。

本实施例中，每一加热阶段设置的预设加热功率可以根据烹饪器具执行的功能和/或食材所处状态而定，也可以根据本领域技术人员的经验值而定，本实施例在此不进行赘述，其中，本实施例可以预先设置加热阶段与加热功率的对应关系，主控芯片根据加热阶段与加热功率的对应关系可以确定每一加热阶段的预设加热功率。

本实用新型实施例提供的烹饪器具，通过分阶段的功率调节，改变加热管表面温度，从而实现红外波长可调，产生不同的辐射波。进而通过分阶段对不同波长的原子进行均匀加热，提高加热均匀性。

另外，可调红外波长设置为一共振波长，配合加热食材的吸收波长，以使加热食材可以高速共振产生热量。

另外，采用单加热管，且不同加热阶段的加热功率可调节，即采用单加热管可调功率电控方案，实现低成本可调功率。避免了现有方案中双加热管实现功率可调，配件多且装配复杂的问题。

另外，分阶段加热时，前一加热阶段的预设加热功率大于后一加热阶段的预设加热功率，通过高功率短波加热水分子并通过传导热双重加热，低功率长波加热淀粉和纤维等物质并通过传导热保温，实现加热前期传导热与辐射热双重加热，后期辐射热均匀加热，传导热提供外部保温。

进一步地，在上述实施例中，预设温度与辐射波长对应关系可以为：辐射波长×预设温度=常数。

本实施例中，根据加热管所需辐射处的预设波长，设置每一加热阶段的加热管表面温度所要得到的预设温度，可以包括：根据加热管所需辐射处的预设波长，采用维恩定律：波长×温度=常数，以确定一加热阶段的加热管表面温度所要得到的预设温度。

举例来说，以空气炸锅执行烘烤功能为例，本实施例提供的可调波长空炸的食物烤制工艺具体可以包括：

第一阶段 ，因绝大多数食材的成分以水为主（含水量约80%以上），所以第一阶段的烘烤主要对食材内的水分子进行加热，从而使食材快速升温。此阶段，加热管功率一般采用1200W左右，加热管表面温度约500-700℃。根据维恩定律：波长×温度=常数，此时加热管辐射出的波长约为3μm，而水的波长吸收主峰也为3μm，此时水分子的吸收波长与发热管的红外辐射波长一致，水分子高速共振产生热量，使食材处于快速且均匀的加热状态。同时，加热管以最大功率1200W工作，电阻丝发热产生的热量可以通过风扇以热传导的方式对食材进行双重加热，使食材迅速进入加热模式。

第二阶段，食材经过第一阶段加热后，食材外表面最先受传递热的影响开始趋于烤制完成状态，食材内部主要受辐射热影响，水分、油脂和铁等主吸收峰在3μm的成分也趋于烤制完成状态。此阶段机器进入低功率加热模式，拿烤制面包为例（内部纤维和淀粉等成分吸收主峰在5-7μm），此时加热管功率调节至300W，加热管表面温度约250-300℃，使红外辐射波长调节至6μm左右 。此时低功率加热状态下加热管表面加热温度较低，风扇传导的热风热量较低，在食材已烤制完成的表面仅形成一个类似“保温层”的热气场，对其进行保温。而降低加热管表面温度后，红外辐射波长增大至6μm左右，与面包内其余成分形成共振，使得面包内的纤维和淀粉等成分开始加热，完成面包的最后加热工序。

进一步地，在上述实施例中，烹饪器具还可以包括：根据控制信号调整加热管加热功率的功率控制电路，主控芯片通过功率控制电路与加热管连通；其中：

功率控制电路的输入端与主控芯片的控制输出引脚连通，功率控制电路的输出端与加热管连通。

本实施例中，进行分阶段控制加热时，主控芯片通过功率控制电路控制加热管以预设加热功率加热到预设温度。

可选的，功率控制电路可以包括：可控硅控制电路。具体的，图3为本实用新型实施例提供的可控硅控制电路的结构示意图，如图3所示，可控硅控制电路可以包括：可控硅TR101，可控硅TR101 的T1和T2极连通至加热管的两端，可控硅TR101的G极与主控芯片的控制输出引脚HOT引脚连通。

