CN210380797U - 一种mos管驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种MOS管驱动电路,其包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、以及光耦,所述第一开关管的基极通过电阻R2与所述第二开关管的集电极连接,所述第一开关管的发射极与供电端VCC连接,第二开关管的发射极和第三开关管的发射极均接地,第三开关管的基极通过电阻与充电保护输出端连接,所述光耦U1的输入端与所述充电保护输出端连接,所述光耦的输出端中的三极管的集电极与所述充放电MOS管电路中的充电MOS管的栅极连接,所述光耦U1的输出端中的三极管的发射极与所述充电MOS管的源极连接。本实用新型的MOS管驱动电路,其不会影响到负载锁定电路的正常工作,从而可有效提高电池充电电路的工作可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种MOS管驱动电路,尤其涉及一种不会影响负载锁定功能的MOS管驱动电路。
背景技术
现有的充电MOS管驱动电路,要么在没有发生充电保护状态时,拉高充电负极的电压,要么在发生充电保护状态时拉高充电负极的电压,当出现这种情况时,会使负载锁定电路出现误动作,例如过充保护状态的电池发生放电过流保护后断开负载不能释放,需要充电才能释放放电过流保护。因此,有必要提供一种方案,使得充电MOS驱动电路不会影响到负载锁定电路的正常工作。
实用新型内容
为克服现有技术的不足及存在的问题,本实用新型提供一种不会影响到负载锁定功能的MOS管驱动电路。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种MOS管驱动电路,所述 MOS管驱动电路应用于电池充电电路中,所述电池充电电路包括有相互连接的充放电MOS管电路与负载锁定电路,且所述电池充电电路具有充电保护输出端,其中,所述MOS管驱动电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、以及光耦U1,所述第一开关管Q1的基极通过电阻R2与所述第二开关管Q2的集电极连接,所述第一开关管Q1的发射极与供电端VCC 连接,该供电端VCC通过电阻R1分别与第二开关管Q2的基极以及第三开关管Q3的集电极连接,第二开关管Q2的发射极和第三开关管Q3的发射极均接地,第三开关管Q3的基极通过电阻R3与所述充电保护输出端连接,所述光耦U1的输入端中的发光二极管的正极通过电阻R6与所述充电保护输出端连接,所述光耦U1的输入端中的发光二极管的负极接地,所述光耦 U1的输出端中的三极管的集电极与所述充放电MOS管电路中的充电MOS管的栅极连接,所述光耦U1的输出端中的三极管的发射极与所述充电MOS管的源极连接,所述第一开关管Q1的集电极与充电MOS管的栅极连接。
优选地,所述第一开关管Q1的集电极与充电MOS管的栅极之间串联连接有二极管D2和电阻R4,其中,二极管D2的正极与第一开关管Q1的集电极连接;所述电阻R6及电阻R3均通过二极管D1与所述充电保护输出端连接。
较佳地,所述负载锁定电路包括第四开关管Q4、电阻R5以及电容C1,所述第四开关管Q4的集电极与充放电MOS管电路中的放电MOS管的栅极连接,所述第四开关管Q4的发射极与所述放电MOS管的源极连接;所述第四开关管Q4的基极通过所述电阻R5与所述放电MOS管的漏极连接,所述第四开关管Q4的基极还通过所述电容C1与所述放电MOS管的源极极连接。
与现有技术比较,本实用新型的MOS管驱动电路,其不论电池充电电路是否触发充电保护,均不会影响到负载锁定电路的正常工作,从而可有效提高电池充电电路的工作可靠性。
附图说明
图1是本实用新型所述MOS管驱动电路的电路示意图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解,以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如附图1所示,附图1公开了一种MOS管驱动电路,该MOS管驱动电路应用于电池充电电路中,所述电池充电电路包括有相互连接的充放电MOS 管电路与负载锁定电路,且所述电池充电电路具有充电保护功能电路,该充电保护功能电路具有充电保护输出端OVP;当发生充电保护时,该充电保护输出端OVP输出高电平,当未发生充电保护时,该充电保护输出端OVP 输出低电平。其中,所述的充放电MOS管电路包括有相互连接的充电MOS 管和放电MOS管,充电MOS管的漏极和放电MOS管的漏极连接。本实施例中,所述负载锁定电路包括第四开关管Q4、电阻R5以及电容C1,所述第四开关管Q4的集电极与充放电MOS管电路中的放电MOS管的栅极连接,所述第四开关管Q4的发射极与所述放电MOS管的源极连接;所述第四开关管 Q4的基极通过所述电阻R5与所述放电MOS管的漏极连接,所述第四开关管 Q4的基极还通过所述电容C1与所述放电MOS管的源极极连接。另外,所述第四开关管Q4的集电极还与用于驱动放电MOS管的驱动连接端DFET-DC连接。需要说明的是,充电保护功能电路为现有技术可实现的功能电路,且该充电保护功能电路也并非是本实用新型的改进点,因此不再对其进行详述。
在本实施例中,所述MOS管驱动电路包括第一开关管Q1、第二开关管 Q2、第三开关管Q3、以及光耦U1,所述第一开关管Q1的基极通过电阻R2 与所述第二开关管Q2的集电极连接,所述第一开关管Q1的发射极与供电端VCC连接,该供电端VCC通过电阻R1分别与第二开关管Q2的基极以及第三开关管Q3的集电极连接,第二开关管Q2的发射极和第三开关管Q3的发射极均接地,第三开关管Q3的基极通过电阻R3与所述充电保护输出端连接,所述光耦U1的输入端中的发光二极管的正极通过电阻R6与所述充电保护输出端连接,所述光耦U1的输入端中的发光二极管的负极接地,所述光耦U1的输出端中的三极管的集电极与所述充放电MOS管电路中的充电 MOS管的栅极连接,所述光耦U1的输出端中的三极管的发射极与所述充电 MOS管的源极连接,所述第一开关管Q1的集电极与充电MOS管的栅极连接。