其中，可控硅TR101根据控制信号产生不同的导通角，以调整加热管的加热功率。

本实施例中，可控硅TR101根据控制信号产生不同的导通角的实现原理与现有技术相同，本实施例在此不进行赘述。比如，主控芯片在每一加热阶段输出一高电平或低电平的控制信号，可控硅TR101根据高电平或低电平进行相应的导通。其中，主控芯片在每一加热阶段输出一高电平或低电平的控制信号的实现原理与现有技术相同，本实施例在此不进行赘述。

本实施例中，主控芯片输出一控制信号，以使可控硅控制电路根据控制信号调整加热管加热功率时，可通过以下几种实现方式：

第一种实现方式：烹饪器具还可以包括：过零检测电路，过零检测电路与主控芯片的电源输入引脚连通；过零检测电路检测市电的过零检测点，主控芯片在过零检测点产生边沿控制信号，根据过零检测点的边沿控制信号控制可控硅TR101的导通角。

可选的，主控芯片可以为单片机（Microcontroller Unit，简称MCU）。

可选的，图4为本实用新型实施例提供的过零检测电路的电路原理图，如图4所示，过零检测电路可以包括：二极管D1和D2，以及一个光耦U1。D1和D2的正极均与光耦U1的输入端连通，D1的负极与火线连通，D2的负极与零线连通；光耦U1的输出端与主控芯片的电源输入引脚连通。

本实施例中，采用可控硅斩波技术，实现功率可调。具体的，图5为本实用新型实施例提供的过零波形转换图，通过图4所示的过零检测电路，得到图5所示的过零转化图。如图5所示，在电网过零点产生边沿信号，根据边沿信号主控芯片通过HOT引脚输出控制信号，可控硅产生不同的导通角，进而得到不同的电网电压。因电网电压不同，产生功率也不同。从而实现发热管上有不同的温度，产生不同的辐射波。其中，图5中的横坐标为时间t，单位为秒（s）；纵坐标为幅度，单位为伏特（V）。

本实用新型实施例提供的烹饪器具，采用可控硅斩波电控方案，并配合过零检测电路，可实现单加热管功率可调，从而实现发热管上有不同的温度，产生不同的辐射波。

第二种实现方式：可控硅TR101调整加热管的加热功率时，加热管的加热功率的变化值为一固定预设值。

本实施例中，采用第一种实现方式进行可控硅斩波时，将一个正弦波周期进行若干等分，使得可调功率可以以一固定档位进行精确调节。比如，可控硅斩波时，将一个正弦波周期进行125份，可实现功率调整档位在20-100W。可调功率档位为一固定值，如20-100W，可进行精确的功率及波长调节。

本实用新型实施例提供的烹饪器具，可控硅斩波时，将一个正弦波周期进行若干等分，使得可调功率可以以一固定档位进行精确调节，精准调节功率及波长，可以匹配更多吸收波峰。

第三种实现方式：主控芯片进行分阶段控制加热时，加热阶段包括时长为A的第一加热阶段和时长为B的第二加热阶段，在第一加热阶段，加热管在可控硅的控制下进行加热；在第二加热阶段，加热管停止加热。

本实施例中，由于可控硅斩波技术对电网造成畸变大，同时需要过零电路配合，成本较高。为了克服该技术问题，本实施例可以通过可控硅掉波技术，实现功率的调节。

可选的，A+B=C*X，A= C*X*P，其中，C为电网（市电）一个周期内的波形数量，X为可控硅TR101控制加热管加热到预设温度的时间，P为预设加热功率。

本实施例中，可控硅掉波技术的实现原理为：可以将控制单位设置为X秒（一般在1-5S），控制单位即可控硅TR101控制加热管加热到预设温度的时间。电网1个周期有100个正负波，可将此看做100份，100×X得到100X个控制单元。将此单元可以分为A和B两个阶段，令A+B=100X，则可知如A时间内驱动加热，B时间内关闭加热，且可以得到平均功率为A/100X。比如A为50，B为150，X为2，则可得到，控制周期为2S，功率为50/200*1200W=300W。加热管在B时间内关闭加热时，由于热延迟性存在，加热管温度不会出现急变，控制效果可等效斩波技术。

本实用新型实施例提供的烹饪器具，采用可控硅斩波电控方案，通过A时间内驱动加热，B时间内关闭加热，可实现单加热管功率可调，且成本较低。

进一步地，在上述实施例中，烹饪器具还可以包括：用于在烹饪器具工作期间检测烹饪容器内温度的温度传感器，温度传感器与主控芯片的信号输入引脚连通。

温度传感器将检测的温度传输到主控芯片，主控芯片进行分阶段控制加热时，判断当前加热阶段的温度是否达到预设温度，在达到预设温度时，确定下一加热阶段预设加热功率和预设温度的大小，以进行下一阶段的控制加热。

本实施例中，主控芯片进行分阶段控制加热时，可根据温度传感器检测的加热管的温度，以确定是否切换到下一加热阶段。具体的，在加热管的温度达到预设温度时，输出一高电平或低电平的控制信号，以切换到下一加热阶段。

其中，主控芯片根据温度传感器检测的加热管的温度，以确定是否切换到下一加热阶段是已有的比较判定方法。比如，现有技术已有的比较判定方法可以实现在主控芯片程序中设置一预设判定值，主控芯片的采集端口获取用于判定比较的检测值（如本实施例的加热管的温度），主控芯片将获取的检测值与预设判定值进行比对，根据比对结果进行判定是否输出一高电平或低电平的控制信号。

本实施例一可替代方案，烹饪器具还可以包括：用于在烹饪器具工作期间检测加热管加热时间的计时器，计时器与主控芯片的信号输入引脚连通。

计时器将检测的加热时间传输到主控芯片，主控芯片进行分阶段控制加热时，判断当前加热阶段的加热时间是否达到预设时间，在达到预设时间时，确定下一加热阶段预设加热功率和预设温度的大小，以进行下一阶段的控制加热。

本实施例中，主控芯片进行分阶段控制加热时，可根据计时器检测的加热管的加热时间，以确定是否切换到下一加热阶段。具体的，在加热管的加热时间达到预设时间时，输出一高电平或低电平的控制信号，以切换到下一加热阶段。

其中，主控芯片根据计时器检测的加热管的加热时间，以确定是否切换到下一加热阶段是已有的比较判定方法。比如，现有技术已有的比较判定方法可以实现在主控芯片程序中设置一预设判定值，主控芯片的采集端口获取用于判定比较的检测值（如本实施例的加热管的加热时间），主控芯片将获取的检测值与预设判定值进行比对，根据比对结果进行判定是否输出一高电平或低电平的控制信号。

举例来说，图6为基于本实用新型实施例提供的烹饪器具进行加热的流程图，如图6所示，基于本实用新型实施例提供的烹饪器具进行加热具体包括以下步骤：

S601：烹饪启动，根据菜单获得不同加热参数：加热阶段参数S1-Sn、功率参数P1-Pn、加热时间参数T1-Tn和温度参数TP1-TPn。

本实施例中，根据每个菜单属性不同，获取实现编制的存储单元的食谱控制参数。每个菜单可根据食材属性，获得最佳的烹饪参数。

S602：进入加热阶段S1，根据功率参数P1得到导通角φ1，控制可控硅导通φ1。

本实施例中，进入加热阶段S1，以P1的加热功率进行加热。其中，P1的加热功率可以通过上述实施例的可控硅斩波导通角为φ1获得。

S603：判断烹饪温度TP1是否达到。若是，则执行S604；否则，执行S602。

S604：控制加热管停止加热。

S605：判断烹饪时间T1是否达到。若是，则执行S606；否则，执行S602。

本实施例中，在S603～S605中，在加热阶段S1中，设置的加热温度为TP1，加热时间为T1。加热管在加热的过程中，若加热管的温度达到TP1，则暂停加热，否则一直加热到时间T1达到。

S606：转入下一加热阶段。

本实施例中，如加热时间T1达到，则转入S2阶段，将控制参数改为TP2和T2。

S607：判断所有加热阶段是否执行完毕。若是，则结束；否则，执行，S606。

本实施例中，每一加热阶段的加热过程与S1阶段的加热原理相同，所有加热阶段执行完毕，烹饪器具完成烹饪。

举例来说，以空气炸锅烤面包为例，需要2个加热阶段：S1和S2。在S1阶段功率为1200W，导通角为360°，即为100%加热。控制腔体内温度TP1在180℃左右，烹饪时间T1在25分钟左右。此时加热管加热时辐射出3μm左右辐射波，此波长利于温度快速吸收。

在S2阶段功率为300W，导通角为90°，即为25%加热。控制腔体内温度TP2在165℃左右，烹饪时间T2在15分钟左右。此时加热管加热时辐射出5-7μm左右辐射波，此波长利于在面包已经形成外壳的烹饪环境。