作为其中一个优选的实施例,所述第一开关管Q1的集电极与充电MOS 管的栅极之间串联连接有二极管D2和电阻R4,其中,二极管D2的正极与第一开关管Q1的集电极连接;所述电阻R6及电阻R3均通过二极管D1与所述充电保护输出端连接。
在其中一个具体的实施例中,所述第一开关管Q1为PNP三极管,所述第二开关管Q2为NPN三极管,所述第三开关管Q3为NPN三极管,所述第四开关管Q4为NPN三极管;且可选地,所述第一开关管Q1的三极管型号为MMBT5401,所述第二开关管Q2三极管型号为MMBT5551,所述第三开关管Q3三极管型号为MMBT5551,所述第四开关管Q4三极管型号为MMBT5551。另外,所述光耦U1的芯片型号可以为EL357。
以下简要地说明本实施例提供的MOS管驱动电路的工作原理:
将本实用新型的MOS管驱动电路应用于具有所述充电保护功能电路的电池充电电路中,如附图1所示,参考地为电池组负极BATT-,充电负极为 C-(即P2连接端);当未发生充电保护时,充电保护输出端OVP输出低电平,此时第三开关管Q3和光耦U1截止,第一开关管Q1和第二开关管Q2 导通,充电MOS管MC1导通,因此电池充电电路可以对电池组进行充电,并且充电MOS管MC1的栅极的高电平没有路径传到充电负极C-;当发生充电保护时,充电保护输出端OVP输出高电平,此时第三开关管Q3和光耦U1 导通,第一开关管Q1和第二开关管Q2截止,因此充电MOS管MC1截止,从而电池充电电路可以不可以对充电,并且充电保护输出端OVP的高电平由于光耦U1的隔离,因此该高电平没有路径传到充电负极C-。
综上所述,本实用新型提供的MOS管驱动电路,不管充电保护功能电路是否触发充电保护,其不论电池充电电路是否触发充电保护,均不会拉高充电负极C-的电压,也就是说不会影响到负载锁定电路的正常工作,当发生充电保护后,会使负载锁定,无法再对电池组进行充电,从而可有效提高电池充电电路的工作可靠性。
上述实施例为本实用新型的较佳的实现方式,并非是对本实用新型的限定,在不脱离本实用新型的发明构思的前提下,任何显而易见的替换均在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种MOS管驱动电路,所述MOS管驱动电路应用于电池充电电路中,所述电池充电电路包括有相互连接的充放电MOS管电路与负载锁定电路,且所述电池充电电路具有充电保护输出端,其特征在于:所述MOS管驱动电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、以及光耦U1,所述第一开关管Q1的基极通过电阻R2与所述第二开关管Q2的集电极连接,所述第一开关管Q1的发射极与供电端VCC连接,该供电端VCC通过电阻R1分别与第二开关管Q2的基极以及第三开关管Q3的集电极连接,第二开关管Q2的发射极和第三开关管Q3的发射极均接地,第三开关管Q3的基极通过电阻R3与所述充电保护输出端连接,所述光耦U1的输入端中的发光二极管的正极通过电阻R6与所述充电保护输出端连接,所述光耦U1的输入端中的发光二极管的负极接地,所述光耦U1的输出端中的三极管的集电极与所述充放电MOS管电路中的充电MOS管的栅极连接,所述光耦U1的输出端中的三极管的发射极与所述充电MOS管的源极连接,所述第一开关管Q1的集电极与充电MOS管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:所述第一开关管Q1的集电极与充电MOS管的栅极之间串联连接有二极管D2和电阻R4,其中,二极管D2的正极与第一开关管Q1的集电极连接。
3.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:所述电阻R6及电阻R3均通过二极管D1与所述充电保护输出端连接。
4.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:所述第一开关管Q1为PNP三极管,所述第二开关管Q2为NPN三极管,所述第三开关管Q3为NPN三极管。
5.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:所述第一开关管Q1的三极管型号为MMBT5401,所述第二开关管Q2三极管型号为MMBT5551,所述第三开关管Q3三极管型号为MMBT5551。
6.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:所述光耦U1的芯片型号为EL357。
7.根据权利要求1~5任一项所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:所述负载锁定电路包括第四开关管Q4、电阻R5以及电容C1,所述第四开关管Q4的集电极与充放电MOS管电路中的放电MOS管的栅极连接,所述第四开关管Q4的发射极与所述放电MOS管的源极连接;所述第四开关管Q4的基极通过所述电阻R5与所述放电MOS管的漏极连接,所述第四开关管Q4的基极还通过所述电容C1与所述放电MOS管的源极极连接。
8.根据权利要求7所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:所述第四开关管Q4为NPN三极管。
9.根据权利要求8所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:所述第四开关管Q4三极管型号为MMBT5551。
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