本实用新型实施例提供的烹饪器具，具有以下有意效果：1、单加热管可调波长：通过功率调节，改变加热管表面温度从而实现红外波长可调，分阶段对不同波长的原子进行均匀加热，提高加热均匀性。2、分阶段加热：高功率短波加热水分子并通过传导热双重加热，低功率长波加热淀粉、纤维等物质并通过传导热保温。3、单加热管可调功率：通过斩波电控方案实现单加热管功率可调。4、单加热管可调功率：通过掉波电控方案实现单加热管功率可调。5、精准可调功率：精准调节功率及波长，匹配更多吸收波峰。

在本实用新型中的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“一侧”、“另一侧”、“一端”、“另一端”、“边”、“相对”、“四角”、“周边”、““口”字结构”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“直接连接”、“间接连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

虽然本实用新型所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本实用新型而采用的实施方式，并非用以限定本实用新型。任何本实用新型所属领域内的技术人员，在不脱离本实用新型所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本实用新型的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定为准。

Claims (10)

1.一种加工效率高的烹饪器具，包括：壳体、烹饪容器、对烹饪容器内食材进行加热的加热管、以及用于控制烹饪器具工作的主控板，其特征在于，所述主控板设有主控芯片，所述主控芯片与所述加热管连通；

所述主控芯片用于进行分阶段控制加热，在每一加热阶段输出一控制信号，所述控制信号用于控制所述加热管以预设加热功率加热到预设温度；

所述加热管以所述预设加热功率加热到预设温度时，辐射出预设波长的辐射波；

其中，不同加热阶段的预设加热功率和预设温度不同，不同预设温度对应的辐射波长不同。

2.根据权利要求1所述的烹饪器具，其特征在于，预设温度与辐射波长对应关系为：辐射波长×预设温度=常数。

3.根据权利要求1所述的烹饪器具，其特征在于，所述烹饪器具还包括：用于在烹饪器具工作期间检测烹饪容器内温度的温度传感器，所述温度传感器与所述主控芯片的信号输入引脚连通；

所述温度传感器将检测的温度传输到所述主控芯片，所述主控芯片进行分阶段控制加热时，判断当前加热阶段的温度是否达到所述预设温度，在达到所述预设温度时，确定下一加热阶段所述预设加热功率和预设温度的大小，以进行下一阶段的控制加热。

4.根据权利要求1所述的烹饪器具，其特征在于，所述烹饪器具还包括：根据所述控制信号调整加热管加热功率的功率控制电路，所述主控芯片通过所述功率控制电路与所述加热管连通；其中：

所述功率控制电路的输入端与所述主控芯片的控制输出引脚连通，所述功率控制电路的输出端与所述加热管连通。

5.根据权利要求4所述的烹饪器具，其特征在于，所述功率控制电路包括：可控硅控制电路，所述可控硅控制电路包括：可控硅TR101，可控硅TR101 的T1和T2极连通至所述加热管的两端，可控硅TR101的G极与所述主控芯片的控制输出引脚连通；其中：

可控硅TR101根据所述控制信号产生不同的导通角，以调整所述加热管的加热功率。

6.根据权利要求5所述的烹饪器具，其特征在于，所述烹饪器具还包括：过零检测电路，所述过零检测电路与所述主控芯片的电源输入引脚连通；

所述过零检测电路检测市电的过零检测点，所述主控芯片在所述过零检测点产生边沿控制信号，根据所述过零检测点的边沿控制信号控制可控硅TR101的导通角。

7.根据权利要求6所述的烹饪器具，其特征在于，所述过零检测电路包括：二极管D1和D2，以及一个光耦U1，其中：

D1和D2的正极均与光耦U1的输入端连通，D1的负极与火线连通，D2的负极与零线连通；

光耦U1的输出端与所述主控芯片的电源输入引脚连通。

8.根据权利要求5所述的烹饪器具，其特征在于，可控硅TR101调整所述加热管的加热功率时，所述加热管的加热功率的变化值为一固定预设值。

9.根据权利要求5所述的烹饪器具，其特征在于，所述主控芯片进行分阶段控制加热时，加热阶段包括时长为A的第一加热阶段和时长为B的第二加热阶段，在第一加热阶段，所述加热管在所述可控硅的控制下进行加热；在第二加热阶段，所述加热管停止加热。

10.根据权利要求9所述的烹饪器具，其特征在于，A+B=C*X，A= C*X*P，其中，C为市电一个周期内的波形数量，X为可控硅TR101控制所述加热管加热到所述预设温度的时间，P为所述预设加热功率。

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